JP2009147073A - ウェーハ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハ1を保持するダイシング装置10の保持手段20を、ウェーハ保持部21と、基台部22により形成する。基台部22は、ウェーハ1が載置される枠体23と、枠体23の周囲に配設されるベース24を具備する。枠体23の直径は、ウェーハ1の直径と同等、もしくは、ウェーハ1の直径より小さく設定される。ウェーハ1は、ウェーハ1の外周と、枠体23の外周面23bが一致するか、もしくは、ウェーハ1の外周が枠体23の外周面23bよりはみ出るように保持手段20に載置、保持される。
【選択図】図4
Description
[1]半導体ウェーハ
図1の符号1は、円盤状の半導体ウェーハを示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等である。ウェーハ1の表面1aには、格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。
次に、図2を参照してレーザ式のダイシング装置10の構成ならびに動作を説明する。
ウェーハ1は、ダイシング装置10が備える水平な保持手段20上に保持される。保持手段20の上方には、レーザ光線を垂直下向きに照射するレーザヘッド50が配設されている。保持手段20は、装置10の基台11上において水平なX軸方向およびY軸方向に移動自在に設けられたXY移動テーブル12に設置されており、このXY移動テーブル12がX軸方向やY軸方向に移動することにより、レーザヘッド50から分割予定ライン2にレーザ光線が照射される。
以上がダイシング装置10の構成であり、次に、本発明に係る一実施形態の保持手段20を説明する。図3に示すように、保持手段20は、ウェーハ1を保持するウェーハ保持部21と、周囲に配設される基台部22とから構成されている。この基台部22は、枠体23と、ベース24により形成されている。
2…分割予定ライン
4…デバイス領域
10…ダイシング装置(ウェーハ加工装置)
20…保持手段
21a…ウェーハ保持部の上面(吸着面)
21…ウェーハ保持部(保持領域)
23…枠体
50…レーザ加工装置(加工手段)
54…レーザ光線
Claims (2)
- 分割予定ラインによって区画された複数のデバイス領域が形成されたウェーハを保持する保持手段と、
前記ウェーハの前記分割予定ラインに沿ってレーザ光線を照射して該ウェーハに加工を施す加工手段とを少なくとも備えたウェーハ加工装置であって、
前記保持手段は、
前記ウェーハが載置されるとともに、該載置されたウェーハを吸引して保持する略水平な吸着面を有する保持領域と、
該保持領域の周囲に配設される枠体とを具備し、
前記枠体の大きさは、前記ウェーハの大きさと同等、もしくは、ウェーハの大きさより小さいことを特徴とするウェーハ加工装置。 - 前記枠体はセラミックスからなり、該枠体の表面は、前記保持手段の前記吸着面と同一平面をなして形成され、
前記枠体の周囲には、金属からなるベース部材が配設され、該ベース部材の表面は、前記保持領域に載置、保持された前記ウェーハと接触しないように、前記保持手段の前記吸着面よりもウェーハの吸着方向に位置付けられて形成されていることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ加工装置。
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CN113097102B (zh) * | 2021-03-23 | 2023-09-08 | 宜宾卓邦科技有限公司 | 一种半导体集成电路器件晶圆智能加工装置 |
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