JP2005118832A - レーザー加工方法およびレーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板21の表面に低誘電率絶縁体被膜213が積層されているとともに格子状に形成されたストリート211によって複数の回路212が形成され、該ストリートにテスト用の金属パターン214が部分的に配設されている半導体ウエーハ20のレーザー加工方法であって、半導体ウエーハ20のストリート211に配設されたテスト用金属パターン214の座標値を設定する金属パターン座標値設定工程と、金属パターン座標値設定工程によって設定されたテスト用金属パターン214が位置する領域と低誘電率絶縁体被膜213の領域にそれぞれ異なる加工条件でレーザー光線を照射してテスト用金属パターンおよび低誘電率絶縁体被膜を除去するレーザー加工工程を含む。
【選択図】図7
Description
該半導体ウエーハの該ストリートに配設された該テスト用金属パターンの座標値を設定する金属パターン座標値設定工程と、
該金属パターン座標値設定工程によって設定された該テスト用金属パターンが位置する領域と該低誘電率絶縁体被膜の領域に、それぞれ異なる加工条件でレーザー光線を照射して該テスト用金属パターンおよび該低誘電率絶縁体被膜を除去するレーザー加工工程と、を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
該半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該半導体ウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段と、該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する制御手段と、該制御手段に該半導体ウエーハの該ストリートに配設された該テスト用金属パターンの座標値を入力する入力手段と、を具備し、
該制御手段は、該入力手段によって入力された該テスト用金属パターンの座標値を格納する記憶手段を具備しており、該記憶手段に格納された該テスト用金属パターンの座標値に基づいて該テスト用金属パターンが位置する領域にレーザー光線を照射するように該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
図4の(a)にはレーザー加工装置によって加工処理される半導体ウエーハ20が上記チャックテーブル36の所定位置に保持された状態における座標とともに示されており、図4の(b)には半導体ウエーハ20を図4の(a)の状態から90度回転した状態が示されている。また、図5には図4に示す半導体ウエーハ20のストリート211における拡大断面図が示されている。図4および図5に示す半導体ウエーハ20は、シリコンウエーハからなる半導体基板21の表面21aに格子状に配列された複数のストリート(切断予定ライン)211によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路212が形成されている。なお、この半導体ウエーハ20は、半導体基板21の表面に低誘電率絶縁体被膜213が積層して形成されており、ストリート211には回路212の機能をテストするためのテスト エレメント グループ(Teg)と称するテスト用の金属パターン214が部分的に複数配設されている。
加工条件:金属パターン除去工程
光源 ;YAGレーザーまたはYVO4レーザー
波長 ;355nm(紫外光)
出力 ;1.0W
繰り返し周波数:50kHz
パルス幅 ;10ns
集光スポット径;φ25μm
加工送り速度 ;50mm/秒
加工条件:低誘電率絶縁体被膜除去工程
光源 ;YAGレーザーまたはYVO4レーザー
波長 ;355nm(紫外光)
出力 ;0.5W
繰り返し周波数:50kHz
パルス幅 ;10ns
集光スポット径;φ25μm
加工送り速度 ;100mm/秒
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線加工手段
522:レーザー光線発振手段
523:レーザー光線変調手段
524:集光器
6:アライメント手段撮像手段
10:制御手段
20:半導体ウエーハ
21:半導体基板
211:ストリート
212:回路
213:低誘電率絶縁体被膜
214:テスト用金属パターン
Claims (4)
- 半導体基板の表面に低誘電率絶縁体被膜が積層されているとともに格子状に形成されたストリートによって複数の回路が形成され、該ストリートにテスト用の金属パターンが部分的に配設されている半導体ウエーハのレーザー加工方法であって、
該半導体ウエーハの該ストリートに配設された該テスト用金属パターンの座標値を設定する金属パターン座標値設定工程と、
該金属パターン座標値設定工程によって設定された該テスト用金属パターンが位置する領域と該低誘電率絶縁体被膜の領域に、それぞれ異なる加工条件でレーザー光線を照射して該テスト用金属パターンおよび該低誘電率絶縁体被膜を除去するレーザー加工工程と、を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法。 - 該金属パターン座標値設定工程は、該半導体ウエーハの設計図に基づいてテスト用金属パターンの座標値を設定する、請求項1記載のレーザー加工方法。
- 該レーザー加工工程は、該テスト用金属パターンにレーザー光線を照射して該テスト用金属パターンを除去する金属パターン除去工程と、該低誘電率絶縁体被膜の領域にレーザー光線を照射して該低誘電率絶縁体被膜を除去する低誘電率絶縁体被膜除去工程とを含んでいる、請求項1記載のレーザー加工方法。
- 半導体基板の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の回路が形成され、該ストリートにテスト用金属パターンが部分的に配設されている半導体ウエーハを該ストリートに沿ってレーザー加工するためのレーザー加工装置であって、
該半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該半導体ウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段と、該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する制御手段と、該制御手段に該半導体ウエーハの該ストリートに配設された該テスト用金属パターンの座標値を入力する入力手段と、を具備し、
該制御手段は、該入力手段によって入力された該テスト用金属パターンの座標値を格納する記憶手段を具備しており、該記憶手段に格納された該テスト用金属パターンの座標値に基づいて該テスト用金属パターンが位置する領域にレーザー光線を照射するように該レーザー光線照射手段および該加工送り手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
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Cited By (11)
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SG126765A1 (en) * | 2003-07-02 | 2006-11-29 | Disco Corp | Laser beam processing method and laser beam processing machine |
JP2006344795A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
WO2009014307A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Eo Technics Co., Ltd. | Laser processing apparatus and method using beam split |
KR100887245B1 (ko) | 2006-08-10 | 2009-03-06 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법 |
DE102012201779A1 (de) | 2011-02-07 | 2012-08-09 | Disco Corporation | Laserstrahlanwendungsmechanismus und Laserbearbeitungsvorrichtung |
DE102013202546A1 (de) | 2012-02-20 | 2013-08-22 | Disco Corporation | Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung |
KR101322845B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2013-10-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공장치 |
KR20160026715A (ko) | 2014-08-28 | 2016-03-09 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
CN107234343A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-10-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
CN107378255A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-11-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
WO2022205067A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Laser dicing system and method for dicing semiconductor structure |
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2003
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Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7265033B2 (en) | 2003-07-02 | 2007-09-04 | Disco Corporation | Laser beam processing method for a semiconductor wafer |
SG126765A1 (en) * | 2003-07-02 | 2006-11-29 | Disco Corp | Laser beam processing method and laser beam processing machine |
JP2006344795A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
KR101322845B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2013-10-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공장치 |
KR100887245B1 (ko) | 2006-08-10 | 2009-03-06 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법 |
CN101795808B (zh) * | 2007-07-24 | 2013-09-18 | Eo技术有限公司 | 使用光束分割的激光处理设备和方法 |
WO2009014307A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Eo Technics Co., Ltd. | Laser processing apparatus and method using beam split |
US8329560B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-12-11 | Eo Technics Co., Ltd. | Laser processing apparatus and method using beam split |
DE102012201779A1 (de) | 2011-02-07 | 2012-08-09 | Disco Corporation | Laserstrahlanwendungsmechanismus und Laserbearbeitungsvorrichtung |
US9085046B2 (en) | 2011-02-07 | 2015-07-21 | Disco Corporation | Laser beam applying mechanism and laser processing apparatus |
DE102012201779B4 (de) | 2011-02-07 | 2022-10-06 | Disco Corporation | Laserstrahlanwendungsmechanismus und Laserbearbeitungsvorrichtung |
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JP2013169556A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Disco Corp | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
KR102150207B1 (ko) * | 2012-02-20 | 2020-08-31 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
DE102013202546A1 (de) | 2012-02-20 | 2013-08-22 | Disco Corporation | Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung |
KR20160026715A (ko) | 2014-08-28 | 2016-03-09 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
CN107234343A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-10-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
CN107378255A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-11-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
CN107234343B (zh) * | 2017-07-14 | 2018-09-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
CN107378255B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-03-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种激光加工晶圆的方法及装置 |
WO2022205067A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Laser dicing system and method for dicing semiconductor structure |
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