JP2009167361A - 光半導体素子封止用樹脂組成物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させて得られるポリボロシロキサンと蛍光体とを含有してなる光半導体素子封止用樹脂組成物の製造方法であって、ケイ素化合物、ホウ素化合物及び蛍光体を含む混合物を用いて該蛍光体を粉砕しながら、前記ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物の製造方法、および前記製造方法により得られる光半導体素子封止用樹脂組成物。
【選択図】なし
Description
〔1〕ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させて得られるポリボロシロキサンと蛍光体とを含有してなる光半導体素子封止用樹脂組成物の製造方法であって、ケイ素化合物、ホウ素化合物及び蛍光体を含む混合物を用いて該蛍光体を粉砕しながら、前記ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物の製造方法、および
〔2〕前記〔1〕記載の製造方法により得られる光半導体素子封止用樹脂組成物
に関する。
で表される化合物であることが好ましい。
で表される化合物であることが好ましい。
シリコーンオリゴマー(商品名:X−215841、信越化学社製、式(I)でR1がメチル、R2がメチル、nが13、重量平均分子量1000)3.5g、ホウ酸イソプロピル(商品名:ホウ酸イソプロピル、和光純薬社製、式(II)でY1,Y2,Y3が全てイソプロピル基)1.5g、YAG蛍光体(商品名:P46−Y3、化成オプトニクス社製、平均粒子径4μm)0.5g及び蛍光体のシラン系表面処理剤(KR-500、信越化学社製)0.1gを配合した混合物を作製した。
シリコーンオリゴマー(商品名:X−215841、信越化学社製、式(I)でR1がメチル、R2がメチル、nが13、重量平均分子量1000)3.5g、ホウ酸イソプロピル(商品名:ホウ酸イソプロピル、和光純薬社製、式(II)でY1,Y2,Y3が全てイソプロピル基)1.5gを配合した混合物を攪拌しながら、2時間反応させてポリボロシロキサンを得た。
化成オプトニクス社製)0.5g及び蛍光体のシラン系表面処理剤(KR-500、信越化学社製)0.1gを混合した混合物を、ビーズミル装置(商品名:DisperserDAS200、
LAU社製)(容積37cm3で、平均粒子径2mmのジルコニアビーズ30gを使用した。)により2時間分散し、YAG蛍光体を粉砕して、光半導体素子封止用樹脂組成物(粘度:0.4Pa・s)を得た。
実施例1及び比較例1で得られた光半導体素子封止用樹脂組成物を、25℃の条件下で静置して、蛍光体が完全に沈降するまでの時間を測定した。その結果、実施例1は120時間、比較例1は96時間であり、実施例1の方が蛍光体の分散安定性が良好であった。
Claims (4)
- ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させて得られるポリボロシロキサンと蛍光体とを含有してなる光半導体素子封止用樹脂組成物の製造方法であって、ケイ素化合物、ホウ素化合物及び蛍光体を含む混合物を用いて該蛍光体を粉砕しながら、前記ケイ素化合物とホウ素化合物を反応させることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物の製造方法。
- 請求項1〜3いずれか記載の製造方法により得られる光半導体素子封止用樹脂組成物。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017010327A1 (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-19 | セントラル硝子株式会社 | 硬化性ポリボロシロキサン樹脂組成物およびその硬化物、並びにこれらを用いた光半導体装置 |
CN107936475A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-20 | 泉州师范学院 | 一种改性高分子材料及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109824903B (zh) * | 2019-02-27 | 2020-11-24 | 华南理工大学 | 一种高折射率含硼有机硅增粘剂及其制备方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5483100A (en) * | 1977-12-14 | 1979-07-02 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Borosiloxane polymer and its preparation |
JPS62100579A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-11 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | 螢光体 |
JPH04125929A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の絶縁膜形成方法および半導体装置 |
JPH10152561A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-09 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | ポリボロシロキサンの製造方法、ポリボロシロキサン塗膜及び該塗膜を有する無機絶縁電線 |
JP2007112974A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス |
JP2007291274A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体素子用封止剤及び光半導体素子 |
WO2008153125A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 光半導体素子用封止剤及び光半導体素子 |
JP2009019104A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nitto Denko Corp | ポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂 |
JP2009127020A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | ポリボロシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂、およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
JP2009127021A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
JP2009127022A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | ポリアルミノシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
JP2009529084A (ja) * | 2006-03-08 | 2009-08-13 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 含浸された可撓性シート材料 |
JP2009545649A (ja) * | 2006-08-04 | 2009-12-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シリコーン樹脂およびシリコーン組成物 |
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5483100A (en) * | 1977-12-14 | 1979-07-02 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Borosiloxane polymer and its preparation |
JPS62100579A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-11 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | 螢光体 |
JPH04125929A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の絶縁膜形成方法および半導体装置 |
JPH10152561A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-09 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | ポリボロシロキサンの製造方法、ポリボロシロキサン塗膜及び該塗膜を有する無機絶縁電線 |
JP2007112974A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス |
JP2009529084A (ja) * | 2006-03-08 | 2009-08-13 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 含浸された可撓性シート材料 |
JP2007291274A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体素子用封止剤及び光半導体素子 |
JP2009545649A (ja) * | 2006-08-04 | 2009-12-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シリコーン樹脂およびシリコーン組成物 |
WO2008153125A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 光半導体素子用封止剤及び光半導体素子 |
JP2009019104A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nitto Denko Corp | ポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂 |
JP2009127021A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
JP2009127022A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | ポリアルミノシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
JP2009127020A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | ポリボロシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂、およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017010327A1 (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-19 | セントラル硝子株式会社 | 硬化性ポリボロシロキサン樹脂組成物およびその硬化物、並びにこれらを用いた光半導体装置 |
CN107936475A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-04-20 | 泉州师范学院 | 一种改性高分子材料及其制备方法 |
CN107936475B (zh) * | 2017-11-24 | 2021-06-08 | 泉州师范学院 | 一种改性高分子材料及其制备方法 |
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