JP2009158741A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層の上面に金属層を形成する金属層形成工程と、
   前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
   前記接触工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記金属層と、前記金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
   前記接合工程後に、前記金属層をパターニングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層の上面に金属層を形成する金属層形成工程と、
   前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
   前記接触工程後に、前記金属層をパターニングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
   前記配線パターン形成工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記配線パターンと、前記配線パターンと接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記配線パターンと前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記接合工程後に、前記配線パターンの表面を粗化する粗化工程をさらに設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記内部接続端子の材料は、Ａｕであり、前記配線パターンの材料は、Ｃｕであることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記樹脂層は、絶縁樹脂層又は異方性導電性樹脂層であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
6. 複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
   前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
   前記接触工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
   前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
   前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層と、前記第２の金属層を保護する保護層とを順次積層させる積層工程と、
   前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
   レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
   前記接触工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、
   前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
   前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
   前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
   レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
   前記第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、
   前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
   前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 前記接合工程後に、前記配線パターンの表面を粗化する粗化工程をさらに設けたことを特徴とする請求項６ないし８のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記内部接続端子の材料は、Ａｕであり、前記配線パターンの材料は、Ｃｕであることを特徴とする請求項６ないし９のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記樹脂層は、絶縁樹脂層又は異方性導電性樹脂層であることを特徴とする請求項６ないし１０のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項６ないし１１のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記第２の金属層は、前記第３の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項８ないし１２のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。