JP2010123592A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 厚さの異なる複数の半導体素子が、それぞれの電極端子の端子面が同一面となるように、支持板の一面側に樹脂層によって固着されている半導体パッケージであって、
   前記半導体素子の電極端子の端子面に形成されたバンプが、前記半導体素子の端子形成面側を覆う絶縁層を貫通し、且つ前記絶縁層の表面に先端面を露出して設けられており、
   前記バンプの先端面が、前記絶縁層の表面に形成された配線パターンに接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
2. 前記複数の半導体素子の電極端子に形成された前記バンプが、前記先端面が前記端子面よりも小面積に形成された先細り状のバンプである請求項１記載の半導体パッケージ。
3. 前記複数の半導体素子の電極端子に形成された前記バンプが、前記先細り状のバンプと柱状のバンプとからなる請求項２記載の半導体パッケージ。
4. 前記先細り状のバンプが、前記半導体素子の電極端子に端部を圧着した金属ワイヤにより形成されている請求項２または３記載の半導体パッケージ。
5. 前記金属ワイヤが、金から成るワイヤである請求項４記載の半導体パッケージ。
6. 前記支持板が、金属製である請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
7. 厚さの薄い半導体素子は、該厚さの薄い半導体素子の端子形成面に対して反対面と前記支持板の一面との間に前記樹脂層が介在して、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着され、
   前記厚さの薄い半導体素子よりも厚さの厚い半導体素子は、該厚さの厚い半導体素子の端子形成面に対して反対面が前記支持板の一面に直接接触した状態で、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着されている請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
8. 厚さの薄い半導体素子は、該厚さの薄い半導体素子の端子形成面に対して反対面と前記支持板の一面との間に前記樹脂層が介在して、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着され、
   前記厚さの薄い半導体素子よりも厚さの厚い半導体素子は、該厚さの厚い半導体素子の端子形成面に対して反対面と前記支持板の一面との間に前記樹脂層が介在して、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着され、
   前記厚さの薄い半導体素子の反対面と前記支持板の一面との間に介在する前記樹脂層の高さは、前記厚さの厚い半導体素子の反対面と前記支持板の一面との間に介在する前記樹脂層の高さよりも高い請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
9. 前記絶縁層が、前記半導体素子の端子形成面から側面の少なくとも一部にかけて該半導体素子を覆う請求項１〜８のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
10. 前記配線パターン上には、更に他の絶縁層と配線パターンが多層に積層されている請求項１〜９のいずれか一項記載の半導体パッケージ。
11. 厚さの異なる複数の半導体素子を、それぞれの電極端子の端子面が同一面となるように、該電極端子が形成された端子形成面側で板体の一面側に剥離可能に接着した後、前記複数の半導体素子を、前記端子形成面に対して反対面側で支持板の一面側に形成した樹脂層に固着し、
    次いで、前記板体を剥離して露出した前記半導体素子の電極端子の端子面にバンプを形成した後、前記バンプを含む前記複数の半導体素子の各端子形成面を覆う絶縁層を形成し、
    その後、前記絶縁層を研磨又は切削して前記バンプの先端面を露出した後、前記絶縁層上に、前記バンプの先端面に接続する配線パターンを形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
12. 前記複数の半導体素子の電極端子に形成された前記バンプが、前記先端面が前記端子面よりも小面積に形成された先細り状のバンプである請求項１１記載の半導体パッケージの製造方法。
13. 前記複数の半導体素子の電極端子に形成された前記バンプが、前記先細り状のバンプと柱状のバンプとからなる請求項１２記載の半導体パッケージの製造方法。
14. 前記半導体素子の電極端子に金属ワイヤの端部を圧着した後、該金属ワイヤを引き千切って形成した先端部をコイニングして前記先細り状のバンプを形成する請求項１２または１３記載の半導体パッケージの製造方法。
15. 前記金属ワイヤを、金から成るワイヤとする請求項１４記載の半導体パッケージの製造方法。
16. 前記支持板を金属製の支持板とする請求項１１〜１５のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
17. 厚さの薄い半導体素子を、該厚さの薄い半導体素子の端子形成面に対して反対面と前記支持板の一面との間に前記樹脂層を介在させて、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着し、
    前記厚さの薄い半導体素子よりも厚さの厚い半導体素子を、該厚さの厚い半導体素子の端子形成面に対して反対面が前記支持板の一面に直接接触した状態で、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着する請求項１１〜１６のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
18. 厚さの薄い半導体素子を、該厚さの薄い半導体素子の端子形成面に対して反対面と前記支持板の一面との間に前記樹脂層を介在させて、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着し、
    前記厚さの薄い半導体素子よりも厚さの厚い半導体素子を、該厚さの厚い半導体素子の端子形成面に対して反対面と前記支持板の一面との間に前記樹脂層を介在させて、前記支持板の一面側に前記樹脂層によって固着し、
    前記厚さの薄い半導体素子の反対面と前記支持板の一面との間に介在する前記樹脂層の高さを、前記厚さの厚い半導体素子の反対面と前記支持板の一面との間に介在する前記樹脂層の高さよりも高くする請求項１１〜１６のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
19. 前記半導体素子の端子形成面から側面の少なくとも一部にかけて該半導体素子を前記絶縁層で覆う請求項１１〜１９のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
20. 前記配線パターン上に、更に他の絶縁層と配線パターンを多層に積層する請求項１１〜１９のいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法。