JP2009182123A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置70には第1の電源系統の第1の電源系統の高電位側電源VDDAが供給される第1の回路部(送信側)1と、電源系統の異なる第2の電源系統の高電位側電源VDDBが供給される第2の回路部(受信側)2とが設けられる。第2の回路部(受信側)2にはNch MOSトランジスタNTa、Pch MOSトランジスタPTa、及びPch MOSトランジスタPTbが設けられる。高電位側電源VDDB側に接続されるPch MOSトランジスタPTbはノーマリーオントランジスタである。Pch MOSトランジスタPTa及びNch MOSトランジスタNTaから構成されるインバータはPch MOSトランジスタPTbと低電位側電源VSSの間に設けられ、第1の回路部(送信側)1から出力される信号S2が入力される。
【選択図】図1
Description
Ron2>>Ron3・・・・・・・・・・・・・・・・・式(1)
と設定しているので、高電位側電源VDDBとノードN1間の通常動作時の抵抗値Rregは、
1/Rreg=(1/Ron2)+(1/Ron3) ・・・・・・・・・式(2)
1/Rreg≒1/Ron3・・・・・・・・・・・・・・・・式(3)
と表される。
1/Rstb=1/Ron2・・・・・・・・・・・・・・・式(4)
と表される。
Ron11>>Ron12・・・・・・・・・・・・・・・式(5)
と設定しているので、高電位側電源VDDBとノードN11間の通常動作時の抵抗値Rregaは、
1/Rrega=(1/Ron11)+(1/Ron12) ・・・・・・式(6)
1/Rrega≒1/Ron12・・・・・・・・・・・・・式(7)
と表される。
1/Rstba=1/Ron11・・・・・・・・・・・・・式(8)
と表される。
(付記1) 第1の電源系統の第1の高電位側電源と低電位側電源の間に設けられる第1の回路ブロックを有する第1の回路部と、第2の端子が前記第1の電源系統とは異なる第2の電源系統の第2の高電位側電源に接続され、制御端子が前記低電位側電源に接続される第1のPch絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、第2の端子が前記第2の高電位側電源に接続され、制御端子に第3の信号が入力され、前記第3の信号がローレベルのときにオンする第2のPch絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記第1及び第2のPch絶縁ゲート型電界効果トランジスタの第1の端子と前記低電位側電源の間に設けられ、前記第1の回路ブロックから出力される複数の信号が入力され、複数の信号を出力する第2の回路ブロックとを有する第2の回路部とを具備する半導体装置。
2、2a、2b、2c 第2の回路部(受信側)
11 第1の回路ブロック
12 第2の回路ブロック
70、71、72、73 半導体装置
BUFF1 バッファ
INV1、INV11〜14 インバータ
N1、N11 ノードN1
NAND1 2入力NAND回路
NT1、NT11、NT12、NTa Nch MOSトランジスタ
PT1〜3、PTa、PTb Pch MOSトランジスタ
S1〜4、S11〜16、S21、S22、S2m、S31、S32、S3n 信号
VDDA、VDDB 高電位側電源
VSS 低電位側電源(接地電位)
Claims (5)
- 第1の電源系統の第1の高電位側電源と低電位側電源の間に設けられ、第1の信号が入力されて第2の信号を出力する第1の回路を有する第1の回路部と、
前記第1の電源系統とは異なる第2の電源系統の第2の高電位側電源に接続されるノーマリーオントランジスタの第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと前記低電位側電源の間に設けられ、前記第2の信号が入力され、第3の信号を出力する第2の回路とを有する第2の回路部と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の回路部は、前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと並列に接続され、前記第2の高電位側電源に接続され、制御端子に第4信号が入力される第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを具備し、
前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、前記第4の信号に基づいて前記第2の回路の動作時にオンし、前記第2の回路が動作しない時にオフすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2の高電位側電源と前記低電位側電源の間に設けられ、入力側に第1の高電位側電源電圧が入力され、出力側から前記第4の信号を前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの制御端子に出力するインバータを具備し、前記インバータを構成するトランジスタのゲート耐圧が前記第1及び第2の回路を構成するトランジスタと前記第1及び第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート耐圧よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのオン抵抗は、前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのオン抵抗よりも大きいことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 第1の電源系統の第1の高電位側電源と低電位側電源の間に設けられ、m個(ただし、mは2以上)の信号を出力する第1の回路ブロックを有する第1の回路部と、
前記第1の電源系統とは異なる第2の電源系統の第2の高電位側電源に接続されるノーマリーオントランジスタの第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記第2の高電位側電源に接続され、制御端子に第1の信号が入力される第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、並列配置される第1及び第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと前記低電位側電源の間に設けられ、前記m個の信号が入力され、n個(ただし、nは2以上)の信号を出力する第2の回路ブロックとを有する第2の回路部と、
を具備し、前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは前記第1の信号に基づいて前記第2の回路ブロックの動作時にオンし、前記第2の回路ブロックが動作しない時にオフすることを特徴とする半導体装置。
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