JP4886846B2 - 情報処理装置および不揮発性半導体メモリドライブ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態に係る情報処理装置1の外観を示す概略図である。この情報処理装置1は、図1に示すように、本体2と、本体2に取り付けられた表示ユニット3とから構成されている。
図3は、本発明の実施の形態に係るSSD10の概略構成を示すブロック図である。SSD10は、図3に示すように、温度センサ101と、コネクタ102と、制御部103と、NANDメモリ104A〜104Hと、DRAM105と、電源回路106と、を備えて概略構成されており、データやプログラムを記憶し、電源を供給しなくても記録が消えない外部記憶装置である。従来のハードディスクドライブのような磁気ディスクやヘッド等の駆動機構を持たないが、NANDメモリの記憶領域に、OS(Operating System)等のプログラム、ユーザやソフトウエアの実行に基づいて作成されたデータ等を従来のハードディスクドライブと同様に読み書き可能に長期的に保存でき、情報処理装置1の起動ドライブとして動作することのできる不揮発性半導体メモリからなるドライブである。
図4は、本発明の実施の形態に係るSSD10の記憶容量および記憶領域を示す概略図である。SSD10の記憶容量は、図4に示すように、記憶容量104a〜104gで構成される。
記憶容量104eは、OEM Native Capacityであり、OEM(Original Equipment Manufacturer)の要求により製造時に決定する記憶容量である。ATA特殊コマンドの固有情報書込みで与えられる。また、記憶容量104eは、Device Configuration Overlay Feature Setがサポートされたとき、Device Configuration Identifyコマンドで返される値である。
≧記憶容量104e≧記憶容量104f≧記憶容量104g … 数2
製造元(Vender)からの出荷時、記憶容量104d〜104gは同値となる。
図5は、本発明の実施の形態に係るNANDメモリの概略構成図である。NANDメモリ104A〜104Hは、同じ機能および構成を有しているのでNANDメモリ104Aについて説明する。なお、一例として、セクタ1042の左に付された0〜7の番号は、セクタ番号を示すものとする。
図7は、本発明の実施の形態に係る情報処理装置1の動作を示すフローチャートである。
Claims (6)
- 本体と、
前記本体に収容される不揮発性半導体メモリドライブと、
を具備し、
前記本体は、
時刻情報を計数するためのクロック手段と、
電源投入時、前記クロック手段が計数する時刻情報を前記不揮発性半導体メモリドライブに出力する主制御手段と、
を有し、
前記不揮発性半導体メモリドライブは、
前記不揮発性半導体メモリドライブの通算稼働時間をカウントするカウンタと、
前回の電源投入時に前記本体から入力された前記時刻情報と、前回の電源投入時における前記カウンタの値と、今回の電源投入時における前記カウンタの値とから前回の電源遮断時の時刻を算出し、当該算出した前回の電源遮断時の時刻と、今回の電源投入時に前記本体から入力された前記時刻情報とから不揮発性半導体メモリの管理に用いる前回の電源遮断時から今回の電源投入時までの経過時間を算出するメモリ制御手段と、
を有する、
情報処理装置。 - 前記メモリ制御手段は、前記算出した経過時間に基づき、不揮発性半導体メモリの記憶状態についてのチェックを実行制御する請求項1記載の情報処理装置。
- 前記メモリ制御手段は、前記本体から入力された前記時刻情報を電源投入時刻として用いる際に、前記本体から前記時刻情報が入力された時における前記カウンタの値と電源投入時における前記カウンタの値との差分値を減算する補正を施す請求項1記載の情報処理装置。
- 情報処理装置本体に収容される不揮発性半導体メモリドライブであって、
前記不揮発性半導体メモリドライブの通算稼働時間をカウントするカウンタと、
前記情報処理装置本体から時刻情報を入力する時刻情報入力手段と、
前回の電源投入時に前記時刻情報入力手段によって入力された前記時刻情報と、前回の電源投入時における前記カウンタの値と、今回の電源投入時における前記カウンタの値とから前回の電源遮断時の時刻を算出し、当該算出した前回の電源遮断時の時刻と、今回の電源投入時に前記時刻情報入力手段によって入力された前記時刻情報とから不揮発性半導体メモリの管理に用いる前回の電源遮断時から今回の電源投入時までの経過時間を算出するメモリ制御手段と、
を具備する不揮発性半導体メモリドライブ。 - 前記メモリ制御手段は、前記算出した経過時間に基づき、不揮発性半導体メモリの記憶状態についてのチェックを実行制御する請求項4記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
- 前記メモリ制御手段は、前記時刻情報入力手段によって入力された前記時刻情報を電源投入時刻として用いる際に、前記時刻情報入力手段によって前記時刻情報が入力された時における前記カウンタの値と電源投入時における前記カウンタの値との差分値を減算する補正を施す請求項4記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
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