JP5576248B2 - 電源スイッチ回路 - Google Patents

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Description

本発明は電源スイッチ回路に関し、特に突入電流の発生を抑制することができる電源スイッチ回路に関する。
近年、携帯用電子機器が広く普及してきている。これに伴い、携帯用電子機器の長時間駆動が要求されるようになった。この要求を実現するために、半導体集積回路の技術分野においても低消費電力化が重要となる。
低消費電力化技術の一つとして、リーク電流削減を目的としたMOSトランジスタを用いた電源スイッチ回路が知られている。この電源スイッチ回路では、電源スイッチがオン状態の時に発生する突入電流が及ぼす電源ノイズの発生が問題となる。
特許文献1には、このような電源ノイズを抑える技術が開示されている。特許文献1に開示されている半導体集積回路では、論理回路ブロックの複数の電源端子がリーク電流遮断回路を介して実電源線に接続されている。論理回路ブロックを活性化させるとき、リーク電流遮断回路を用いて、論理回路ブロックの電源端子の各々が所定時間ずつ遅延しながら、実電源線に電気的に接続されるようにしている。これにより、論理回路ブロックを活性化させる際に生じる実電源線の電位降下を小さなものに抑え、電源ノイズも小さく抑えることができるので、電源ノイズによって活性化状態にある他の論理回路ブロックが誤動作することを防止することができる。
また、特許文献2には、個々のパワードメインをイネーブルとするための電源スイッチ回路に関する技術が開示されている。特許文献2に開示されている技術では、電源スイッチのイネーブル信号系統を分けて、電源スイッチ動作を制御する専用の制御回路を用いて電源スイッチをオン状態とするタイミングがずれるように制御している。
図13は、特許文献2に開示されている電源スイッチ回路を説明するための図である。図13に示す電源スイッチ回路は、制御回路110と、パワードメイン102とを備える。パワードメイン102は、複数の電源スイッチ回路211〜219と、ドメイン回路要素220、221、222とを備える。パワードメイン102には、第1の電源供給バス107、ローカル電源供給バス204、および第2の電源供給バス108が設けられている。また、制御回路110からパワードメイン102へ、イネーブル信号EN1、EN2が供給される。
図13に示すように、電源スイッチ回路211〜219は、パワードメイン102全体に分散するように配置されている。また、電源スイッチ回路211〜219は、イネーブル信号に応じて、第1の電源供給バス107とローカル電源供給バス204とを接続する。イネーブル信号EN1は、電源スイッチ回路211に供給される。一方、イネーブル信号EN2の経路は、電源スイッチ回路212〜219を経由して伸びている。イネーブル信号EN2は、電源スイッチ回路212〜219を順次通過して、電源スイッチ回路212〜219にそれぞれ供給される。これにより、電源スイッチ回路212〜219を1つずつ順次オン状態にすることができる。
パワードメインに電源を供給する場合、制御回路110は電源スイッチ211をオン状態にするためのイネーブル信号EN1を、電源スイッチ211に供給する。この時、電源スイッチ211のみがオン状態となっている。そして、所定の時間経過後、電源スイッチ回路212〜219をオン状態とするイネーブル信号EN2を、各電源スイッチ回路212〜219に供給する。この時、イネーブル信号EN2は各電源スイッチ回路212〜219を経由して伝わるため、電源スイッチ回路212〜219は順次オン状態となる。
よって、特許文献2に開示されている電源スイッチ回路では、電源スイッチ回路211〜219を時間的な間隔をあけてオン状態とすることができるため、第1の電源供給バス107とローカル電源供給バス204とを接続した際に大きな電流が発生することを回避することができる。
特開2003−289245号公報 特表2008−532265号公報
特許文献2に開示されている技術では、ドメイン回路要素へ流れる突入電流や電源ノイズの発生を低減するために、電源スイッチ回路211〜219を時間的な間隔をあけてオン状態としている。ここで、電源スイッチ回路211〜219をこのように制御するために、イネーブル信号をイネーブル信号EN1とイネーブル信号EN2の2つに分けている。そして、イネーブル信号EN1を用いて電源スイッチ回路211をオン状態にしてから、イネーブル信号EN2を用いて電源スイッチ回路212〜219をオン状態にしている。
特許文献2に開示されている電源スイッチ回路では、2つのイネーブル信号EN1、EN2を上記のように制御するために、制御回路110が必要となる。ここで、制御回路110は、2−ビット・イネーブル・レジスタ、5−ビット・カウント・レジスタ、5−ビット・カウント・ダウン・カウンタ、5−ビットORゲート、2つの2−入力ORゲート、2つの2−入力ANDゲート、及び2つのインバータを含む(特許文献2の図7参照)。よって、特許文献2に開示されている電源スイッチ回路では、制御回路110を追加する必要があるため、チップ面積が増大するという問題がある。
本発明にかかる電源スイッチ回路は、第1の電源線から第2の電源線へ電源電圧を印加する電源スイッチ回路であって、前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を第1のイネーブル信号に応じて切り替える第1のスイッチ素子と、前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を切り替える第2のスイッチ素子と、前記第2の電源線から電源が供給される論理ゲートを少なくとも1つ備え、前記第2のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、を有し、前記スイッチ制御回路は、当該スイッチ制御回路に供給される第2のイネーブル信号及び前記第2の電源線の電圧である第2の電源電圧に基づいて前記第2のスイッチ素子を制御する。
本発明にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ素子がオン状態となり、第1のスイッチ素子を介して、第1の電源線から第2の電源線へ電源電圧が印加された後、第2の電源線の電源電圧が所定の電圧になるまでの間、第2のスイッチ素子をオフ状態のままとすることができる。そして、第2の電源線の電源電圧が所定の電圧となった後に、第2のスイッチ素子を介して、第1の電源線から第2の電源線へ電源電圧を印加することができる。本発明では、第2のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路を、第2の電源線から電源が供給される論理ゲートを用いて構成しているので、チップ面積の増大を抑制することができる。
本発明により、チップ面積を増大させることなく突入電流の発生を抑制することができる電源スイッチ回路を提供することが可能となる。
実施の形態1にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。 実施の形態1にかかる電源スイッチ回路を示す回路図である。 実施の形態1にかかる電源スイッチ回路が備えるスイッチ制御回路を示す回路図である。 実施の形態1にかかる電源スイッチ回路を用いたパワードメインを示す図である。 実施の形態2にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。 実施の形態3にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。 実施の形態4にかかる電源スイッチ回路に用いられる第2のスイッチ回路を示す回路図である。 実施の形態5にかかる電源スイッチ回路を用いたパワードメインを示す図である。 実施の形態5にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。 実施の形態6にかかる電源スイッチ回路を示す回路図である。 実施の形態6にかかる電源スイッチ回路が備えるスイッチ制御回路を示す回路図である。 実施の形態6にかかる電源スイッチ回路を用いたパワードメインを示す図である。 特許文献2に開示されている電源スイッチ回路を説明するための図である。
実施の形態1
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。図1に示す電源スイッチ回路は、第1のスイッチ素子1、第2のスイッチ素子2、およびスイッチ制御回路3を有する。本実施の形態にかかる電源スイッチ回路は、第1の電源線(VDD1)21から第2の電源線(VDD2)22へ電源電圧を印加する電源スイッチ回路である。また、ドメイン回路要素7は、第2の電源線(VDD2)22と第3の電源線(GND)23との間に接続されている。
第1のスイッチ素子1は、第1の電源線21と第2の電源線22との間に接続され、第1の電源線21と第2の電源線22との接続および非接続を第1のイネーブル信号4に応じて切り替える。
第2のスイッチ素子2は、第1の電源線21と第2の電源線22との間に接続され、第1の電源線21と第2の電源線22との接続および非接続を、スイッチ制御回路3から出力される制御信号6に応じて切り替える。
スイッチ制御回路3は、第2の電源線22から電源が供給される論理ゲートを少なくとも1つ備え、第2のスイッチ素子2を制御する。すなわち、スイッチ制御回路3は、当該スイッチ制御回路3に供給される第2のイネーブル信号5及び第2の電源線22の電圧である第2の電源電圧(VDD2)に基づいて第2のスイッチ素子2を制御する。以下、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路の具体的な回路例について説明する。
図2は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を示す回路図である。図2に示す電源スイッチ回路は、第1のスイッチ回路11と第2のスイッチ回路12とを備える。
第1のスイッチ回路11は、インバータ(第5のインバータ)INV3、インバータ(第6のインバータ)INV4、および第1のスイッチ素子1を備える。
インバータINV3は、第1の電源線(VDD1)21および第3の電源線(GND)23から電源が供給されると共に、第1のイネーブル信号4が入力される。インバータINV3は、入力された第1のイネーブル信号4を反転してインバータINV4へ出力する。インバータINV4は、第1の電源線(VDD1)21および第3の電源線(GND)23から電源が供給されると共に、インバータINV3からの出力が供給される。インバータINV4は、インバータINV3からの出力を反転させた信号を第1のスイッチ素子1のゲートへ出力する。
ここで、インバータINV4の出力は第2のイネーブル信号5として第2のスイッチ回路12へ供給される。なお、図2に示した回路では、第1のイネーブル信号4を第2のイネーブル信号5として第2のスイッチ回路12へ供給してもよい。
第1のスイッチ素子1は、例えばPチャンネル型トランジスタで構成されている。第1のスイッチ素子1のソースは第1の電源線21と、ゲートはインバータINV4の出力と、ドレインは第2の電源線22と、それぞれ接続されている。
第2のスイッチ回路12は、インバータ(第1のインバータ)INV1、インバータ(第2のインバータ)INV2、および第2のスイッチ素子2を備える。ここで、インバータINV1とインバータINV2はスイッチ制御回路3を構成する。
インバータINV1は、第2の電源線(VDD2)22および第3の電源線(GND)23から電源が供給されると共に、第2イネーブル信号5が入力される。インバータINV1は、入力された第2のイネーブル信号5を反転した信号9をインバータINV2へ出力する。インバータINV2は、第1の電源線(VDD1)21および第3の電源線(GND)23から電源が供給されると共に、インバータINV1からの出力が供給される。インバータINV2は、インバータINV1からの出力を反転させた制御信号6を第2のスイッチ素子2のゲートへ出力する。ここで、インバータINV2の出力はイネーブル信号8として後段のスイッチ回路13へ供給される。
第2のスイッチ素子2は、例えばPチャンネル型トランジスタで構成されている。第2のスイッチ素子2のソースは第1の電源線21と、ゲートはインバータINV2の出力と、ドレインは第2の電源線22と、それぞれ接続されている。
ドメイン回路要素7は、第2の電源線(VDD2)22と第3の電源線(GND)23との間に接続されている。また、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第2のスイッチ回路12の後段に更に複数のスイッチ回路13を備えていてもよい。
次に、図2に示す本実施の形態にかかる電源スイッチ回路の動作について説明する。なお、以下ではスイッチ回路11およびスイッチ回路12の動作について説明するが、これよりも多い数のスイッチ回路を備えている場合でも同様の動作となる。
第1のスイッチ回路11のインバータINV3に、第1のイネーブル信号4としてハイレベルの信号が供給されると、インバータINV3はロウレベルの信号(GND)をインバータINV4へ出力する。ここで、ハイレベルの信号とはインバータを反転させることができるレベルの信号であり、インバータのスレッショルド電圧よりも高い電圧の信号である。
インバータINV4にインバータINV3の出力であるロウレベルの信号が供給されると、インバータINV4はハイレベルの信号(VDD1)を第1のスイッチ素子1のゲートへ供給する。第1のスイッチ素子1のゲートにはハイレベルの信号が供給されているので、第1のスイッチ素子1はオフ状態となる。
また、インバータINV4からは第2のイネーブル信号5としてハイレベルの信号が出力される。第2のスイッチ回路12のインバータINV1に、第2のイネーブル信号5としてハイレベルの信号が供給されると、インバータINV1はロウレベルの信号をインバータINV2へ出力する。
インバータINV2にインバータINV1の出力であるロウレベルの信号が供給されると、インバータINV2はハイレベルの信号を第2のスイッチ素子2のゲートへ供給する。第2のスイッチ素子2のゲートにはハイレベルの信号が供給されているので、第2のスイッチ素子2はオフ状態となる。
よって、第1のイネーブル信号4としてハイレベルの信号が供給された場合、第1のスイッチ素子1および第2のスイッチ2はオフ状態となるため、第1の電源線21と第2の電源線22は接続されない。
一方、第1のスイッチ回路11のインバータINV3に、第1のイネーブル信号4としてロウレベルの信号が供給されると、インバータINV3はハイレベルの信号をインバータINV4へ出力する。ここで、ロウレベルの信号とはインバータを反転させることができるレベルの信号であり、インバータのスレッショルド電圧よりも低い電圧の信号である。
インバータINV4にインバータINV3の出力であるハイレベルの信号が供給されると、インバータINV4はロウレベルの信号を第1のスイッチ素子1のゲートへ供給する。この時、第1のスイッチ素子1のゲートにはロウレベルの信号が供給されているので、第1のスイッチ素子1はオン状態となる。これにより、第1のスイッチ素子1を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加される。
また、インバータINV4からは第2のイネーブル信号5としてロウレベルの信号が出力される。第2のスイッチ回路12のインバータINV1に、第2のイネーブル信号5としてロウレベルの信号が供給されると、インバータINV1は第2の電源線22の電源電圧(VDD2)をインバータINV2へ出力する。
図3は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路が備えるスイッチ制御回路を示す回路図である。すなわち、図3に示すように、第2のイネーブル信号5としてロウレベルの信号が供給されると、インバータINV1が備えるPチャネル型トランジスタPM11がオン状態、Nチャネル型トランジスタNM11がオフ状態となる。これにより、インバータINV1から信号9として第2の電源電圧(VDD2)が出力される。
インバータINV2に信号9として供給された第2の電源電圧(VDD2)は、インバータINV2を構成するPチャネル型トランジスタPM12のゲートおよびNチャネル型トランジスタNM12のゲートに印加される。ここで、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV2のスレッショルド電圧よりも低い場合、すなわち、第2の電源電圧(VDD2)がNチャネル型トランジスタNM12のスレッショルド電圧よりも低い場合、Nチャネル型トランジスタNM12はオフ状態、Pチャネル型トランジスタPM12はオン状態のままとなる。このため、インバータINV2からは制御信号6として、第1の電源電圧(VDD1)、つまりハイレベルの信号が出力される。そして、第2のスイッチ素子2のゲートにはハイレベルの信号(VDD1)が供給されるので、第2のスイッチ素子2はオフ状態のままとなる。
一方、第1のスイッチ素子1を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加され続けると、第2の電源電圧(VDD2)は上昇する。そして、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV2のスレッショルド電圧(インバータINV2を反転動作可能な電圧)よりも高くなると、すなわち、第2の電源電圧(VDD2)がNチャネル型トランジスタNM12のスレッショルド電圧よりも高くなると、Nチャネル型トランジスタNM12はオン状態、Pチャネル型トランジスタPM12はオフ状態となる。この時、インバータINV2からは制御信号6として、第3の電源電圧(GND)、つまりロウレベルの信号が出力される。そして、第2のスイッチ素子2のゲートにはロウレベルの信号(GND)が供給されるので、第2のスイッチ素子2はオン状態となる。これにより、第2のスイッチ素子2を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加されるようになる。
このように、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ素子1がオン状態となり、第1のスイッチ素子1を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が供給された後、第2の電源線22の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以上になるまでの間、第2のスイッチ素子2をオフ状態のままとすることができる。そして、第2の電源線22の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以上となった後に、第2のスイッチ素子2を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)を印加することができる。
このとき、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV2のスレッショルド電圧以上となるまで、第1のスイッチ素子1のみで第1の電源線21と第2の電源線22とを接続している。ここで、第1の電源線21と第2の電源線22との接続は高抵抗での接続であるため突入電流を抑えることができる。また、これに伴い電源ノイズも抑えることができる。更に、第2の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以上となった後に、第2のスイッチ素子2によって、第1の電源線21と第2の電源線22とが接続される。この時、第1の電源線21と第2の電源線22との電位差が小さいため、突入電流を小さく抑えることができる。よって、電源ノイズも抑えることができる。
本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、上記動作を実現する回路を、第2の電源線から電源が供給されるインバータ回路INV1と、インバータ回路INV2とを用いて構成することができるので、専用の制御回路を追加する必要がない。このため、チップ面積の増大を抑えることができる。
図4は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を用いたパワードメインを示す図である。図4に示すように、パワードメインは、第1のスイッチ回路(SW1)〜第nのスイッチ回路(SWn)を備える。ドメイン回路要素7は、第2の電源線(VDD2)22と第3の電源線(GND)23との間に接続されている。
本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ回路(SW1)11を図2に示した第1のスイッチ回路11で構成する。そして、第2のスイッチ回路(SW2)12を図2に示した第2のスイッチ回路12で構成する。更に、第3のスイッチ回路(SW3)13以降のスイッチ回路は、図2に示した第1のスイッチ回路11と同様の構成のスイッチ回路で構成してもよく、また図2に示した第2のスイッチ回路12と同様の構成のスイッチ回路で構成してもよい。すなわち、図4に示したパワードメインでは、図2に示した第1のスイッチ回路11と同様の構成の回路と、第2のスイッチ回路12と同様の構成の回路を自由に組み合わせて回路を構成することができる。
以上で説明したように、本実施の形態にかかる発明により、チップ面積を増大させることなく突入電流の発生を抑制することができる電源スイッチ回路を提供することが可能となる。
実施の形態2
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図5は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。図5に示す本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、実施の形態1で説明した図2に示した電源スイッチ回路と比べて、第1のスイッチ回路11の構成が異なる。これ以外は、実施の形態1にかかる電源スイッチ回路と同様であるので重複した説明は省略する。
図5に示す電源スイッチ回路の第1のスイッチ回路11は、インバータ(第4のインバータ)INV5および第1のスイッチ素子1を備える。
インバータINV5は、第1の電源線(VDD1)21および第3の電源線(GND)23から電源が供給されると共に、第1のイネーブル信号4が入力される。インバータINV5は、入力された第1のイネーブル信号4を反転させた信号を第1のスイッチ素子1のゲートへ出力する。また、第1のイネーブル信号4を反転させた信号を第2のイネーブル信号5として第2のスイッチ制御回路12へ出力する。
第1のスイッチ素子1は、例えばPチャンネル型トランジスタで構成されている。第1のスイッチ素子1のソースは第1の電源線21と、ゲートはインバータINV5の出力と、ドレインは第2の電源線22と、それぞれ接続されている。
第1のスイッチ回路11のインバータINV5に、第1のイネーブル信号4としてハイレベルの信号が供給されると、インバータINV5はロウレベルの信号を第1のスイッチ素子1のゲートへ供給する。第1のスイッチ素子1のゲートにはロウレベルの信号が供給されているので、第1のスイッチ素子1はオン状態となる。これにより、第1のスイッチ素子1を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加される。
また、インバータINV5からは第2のイネーブル信号5としてロウレベルの信号が出力される。第2のスイッチ回路12のインバータINV1に、第2のイネーブル信号5としてロウレベルの信号が供給されると、第2の電源線22の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以上となった後に、第2のスイッチ素子2はオン状態となる(詳細については実施の形態1を参照)。これにより、第2のスイッチ素子2を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が供給されるようになる。
よって、本実施の形態にかかる発明により、チップ面積を増大させることなく突入電流の発生を抑制することができる電源スイッチ回路を提供することが可能となる。特に、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ回路11の構成をより簡略化することができる。
実施の形態3
次に、本発明の実施の形態3について説明する。図6は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。図6に示す本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、実施の形態1で説明した図2に示した電源スイッチ回路と比べて、第1のスイッチ回路11の構成が異なる。これ以外は、実施の形態1にかかる電源スイッチ回路と同様であるので重複した説明は省略する。
図6に示す電源スイッチ回路の第1のスイッチ回路11は、第1のスイッチ素子1のみを備える。第1のスイッチ素子1は、例えばPチャンネル型トランジスタで構成されている。第1のスイッチ素子1のソースは第1の電源線21と、ドレインは第2の電源線22と、接続されている。第1のスイッチ素子1のゲートにはイネーブル信号4が供給される。
第1のスイッチ回路11に、第1のイネーブル信号4としてロウレベルの信号が供給されると、第1のスイッチ素子1のゲートはロウレベルとなるので、第1のスイッチ素子1はオン状態となる。これにより、第1のスイッチ素子1を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加される。
また、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第2のイネーブル信号5として第1のイネーブル信号4と同一の信号が供給される。第2のスイッチ回路12のインバータINV1に、第2のイネーブル信号5としてロウレベルの信号が供給されると、第2の電源線22の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以上となった後に、第2のスイッチ素子2はオン状態となる(詳細については実施の形態1を参照)。これにより、第2のスイッチ素子2を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加されるようになる。
よって、本実施の形態にかかる発明により、チップ面積を増大させることなく突入電流の発生を抑制することができる電源スイッチ回路を提供することが可能となる。特に、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ回路11の構成をより簡略化することができる。
実施の形態4
次に、本発明の実施の形態4について説明する。図7は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路に用いられる第2のスイッチ回路を示す回路図である。本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、実施の形態1乃至3で説明した電源スイッチ回路(図2、図5、および図6参照)と比べて、第2のスイッチ回路12の構成が異なる。これ以外は、実施の形態1乃至3にかかる電源スイッチ回路と同様であるので重複した説明は省略する。
第2のスイッチ回路12は、インバータINV1、インバータINV2、抵抗素子R1、および第2のスイッチ素子2を備える。ここで、インバータINV1、インバータINV2、および抵抗素子R1はスイッチ制御回路3を構成する。
インバータINV1は、第2の電源線(VDD2)22および第3の電源線(GND)23から電源が供給されると共に、第2のイネーブル信号5が入力される。インバータINV1は、入力された第2のイネーブル信号5を反転した信号9をインバータINV2へ出力する。インバータINV2は、第2の電源線(VDD2)22および第3の電源線(GND)23から電源が供給されると共に、インバータINV1からの出力が供給される。インバータINV2は、インバータINV1からの出力を反転させた制御信号6を第2のスイッチ素子2のゲートへ出力する。ここで、インバータINV2の出力はイネーブル信号8として後段のスイッチ回路へ供給される。
抵抗素子R1は、第1の電源線(VDD1)21と第2のスイッチ素子2のゲートとの間に接続されている。第1のスイッチ素子2は、例えばPチャンネル型トランジスタで構成されている。第2のスイッチ素子2のソースは第1の電源線21と、ゲートはインバータINV2の出力および抵抗素子R1の一端と、ドレインは第2の電源線22と、それぞれ接続されている。
実施の形態1の場合と同様に、第2のスイッチ回路12のインバータINV1に、第2のイネーブル信号5としてロウレベルの信号が供給されると、インバータINV1は第2の電源電圧(VDD2)をインバータINV2へ出力する。
第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV2のスレッショルド電圧よりも低い場合、インバータINV2は反転信号を出力しないため、インバータINV2からは制御信号6として、第2の電源電圧(VDD2)が出力される。この時、インバータINV2の出力電圧である第2の電源電圧(VDD2)は、第1の電源電圧(VDD1)よりも低い。このため、第2のスイッチ素子2の動作が不安定となる。しかし、抵抗素子R1(例えば高抵抗の抵抗素子)を第1の電源線(VDD1)21と第2のスイッチ素子2のゲートとの間に接続することで、第2のスイッチ素子2のゲート電圧を第1の電源電圧(VDD1)に昇圧することができるため、第2のスイッチ素子2を安定してオフ状態とすることができる。
一方、第1のスイッチ素子1を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加され続けると、第2の電源電圧(VDD2)は上昇する。そして、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV2のスレッショルド電圧(インバータINV2を反転動作可能な電圧)よりも高くなると、インバータINV2からは制御信号6として、第3の電源電圧(GND)、つまりロウレベルの信号が出力される。そして、第2のスイッチ素子2のゲートにはロウレベルの信号(GND)が供給されるので、第2のスイッチ素子2はオン状態となる。これにより、第2のスイッチ素子2を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加されるようになる。
図2に示した実施の形態1にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ素子1がオン状態となった後、第2の電源電圧(VDD2)は長い時間をかけて上昇する。この際、インバータINV2が第1の電源線21に接続されていると、第1の電源線21と第3の電源線23との間に、過渡的に貫通電流が流れる。
しかし、図7に示すように、インバータINV2の電源として、第1の電源電圧(VDD1)よりも低い第2の電源電圧(VDD2)を供給することで、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV2のスレッショルド電圧に達するまでの間にインバータINV2に過渡的に流れる貫通電流を低減することができる。
よって、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路により、インバータに過渡的に流れる貫通電流を低減することができ、電源スイッチ回路の消費電力を更に低減することができる。
実施の形態5
次に、本発明の実施の形態5について説明する。図8は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を用いたパワードメインを示す図である。図8に示すように、パワードメインは、第1のスイッチ回路(SW1)31〜第6のスイッチ回路(SW6)36を備える。ドメイン回路要素37、38は、第2の電源線(VDD2)22と第3の電源線(GND)23との間に接続されている。
本実施の形態にかかる電源スイッチ回路において、第1のスイッチ回路31は、図2に示した第1のスイッチ回路11と同様の回路で構成されている。また、第2のスイッチ回路32は、図2に示した第2のスイッチ回路12と同様の回路で構成されている。ここで、本実施の形態では、第2のスイッチ回路32に用いられているインバータINV2のスレッショルド電圧は、第3のスイッチ回路33が備えるインバータINV2のスレッショルド電圧と第3の電源電圧(GND)との間の電圧となるように設定されている。つまり、第2のスイッチ回路32に用いられているインバータINV2は、第3のスイッチ回路33が備えるインバータINV2よりも、インバータINV2のスレッショルド電圧が低く設定されている。また、第3のスイッチ回路33は、図2に示した第2のスイッチ回路12と同様の回路で構成されている。
第4のスイッチ回路34〜第6のスイッチ回路36のそれぞれは、例えば図2に示した第1のスイッチ回路11と同様の回路で構成する。なお、図8に示した第4のスイッチ回路34〜第6のスイッチ回路36は一例であり、図2に示した第2のスイッチ回路12と同様の構成のスイッチ回路で構成してもよい。また、図2に示した第1のスイッチ回路11と同様の構成の回路と、図2に示した第2のスイッチ回路12と同様の構成の回路を自由に組み合わせて構成してもよい。
次に、図8に示す本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を用いたパワードメインの動作について説明する。なお、図8に示す電源スイッチ回路を用いたパワードメインの動作については、図2で説明した実施の形態1にかかる電源スイッチ回路の動作と重複する部分があるので、重複した部分の説明については適宜省略する。
図2に示した電源スイッチ回路と同様に、第1のイネーブル信号39としてロウレベルの信号が第1のスイッチ回路31に供給されると、第1のスイッチ回路31が備えるスイッチ素子がオン状態となる。これにより、第1のスイッチ回路31を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加される。
また、図2に示した電源スイッチ回路と同様に、第1のスイッチ回路31からは第2のイネーブル信号40としてロウレベルの信号が出力される。第2のスイッチ回路32のインバータINV1に、第2のイネーブル信号40としてロウレベルの信号が供給されると、インバータINV1は第2の電源電圧(VDD2)をインバータINV2へ出力する。
ここで、第2のスイッチ回路32に用いられているインバータINV2は、第3のスイッチ回路33が備えるインバータINV2よりも、インバータINV2のスレッショルド電圧が低く設定されている。よって、第1のスイッチ回路31が備えるスイッチ素子がオン状態となり第2の電源電圧(VDD2)が徐々に上昇し、当該第2の電源電圧(VDD2)が第2のスイッチ回路32が備えるインバータINV2のスレッショルド電圧よりも高くなると、第2のスイッチ回路32が備えるスイッチ素子がオン状態となる。これにより、第2のスイッチ回路32を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加される。
すなわち、第2のスイッチ回路32に用いられているインバータINV2は、第3のスイッチ回路33が備えるインバータINV2よりも、インバータINV2のスレッショルド電圧が低く設定されているため、第2のスイッチ回路32は、第3のスイッチ回路33よりも先に第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)を印加する。
この時、第1のスイッチ回路31および第2のスイッチ回路32を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加されている。
その後、第2の電源電圧(VDD2)が第3のスイッチ回路33が備えるインバータINV2のスレッショルド電圧よりも高くなると、第3のスイッチ回路33が備えるスイッチ素子2がオン状態となる。これにより、第3のスイッチ回路33を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)が印加される。
以降、第4のスイッチ回路34〜第6のスイッチ回路36についても、図2に示した電源スイッチ回路と同様の動作をする。例えば第4のスイッチ回路34〜第6のスイッチ回路36のそれぞれを、図2に示した第1のスイッチ回路11と同様の回路で構成した場合、第3のスイッチ回路33からイネーブル信号が出力された後、第4のスイッチ回路34〜第6のスイッチ回路36は、順次オン状態となる。
以上で説明したように、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ回路31がオン状態となった後、第3のスイッチ回路33がオン状態となる前に、第2のスイッチ回路32をオン状態とすることができる。これにより、第2のスイッチ回路32がオン状態となった後に、第1のスイッチ回路31および第2のスイッチ回路32を介して、第1の電源線21から第2の電源線22へ第1の電源電圧(VDD1)を印加することができる。よって、第2の電源電圧の昇圧スピードを実施の形態1の場合よりも速くすることができるので、第3のスイッチ回路33がオン状態となるまでの時間を短縮することができる。
なお、図8で説明した電源スイッチ回路では、スレッショルド電圧が低いインバータINV2を備えるスイッチ回路が一つの場合を例示した。しかし、スレッショルド電圧が低いインバータINV2を備えるスイッチ回路は複数備えていてもよい。また、スレッショルド電圧が低く設定されたインバータINV2を備えるスイッチ回路が複数ある場合には、各々のインバータINV2のスレッショルド電圧が異なるようにしてもよい。
実施の形態6
次に、本発明の実施の形態6について説明する。本実施の形態にかかる電源スイッチ回路は、実施の形態1で説明した第1のスイッチ回路11の第1のスイッチ素子1と、第2のスイッチ回路12の第2のスイッチ素子2をNチャネル型トランジスタで構成している。なお、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路についても、実施の形態2乃至5にかかる発明を適用することができる。
図9は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を示すブロック図である。図9に示す電源スイッチ回路は、第1のスイッチ素子51、第2のスイッチ素子52、およびスイッチ制御回路53を有する。本実施の形態にかかる電源スイッチ回路は、第1の電源線(GND)71から第2の電源線(VDD2)72へ電源電圧を印加する電源スイッチ回路である。また、ドメイン回路要素57は、第2の電源線(VDD2)72と第3の電源線(VDD1)73との間に接続されている。
第1のスイッチ素子51は、第1の電源線71と第2の電源線72との間に接続され、第1の電源線71と第2の電源線72との接続および非接続を第1のイネーブル信号54に応じて切り替える。
第2のスイッチ素子52は、第1の電源線71と第2の電源線72との間に接続され、第1の電源線71と第2の電源線72との接続および非接続を、スイッチ制御回路53から出力される制御信号56に応じて切り替える。
スイッチ制御回路53は、第2の電源線72から電源が供給される論理ゲートを少なくとも1つ備え、第2のスイッチ素子52を制御する。すなわち、スイッチ制御回路53は、当該スイッチ制御回路53に供給される第2のイネーブル信号55及び第2の電源線72の電圧である第2の電源電圧(VDD2)に基づいて第2のスイッチ素子52を制御する。以下、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路の具体的な回路例について説明する。
図10は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を示す回路図である。図10に示す電源スイッチ回路は、第1のスイッチ回路61と第2のスイッチ回路62とを備える。
第1のスイッチ回路61は、インバータ(第5のインバータ)INV13、インバータ(第6のインバータ)INV14、および第1のスイッチ素子51を備える。
インバータINV13は、第1の電源線(GND)71および第3の電源線(VDD1)73から電源が供給されると共に、第1のイネーブル信号54が入力される。インバータINV13は、入力された第1のイネーブル信号54を反転してインバータINV14へ出力する。インバータINV14は、第1の電源線(GND)71および第3の電源線(VDD1)73から電源が供給されると共に、インバータINV13からの出力が供給される。インバータINV14は、インバータINV13からの出力を反転させた信号を第1のスイッチ素子51のゲートへ出力する。
ここで、インバータINV14の出力は第2のイネーブル信号55として第2のスイッチ回路62へ供給される。なお、図10に示した回路では、第1のイネーブル信号54を第2のイネーブル信号55として第2のスイッチ回路62へ供給してもよい。
第1のスイッチ素子51は、例えばNチャンネル型トランジスタで構成されている。第1のスイッチ素子51のソースは第1の電源線71と、ゲートはインバータINV14の出力と、ドレインは第2の電源線72と、それぞれ接続されている。
第2のスイッチ回路62は、インバータ(第1のインバータ)INV11、インバータ(第2のインバータ)INV12、および第2のスイッチ素子52を備える。ここで、インバータINV11とインバータINV12はスイッチ制御回路53を構成する。
インバータINV11は、第2の電源線(VDD2)72および第3の電源線(VDD1)73から電源が供給されると共に、第2イネーブル信号55が入力される。インバータINV11は、入力された第2のイネーブル信号55を反転した信号59をインバータINV12へ出力する。インバータINV12は、第1の電源線(GND)71および第3の電源線(VDD1)73から電源が供給されると共に、インバータINV11からの出力が供給される。インバータINV12は、インバータINV11からの出力を反転させた制御信号56を第2のスイッチ素子52のゲートへ出力する。ここで、インバータINV12の出力はイネーブル信号58として後段のスイッチ回路63へ供給される。
第2のスイッチ素子52は、例えばNチャンネル型トランジスタで構成されている。第2のスイッチ素子52のソースは第1の電源線71と、ゲートはインバータINV12の出力と、ドレインは第2の電源線72と、それぞれ接続されている。
ドメイン回路要素57は、第2の電源線(VDD2)72と第3の電源線(VDD1)73との間に接続されている。また、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第2のスイッチ回路62の後段に更に複数のスイッチ回路63を備えていてもよい。
次に、図10に示す本実施の形態にかかる電源スイッチ回路の動作について説明する。なお、以下ではスイッチ回路61およびスイッチ回路62の動作について説明するが、これよりも多い数のスイッチ回路を備えている場合でも同様の動作となる。
第1のスイッチ回路61のインバータINV13に、第1のイネーブル信号54としてロウレベルの信号が供給されると、インバータINV13はハイレベルの信号(VDD1)をインバータINV14へ出力する。ここで、ロウレベルの信号とはインバータを反転させることができるレベルの信号であり、インバータのスレッショルド電圧よりも低い電圧の信号である。
インバータINV14にインバータINV13の出力であるハイレベルの信号が供給されると、インバータINV14はロウレベルの信号(GND)を第1のスイッチ素子51のゲートへ供給する。第1のスイッチ素子51のゲートにはロウレベルの信号が供給されているので、第1のスイッチ素子51はオフ状態となる。
また、インバータINV14からは第2のイネーブル信号55としてロウレベルの信号が出力される。第2のスイッチ回路62のインバータINV11に、第2のイネーブル信号55としてロウレベルの信号が供給されると、インバータINV11はハイレベルの信号をインバータINV12へ出力する。
インバータINV12にハイレベルの信号が供給されると、インバータINV12はロウレベルの信号を第2のスイッチ素子52のゲートへ供給する。第2のスイッチ素子52のゲートにはロウレベルの信号が供給されているので、第2のスイッチ素子52はオフ状態となる。
よって、第1のイネーブル信号54としてロウレベルの信号が供給された場合、第1のスイッチ素子51および第2のスイッチ52はオフ状態となるため、第1の電源線71と第2の電源線72は接続されない。
一方、第1のスイッチ回路61のインバータINV13に、第1のイネーブル信号54としてハイレベルの信号が供給されると、インバータINV13はロウレベルの信号をインバータINV14へ出力する。ここで、ハイレベルの信号とはインバータを反転させることができるレベルの信号であり、インバータのスレッショルド電圧よりも高い電圧の信号である。
インバータINV14にインバータINV13の出力であるロウレベルの信号が供給されると、インバータINV14はハイレベルの信号を第1のスイッチ素子51のゲートへ供給する。第1のスイッチ素子51のゲートにはハイレベルの信号が供給されているので、第1のスイッチ素子51はオン状態となる。これにより、第1のスイッチ素子51を介して、第1の電源線71から第2の電源線72へ第1の電源電圧(GND)が印加される。
また、インバータINV14からは第2のイネーブル信号55としてハイレベルの信号が出力される。第2のスイッチ回路62のインバータINV11に、第2のイネーブル信号55としてハイレベルの信号が供給されると、インバータINV11は第2の電源電圧(VDD2)をインバータINV12へ出力する。
図11は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路が備えるスイッチ制御回路を示す回路図である。すなわち、図11に示すように、第2のイネーブル信号55としてハイレベルの信号が供給されると、インバータINV11が備えるPチャネル型トランジスタPM21がオフ状態、Nチャネル型トランジスタNM21がオン状態となる。これにより、インバータINV11から信号59として第2の電源電圧(VDD2)が出力される。
インバータINV12に信号59として供給された第2の電源電圧(VDD2)は、インバータINV12を構成するPチャネル型トランジスタPM22のゲートおよびNチャネル型トランジスタNM22のゲートに供給される。ここで、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV12のスレッショルド電圧よりも高い場合、すなわち、第2の電源電圧(VDD2)がPチャネル型トランジスタPM22のスレッショルド電圧よりも高い場合、Pチャネル型トランジスタPM22はオフ状態、Nチャネル型トランジスタNM22はオン状態のままとなる。このため、インバータINV12からは制御信号56として、第1の電源電圧(GND)、つまりロウレベルの信号が出力される。そして、第2のスイッチ素子52のゲートにはロウレベルの信号(GND)が供給されるので、第2のスイッチ素子52はオフ状態のままとなる。
一方、第1のスイッチ素子51を介して、第1の電源線71から第2の電源線72へ第1の電源電圧(GND)が印加され続けると、第2の電源電圧(VDD2)は下降する。そして、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV12のスレッショルド電圧(インバータINV12を反転動作可能な電圧)よりも低くなると、すなわち、第2の電源電圧(VDD2)がPチャネル型トランジスタPM22のスレッショルド電圧よりも低くなると、Pチャネル型トランジスタPM22はオン状態、Nチャネル型トランジスタNM22はオフ状態となる。この時、インバータINV12からは制御信号56として、第3の電源電圧(VDD1)、つまりハイレベルの信号が出力される。そして、第2のスイッチ素子52のゲートにはハイレベルの信号(VDD1)が供給されるので、第2のスイッチ素子52はオン状態となる。これにより、第2のスイッチ素子52を介して、第1の電源線71から第2の電源線72へ第1の電源電圧(GND)が印加されるようになる。
このように、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ素子51がオン状態となり、第1のスイッチ素子51を介して、第1の電源線71から第2の電源線72へ第1の電源電圧(GND)が印加された後、第2の電源線72の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以下になるまでの間、第2のスイッチ素子52をオフ状態のままとすることができる。そして、第2の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以下となった後に、第2のスイッチ素子52を介して、第1の電源線71から第2の電源線72へ第1の電源電圧(GND)を印加することができる。
このとき、第2の電源電圧(VDD2)がインバータINV12のスレッショルド電圧以下となるまで、第1のスイッチ素子51のみで第1の電源線71と第2の電源線72とを接続している。このため、第1の電源線71と第2の電源線72との接続が高抵抗での接続となり突入電流を抑えることができる。また、これに伴い電源ノイズも抑えることができる。更に、第2の電源電圧(VDD2)が所定の電圧以下となった後に、第2のスイッチ素子52によって、第1の電源線71と第2の電源線72とが接続される。この時、第1の電源線71と第2の電源線72との電位差が小さいため、突入電流を小さく抑えることができる。よって、電源ノイズも抑えることができる。
本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、上記動作を実現する回路を、第2の電源線から電源が供給されるインバータ回路INV11と、インバータ回路INV12とを用いて構成することができるので、専用の制御回路を追加する必要がない。このため、チップ面積が増大することがない。
図12は、本実施の形態にかかる電源スイッチ回路を用いたパワードメインを示す図である。図12に示すように、パワードメインは、第1のスイッチ回路(SW1)〜第nのスイッチ回路(SWn)を備える。ドメイン回路要素57は、第2の電源線(VDD2)72と第3の電源線(VDD1)73との間に接続されている。
本実施の形態にかかる電源スイッチ回路では、第1のスイッチ回路(SW1)61を図10に示した第1のスイッチ回路61で構成する。そして、第2のスイッチ回路(SW2)62を図10に示した第2のスイッチ回路62で構成する。更に、第3のスイッチ回路(SW3)63以降のスイッチ回路は、図10に示した第1のスイッチ回路61と同様の構成のスイッチ回路で構成してもよく、また図10に示した第2のスイッチ回路62と同様の構成のスイッチ回路で構成してもよい。すなわち、図12に示したパワードメインでは、図10に示した第1のスイッチ回路61と同様の構成の回路と、第2のスイッチ回路62と同様の構成の回路を自由に組み合わせて回路を構成することができる。
以上で説明したように、本実施の形態にかかる発明により、チップ面積を増大させることなく突入電流の発生を抑制することができる電源スイッチ回路を提供することが可能となる。
以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、本願特許請求の範囲の請求項の発明の範囲内で当業者であればなし得る各種変形、修正、組み合わせを含むことは勿論である。
1 第1のスイッチ素子
2 第2のスイッチ素子
3 スイッチ制御回路
4 第1のイネーブル信号
5 第2のイネーブル信号
6 制御信号
7 ドメイン回路要素
11 第1のスイッチ回路
12 第2のスイッチ回路
21 第1の電源線
22 第2の電源線
23 第3の電源線

Claims (12)

  1. 第1の電源線から第2の電源線へ電源電圧を印加する電源スイッチ回路であって、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を第1のイネーブル信号に応じて切り替える第1のスイッチ素子と、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を切り替える第2のスイッチ素子と、
    前記第2の電源線から電源が供給される論理ゲートを少なくとも1つ備え、前記第2のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、を有し、
    前記スイッチ制御回路は、
    前記第2の電源線および第3の電源線から電源が供給されると共に、第2のイネーブル信号が入力される第1のインバータと、
    前記第1の電源線および前記第3の電源線から電源が供給されると共に、前記第1のインバータからの出力が供給され、前記第2のスイッチ素子のゲートに制御信号を出力する第2のインバータと、を備え、
    前記スイッチ制御回路は、当該スイッチ制御回路に供給される前記第2のイネーブル信号及び前記第2の電源線の電圧である第2の電源電圧に基づいて前記第2のスイッチ素子を制御する、
    電源スイッチ回路。
  2. 第1の電源線から第2の電源線へ電源電圧を印加する電源スイッチ回路であって、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を第1のイネーブル信号に応じて切り替える第1のスイッチ素子と、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を切り替える第2のスイッチ素子と、
    前記第2の電源線から電源が供給される論理ゲートを少なくとも1つ備え、前記第2のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、を有し、
    前記スイッチ制御回路は、
    前記第2の電源線および第3の電源線から電源が供給されると共に、第2のイネーブル信号が入力される第1のインバータと、
    前記第2の電源線および前記第3の電源線から電源が供給されると共に、前記第1のインバータからの出力が供給され、前記第2のスイッチ素子のゲートに制御信号を出力する第2のインバータと、
    前記第1の電源線と前記第2のスイッチ素子のゲートとの間に接続された抵抗素子と、を備え、
    前記スイッチ制御回路は、当該スイッチ制御回路に供給される前記第2のイネーブル信号及び前記第2の電源線の電圧である第2の電源電圧に基づいて前記第2のスイッチ素子を制御する、
    電源スイッチ回路。
  3. 前記スイッチ制御回路は、前記第1のインバータから出力されている前記第2の電源電圧が前記第2のインバータを反転動作可能な電圧の場合に、前記第2のスイッチ素子をオン状態とする、
    請求項またはに記載の電源スイッチ回路。
  4. 前記第2のスイッチ素子がPチャネル型トランジスタである場合、
    前記スイッチ制御回路は、前記第1のインバータに前記第2のイネーブル信号としてロウレベルの信号が供給され、前記第2のインバータに供給された前記第2の電源電圧が前記第2のインバータのスレッショルド電圧よりも高い場合、前記第2のスイッチ素子をオン状態とする、
    請求項に記載の電源スイッチ回路。
  5. 前記第2のスイッチ素子がNチャネル型トランジスタである場合、
    前記スイッチ制御回路は、前記第1のインバータに前記第2のイネーブル信号としてハイレベルの信号が供給され、前記第2のインバータに供給された前記第2の電源電圧が前記第2のインバータのスレッショルド電圧よりも低い場合、前記第2のスイッチ素子をオン状態とする、
    請求項に記載の電源スイッチ回路。
  6. 前記第2のインバータのスレッショルド電圧と第3の電源線の電源電圧との間の電圧をスレッショルド電圧とする第3のインバータを含むスイッチ制御回路と、
    前記スイッチ制御回路により制御されると共に、前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を切り替える第3のスイッチ素子と、
    を有する回路を更に備える、請求項乃至5のいずれか一項に記載の電源スイッチ回路。
  7. 前記スイッチ制御回路は、前記第1のイネーブル信号を前記第2のイネーブル信号として入力する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電源スイッチ回路。
  8. 第1の電源線から第2の電源線へ電源電圧を印加する電源スイッチ回路であって、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を第1のイネーブル信号に応じて切り替える第1のスイッチ素子と、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を切り替える第2のスイッチ素子と、
    前記第2の電源線から電源が供給される論理ゲートを少なくとも1つ備え、前記第2のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、
    前記第1の電源線および第3の電源線から電源が供給されると共に、前記第1のイネーブル信号が入力される第4のインバータと、を有し、
    前記第4のインバータは、前記第1のイネーブル信号を反転させた信号を前記第1のスイッチ素子のゲートへ出力すると共に、当該第1のイネーブル信号を反転させた信号を第2のイネーブル信号として前記スイッチ制御回路へ出力
    前記スイッチ制御回路は、当該スイッチ制御回路に供給された前記第2のイネーブル信号及び前記第2の電源線の電圧である第2の電源電圧に基づいて前記第2のスイッチ素子を制御する、
    電源スイッチ回路。
  9. 第1の電源線から第2の電源線へ電源電圧を印加する電源スイッチ回路であって、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を第1のイネーブル信号に応じて切り替える第1のスイッチ素子と、
    前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に接続され、前記第1の電源線と前記第2の電源線との接続および非接続を切り替える第2のスイッチ素子と、
    前記第2の電源線から電源が供給される論理ゲートを少なくとも1つ備え、前記第2のスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、
    前記第1の電源線および第3の電源線から電源が供給されると共に、前記第1のイネーブル信号が入力される第5のインバータと、
    前記第1の電源線および前記第3の電源線から電源が供給されると共に、前記第のインバータからの出力が供給され、前記第5のインバータからの出力を反転させた信号を前記第1のスイッチ素子のゲートへ出力する第6のインバータと、を有し、
    前記スイッチ制御回路は、当該スイッチ制御回路に供給される第2のイネーブル信号及び前記第2の電源線の電圧である第2の電源電圧に基づいて前記第2のスイッチ素子を制御する、
    電源スイッチ回路。
  10. 前記スイッチ制御回路は、前記第1のイネーブル信号を前記第2のイネーブル信号として入力する、請求項に記載の電源スイッチ回路。
  11. 前記第6のインバータは、前記第5のインバータからの出力を反転させた信号を前記第2のイネーブル信号として前記スイッチ制御回路へ出力する、請求項に記載の電源スイッチ回路。
  12. 前記第1のスイッチ素子を含む回路と、前記第2のスイッチ素子および前記スイッチ制御回路を含む回路とをそれぞれ複数有する、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の電源スイッチ回路。
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