JPH04263490A - 薄膜回路の製造方法 - Google Patents
薄膜回路の製造方法Info
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- JPH04263490A JPH04263490A JP2444091A JP2444091A JPH04263490A JP H04263490 A JPH04263490 A JP H04263490A JP 2444091 A JP2444091 A JP 2444091A JP 2444091 A JP2444091 A JP 2444091A JP H04263490 A JPH04263490 A JP H04263490A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 2
- -1 Argon ions Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、小型,軽量化が要求さ
れる民生機器,高精度,高品質の要求される産業機器分
野における高周波薄膜回路,薄膜センサなどに用いる薄
膜回路の製造方法に関する。
れる民生機器,高精度,高品質の要求される産業機器分
野における高周波薄膜回路,薄膜センサなどに用いる薄
膜回路の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、薄膜技術を応用した薄膜回路は、
小型,軽量化の要求される民生機器,高精度,高品質の
要求される産業機器において注目されている。
小型,軽量化の要求される民生機器,高精度,高品質の
要求される産業機器において注目されている。
【0003】以下に図面を参照しながら、上記の薄膜回
路の配線導体(マイクロストリップ線路)を形成する方
法について説明する。
路の配線導体(マイクロストリップ線路)を形成する方
法について説明する。
【0004】図4A〜Fに従来の薄膜回路の製造工程を
示す。図に示すように、薄膜回路は図4Aに示す第1工
程から図4Fに示す第6工程を経て形成される。
示す。図に示すように、薄膜回路は図4Aに示す第1工
程から図4Fに示す第6工程を経て形成される。
【0005】図4Aの第1工程は、膜形成工程で薄膜回
路を形成するためのアルミナ製の基板21上にスパッタ
リングあるいは蒸着により銅,金,クロム,ニッケルな
どの金属膜からなる導体膜22を形成する。図4Bの第
2工程はレジスト塗布工程で、第1工程により基板21
の全面に形成した導体膜22条の全面にポジ型ホトレジ
スト23をスピンコータで約1μm厚に形成する。図4
Cの第3工程は露光工程で、ホトレジスト23の塗布層
にホトマスク24を通して紫外光25を照射する。図4
Dの第4工程は現像工程で、現像液で紫外光25の照射
領域だけホトレジスト23を除去する。図4Eの第5工
程はエッチング工程で、第4工程で所望のパターンに形
成されたホトレジスト23をマスクとして、導体膜22
をエッチング液でエッチングして導体膜パターン24を
得る。図4Fの第6工程は、レジスト除去工程で、レジ
スト23をレジスト除去剤で除去し導体膜パターン24
のみが残る。
路を形成するためのアルミナ製の基板21上にスパッタ
リングあるいは蒸着により銅,金,クロム,ニッケルな
どの金属膜からなる導体膜22を形成する。図4Bの第
2工程はレジスト塗布工程で、第1工程により基板21
の全面に形成した導体膜22条の全面にポジ型ホトレジ
スト23をスピンコータで約1μm厚に形成する。図4
Cの第3工程は露光工程で、ホトレジスト23の塗布層
にホトマスク24を通して紫外光25を照射する。図4
Dの第4工程は現像工程で、現像液で紫外光25の照射
領域だけホトレジスト23を除去する。図4Eの第5工
程はエッチング工程で、第4工程で所望のパターンに形
成されたホトレジスト23をマスクとして、導体膜22
をエッチング液でエッチングして導体膜パターン24を
得る。図4Fの第6工程は、レジスト除去工程で、レジ
スト23をレジスト除去剤で除去し導体膜パターン24
のみが残る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
薄膜回路製造方法では、1種類の導体膜パターン24を
形成するだけで6工程を必要とし、工程が多く、製造コ
ストが高いという問題を有していた。また導体膜22を
直接エッチングする方法としてレーザによる直接エッチ
ングする方法が考えられる。しかし、薄膜回路では高周
波薄膜回路を例に考えると、アルミナ基板(ε=9.5
)の厚さを0.5mm、導体膜の線幅を500μmとす
ると約6μmの厚さが必要となる。このように、導体膜
厚としては少なくとも5μm程度が必要であるため、数
cm2の領域について、5μmの膜厚をレーザーにより
直接エッチングするためにはエネルギー密度が足りない
とか、あるいはエッチングしても除去物が飛散して導体
材料が再付着したり、完全に除去しきれないという問題
を有していた。
薄膜回路製造方法では、1種類の導体膜パターン24を
形成するだけで6工程を必要とし、工程が多く、製造コ
ストが高いという問題を有していた。また導体膜22を
直接エッチングする方法としてレーザによる直接エッチ
ングする方法が考えられる。しかし、薄膜回路では高周
波薄膜回路を例に考えると、アルミナ基板(ε=9.5
)の厚さを0.5mm、導体膜の線幅を500μmとす
ると約6μmの厚さが必要となる。このように、導体膜
厚としては少なくとも5μm程度が必要であるため、数
cm2の領域について、5μmの膜厚をレーザーにより
直接エッチングするためにはエネルギー密度が足りない
とか、あるいはエッチングしても除去物が飛散して導体
材料が再付着したり、完全に除去しきれないという問題
を有していた。
【0007】本発明はこのような課題を解決するもので
、厚い膜厚の膜パターンを少ない工程で、精度よく直接
エッチングにより形成する薄膜回路の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
、厚い膜厚の膜パターンを少ない工程で、精度よく直接
エッチングにより形成する薄膜回路の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の薄膜回路製造方法は、絶縁材で構成した基板
上に物理的膜形成方法により導体膜を形成する第1工程
と、前記導体膜にパターンを形成したホトマスクを通し
てレーザ光を照射して前記導体膜を除去する第2工程と
、前記第2工程により形成された導体パターンに無電解
メッキまたは電解メッキにより導体を堆積してメッキ導
体パターンを形成する第3工程とから薄膜回路を形成す
るようにしたものである。
に本発明の薄膜回路製造方法は、絶縁材で構成した基板
上に物理的膜形成方法により導体膜を形成する第1工程
と、前記導体膜にパターンを形成したホトマスクを通し
てレーザ光を照射して前記導体膜を除去する第2工程と
、前記第2工程により形成された導体パターンに無電解
メッキまたは電解メッキにより導体を堆積してメッキ導
体パターンを形成する第3工程とから薄膜回路を形成す
るようにしたものである。
【0009】
【作用】この製造方法により、レーザ光で導体膜を除去
する際、導体膜は数千Å程度の膜厚であるため、除去さ
れた導体膜材料が再付着する、あるいは、除去が不完全
で残存することがない。また、レーザ光の除去可能な領
域はレーザのエネルギー密度を一定とすると、エッチン
グする膜の膜厚が薄ければ薄い程、除去面積を拡大する
ことができる。例えば、エネルギー密度20J/cm2
9KrFエキシマレーザを用いると1のcm2領域でも
一括して除去することも可能となる。このようにマスク
を通してレーザを一括照射して形成した薄い薄膜導体パ
ターンに対して、無電解メッキあるいは電解メッキによ
りさらに導体膜を厚く形成することにより、所望の厚さ
の薄膜導体を得ることができる。この製造方法によれば
従来の薄膜回路製造方法よりも比べて、時間とコストを
大幅に短縮することができることとなる。
する際、導体膜は数千Å程度の膜厚であるため、除去さ
れた導体膜材料が再付着する、あるいは、除去が不完全
で残存することがない。また、レーザ光の除去可能な領
域はレーザのエネルギー密度を一定とすると、エッチン
グする膜の膜厚が薄ければ薄い程、除去面積を拡大する
ことができる。例えば、エネルギー密度20J/cm2
9KrFエキシマレーザを用いると1のcm2領域でも
一括して除去することも可能となる。このようにマスク
を通してレーザを一括照射して形成した薄い薄膜導体パ
ターンに対して、無電解メッキあるいは電解メッキによ
りさらに導体膜を厚く形成することにより、所望の厚さ
の薄膜導体を得ることができる。この製造方法によれば
従来の薄膜回路製造方法よりも比べて、時間とコストを
大幅に短縮することができることとなる。
【0010】
【実施例】以下に本発明の一実施例の薄膜回路製造方法
について図面を参照しながら説明する。図1A〜Cに本
発明の一実施例の薄膜回路製造工程を導体膜の場合につ
いて示す。
について図面を参照しながら説明する。図1A〜Cに本
発明の一実施例の薄膜回路製造工程を導体膜の場合につ
いて示す。
【0011】図1Aの第1工程は膜形成工程である。表
面研磨したアルミナ基板1は大きさは10mm×10m
mであり、その上に膜厚が300Åのクロム膜2がさら
に膜厚が2,000Åの銅膜3がその上に形成されてい
る。 このクロム膜2は、銅膜3とアルミナ基板1との密着性
を上げるために形成されたものである。
面研磨したアルミナ基板1は大きさは10mm×10m
mであり、その上に膜厚が300Åのクロム膜2がさら
に膜厚が2,000Åの銅膜3がその上に形成されてい
る。 このクロム膜2は、銅膜3とアルミナ基板1との密着性
を上げるために形成されたものである。
【0012】図2は図1Aの第1工程の膜を形成するた
めの一般的なスパッタリング装置の構成を示し、第1工
程のクロム膜2と銅膜3を形成するために用いたもので
ある。真空室4は、ガス導入口5とガス排気口6を有す
る。真空室4内にはアルミナ基板1を載置するための陽
極7があり、陽極7に対向してターゲット8が、陰極9
上に設置されている。陰極9は絶縁物10により絶縁し
て配置されており、Oリングを介して真空室に取り付け
られている。真空室9の下部にはターゲット8を冷却す
るための冷却用配管11がターゲット8近傍にはプラズ
マを集中させるための磁石12が配設されている。
めの一般的なスパッタリング装置の構成を示し、第1工
程のクロム膜2と銅膜3を形成するために用いたもので
ある。真空室4は、ガス導入口5とガス排気口6を有す
る。真空室4内にはアルミナ基板1を載置するための陽
極7があり、陽極7に対向してターゲット8が、陰極9
上に設置されている。陰極9は絶縁物10により絶縁し
て配置されており、Oリングを介して真空室に取り付け
られている。真空室9の下部にはターゲット8を冷却す
るための冷却用配管11がターゲット8近傍にはプラズ
マを集中させるための磁石12が配設されている。
【0013】以上のように構成されたスパッタリング装
置で、クロム膜2を形成するときにはクロムのターゲッ
ト8を、銅膜3を形成するときには銅のターゲット8を
用いる。真空室4内を、ガス導入口5から導入されたア
ルゴンガスを流した状態で約5×10−3Torrの真
空に維持し、ターゲット8に−600Wの直流電力をか
け、アルミナ基板1を載置した陽極7と陰極9間で放電
させる。この放電で生じたアルゴンイオンは、陽極9方
向に加速されターゲット8に衝突し、ターゲット原子を
はじき飛ばし、アルミナ基板1上に膜を形成する。
置で、クロム膜2を形成するときにはクロムのターゲッ
ト8を、銅膜3を形成するときには銅のターゲット8を
用いる。真空室4内を、ガス導入口5から導入されたア
ルゴンガスを流した状態で約5×10−3Torrの真
空に維持し、ターゲット8に−600Wの直流電力をか
け、アルミナ基板1を載置した陽極7と陰極9間で放電
させる。この放電で生じたアルゴンイオンは、陽極9方
向に加速されターゲット8に衝突し、ターゲット原子を
はじき飛ばし、アルミナ基板1上に膜を形成する。
【0014】図1Bの第2工程は膜除去工程である。図
3に第2工程における膜除去を行うためのレーザーエッ
チング装置の加工原理を示す。第1工程で薄膜を形成し
たアルミナ基板1上にマスク14を通してエキシマレー
ザ光13を照射し不要な領域の膜を除去し、銅膜パター
ン3aを形成する。エキシマレーザ光13はレンズ15
を通して1/10に縮小される。また、マスク14は石
英ガラスで構成され、アルミナ基板1上の導体膜にパタ
ーンを形成するため、ニッケルを主成分とする厚さ10
0μmのパターンがマスク14上に形成されている。
3に第2工程における膜除去を行うためのレーザーエッ
チング装置の加工原理を示す。第1工程で薄膜を形成し
たアルミナ基板1上にマスク14を通してエキシマレー
ザ光13を照射し不要な領域の膜を除去し、銅膜パター
ン3aを形成する。エキシマレーザ光13はレンズ15
を通して1/10に縮小される。また、マスク14は石
英ガラスで構成され、アルミナ基板1上の導体膜にパタ
ーンを形成するため、ニッケルを主成分とする厚さ10
0μmのパターンがマスク14上に形成されている。
【0015】本実施例ではエキシマレーザ光13の媒質
スとして、KrF(波長249nm)を用い、加工条件
として、繰り返し周波数200Hz、照射パルス数20
0パルスでエッチングを行った。
スとして、KrF(波長249nm)を用い、加工条件
として、繰り返し周波数200Hz、照射パルス数20
0パルスでエッチングを行った。
【0016】図1Cの第3工程は導体膜パターン3dの
製造工程である。すなわち第2工程でアルミナ基板1上
のクロム膜2,銅膜3を所望のパターンにエッチングし
た後、さらに銅膜パターン3a上に膜を堆積する工程で
ある。本実施例では、銅の無電解メッキ法で銅膜を堆積
した。第2工程で銅膜パターン3aを形成したアルミナ
基板1に対して、通常の無電解メッキの方法を用いて導
体を堆積した。まず最初、アルミナ基板1を希硫酸(H
2SO2:H2O=1:10)に浸漬し銅膜3aの表面
酸化物を取り除く。つぎに活性化剤を用いてアルミナ基
板1上の銅膜3aの表面を活性化する。その後簡単に再
度希塩酸(Hcl:H2O=1:10で酸洗いし、無電
解メッキを行う。無電解メッキ液は市販の銅イオン補給
剤,還元剤,錯化剤,PH調整剤を用いて70℃で行っ
た。 銅の堆積速度は約3μm/時であり、膜厚が6μmにな
るよう形成した。上記の第1工程から第3工程を経て線
幅480μm,膜厚6μmのマイクロストリップ線路を
作成した。(アルミナ基板の誘電率ε=9.5,厚さt
=0.51mm)なお膜形成は、最後にメッキで形成す
るため、側面への広がりも考慮して、第2工程の膜のパ
ターン幅を設定しなければならない。
製造工程である。すなわち第2工程でアルミナ基板1上
のクロム膜2,銅膜3を所望のパターンにエッチングし
た後、さらに銅膜パターン3a上に膜を堆積する工程で
ある。本実施例では、銅の無電解メッキ法で銅膜を堆積
した。第2工程で銅膜パターン3aを形成したアルミナ
基板1に対して、通常の無電解メッキの方法を用いて導
体を堆積した。まず最初、アルミナ基板1を希硫酸(H
2SO2:H2O=1:10)に浸漬し銅膜3aの表面
酸化物を取り除く。つぎに活性化剤を用いてアルミナ基
板1上の銅膜3aの表面を活性化する。その後簡単に再
度希塩酸(Hcl:H2O=1:10で酸洗いし、無電
解メッキを行う。無電解メッキ液は市販の銅イオン補給
剤,還元剤,錯化剤,PH調整剤を用いて70℃で行っ
た。 銅の堆積速度は約3μm/時であり、膜厚が6μmにな
るよう形成した。上記の第1工程から第3工程を経て線
幅480μm,膜厚6μmのマイクロストリップ線路を
作成した。(アルミナ基板の誘電率ε=9.5,厚さt
=0.51mm)なお膜形成は、最後にメッキで形成す
るため、側面への広がりも考慮して、第2工程の膜のパ
ターン幅を設定しなければならない。
【0017】上記のように、本実施例によれば、アルミ
ナ基板1上に形成した薄膜導体であるクロム膜2,銅膜
3をエキシマレーザ光13でマスク14を通してパター
ン形成し、その後無電解メッキで銅膜パターン3を堆積
することにより、従来の薄膜形成方法と比べて製造時間
の短縮及び設備コストの削減を図ることができる。
ナ基板1上に形成した薄膜導体であるクロム膜2,銅膜
3をエキシマレーザ光13でマスク14を通してパター
ン形成し、その後無電解メッキで銅膜パターン3を堆積
することにより、従来の薄膜形成方法と比べて製造時間
の短縮及び設備コストの削減を図ることができる。
【0018】なお本実施例において、堆積する基板1は
アルミナ基板を用いたが、窒化アルミニウム,ガラスな
どを主体とする絶縁物からなる基板であれば何でもかま
わない。
アルミナ基板を用いたが、窒化アルミニウム,ガラスな
どを主体とする絶縁物からなる基板であれば何でもかま
わない。
【0019】また本実施例において、クロム膜2,銅膜
3はスパッタリング法により膜を形成したが、他の膜形
成方法を用いてもよい。
3はスパッタリング法により膜を形成したが、他の膜形
成方法を用いてもよい。
【0020】また本実施例において、銅膜3は2,00
0Åの膜厚としたが、たとえば、1,000Å〜8,0
00Å程度の膜厚でも同様に形成することができる。た
だし、膜厚が1μmを超える場合は一括して除去できる
面積が小さくなるため、数千Åの膜厚が適当である。
0Åの膜厚としたが、たとえば、1,000Å〜8,0
00Å程度の膜厚でも同様に形成することができる。た
だし、膜厚が1μmを超える場合は一括して除去できる
面積が小さくなるため、数千Åの膜厚が適当である。
【0021】また本実施例では、付着強度を強くするた
めクロム膜2をアルミナ基板1と銅膜3の間に形成した
が、特にクロム膜に限定する必要はない。
めクロム膜2をアルミナ基板1と銅膜3の間に形成した
が、特にクロム膜に限定する必要はない。
【0022】また本実施例では、第3工程において無電
解メッキ法により銅膜3を堆積して厚くしたが電解メッ
キ法を用いてもかまわない。
解メッキ法により銅膜3を堆積して厚くしたが電解メッ
キ法を用いてもかまわない。
【0023】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明によれば薄膜、回路を形成するための基板にス
パッタリングなどの膜形成方法により導体膜の膜厚を数
千Åに形成する第1工程と、第1工程を経て導体膜にパ
ターンを形成するため、マスクを通してレーザ光を照射
して導体膜を除去する第2工程と、第2工程により導体
膜のパターンを形成された基板に対して、無電解メッキ
あるいは電解メッキにより所望の膜厚まで導体膜を堆積
する第3工程からなり、レーザ光でマスクを通して一括
して第1工程で形成した導体膜を除去することにより導
体パターンを形成し、メッキ法により所望の膜厚の導体
膜を得るという方法であるため、従来の膜形成方法より
も製造時間の短縮とコストの低減を図ることができる。 また、本発明によれば、第1工程で形成する導体膜の膜
厚は数千Åの薄膜でよいので、レーザ光で導体膜を除去
するときに飛散した導体膜材料が再付着したり、あるい
は除去が不完全で残存することなくなる。さらに、レー
ザ光を一括露光してパターンを形成することが可能とな
り、設備の簡素化と工程の短縮が可能となる。
に本発明によれば薄膜、回路を形成するための基板にス
パッタリングなどの膜形成方法により導体膜の膜厚を数
千Åに形成する第1工程と、第1工程を経て導体膜にパ
ターンを形成するため、マスクを通してレーザ光を照射
して導体膜を除去する第2工程と、第2工程により導体
膜のパターンを形成された基板に対して、無電解メッキ
あるいは電解メッキにより所望の膜厚まで導体膜を堆積
する第3工程からなり、レーザ光でマスクを通して一括
して第1工程で形成した導体膜を除去することにより導
体パターンを形成し、メッキ法により所望の膜厚の導体
膜を得るという方法であるため、従来の膜形成方法より
も製造時間の短縮とコストの低減を図ることができる。 また、本発明によれば、第1工程で形成する導体膜の膜
厚は数千Åの薄膜でよいので、レーザ光で導体膜を除去
するときに飛散した導体膜材料が再付着したり、あるい
は除去が不完全で残存することなくなる。さらに、レー
ザ光を一括露光してパターンを形成することが可能とな
り、設備の簡素化と工程の短縮が可能となる。
【図1】本発明の一実施例の薄膜回路の製造工程図
【図
2】同膜形成に用いるスパッタリング装置の断面図
2】同膜形成に用いるスパッタリング装置の断面図
【図
3】同レーザエッチング装置の加工原理を示す図
3】同レーザエッチング装置の加工原理を示す図
【図4
】従来の薄膜回路の製造工程図
】従来の薄膜回路の製造工程図
1 アルミナ基板
2 クロム膜
2a クロム膜パターン
3 銅膜
3a 銅膜パターン
3b メッキ銅膜パターン
13 エキシマレーザ
14 マスク
15 レンズ
16 パターン
Claims (1)
- 【請求項1】 絶縁材で構成した基板上に、物理的膜
形成方法により導体膜を形成する第1工程と、前記導体
膜にパターンを形成したホトマスクを通してレーザ光を
照射して前記導体膜を除去する第2工程と、前記第2工
程により形成された導体膜パターンに無電解メッキまた
は電解メッキにより導体を堆積してメッキ導体パターン
を形成する第3工程とを主体とする薄膜回路の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2444091A JPH04263490A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 薄膜回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2444091A JPH04263490A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 薄膜回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04263490A true JPH04263490A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12138207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2444091A Pending JPH04263490A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 薄膜回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04263490A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4429522A1 (de) * | 1993-08-26 | 1995-03-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
JPH07231158A (ja) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Nec Corp | 配線形成方法 |
WO1995031884A1 (fr) * | 1992-11-19 | 1995-11-23 | Polyplastics Co., Ltd. | Procede de realisation d'un circuit conducteur sur la surface d'un produit moule et composant comportant un circuit conducteur |
US5863405A (en) * | 1994-05-18 | 1999-01-26 | Polyplastics Co., Ltd. | Process for forming conductive circuit on the surface of molded article |
JP2006245558A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-09-14 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 銅配線層、銅配線層の形成方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2009158549A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 立体回路基板用窒化アルミニウム系基材、その製造方法、及び立体回路基板 |
JP2011049573A (ja) * | 2005-02-04 | 2011-03-10 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CN110091069A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-08-06 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光退镀方法 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP2444091A patent/JPH04263490A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110091069B (zh) * | 2019-04-09 | 2021-09-24 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光退镀方法 |
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