JP2009100440A - 高周波部品及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導体パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号を処理する高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、前記高周波信号の入力端子、出力端子および前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の表面に形成されており、一端がそれぞれ前記電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、前記複数の電源ラインのうち少なくとも二つの電源ラインは、それぞれ、隣接する二以上の誘電体層にわたって積層方向から見て重なるように形成されたビア電極列を有し、前記少なくとも二つの電源ラインのビア電極列は、前記隣接する誘電体層間において、他の導体パターンを介さずに近接している。
【選択図】図1
Description
G:グランド端子
GND1:第1のグランド電極
GND2:第2のグランド電極
GND3:第3のグランド電極
GND:グランド電極
Vab、Vgb、Vcc:電源端子
Vtx1、Vlna、Vant1、Vant2:電源端子
Vswtx、Vlna2、Vlna5:電源端子
lvab、lvgb、lvcc、lvtx1、lvlna1:電源ライン
lvant1、lvant2:電源ライン
Ant1、Ant2、Ant:アンテナ端子
Tx1、Tx2、Tx3、Tx4:入力端子
Rx1、Rx2、Rx3、Rx4:出力端子
DET1、DET2:検波回路
Dip1、Dip2、Dip3:分波回路
BPF1〜8:バンドパスフィルタ回路
LPF1、LPF2:ローパスフィルタ回路
PA1〜4:高周波増幅器回路
LNA、LNA1、LNA2:低雑音増幅器回路
SPDT1、SPDT2、SP3T:スイッチ回路
1:誘電体層 2:ビア電極列 3:ビア電極群
4、11、12、13:グランド電極 5:導体パターン(シールド電極)
6、10、14:導体パターン 7:電極パッド 8:ICチップ 9:ビア電極列
15:電源端子
Claims (19)
- 導体パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号を処理する高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、
前記高周波信号の入力端子、出力端子および前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の表面に形成されており、
一端がそれぞれ前記電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、
前記複数の電源ラインのうち少なくとも二つの電源ラインは、それぞれ、隣接する二以上の誘電体層にわたって積層方向から見て重なるように形成されたビア電極列を有し、
前記少なくとも二つの電源ラインのビア電極列は、前記隣接する誘電体層間において、他の導体パターンを介さずに近接していることを特徴とする高周波部品。 - 導体パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号を処理する高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、
前記高周波信号の入力端子、出力端子および前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の表面に形成されており、
一端がそれぞれ前記電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、
前記複数の電源ラインのビア電極は、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも一つの誘電体層において、他の導体パターンを介さずに近接し、
前記複数の電源ラインのビア電極が近接した誘電体層において、前記複数の電源ラインのビア電極が、グランドに接続されたビア電極群によって囲まれていることを特徴とする高周波部品。 - 前記ビア電極群のビア電極は、前記ビア電極群が形成された誘電体層表面において互いに帯状の導体パターンで接続されていることを特徴とする請求項2に記載の高周波部品。
- 導体パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号を処理する高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、
前記高周波信号の入力端子、出力端子および前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の表面に形成されており、
一端がそれぞれ前記電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路が有する複数の半導体素子に接続され、
前記複数の電源ラインのうち異なる半導体素子に接続される少なくとも二つの電源ラインのビア電極は、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも一つの誘電体層において、他の導体パターンを介さずに近接していることを特徴とする高周波部品。 - 前記高周波信号処理回路は、スイッチ回路および低雑音増幅器回路を有し、前記複数の電源ラインのうち少なくとも一つは、前記スイッチ回路の半導体素子の制御電源ラインと前記低雑音増幅器回路の半導体素子の電源ラインを兼ねた共通ライン部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高周波部品。
- 前記高周波信号処理回路は、SPnT型またはDPnT型(nは3以上の自然数)のスイッチ回路と、前記スイッチ回路の少なくとも二つの切り換え端子にそれぞれ接続された低雑音増幅器回路とを有し、
前記各低雑音増幅器回路の電源と、該低雑音増幅器回路が接続された前記切り換え端子への切り換えのための制御電源とが共用され、
前記複数の電源ラインのうち少なくとも一つは、前記各低雑音増幅器回路の半導体素子の電源ラインと、該低雑音増幅器回路が接続された前記切り換え端子への切り換えのための制御電源ラインとを兼ねた共通ライン部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高周波部品。 - 前記高周波信号処理回路は、複数のスイッチ回路、複数の高周波増幅器回路、複数の低雑音増幅器回路のうち少なくとも一種を有し、前記複数の電源ラインのうち少なくとも一つは、前記複数のスイッチ回路の半導体素子同士、前記複数の高周波増幅器回路の半導体素子同士または前記複数の低雑音増幅器回路の半導体素子同士の電源ラインを兼ねた共通ライン部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高周波部品。
- 前記高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が前記積層基板の一方の主面に形成されており、
前記電源端子に一端が接続された前記複数の電源ラインは一の誘電体層に形成されて第1の電源ライン層をなし、前記第1の電源ライン層を挟んで積層方向前記主面側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第1のグランド電極が配置され、積層方向前記主面とは反対側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第2のグランド電極が配置され、前記高周波信号処理回路は前記第2のグランド電極を挟んで前記第1の電源ライン層とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の高周波部品。 - 前記積層基板の他方の主面には前記半導体素子が搭載され、前記積層基板内の前記他方の主面側には第3のグランド電極が配置され、
前記共通ライン部の一端は前記複数の電源端子のいずれかに接続されるとともに、
前記共通ライン部の他端は、前記半導体素子と前記第3のグランド電極との間に形成された第2の電源ライン層で各半導体素子へ接続されるラインに分岐することを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載の高周波部品。 - 前記共通ライン部には一端が接地されたキャパシタが接続され、前記キャパシタを構成する電極は前記第1のグランド電極と前記第2のグランド電極に挟まれた前記第1の電源ライン層に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の高周波部品。
- 前記高周波信号処理回路として、アンテナに接続されるアンテナ端子と前記高周波信号の入力端子または出力端子との接続を切り換えるスイッチ回路と、前記高周波信号の入力端子に入力された送信信号を増幅する高周波増幅器回路と、前記アンテナ端子から入力された受信信号を増幅して出力端子に出力する低雑音増幅器回路とを有することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の高周波部品。
- 前記電源端子に一端が接続された前記複数の電源ラインは一の誘電体層に形成されて第1の電源ライン層をなし、前記第1の電源ライン層を挟んで積層方向前記主面側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第1のグランド電極が配置され、積層方向前記主面とは反対側には平面視前記複数の電源ラインの少なくとも一部と重なる第2のグランド電極が配置され、前記高周波信号処理回路は前記第2のグランド電極を挟んで前記第1の電源ライン層とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高周波部品。
- 前記端子群は前記一方の主面上、該主面の外縁に沿って配列されて形成されており、前記第1のグランド電極は、前記一方の主面上、前記端子群の内側に形成されていることを特徴とする請求項12に記載の高周波部品。
- 前記電源端子の少なくとも一部は、前記第2のグランド電極と平面視で重なっていることを特徴とする請求項12または13に記載の高周波部品。
- 前記複数の電源ラインの少なくとも一部の他端は、前記第1のグランド電極に平面視で重なる領域に形成されたビア電極を介して前記高周波信号処理回路へ接続されていることを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の高周波部品。
- 前記高周波信号の入力端子および出力端子のうち少なくとも一つに接続された信号ラインが前記第1の電源ライン層に形成されており、前記信号ラインは平面視、前記第1のグランド電極とは重ならない領域に形成されていることを特徴とする請求項15に記載の高周波部品。
- 前記高周波信号処理回路は、スイッチ回路、高周波増幅器回路、低雑音増幅器回路のうち少なくとも1種であることを特徴とする請求項12〜16のいずれかに記載の高周波部品。
- 前記高周波信号処理回路として、アンテナに接続されるアンテナ端子と前記高周波信号の入力端子または出力端子との接続を切り換えるスイッチ回路と、前記高周波信号の入力端子に入力された送信信号を増幅する高周波増幅器回路と、前記アンテナ端子から入力された受信信号を増幅して出力端子に出力する低雑音増幅器回路とを有することを特徴とする請求項12〜16のいずれかに記載の高周波部品。
- 請求項1〜18のいずれかに記載の高周波部品を用いたことを特徴とする通信装置。
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