JP2009157829A - 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】情報処理装置1は、基板と、基板に実装されて不揮発性半導体メモリの動作を制御する制御部と、基板上に設けられての不揮発性半導体メモリ又は制御部の温度に基づく温度を検出する温度センサ101とを有するSSD(不揮発性半導体メモリドライブ)10と、SSD10を冷却するファン13と、SSD10の動作を制御するCPU115とを有し、CPU115は、SSD10から出力される温度に基づいて、SSD10を冷却する処理を制御する
【選択図】図4
Description
(情報処理装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。この情報処理装置1は、本体2と、本体2に取り付けられた表示ユニット3とから構成されている。
図5は、SSDの外観の一例を示す斜視図である。このSSD10は、面100a〜100fを有する基板100を備え、基板100の面100aにそれぞれ実装された温度センサ101、コネクタ102、制御部103、8つのNANDメモリ104A〜104H及びDRAM105を備える。このSSD10は、データやプログラムを記憶し、電源を供給しなくても記録が消えない外部記憶装置である。従来のハードディスクドライブのような磁気ディスクやヘッド等の駆動機構を持たないが、基板100上に実装される8つのNANDメモリ104A〜104Hの記憶領域に、OS(Operating System)等のプログラム、ユーザやソフトウエアの実行に基づいて作成されたデータ等を従来のハードディスクドライブと同様に読み書き可能に長期的に保存でき、情報処理装置1の起動ドライブとして動作することのできる不揮発性半導体メモリからなるドライブである。
基板100は、例えば、1.8インチタイプ又は2.5インチタイプのHDD(Hard disk drive)と同等の外形サイズを有する。なお、本実施の形態では、1.8インチタイプと同等である。また、基板100を筐体4に固定するための複数の貫通穴100gを有する。
以下に、第1の実施の形態に係る情報処理装置の動作について図7のフローチャートを参照して説明する。
図8は、本発明の第2の実施の形態に係る情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。第1の実施の形態では、SSD10自らが測定温度を規定値以下に抑える動作を行ったのに対し、本実施の形態では、SSD10に接続されたホスト装置8が、SSD10から出力される温度情報に基づいて、SSD10を冷却する冷却動作を行うものである。
図10は、本発明の第3の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。本実施の形態の制御回路115aは、第2の実施の形態と比較して、冷却動作としてホスト装置8の処理能力、すなわち、クロック数を低下させる点が異なり、その他は同様の構成及び機能を有する。
図11は、本発明の第4の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。本実施の形態の制御回路115aは、第2の実施の形態と比較して、冷却動作としてホスト装置8をスタンバイ状態又はハイバネーション状態に移行させて、その冷却動作によりSSD10の冷却性が改善しないとき、シャットダウン処理を行う点が異なり、その他は同様の構成及び機能を有する。
図12は、本発明の第5の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。本実施の形態の情報処理装置は、SSD10が第1の実施の形態と同様に自らのレスポンスを低下させる動作を行うとともに、ホスト装置8も第2の実施の形態と同様のファン13による冷却動作を行うものである。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第2〜第5の実施の形態に係るCPU115の制御回路115aは、フラッシュメモリ112又はSSD10に記憶されたプログラムであって、CPU115がそのプログラムに従って動作することにより実現するものでもよい。
Claims (12)
- 外部記憶装置として不揮発性半導体メモリを有した不揮発性半導体メモリドライブを搭載する情報処理装置において、
基板と、前記基板上に設けられて前記不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、前記基板上に設けられて前記不揮発性半導体メモリドライブ内の温度を検出する温度センサとを有する不揮発性半導体メモリドライブと、
前記不揮発性半導体メモリドライブに設けられた前記温度センサが検出した温度に基づいて、前記不揮発性半導体メモリドライブの温度を低下させるための処理を行う主制御部とを有することを特徴とする情報処理装置。 - 前記温度センサは、前記不揮発性半導体メモリドライブ内の、前記基板、前記不揮発性半導体メモリ、又は前記メモリコントローラの温度を検出することを特徴とする請求項1記載の情報処理装置。
- 前記主制御部は、前記温度を低下させる処理として前記不揮発性半導体メモリドライブの処理能力を低下させる請求項1に記載の情報処理装置。
- 前記情報処理装置内に外気を吸入し装置内部の温度を冷却する冷却ファンを有し、
前記主制御部は、前記温度を低下させる処理として前記冷却ファンの駆動量を通常動作時よりも大にする請求項1に記載の情報処理装置。 - 前記メモリコントローラは、前記温度センサで検出された温度を温度履歴として前記不揮発性半導体メモリに記憶させる請求項1に記載の情報処理装置。
- 前記主制御部は、前記不揮発性半導体メモリに記憶された前記温度履歴の読み出しを行う請求項5に記載の情報処理装置。
- 前記主制御部は、前記温度を低下させる処理により前記不揮発性半導体メモリドライブの温度が予め設定された温度まで改善されないとき、シャットダウン処理を行う請求項1に記載の情報処理装置。
- 情報処理装置の外部記憶装置として実装され使用される、不揮発性半導体メモリを有した不揮発性半導体メモリドライブにおいて、
基板と、
前記基板上に設けられて前記不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、
前記基板上に設けられて前記不揮発性半導体メモリドライブ内の温度を検出する温度センサとを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリドライブ。 - 前記温度センサは、前記不揮発性半導体メモリドライブ内の、前記基板、前記不揮発性半導体メモリ、又は前記メモリコントローラの温度を検出することを特徴とする請求項8記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
- 前記メモリコントローラは、前記温度を低下させる処理として自らの処理能力を低下させる請求項8に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
- 前記メモリコントローラは、前記温度を低下させる処理として前記温度を外部に出力する請求項8に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
- 前記メモリコントローラは、前記温度センサで検出された前記温度を温度履歴として前記不揮発性半導体メモリに記憶させる請求項8に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
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