JP2009111196A - 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して正常かつ強固に接続することが可能な半田バンプ付き配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 上面に半導体素子101が搭載される搭載部Aを有する絶縁基板1の搭載部Aに半導体素子101の電極102が電気的に接続される多数の半田接合パッド3が格子状の並びに配列形成されているとともに半田接合パッド3の各々に半導体素子101の電極と接続するための半田バンプ4が溶着されて成る半田バンプ付き配線基板であって、絶縁基板1上面の搭載部A周辺にダミーのパッド4が設けられており、かつダミーのパッド4にダミーの半田7Aが溶着されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 上面に半導体素子101が搭載される搭載部Aを有する絶縁基板1の搭載部Aに半導体素子101の電極102が電気的に接続される多数の半田接合パッド3が格子状の並びに配列形成されているとともに半田接合パッド3の各々に半導体素子101の電極と接続するための半田バンプ4が溶着されて成る半田バンプ付き配線基板であって、絶縁基板1上面の搭載部A周辺にダミーのパッド4が設けられており、かつダミーのパッド4にダミーの半田7Aが溶着されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体素子を搭載するための半田バンプ付き配線基板およびその製造方法に関する。
近年、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するために用いられる配線基板には、ガラス基材および熱硬化性樹脂から成る絶縁基板と銅箔等から成る配線導体層とを交互に複数積層して成るプリント基板や、絶縁基板上に熱硬化性樹脂およびフィラーから成る絶縁層と銅めっき層から成る配線導体層とを複数積層して成るビルドアップ基板が用いられている。そして、このようなプリント基板やビルドアップ基板等の配線基板の上面には、半導体素子の電極を接続するために格子状の並びに配列された半田接合パッドおよびこの半田接合パッドの中央部を露出させるソルダーレジスト層が被着形成されており、さらに、ソルダーレジスト層から露出した半田接合パッド上には半導体素子と半田接合パッドとを接合するための半田バンプが形成されている。
そして、このような半田バンプ付き配線基板においては、半導体素子をその各電極がそれぞれ対応する半田バンプに当接するようにして配線基板の上面に載置するとともに、これらを例えば電気炉等の加熱装置で加熱して半田バンプを溶融させて半田バンプと半導体素子の電極とを接合させることによって、半導体素子が配線基板上に実装される。
なお、このような半田バンプ付き配線基板は、内部および表面に複数の配線導体を有する絶縁基板の表面に、配線導体に接続されて格子状の並びに配列された円形の複数の半田接合パッドおよびこの半田接合パッドの中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を被着させ、次に各半田接合パッドに対応する位置にバンプ形成用開口部を有する印刷マスクを用いて各半田接合パッド上にフラックスおよび半田粉末から成る半田ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して半田バンプに対応する量だけ印刷塗布するとともにこれを加熱して半田ペースト中の半田粉末を溶融させて半田接合パッド上に半田バンプを形成することによって製作されている。
しかしながら、従来の半田バンプ付き配線基板の製造方法によれば、半田ペーストを各半田接合パッド上に印刷塗布する際、格子状の並びに配列形成された半田接合パッドのうち最外周(特に角部)の半田接合パッドへの半田ペーストの塗布量が内側の半田バンプの半田量と比較して少なくなる傾向がある。そのため、半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して接合する際に、最外周の半田バンプの半田量が不足し、半田バンプの強度が弱いものとなって、半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して強固に接合することができなくなってしまうという問題点を有していた。
そこで、特許文献1には、配線導体を有する絶縁基板の上面に、半導体素子の電極が接続される多数の半田接合パッドを格子状の並びに配列形成するとともにこの半田接合パッドの中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を被着させた配線基板と、前記各半田接合パッドに対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部およびこのバンプ形成用開口部の並びの外側にこのバンプ形成用開口部と同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミーの開口部を有する印刷マスクとを準備する工程と、この印刷マスクを用いて印刷することにより前記各半田接合パッド上にバンプ形成用の半田ペーストおよび前記半田接合パッドの並びの外側の前記ソルダーレジスト層上にダミーの半田ペーストを印刷塗布する工程と、前記バンプ形成用の半田ペーストおよびダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させて、前記半田接合パッドに接合された半田バンプを形成するとともに前記半田接合パッドの並びの外側の前記ソルダーレジスト層上に半田ボールを形成する工程と、この半田ボールを除去する工程とを順次行なう半田バンプ付き配線基板の製造方法が提案されている。
特開2004−179363号公報
しかしながら、この特許文献1で提案された半田バンプ付き配線基板の製造方法によると、半田接合パッドの並びの外側のソルダーレジスト層上に印刷塗布したダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させる際に、溶融した半田ボールがソルダーレジスト層と濡れないことからソルダーレジスト層上を移動し易く、そのため、半田接合パッドの配列ピッチが例えば200μm以下の狭いものとなると、ソルダーレジスト層上で溶融した半田ボールが製造工程中に受ける振動や衝撃、風圧等の影響で僅かに移動しただけでも隣接する半田バンプと接触して融合してしまい、その結果、一部の半田バンプの大きさが他の半田バンプよりも極端に大きくなったり、隣接する半田バンプ同士が融合して電気的に短絡してしまったりして半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して正常かつ強固に接続することができない事態が発生するという問題点がある。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、格子状の並びに配列された半田接合パッドに均一な大きさの半田バンプが互いに短絡することなく形成され、それにより半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して正常かつ強固に接続することが可能な半田バンプ付き配線基板およびその製造方法を提供することにある。
本発明の半田バンプ付き配線基板は、上面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板の前記搭載部に前記半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成されているとともに該半田接合パッドの各々に前記半導体素子の電極と接続するための半田バンプが溶着されて成る半田バンプ付き配線基板であって、前記絶縁基板上面の前記搭載部周辺にダミーのパッドが設けられており、かつ該ダミーのパッドにダミーの半田が溶着されていることを特徴とするものである。
また、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法は、上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成された搭載部を有するとともに前記上面の前記搭載部周辺にダミーのパッドが形成された絶縁基板と、前記各半田接合パッドに対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部および該バンプ形成用開口部の並びの外側に該バンプ形成用開口部と同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミーの開口部を有する印刷マスクとを準備する工程と、該印刷マスクを用いて印刷することにより前記各半田接合パッド上にバンプ形成用の半田ペーストおよび前記ダミーのパッド上にダミーの半田ペーストを印刷塗布する工程と、前記バンプ形成用の半田ペーストおよびダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させて、前記半田接合パッドに溶着された半田バンプを形成するとともに前記ダミーのパッド上に溶着されたダミーの半田を形成する工程とを順次行なうことを特徴とするものである。
さらに、本発明の半田バンプ付き配線基板の別の製造方法は、上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成された搭載部を有する絶縁基板と、前記各半田接合パッドに対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部および該バンプ形成用開口部の並びの外側に該バンプ形成用開口部と同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミーの開口部を有する印刷マスクとを準備する工程と、該印刷マスクを用いて印刷することにより前記各半田接合パッド上にバンプ形成用の半田ペーストおよび前記搭載部周辺の前記絶縁基板上にダミーの半田ペーストを印刷塗布する工程と、前記バンプ形成用の半田ペーストおよびダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させて、前記半田接合パッドに溶着された半田バンプを形成するとともに前記搭載部周辺の前記絶縁基板上に半田ボールを形成する工程と、前記半田ボール除去する工程とを順次行なう半田バンプ付き配線基板の製造方法において、前記絶縁基板は、前記半田ボールが形成される位置に該半田ボールが載座される凹部を有することを特徴とするものである。
本発明の半田バンプ付き配線基板によれば、半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに形成された絶縁基板上面の搭載部周辺にダミーのパッドが設けられており、そのダミーのパッドにダミーの半田が溶着されているので、ダミーの半田は溶融の際にダミーのパッドに拘束されて動かない。したがって、搭載部に形成された半田接合パッドに溶着された半田バンプとダミーのパッドに溶着されたダミーの半田とが溶融の際に接触して融合することはなく、半田バンプの大きさは均一であり、その結果、半導体素子の電極と半田接合パッドとを均一な大きさの半田バンプを介して正常かつ強固に接続することができる。
また本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法によれば、上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成された搭載部を有するとともに前記上面の前記搭載部周辺にダミーのパッドが形成された絶縁基板と、各半田接合パッドに対応する位置に配列形成されたバンプ形成用開口部およびこれらのバンプ形成用開口部の並びの外側にこれらのバンプ形成用開口部と同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミーの開口部を有する印刷マスクとを準備し、次にこの印刷マスクを用いて印刷することにより各半田接合パッド上にバンプ形成用の半田ペーストおよびダミーのパッド上にダミーの半田ペーストを印刷塗布し、次にバンプ形成用の半田ペーストおよびダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させて、半田接合パッドに溶着された半田バンプを形成するとともにダミーのパッド上に溶着されたダミーの半田を形成することから、ダミーの半田は加熱溶融の際にダミーのパッドに拘束されて動かない。したがって、搭載部に形成された半田接合パッドに溶着された半田バンプとダミーのパッドに溶着されたダミーの半田とが溶融の際に接触して融合することはなく、半田バンプの大きさが均一となり、半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して正常かつ強固に接続することが可能な半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
さらに、本発明の半田バンプ付き配線基板の別の製造方法によれば、上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成された搭載部を有する絶縁基板と、前記各半田接合パッドに対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部および該バンプ形成用開口部の並びの外側に該バンプ形成用開口部と同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミーの開口部を有する印刷マスクとを準備し、次にこの印刷マスクを用いて印刷することにより各半田接合パッド上にバンプ形成用の半田ペーストおよび搭載部周辺の絶縁基板上にダミーの半田ペーストを印刷塗布し、次にバンプ形成用の半田ペーストおよびダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させて、半田接合パッドに溶着された半田バンプを形成するとともに搭載部周辺の絶縁基板上に半田ボールを形成し、次に前記半田ボールを除去する半田バンプ付き配線基板の製造方法において、絶縁基板は前記半田ボールが形成される位置に該半田ボールが載座される凹部を有することから、ダミーの半田ペースト中の半田を溶融させて形成された半田ボールは前記凹部に載座され、製造工程中に受ける振動や衝撃、風圧程度では動かない。したがって、搭載部に形成された半田接合パッドに溶着された半田バンプと搭載部周辺の絶縁基板上に形成された半田ボールとが溶融の際に接触して融合することはなく、半田バンプの大きさが均一となり、半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して正常かつ強固に接続することが可能な半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
次に、本発明の半田バンプ付き配線基板の一例を図1および図2を基にして詳細に説明する。図1は本発明の半田バンプ付き配線基板の一実施形態を示す断面図であり、図2は図1に示す半田バンプ付き配線基板の上面図である。これらの図中、1は絶縁基板、2は配線導体、3は半田接合パッド、4はダミーのパッド、5はソルダーレジスト層、6は半田バンプ、7Aはダミーの半田であり、主としてこれらにより本発明の半田バンプ付き配線基板が構成される。
なお、本実施形態の半田バンプ付き配線基板では、ガラス織物に熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁層1aの上下面に熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bを2層ずつ積層して絶縁基板1を形成しており、最表層の絶縁層1b上にソルダーレジスト層5が積層されている。また絶縁基板1の上面中央部には半導体素子101が搭載される搭載部Aが形成されており、この搭載部Aにはそれぞれ半導体素子101の電極102が電気的に接続される半田接合パッド3が形成されている。さらに、絶縁基板1の上面には搭載部Aの周辺にダミーのパッド4が形成されている。また、絶縁基板1の下面には外部電気回路基板に電気的に接続される外部接続パッド8が形成されており、絶縁基板1の上面から下面にかけてはそれぞれ対応する半田接合パッド3と外部接続パッド8とを互いに電気的に接続する配線導体2が配設されている。そして、半田接合パッド3には半田バンプ6が溶着されており、ダミーのパッド4にはダミーの半田7Aが溶着されている。
絶縁層1aは、本実施形態の半田バンプ付き配線基板におけるコア部材であり、例えばガラス繊維束を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る。この絶縁層1aは、例えば厚みが0.3〜1.5mm程度であり、その上面から下面にかけて直径が0.1〜1mm程度の複数の貫通孔9を有している。そして、その上下面および各貫通孔9の内面には配線導体2の一部が被着されており、上下面の配線導体2が貫通孔9を介して電気的に接続されている。
このような絶縁層1aは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。なお、絶縁層1a上下面の配線導体2は、絶縁層1a用の絶縁シートの上下全面に厚みが3〜50μm程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、貫通孔9内面の配線導体2は、絶縁層1aに貫通孔9を設けた後に、この貫通孔9内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが3〜50μm程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。
さらに、絶縁層1aは、その貫通孔9の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂10が充填されている。孔埋め樹脂10は、貫通孔9を塞ぐことにより貫通孔9の直上および直下に配線導体2および各絶縁層1bを形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔9内にスクリーン印刷法により充填し、それを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そして、この孔埋め樹脂10を含む絶縁層1aの上下面に絶縁層1bがそれぞれ2層ずつ積層されている。
絶縁層1aの上下面に積層された各絶縁層1bは、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、それぞれの厚みが20〜60μm程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が30〜100μm程度の複数の貫通孔11を有している。これらの各絶縁層1bは、配線導体2を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものである。そして、上層の配線導体2と下層の配線導体2とを貫通孔11を介して電気的に接続することにより高密度配線が立体的に形成可能となっている。このような各絶縁層1bは、厚みが20〜60μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂から成る絶縁フィルムを絶縁層1aの上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工により貫通孔11を穿孔し、さらにその上に同様にして次の絶縁層1bを順次積み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層1bの表面および貫通孔11内に被着された配線導体2は、各絶縁層1bを形成する毎に各絶縁層1bの表面および貫通孔11内に5〜50μm程度の厚みの銅めっき膜を公知のセミアディティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
絶縁基板1の上面の搭載部Aに形成された半田接合パッド3は、直径が50〜100μm程度の円形であり、搭載部A内の領域にピッチが100〜200μmの格子状の並びに多数配列形成されている。このような半田接合パッド3は、半導体素子101の電極102を配線導体2に電気的に接続するための端子部として機能し、最上層の絶縁層1b上に形成された配線導体2の一部を、ソルダーレジスト層5に設けた直径が50〜100μmの円形の開口部5a内に露出させることにより形成されている。
また、絶縁基板1の上面における搭載部Aの周辺に形成されたダミーのパッド4は、直径が50〜100μm程度の円形であり、半田接合パッド3の並びの外側に搭載部Aの各辺に対して一列ずつ半田接合パッド3と同じ大きさおよび同じ配列間隔で形成されている。このようなダミーのパッド4は、後述する半田バンプ6を半田接合パッド3に溶着する際に、半田バンプ6の大きさを均一とするためのダミーの半田7Aを絶縁基板1上で動かないように拘束するための拘束部材として機能し、最上層の絶縁層1b上に形成された配線導体2の一部を、ソルダーレジスト層5に設けた直径が50〜100μmの円形の開口部5b内に露出させることにより形成されている。
また、絶縁基板1の下面に形成された外部接続パッド8は、直径が300〜500μm程度の円形であり、絶縁基板1下面の略全領域にピッチが600〜1000μmの格子状の並びに多数配列形成されている。外部接続パッド8は、配線導体2を外部電気回路基板に電気的に接続するための端子部として機能し、最下層の絶縁層1b上に形成された配線胴体2の一部を、ソルダーレジスト層5に設けた直径が300〜500μmの円形の開口部5c内に露出させることにより形成されている。
半田接合パッド3に溶着された半田バンプ6は、例えば鉛−錫合金等の鉛含有半田や錫−銀−銅合金等の鉛フリー半田から成り、半田接合パッド3と半導体素子101の電極102とを電気的に接続するための接続部材として機能する。そして、半導体素子101の電極102を半田バンプ6に接触させた状態で半田バンプ6を溶融させることにより半田接合パッド3と半導体素子101の電極102とが半田バンプ6を介して電気的に接続されることとなる。このように半田バンプ6を半田接合パッド3に予め溶着させておくことにより半田接合パッド3への半導体素子101の接続の作業性が極めて良好なものとなる。
なお、半導体素子101の電極102を半田バンプ6に接触させるのに先立って、半田バンプ6の上端部をプレスして平坦にしておくと、半導体素子101の電極102と半田バンプ6とを接触させることが容易かつ確実なものとなる。従って、半導体素子101の電極102を半田バンプ6に接触させるのに先立って、半田バンプ6の上端部をプレスして平坦にしておくことが好ましい。
なお、半導体素子101の電極102を半田バンプ6に接触させるのに先立って、半田バンプ6の上端部をプレスして平坦にしておくと、半導体素子101の電極102と半田バンプ6とを接触させることが容易かつ確実なものとなる。従って、半導体素子101の電極102を半田バンプ6に接触させるのに先立って、半田バンプ6の上端部をプレスして平坦にしておくことが好ましい。
このような半田バンプ6は、各半田接合パッド3に対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部を有する印刷マスクを用いて半田バンプ6用の半田ペーストを各半田接合パッド3上に印刷塗布するとともに印刷された半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより各半田接合パッド3上に溶着される。
ダミーのパッド4に溶着されたダミーの半田7Aは、半田バンプ6と同じ組成の半田から成り、半田バンプ6と同時に形成される。このダミーの半田7Aは、半田接合パッド3に溶着される半田バンプ6の大きさを均一にするための捨て半田として機能し、半田バンプ6用の半田ペーストを印刷するための印刷マスクに、バンプ形成用開口部と同じ形状および配列間隔のダミー開口部をバンプ形成用開口部の並びの外側に形成しておくとともに、このダミーの開口部を通してダミーのパッド4にも前記半田ペーストと同じ半田ペーストをダミーの半田ペーストとして印刷塗布し、しかる後、そのダミーの半田ペースト中の半田を半田バンプ6用の半田ペースト中の半田と同時に加熱溶融させることによりダミーのパッド4上に溶着される。
この場合、半田ペーストを印刷するための印刷マスクにはバンプ形成用開口部の並びの外側にバンプ形成用開口部と実質的に同じ形状および配列間隔のダミーの開口部が形成されているので、最外周のダミー開口部に対応するダミーのパッド4では半田ペーストの塗布量が少なくなる傾向があるものの、その内側の各半田接合パッド3では塗布される半田ペーストの量は略均一になる。また、ダミーの半田7Aはダミーのパッド4上で溶融するのでダミーのパッド4により拘束され、隣接する半田バンプ6と接触融合することはない。したがって、本発明の半田バンプ付き配線基板によれば、半田バンプ6の大きさは均一であり、その結果、半導体素子101の電極102と半田接合パッド3とを均一な大きさの半田バンプ6を介して正常かつ強固に接続することができる。
さらに、ダミーのパッド4では半田ペーストの塗布量が少なくなる傾向があるので、ダミーの半田7Aの高さは半田バンプ6の高さより低くなる傾向にある。このようにダミーの半田7Aの高さが半田バンプ6の高さより低い場合、半導体素子101の電極102を半田接合パッド3に半田バンプ6を介して接続する際にダミーの半田7Aが邪魔になりにくい。
なお、上述の一実施形態では、ダミーのパッド4は半田接合パッド3と同じ大きさおよび同じ配列間隔であったが、図3に他の実施形態きとして示すように、ダミーのパッド4は半田接合パッド3より大きなものであっても良い。あるいは図4にさらに他の実施形態として示すように、搭載部Aを取り囲む連続した帯状パターンであっても良い。これらの場合、ダミーの半田7Aが溶着する面積が大きくなり、その分、ダミーの半田7Aの高さをさらに低いものとすることができる。したがって、半導体素子101の電極102を半田接合パッド3に半田バンプ6を介して接続する際にダミーの半田7Aがさらに邪魔になりにくい。
また、上述の3つの実施形態では、ダミーのパッド4は搭載部A周辺の全周にわたり配設されていたが、図5や図6にさらに他の実施形態として示すように、ダミーのパッド4は絶縁基板1上面の搭載部Aの角部に対応する領域のみに形成されていてもよい。この場合、各半田接合パッド3からの配線導体2の引出し経路の確保が容易となる利点がある。
なお、図3〜図6に示した他の実施形態の半田バンプ付き配線基板においては、上述の図1および図2に示した一実施形態の半田バンプ付き配線基板と比較してダミーのパッド4およびダミーの半田7Aの大きさや形状、配置等が異なるだけであり、その他の構成については同じである。したがって、図1および図2に示した一実施形態と機能的に同一の個所には同一の符号を付し、簡略のため各部の説明は省略する。
次に、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法を図7〜図9に基にして説明する。図7〜図9は本発明における半田バンプ付き配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための工程毎の概略断面図であり、これらの図中、1は絶縁基板、20は印刷マスクである。
先ず、図7に示すように、上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッド3が格子状の並びに配列形成された搭載部Aを有するとともに上面の記搭載部A周辺にダミーのパッド4が形成された絶縁基板1と、各半田接合パッド3に対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部20aおよびこれらのバンプ形成用開口部20aの並びの外側にバンプ形成用開口部20aと同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミー開口部20bを有する印刷マスク20とを準備する。
絶縁基板1は、図1および図2で示した半田バンプ付き配線基板の一実施形態で説明したものと同一である。したがって、図1および図2で示した絶縁基板1と同一個所には同一符号を付し、簡略のため各部の説明は省略する。
印刷マスク20は、厚みが20〜50μm程度のステンレス板から成り、均一な厚みのステンレス板にフォトリソグラフィー技術やレーザ加工技術を用いてバンプ形成用開口部20aおよびダミー開口部20bを設けることにより形成され、図示しない枠状の金属フレームに適当な張力をもって支持されている。
次に、図8に示すように、絶縁基板1上に印刷マスク20を、バンプ形成用開口部20aおよびダミーの開口部20bがそれぞれ対応する半田接合パッド3およびダミーのパッド4上に位置するようにして載置するとともに印刷マスク20を用いてスクリーン印刷することにより各半田接合パッド3上にバンプ形成用の半田ペースト6Pおよびダミーのパッド4上にダミーの半田ペースト7Pを印刷塗布する。
このとき、印刷マスク20は、各半田接合パッド3に対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部20aの並びの外側にそれらのバンプ形成用開口部20aと同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミー開口部20bを有しているので、この印刷マスク20を用いて、スクリーン印刷することにより各半田接合パッド3上にバンプ形成用の半田ペースト6Pおよびダミーのパッド4上にダミーの半田ペースト7Pを印刷塗布すると、印刷マスク20のバンプ形成用開口部20aの並びの外側に設けたダミー開口部20bからの塗布量は少なくなるものの、その内側に並んだ半田接合パッド3に対応するバンプ形成用開口部20aからの塗布量は均一となる。したがって、各半田接合パッド3には均一な量の半田ペースト6Pが塗布される。
次に、図9(a)、(b)に示すように、半田接合パッド3上にバンプ形成用の半田ペースト6Pおよびダミーのパッド4上にダミーの半田ペースト7Pが印刷塗布された絶縁基板1をピーク温度が200〜260℃のリフロー炉に通し、バンプ形成用の半田ペースト6Pおよびダミーの半田ペースト7P中の半田を加熱溶融させて半田接合パッド3に溶着された半田バンプ6を形成するとともにダミーのパッド4上に溶着されたダミーの半田7Aを形成する。このとき、前述したように各半田接合パッド3に塗布されたバンプ形成用の半田ペースト6Pはその塗布量が均一であることから、各半田接合パッド3に半田量の均一な半田バンプ6を形成することができる。また、ダミーの半田7Aはダミーのパッド4上で溶融するのでダミーのパッド4により拘束され、隣接する半田バンプ6と接触融合することはない。したがって、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法によれば、半田バンプ6の大きさは均一であり、その結果、半導体素子の電極と半田接合パッド3とを均一な大きさの半田バンプ6を介して正常かつ強固に接続することが可能な半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
また、ダミーのパッド4では半田ペースト7Pの塗布量が少なくなる傾向があるので、ダミーの半田7Aの高さは半田バンプ6の高さより低くなる傾向にある。このようにダミーの半田7Aの高さが半田バンプ6の高さより低い場合、半導体素子の電極を半田接合パッド3に半田バンプ6を介して接続する際にダミーの半田7Aが邪魔になりにくい半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
なお、上述した半田バンプ付き配線基板の製造方法の一実施形態においては、絶縁基板1として図1および図2に示す絶縁基板1を用いたが、絶縁基板1として図3〜図6に示した絶縁基板1を用いてもよい。これらの場合、印刷マスク20としては上述と同様に、絶縁基板1の半田接合パッド3に対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部20aおよびこれらのバンプ形成用開口部20aの並びの外側にバンプ形成用開口部20aと同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミー開口部20bを有するものを用いて、各半田接合パッド3上にバンプ形成用の半田ペースト6Pおよびダミーのパッド4上にダミーの半田ペースト7Pを印刷塗布する。ただし、図5および図6で示した絶縁基板1を用いる場合、印刷マスク20のダミーの開口20aは絶縁基板1の搭載部Aの角部に対応する領域のみに形成し、ダミーのパッド4上のみにダミーの半田ペースト7Pを印刷塗布する。そして、半田ペースト6Pおよびダミーの半田ペースト7P中の半田を加熱溶融させて半田接合パッド3に溶着された半田バンプ6を形成するとともにダミーのパッド4上に溶着されたダミーの半田7Aを形成する。これらのうち、図3および図4、図5に示した絶縁基板1を用いた場合、ダミーの半田7Aが溶着する面積が大きくなり、その分、ダミーの半田7Aの高さをさらに低いものとすることができる。したがって、半導体素子の電極を半田接合パッド3に半田バンプ6を介して接続する際にダミーの半田7Aがさらに邪魔になりにくい半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
さらに、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法の他の実施形態を図10〜図12を基にして説明する。図10〜図12は本発明における半田バンプ付き配線基板の製造方法の他の実施形態を説明するための概略断面図であり、これらの図中、1は絶縁基板、20は印刷マスクである。
なお、この実施形態例で用いられる絶縁基板1は、図7で示した絶縁基板1においてダミーのパッド4が形成されておらず、それによりソルダーレジスト層5に設けた開口部5bにより後述する半田ボール7Bが載座される凹部Bが形成されている点を除いて同一である。また、印刷マスク20も図7で示したものと同一である。したがって、図7で示した絶縁基板1とおよび印刷マスク20と同一個所には同一符号を付し、簡略のため各部の説明は省略する。
先ず、図10に示すように、上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッド3が格子状の並びに配列形成された搭載部Aを有するとともに上面の搭載部A周辺に後述する半田ボール7Bが載座される凹部Bを有する絶縁基板1と、各半田接合パッド3に対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部20aおよびこれらのバンプ形成用開口部20aの並びの外側にバンプ形成用開口部20aと実質的に同じ形状および同じ配列で形成されたダミー開口部20bを有する印刷マスク20とを準備する。
次に、図11に示すように、絶縁基板1上に印刷マスク20を、バンプ形成用開口部20aおよびダミーの開口部20bがそれぞれ対応する半田接合パッド3および凹部B上に位置するようにして載置するとともに印刷マスク20を用いてスクリーン印刷することにより各半田接合パッド3上にバンプ形成用の半田ペースト6Pおよび凹部B上にダミーの半田ペースト7Pを印刷塗布する。
このとき、印刷マスク20は、各半田接合パッド3に対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部20aの並びの外側にそれらのバンプ形成用開口部20aと同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミー開口部20bを有しているので、この印刷マスク20を用いて、スクリーン印刷することにより各半田接合パッド3上にバンプ形成用の半田ペースト6Pおよび凹部B上にダミーの半田ペースト7Pを印刷塗布すると、印刷マスク20のバンプ形成用開口部20aの並びの外側に設けたダミー開口部20bからの塗布量は少なくなるものの、その内側に並んだ半田接合パッド3に対応するバンプ形成用開口部20aからの塗布量は均一となる。したがって、各半田接合パッド3には均一な量の半田ペースト6Pが塗布される。
次に、図12(a)、(b)に示すように、半田接合パッド3上にバンプ形成用の半田ペースト6Pおよび凹部B上にダミーの半田ペースト7Pが印刷塗布された絶縁基板1をピーク温度が200〜260℃のリフロー炉に通し、バンプ形成用の半田ペースト6Pおよびダミーの半田ペースト7P中の半田を加熱溶融させて半田接合パッド3に溶着された半田バンプ6を形成するとともに凹部B上に載座された半田ボール7Bを形成する。このとき、前述したように各半田接合パッド3に塗布されたバンプ形成用の半田ペースト6Pはその塗布量が均一であることから、各半田接合パッド3に半田量の均一な半田バンプ6を形成することができる。また、ダミーの半田ペースト7P中の半田が溶融して形成される半田ボール7Bは凹部B上で溶融するので凹部B上に載座されて製造工程中に受ける振動や衝撃、風圧程度では動かず、その結果、隣接する半田バンプ6と接触融合することはない。したがって、本実施形態の半田バンプ付き配線基板の製造方法によれば、半田バンプ6の大きさは均一であり、半導体素子の電極と半田接合パッド3とを均一な大きさの半田バンプ6を介して正常かつ強固に接続することが可能な半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
最後に、図12(c)に示すように、凹部B上から半田ボール7Bを除去すれば、本実施形態による半田バンプ付き配線基板が完成する。この場合、絶縁基板1上に余分な半田ボール7Bが存在しないことから、半田ボール7Bが半導体素子の実装の邪魔になるようなことはない。このように凹部B上から半田ボール7Bを除去するには、半田バンプ6および半田ボール7Bが形成された絶縁基板1をアルカリ性の界面活性剤水溶液等を用いて浸漬洗浄あるいはスプレー洗浄し、その洗浄と同時に半田ボール7Bを洗い落として除去する方法が採用され得る。
なお、上述の他の実施形態例では、半田ボール7Bが載座される凹部Bを、ソルダーレジスト層5に開口部5bを設けることにより形成したが、凹部Bは、ソルダーレジスト層5にプレス加工を施すことにより形成されてもよい。また、絶縁基板1の凹部Bおよび印刷マスク20のダミーの開口部20bは、絶縁基板1上面の搭載部Aの角部に対応する領域のみに半田接合パッド3と同じ配列間隔で設けてもよい。
1:絶縁基板
3:半田接合パッド
4:ダミーのパッド
6:半田バンプ
6P:バンプ形成用の半田ペースト
7A:ダミーの半田
7B:半田ボール
7P:ダミーの半田ペースト
20:印刷マスク
20a:バンプ形成用開口部
20b:ダミー開口部
B:凹部
3:半田接合パッド
4:ダミーのパッド
6:半田バンプ
6P:バンプ形成用の半田ペースト
7A:ダミーの半田
7B:半田ボール
7P:ダミーの半田ペースト
20:印刷マスク
20a:バンプ形成用開口部
20b:ダミー開口部
B:凹部
Claims (13)
- 上面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板の前記搭載部に前記半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成されているとともに該半田接合パッドの各々に前記半導体素子の電極と接続するための半田バンプが溶着されて成る半田バンプ付き配線基板であって、前記絶縁基板上面の前記搭載部周辺にダミーのパッドが設けられており、かつ該ダミーのパッドにダミーの半田が溶着されていることを特徴とする半田バンプ付き配線基板。
- 前記ダミーのパッドが前記半田接合パッドの並びの外側に前記半田接合パッドと同じ形状および同じ配列間隔で設けられていることを特徴とする請求項1記載の半田バンプ付き配線基板。
- 前記ダミーのパッドが前記半田接合パッドより大きな面積を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半田バンプ付き配線基板。
- 前記ダミーのパッドが前記半田接合パッドの複数の並びに対応する長さの帯状パターンにより形成されていることを特徴とする請求項1記載の半田バンプ付き配線基板。
- 前記ダミーのパッドが前記絶縁基板上面の前記搭載部の角部に対応する領域のみに形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半田バンプ付き配線基板。
- 前記ダミーの半田の高さが前記半田バンプの高さよりも低いことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半田バンプ付き配線基板。
- 上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成された搭載部を有するとともに前記上面の前記搭載部周辺にダミーのパッドが形成された絶縁基板と、前記各半田接合パッドに対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部および該バンプ形成用開口部の並びの外側に該バンプ形成用開口部と同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミーの開口部を有する印刷マスクとを準備する工程と、該印刷マスクを用いて印刷することにより前記各半田接合パッド上にバンプ形成用の半田ペーストおよび前記ダミーのパッド上にダミーの半田ペーストを印刷塗布する工程と、前記バンプ形成用の半田ペーストおよびダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させて、前記半田接合パッドに溶着された半田バンプを形成するとともに前記ダミーのパッド上に溶着されたダミーの半田を形成する工程とを順次行なうことを特徴とする半田バンプ付き配線基板の製造方法。
- 前記ダミーのパッドが前記半田接合パッドの並びの外側に前記半田接合パッドと同じ形状および同じ配列間隔で設けられていることを特徴とする請求項7記載の半田バンプ付き配線基板の製造方法。
- 前記ダミーのパッドが前記半田接合パッドより大きな面積を有することを特徴とする請求項7または8に記載の半田バンプ付き配線基板の製造方法。
- 前記ダミーのパッドが前記半田接合パッドの複数の並びに対応する長さの帯状パターンにより形成されていることを特徴とする請求項7記載の半田バンプ付き配線基板の製造方法。
- 前記ダミーのパッドが前記絶縁基板上面の前記搭載部の角部に対応する領域のみに形成されていることを特徴とする請求項7乃至10のいずれかに記載の半田バンプ付き配線基板の製造方法。
- 前記ダミーの半田の高さが前記半田バンプの高さよりも低いことを特徴とする請求項7乃至11のいずれかに記載の半田バンプ付き配線基板の製造方法。
- 上面に半導体素子の電極が電気的に接続される多数の半田接合パッドが格子状の並びに配列形成された搭載部を有する絶縁基板と、前記各半田接合パッドに対応する位置に格子状の並びに配列形成されたバンプ形成用開口部および該バンプ形成用開口部の並びの外側に該バンプ形成用開口部と同じ形状および同じ配列間隔で形成されたダミーの開口部を有する印刷マスクとを準備する工程と、該印刷マスクを用いて印刷することにより前記各半田接合パッド上にバンプ形成用の半田ペーストおよび前記搭載部周辺の前記絶縁基板上にダミーの半田ペーストを印刷塗布する工程と、前記バンプ形成用の半田ペーストおよびダミーの半田ペースト中の半田を加熱溶融させて、前記半田接合パッドに溶着された半田バンプを形成するとともに前記搭載部周辺の前記絶縁基板上に半田ボールを形成する工程と、前記半田ボールを除去する工程とを順次行なう半田バンプ付き配線基板の製造方法において、前記絶縁基板は、前記半田ボールが形成される位置に該半田ボールが載座される凹部を有することを特徴とする半田バンプ付き配線基板の製造方法。
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JP2020519028A (ja) * | 2017-05-03 | 2020-06-25 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | Pcb、パッケージ構造、端末及びpcb加工方法 |
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-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007282572A patent/JP2009111196A/ja active Pending
Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
KR101198540B1 (ko) | 2011-05-13 | 2012-11-09 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
JP2020519028A (ja) * | 2017-05-03 | 2020-06-25 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | Pcb、パッケージ構造、端末及びpcb加工方法 |
JP6999696B2 (ja) | 2017-05-03 | 2022-01-19 | 華為技術有限公司 | Pcb、パッケージ構造、端末及びpcb加工方法 |
US11855028B2 (en) | 2021-01-21 | 2023-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing | Hybrid micro-bump integration with redistribution layer |
DE102021113437B4 (de) | 2021-01-21 | 2024-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Hybride Mikrohöcker-Integration mit Umverteilungsschicht |
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