WO2022024560A1

WO2022024560A1 - 回路基板及び電子機器

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Publication number: WO2022024560A1
Application number: PCT/JP2021/022052
Authority: WO
Inventors: 孝介小野; 恒亮西尾
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-07-29
Filing date: 2021-06-10
Publication date: 2022-02-03
Also published as: CN219393669U; JP7414147B2; JPWO2022024560A1; US20230156910A1

Abstract

回路基板は、基板本体と、信号導体と、電源導体と、第１基準導体と、を備えている。信号導体は、基板本体に設けられ、かつ、高周波信号が伝送される。電源導体は、基板本体に設けられ、かつ、電源電位に接続される電源導体であって、信号導体の少なくとも一部の区間に沿っている。第１基準導体は、基板本体に設けられ、かつ、信号導体及び電源導体と絶縁されている。

Description

回路基板及び電子機器

　本発明は、信号導体及び電源導体を備える回路基板及び電子機器に関する。

　従来の回路基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の電力伝送線路が知られている。この電力伝送線路は、特許文献１の図１３に記載されているように、信号導体パターン、電力伝送導体パターン、第１基準導体及び第２基準導体を備えている。第１基準導体は、信号導体パターンの上に配置されている。第２基準導体は、信号導体パターンの下に配置されている。これにより、信号導体パターン、第１基準導体及び第２基準導体は、ストリップライン構造を有している。電力伝送導体パターンは、信号導体パターンより右に配置されている。電力伝送導体パターンは、第１基準導体と接続されている。これにより、第１基準導体は、電源ラインとして機能している。その結果、特許文献１に記載の電力伝送線路において、電源ラインの挿入損失の低減が図られる。

国際公開第２０１６／１６３４３６号

　ところで、特許文献１に記載の電力伝送線路では、第１基準導体に電源電位が接続される。そのため、第１基準導体にノイズが混入する場合がある。この場合、信号導体パターンを伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶ場合がある。

　そこで、本発明の目的は、信号導体に伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶことを抑制できる回路基板及び電子機器を提供することである。

　本発明の一形態に係る回路基板は、
　基板本体と、
　前記基板本体に設けられ、かつ、高周波信号が伝送される信号導体と、
　前記基板本体に設けられ、かつ、電源電位に接続される電源導体であって、前記信号導体の少なくとも一部の区間に沿っている電源導体と、
　前記基板本体に設けられ、かつ、前記信号導体及び前記電源導体と絶縁されている第１基準導体と、
　を備えている。

　以下に、本明細書における用語の定義について説明する。以下では、第１部材ないし第３部材とは、信号伝送線路が備える部材等を意味する。本明細書において、特に断りのない場合には、第１部材の各部について以下のように定義する。第１部材の前部とは、第１部材の前半分を意味する。第１部材の後部とは、第１部材の後半分を意味する。第１部材の左部とは、第１部材の左半分を意味する。第１部材の右部とは、第１部材の右半分を意味する。第１部材の上部とは、第１部材の上半分を意味する。第１部材の下部とは、第１部材の下半分を意味する。第１部材の前端とは、第１部材の前方向の端を意味する。第１部材の後端とは、第１部材の後方向の端を意味する。第１部材の左端とは、第１部材の左方向の端を意味する。第１部材の右端とは、第１部材の右方向の端を意味する。第１部材の上端とは、第１部材の上方向の端を意味する。第１部材の下端とは、第１部材の下方向の端を意味する。第１部材の前端部とは、第１部材の前端及びその近傍を意味する。第１部材の後端部とは、第１部材の後端及びその近傍を意味する。第１部材の左端部とは、第１部材の左端及びその近傍を意味する。第１部材の右端部とは、第１部材の右端及びその近傍を意味する。第１部材の上端部とは、第１部材の上端及びその近傍を意味する。第１部材の下端部とは、第１部材の下端及びその近傍を意味する。

　本発明に係る回路基板によれば、信号導体に伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶことを抑制できる。

図１は、回路基板１０の外観斜視図である。図２は、回路基板１０の分解斜視図である。図３は、回路基板１０の等価回路図である。図４は、回路基板１０ａの等価回路図である。図５は、回路基板１０ｂの等価回路図である。図６は、回路基板１０ｃの断面図である。図７は、回路基板１０ｄの分解斜視図である。図８は、電子機器１を示した図である。

（実施形態）
［回路基板の構造］
　以下に、本発明の実施形態に係る回路基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、回路基板１０の外観斜視図である。図２は、回路基板１０の分解斜視図である。図３は、回路基板１０の等価回路図である。

　ここで、本明細書において、方向を以下のように定義する。回路基板１０の基板本体１２の積層方向を回路基板上下方向と定義する。回路基板１０の長手方向を回路基板左右方向と定義する。回路基板１０の短手方向を回路基板前後方向と定義する。回路基板上下方向、回路基板前後方向及び回路基板左右方向は、互いに直交している。回路基板上下方向、回路基板前後方向及び回路基板左右方向は、回路基板１０の実使用時の上下方向、左右方向及び前後方向と一致していなくてもよい。

　回路基板１０は、携帯電話等の電子機器において、２つの回路を接続するために用いられる。回路基板１０は、図１及び図２に示すように、基板本体１２、信号導体１８、第１電源導体２０ａ、第２電源導体２０ｂ、第３電源導体２０ｃ、第１基準導体２２ａ、第２基準導体２２ｂ、第１信号電極２４ａ、第２信号電極２４ｂ、第１基準電極２６ａ（図１参照）、第２基準電極２６ｂ（図１参照）、第１電源電極２８ａ（図１参照）、第２電源電極２８ｂ（図１参照）、第１チップコンデンサ３０ａ、第２チップコンデンサ３０ｂ、基準電極２２２ａ，２２２ｂ、電源電極２２４ａ，２２４ｂ、第１層間接続導体ｖ１、第２層間接続導体ｖ２、複数の第３層間接続導体ｖ３及び複数の第４層間接続導体ｖ４を備えている。なお、図２では、複数の第３層間接続導体ｖ３及び複数の第４層間接続導体ｖ４の内の代表的な層間接続導体に参照符号を付した。

　基板本体１２は、図１及び図２に示すように、板形状を有している。基板本体１２は、図１及び図２に示すように、回路基板上下方向に見て、回路基板前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。基板本体１２は、可撓性を有する。従って、基板本体１２は、電子機器において折り曲げられた状態で用いられることができる。

　基板本体１２は、図２に示すように、レジスト層１７ａ及び絶縁樹脂層１６ａ～１６ｃ（複数の絶縁体層）が回路基板上下方向に積層された構造を有している。レジスト層１７ａ及び絶縁樹脂層１６ａ～１６ｃは、回路基板上下方向における上から下へとこの順に並ぶように積層されている。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｃは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｃの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｃは、回路基板上下方向に見て、基板本体１２と同じ長方形状を有している。レジスト層１７ａについては後述する。

　信号導体１８は、図２に示すように、基板本体１２に設けられている。より詳細には、信号導体１８は、絶縁樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。これにより、信号導体１８は、基板本体１２内に設けられている。信号導体１８は、回路基板左右方向に延びる線形状を有する導体層である。信号導体１８は、絶縁樹脂層１６ｂの上主面の回路基板前後方向の中央に配置されている。信号導体１８の左端は、絶縁樹脂層１６ｂの左端部に位置している。信号導体１８の右端は、絶縁樹脂層１６ｃの右端部に位置している。信号導体１８には、高周波信号が伝送される。

　第１電源導体２０ａは、基板本体１２に設けられている。第１電源導体２０ａは、回路基板上下方向に見て信号導体１８と重なるように、信号導体１８の回路基板上下方向における上に配置されている。本明細書において、「第１電源導体２０ａが信号導体１８の回路基板上下方向における上に配置される。」とは、以下の状態を指す。第１電源導体２０ａの少なくとも一部分は、信号導体１８が回路基板上方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、第１電源導体２０ａは、信号導体１８が回路基板上方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、信号導体１８が回路基板上方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。本実施形態では、第１電源導体２０ａは、信号導体１８が回路基板上方向に平行移動するときに通過する領域から突出している。

　第１電源導体２０ａは、絶縁樹脂層１６ａの上主面に設けられている。第１電源導体２０ａは、図３に示すように、回路基板上下方向に見て、回路基板左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有する導体層である。第１電源導体２０ａは、回路基板上下方向に見て、基板本体１２と略一致する形状を有している。ただし、第１電源導体２０ａは、回路基板上下方向に見て、基板本体１２より僅かに小さい。

　第１電源導体２０ａは、前記のように、回路基板上下方向に見て、信号導体１８と重なっている。これにより、第１電源導体２０ａは、信号導体１８の少なくとも一部の区間に沿っている。より詳細には、第１電源導体２０ａは、回路基板上下方向（基板本体の積層方向）に見て、信号導体１８の少なくとも一部と重なっている。本実施形態では、第１電源導体２０ａは、回路基板上下方向に見て、信号導体１８の左端部及び右端部を除く区間と重なっている。従って、第１電源導体２０ａは、信号導体１８の左端部及び右端部を除く区間において信号導体１８に沿って回路基板左右方向に延びている。これにより、第１電源導体２０ａは、信号導体１８の左端部及び右端部を除く区間と近接している。

　第３電源導体２０ｃは、基板本体１２に設けられている。第３電源導体２０ｃは、回路基板上下方向に見て信号導体１８と重なるように、信号導体１８の回路基板上下方向における下に配置されている。第３電源導体２０ｃは、絶縁樹脂層１６ｃの上主面に設けられている。第３電源導体２０ｃは、図２に示すように、回路基板上下方向に見て、回路基板左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有する導体層である。第３電源導体２０ｃは、回路基板上下方向に見て、基板本体１２と略一致する形状を有している。ただし、第３電源導体２０ｃは、回路基板上下方向に見て、基板本体１２より僅かに小さい。

　第３電源導体２０ｃは、前記のように、回路基板上下方向に見て、信号導体１８と重なっている。これにより、第３電源導体２０ｃは、信号導体１８の少なくとも一部の区間に沿っている。より詳細には、第３電源導体２０ｃは、回路基板上下方向（基板本体の積層方向）に見て、信号導体１８の少なくとも一部と重なっている。本実施形態では、第３電源導体２０ｃは、回路基板上下方向に見て、信号導体１８の左端部及び右端部を除く区間と重なっている。従って、第３電源導体２０ｃは、信号導体１８の左端部及び右端部を除く区間において信号導体１８に沿って回路基板左右方向に延びている。これにより、第３電源導体２０ｃは、信号導体１８の左端部及び右端部を除く区間と近接している。

　第２電源導体２０ｂは、基板本体１２に設けられている。第２電源導体２０ｂは、回路基板上下方向において信号導体１８と同じ位置に配置されている。第２電源導体２０ｂは、絶縁樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。第２電源導体２０ｂは、図２に示すように、回路基板上下方向に見て、回路基板前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有する導体層である。第２電源導体２０ｂは、回路基板上下方向に見て、基板本体１２と略一致する形状を有している。ただし、第２電源導体２０ｂは、回路基板上下方向に見て、基板本体１２より僅かに小さい。

　また、第２電源導体２０ｂは、信号導体１８の少なくとも一部の区間に沿っている。本実施形態では、第２電源導体２０ｂは、信号導体１８の全体に沿っている。より詳細には、第２電源導体２０ｂが信号導体１８と絶縁されるように、信号導体１８の周囲には第２電源導体２０ｂが設けられていない。これにより、信号導体１８は、回路基板上下方向に見て、第２電源導体２０ｂにより囲まれている。従って、第２電源導体２０ｂは、信号導体１８の全体に沿っている。その結果、第２電源導体２０ｂは、信号導体１８の全体と近接している。

　以上のような第１電源導体２０ａ、第２電源導体２０ｂ及び第３電源導体２０ｃは、電源電位に接続される。電源電位は、例えば、１．８Ｖや３Ｖ等である。

　第１基準導体２２ａは、基板本体１２に設けられている。第１基準導体２２ａは、絶縁樹脂層１６ａの上主面の左端部に設けられている。一方、信号導体１８は、絶縁樹脂層１６ｂの上主面に設けられている。そのため、第１基準導体２２ａは、信号導体１８と絶縁されている。第１基準導体２２ａは、回路基板上下方向に見て、長方形状を有する導体層である。ただし、第１基準導体２２ａは、回路基板上下方向に見て、長方形の右辺から回路基板右方向に突出する突出部１２２ａを有している。

　また、第１基準導体２２ａは、第１電源導体２０ａと絶縁されている。そのため、第１基準導体２２ａの周囲には第１電源導体２０ａが設けられていない。これにより、第１基準導体２２ａは、回路基板上下方向に見て、第１電源導体２０ａにより囲まれている。ただし、第１基準導体２２ａは、第１電源導体２０ａに接していない。なお、第２基準導体２２ｂは、第１基準導体２２ａと左右対称な構造を有する。そのため、第２基準導体２２ｂの説明を省略する。

　以上のような第１基準導体２２ａ及び第２基準導体２２ｂは、基準電位に接続される。基準電位は、例えば、グランド電位（すなわち、０Ｖ）である。この場合、第１基準導体２２ａ及び第２基準導体２２ｂは、グランド導体である。

　第１信号電極２４ａは、外部回路との接続に用いられる。第１信号電極２４ａは、絶縁樹脂層１６ａの上主面の左端部に設けられている。第１信号電極２４ａは、回路基板上下方向に見て、信号導体１８の左端部と重なっている。第１信号電極２４ａは、回路基板上下方向に見て、長方形状を有している。第１信号電極２４ａが第１基準導体２２ａと絶縁されるように、第１信号電極２４ａの周囲には第１基準導体２２ａが設けられていない。

　第１層間接続導体ｖ１は、絶縁樹脂層１６ａの左端部に設けられている。第１層間接続導体ｖ１は、絶縁樹脂層１６ａを上下方向に貫通している。第１層間接続導体ｖ１の上端は、第１信号電極２４ａに接続されている。第１層間接続導体ｖ１の下端は、信号導体１８の左端部に接続されている。これにより、第１層間接続導体ｖ１は、信号導体１８と第１信号電極２４ａとを接続している。すなわち、第１信号電極２４ａは、信号導体１８の左端部（第１端部）と接続されている。第１層間接続導体ｖ１は、例えば、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁樹脂層１６ａを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼結されることにより形成される。高周波信号は、第１信号電極２４ａを介して、信号導体１８に入出力する。

　なお、第２信号電極２４ｂ及び第２層間接続導体ｖ２は、第１信号電極２４ａ及び第１層間接続導体ｖ１と左右対称な構造を有する。従って、第２信号電極２４ｂ及び第２層間接続導体ｖ２の説明を省略する。

　レジスト層１７ａは、可撓性を有する絶縁性の保護層である。レジスト層１７ａは、絶縁樹脂層１６ａの上主面の全面を覆っている。これにより、レジスト層１７ａは、第１電源導体２０ａ、第１基準導体２２ａ及び第２基準導体２２ｂを保護している。

　ただし、レジスト層１７ａには、開口ｈ１～ｈ１０が設けられている。開口ｈ１は、回路基板上下方向に見て、第１信号電極２４ａと重なっている。これにより、第１信号電極２４ａは、開口ｈ１を介して回路基板１０から外部に露出している。

　開口ｈ２は、開口ｈ１の回路基板前後方向における前に設けられている。開口ｈ３は、開口ｈ１の回路基板左右方向における右に設けられている。開口ｈ４は、開口ｈ１の回路基板前後方向における後に設けられている。開口ｈ５は、開口ｈ１の回路基板左右方向における左に設けられている。これにより、第１基準導体２２ａは、開口ｈ２～ｈ５を介して回路基板１０から外部に露出している。第１基準導体２２ａにおいて開口ｈ２～ｈ５から露出している部分は、図１に示すように、第１基準電極２６ａである。第１基準電極２６ａは、外部回路との接続に用いられ、かつ、第１基準導体２２ａと接続されている。

　開口ｈ６は、開口ｈ２の回路基板前後方向における前に設けられている。開口ｈ７は、開口ｈ４の回路基板前後方向における後に設けられている。開口ｈ８は、開口ｈ５の回路基板左右方向における左に設けられている。これにより、第１電源導体２０ａは、開口ｈ６～ｈ８を介して回路基板１０から外部に露出している。第１電源導体２０ａにおいて開口ｈ６～ｈ８から露出している部分は、図１に示すように、第１電源電極２８ａである。第１電源電極２８ａは、外部回路との接続に用いられ、かつ、第１電源導体２０ａと接続されている。

　開口ｈ９は、開口ｈ３の回路基板左右方向における右に設けられている。これにより、第１基準導体２２ａの突出部１２２ａは、開口ｈ９を介して外部に露出している。第１基準導体２２ａの突出部１２２ａにおいて開口ｈ９から露出している部分は、基準電極２２２ａである。基準電極２２２ａは、第１基準導体２２ａと接続されている。

　開口ｈ１０は、開口ｈ３の回路基板左右方向における右に設けられている。開口ｈ１０は、開口ｈ９の回路基板前後方向における前に設けられている。これにより、第１電源導体２０ａは、開口ｈ１０を介して外部に露出している。第１電源導体２０ａにおいて開口ｈ９から露出している部分は、電源電極２２４ａである。電源電極２２４ａは、第１電源導体２０ａと接続されている。

　なお、開口ｈ１１～ｈ２０、第２基準電極２６ｂ、第２電源電極２８ｂ、基準電極２２２ｂ及び電源電極２２４ｂは、開口ｈ１～ｈ１０、第１基準電極２６ａ、第１電源電極２８ａ、基準電極２２２ａ及び電源電極２２４ａと左右対称な構造を有する。従って、開口ｈ１１～ｈ２０、第２基準電極２６ｂ、第２電源電極２８ｂ、基準電極２２２ｂ及び電源電極２２４ｂの説明を省略する。

　以上のような信号導体１８、第１電源導体２０ａ、第２電源導体２０ｂ、第３電源導体２０ｃ、第１基準導体２２ａ、第２基準導体２２ｂ、第１信号電極２４ａ及び第２信号電極２４ｂは、例えば、絶縁樹脂層１６ａ～１６ｃの上主面又は下主面に設けられた銅箔にエッチングが施されることにより形成されている。

　複数の第３層間接続導体ｖ３は、信号導体１８の回路基板前後方向における前に位置するように、基板本体１２に設けられている。複数の第３層間接続導体ｖ３は、回路基板左右方向に等間隔に一列に並ぶように配置されている。複数の第３層間接続導体ｖ３は、絶縁樹脂層１６ａ，１６ｂを回路基板上下方向に貫通している。複数の第３層間接続導体ｖ３の上端は、第１電源導体２０ａに接続されている。複数の第３層間接続導体ｖ３の中間部は、第２電源導体２０ｂに接続されている。複数の第３層間接続導体ｖ３の下端は、第３電源導体２０ｃに接続されている。これにより、複数の第３層間接続導体ｖ３は、第１電源導体２０ａと第２電源導体２０ｂと第３電源導体２０ｃとを接続している。

　複数の第４層間接続導体ｖ４は、信号導体１８の回路基板前後方向における後に位置するように、基板本体１２に設けられている。複数の第４層間接続導体ｖ４は、回路基板左右方向に等間隔に一列に並ぶように配置されている。複数の第４層間接続導体ｖ４は、絶縁樹脂層１６ａ，１６ｂを回路基板上下方向に貫通している。複数の第４層間接続導体ｖ４の上端は、第１電源導体２０ａに接続されている。複数の第４層間接続導体ｖ４の中間部は、第２電源導体２０ｂに接続されている。複数の第４層間接続導体ｖ４の下端は、第３電源導体２０ｃに接続されている。これにより、複数の第４層間接続導体ｖ４は、第１電源導体２０ａと第２電源導体２０ｂと第３電源導体２０ｃとを接続している。複数の第３層間接続導体ｖ３及び複数の第４層間接続導体ｖ４は、例えば、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁樹脂層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼結されることにより形成される。

　ところで、図３に示すように、第１基準導体２２ａは、第１電源導体２０ａと第１容量Ｃ１を介して接続されている。図１及び図２の第１チップコンデンサ３０ａは、第１容量Ｃ１である。より詳細には、第１チップコンデンサ３０ａは、図２に示すように、基準電極２２２ａ及び電源電極２２４ａに半田により実装されている。従って、第１チップコンデンサ３０ａの第１コンデンサ電極は、第１基準導体２２ａに接続されている。第１チップコンデンサ３０ａの第２コンデンサ電極は、第１電源導体２０ａに接続されている。

　ここで、信号導体１８は、図２に示すように、左端部（第１端部）、右端部（第２端部）及び中央点Ｃを有している。中央点Ｃは、信号導体１８により形成される経路における左端部（第１端部）と右端部（第２端部）との中央に位置する。図1及び図２に示すように、基準電極２２２ａ及び電源電極２２４ａは、信号導体１８の中央点Ｃより信号導体１８の左端部（第１端部）の近くに配置されている。本実施形態では、基準電極２２２ａ及び電源電極２２４ａは、信号導体１８の左端部近傍に配置されている。第１チップコンデンサ３０ａは、基準電極２２２ａ及び電源電極２２４ａに実装されている。そのため、第１基準導体２２ａは、信号導体１８の中央点Ｃより信号導体１８の左端部（第１端部）の近くにおいて、第１電源導体２０ａと第１容量Ｃ１を介して接続されている。本実施形態では、第１基準導体２２ａは、信号導体１８の左端部（第１端部）近傍において、第１電源導体２０ａと第１容量Ｃ１を介して接続されている。

　また、図３に示すように、第２基準導体２２ｂは、第１電源導体２０ａと第２容量Ｃ２を介して接続されている。図１及び図２の第２チップコンデンサ３０ｂは、第２容量Ｃ２である。より詳細には、第２チップコンデンサ３０ｂは、図２に示すように、基準電極２２２ｂ及び電源電極２２４ｂに半田により実装されている。従って、第２チップコンデンサ３０ｂの第１コンデンサ電極は、第２基準導体２２ｂに接続されている。第２チップコンデンサ３０ｂの第２コンデンサ電極は、第１電源導体２０ａに接続されている。

　図２に示すように、基準電極２２２ｂ及び電源電極２２４ｂは、信号導体１８の中央点Ｃより信号導体１８の右端部（第２端部）の近くに配置されている。本実施形態では、基準電極２２２ｂ及び電源電極２２４ｂは、信号導体１８の右端部近傍に配置されている。第２チップコンデンサ３０ｂは、基準電極２２２ｂ及び電源電極２２４ｂに実装されている。そのため、第２基準導体２２ｂは、信号導体１８の中央点Ｃより信号導体１８の右端部（第１端部）の近くにおいて、第１電源導体２０ａと第２容量Ｃ２を介して接続されている。本実施形態では、第２基準導体２２ｂは、信号導体１８の右端部（第２端部）近傍において、第１電源導体２０ａと第２容量Ｃ２を介して接続されている。

［効果］
　回路基板１０によれば、回路基板１０が高周波信号伝送線路として機能できる。より詳細には、高周波信号が信号導体１８を伝送される際に、リターン電流が第１電源導体２０ａに流れる。このリターン電流は、基準電位に導かれることが好ましい。そこで、回路基板１０では、第１基準導体２２ａは、信号導体１８及び第１電源導体２０ａと絶縁されている。これにより、第１基準導体２２ａが第１容量Ｃ１を介して第１電源導体２０ａと接続されると、リターン電流は、第１電源導体２０ａから第１容量Ｃ１、第１基準導体２２ａ及び第１基準電極２６ａを介して接地電位へと流れる。これにより、回路基板１０が高周波信号伝送線路として機能できる。

　回路基板１０によれば、回路基板１０の大型化の抑制と回路基板１０の挿入損失の低減との両立が図られる。より詳細には、一般的な回路基板では、ストリップラインが信号導体と２つの基準導体により構成される。このような回路基板は、電源導体を更に備える場合がある。ただし、回路基板の大型化を抑制するためには、大きな面積を有する電源導体を設けるスペースの確保が難しい場合がある。その結果、電源導体の抵抗値が大きくなってしまう。

　そこで、回路基板１０では、第１電源導体２０ａは、信号導体１８の少なくとも一部の区間に沿っている。これにより、回路基板１０では、第１電源導体２０ａと信号導体１８との間に形成される容量が利用されて、高周波信号が伝送される高周波信号伝送線路が形成されている。そのため、回路基板１０では、第１基準導体２２ａ及び第２基準導体２２ｂの面積を小さくして、第１電源導体２０ａの面積を大きくすることができる。これにより、回路基板１０の大型化の抑制が図られている。更に、第１電源導体２０ａの面積が大きくなるので、第１電源導体２０ａの抵抗値が低くなる。従って、高周波信号が信号導体１８を伝送される際に、リターン電流が第１電源導体２０ａを流れ易くなる。その結果、回路基板１０の挿入損失の低減が図られる。

　また、回路基板１０によれば、信号導体１８に伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶことを抑制できる。より詳細には、回路基板１０では、第１電源導体２０ａと信号導体１８との間に形成される容量が利用されて、高周波信号が伝送される高周波信号伝送線路が形成されている。この場合、第１電源電極２８ａ及び第２電源電極２８ｂから回路基板１０に混入してきたノイズが、信号導体１８を伝送される高周波信号に影響を及ぼす場合がある。

　そこで、回路基板１０では、第１基準導体２２ａは、信号導体１８及び第１電源導体２０ａと絶縁されている。これにより、第１基準導体２２ａが第１容量Ｃ１を介して第１電源導体２０ａと接続されると、第１電源電極２８ａ及び第２電源電極２８ｂから回路基板１０に混入してきたノイズは、第１電源導体２０ａ、第１容量Ｃ１及び第１基準電極２６ａを介して基準電位へと流れる。その結果、信号導体１８を伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶことを抑制できる。

　回路基板１０によれば、回路基板１０の挿入損失の低減がより図られる。より詳細には、第１基準導体２２ａは、信号導体１８の中央点Ｃより信号導体１８の左端部（第１端部）の近くにおいて、第１電源導体２０ａと第１容量Ｃ１を介して接続されている。これにより、第１基準導体２２ａと第１電源導体２０ａとが第１容量Ｃ１を介して接続されている部分が、信号導体１８の中央点Ｃから離れるようになる。そのため、信号導体１８が第１電源導体２０ａに沿っている区間が長くなる。高周波信号伝送線路において、低い抵抗値を有する第１電源導体２０ａが利用された区間が長くなる。その結果、回路基板１０によれば、回路基板１０の挿入損失の低減がより図られる。

　回路基板１０によれば、回路基板１０の挿入損失の低減がより図られる。より詳細には、第２基準導体２２ｂは、信号導体１８の中央点Ｃより信号導体１８の右端部（第２端部）の近くにおいて、第１電源導体２０ａと第２容量Ｃ２を介して接続されている。これにより、第２基準導体２２ｂと第１電源導体２０ａとが第２容量Ｃ２を介して接続されている部分が、信号導体１８の中央点Ｃから離れるようになる。そのため、信号導体１８が第１電源導体２０ａと沿っている区間が長くなる。高周波信号伝送線路において、低い抵抗値を有する第１電源導体２０ａが利用された区間が長くなる。その結果、回路基板１０によれば、回路基板１０の挿入損失の低減がより図られる。

　回路基板１０によれば、回路基板１０の小型化が図られる。より詳細には、第１チップコンデンサ３０ａは、第１容量Ｃ１である。第１チップコンデンサ３０ａは、大きな容量値を得ることが容易である。従って、回路基板１０は、第１容量Ｃ１を得るためにチップコンデンサが用いられない回路基板に比べて、小型化が図られる。

（第１の変形例）
　以下に、第１の変形例に係る回路基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図４は、回路基板１０ａの等価回路図である。

　回路基板１０ａは、第１容量Ｃ１及び第２容量Ｃ２の代わりに第１ハイパスフィルタＨＰＦ１及び第２ハイパスフィルタＨＰＦ２を備えている点において、回路基板１０と相違する。以下に、この点について説明する。

　第１基準導体２２ａは、第１電源導体２０ａと第１ハイパスフィルタＨＰＦ１を介して接続されている。第１ハイパスフィルタＨＰＦ１は、第３容量Ｃ３及びインダクタＬ１を含んでいる。第３容量Ｃ３は、第１容量Ｃ１と同様に、第１電源導体２０ａと第１基準導体２２ａとに接続されている。インダクタＬ１は、第１電源導体２０ａと第１電源電極２８ａとに接続されている。また、第１ハイパスフィルタＨＰＦ１の通過帯域は、信号導体１８を伝送される高周波信号の周波数を含んでいる。リターン電流は、信号導体１８を伝送される高周波信号と同じ周波数を有している。従って、リターン電流は、第１電源導体２０ａと第１基準導体２２ａとの間を通過することができる。また、ノイズは、第１電源導体２０ａと第１基準導体２２ａとの間を通過することができる。インダクタＬ１は、チップインダクタであってもよいし、回路基板１０ａ内の配線であってもよい。

　第２基準導体２２ｂは、第１電源導体２０ａと第２ハイパスフィルタＨＰＦ２を介して接続されている。第２ハイパスフィルタＨＰＦ２は、第４容量Ｃ４及びインダクタＬ２を含んでいる。第４容量Ｃ４は、第２容量Ｃ２と同様に、第１電源導体２０ａと第２基準導体２２ｂとに接続されている。インダクタＬ２は、第１電源導体２０ａと第２電源電極２８ｂとに接続されている。また、第２ハイパスフィルタＨＰＦ２の通過帯域は、信号導体１８を伝送される高周波信号の周波数を含んでいる。リターン電流は、信号導体１８を伝送される高周波信号と同じ周波数を有している。従って、リターン電流は、第１電源導体２０ａと第２基準導体２２ｂとの間を通過することができる。また、ノイズは、第１電源導体２０ａと第２基準導体２２ｂとの間を通過することができる。インダクタＬ２は、チップインダクタであってもよいし、回路基板１０ａ内の配線であってもよい。なお、回路基板１０ａのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ａでは、インダクタＬ１が利用されている。これにより、第３容量Ｃ３のみにより所望の通過帯域を得ることが難しい場合に、第３容量Ｃ３及びインダクタＬ１を備える第１ハイパスフィルタＨＰＦ１により所望の通過帯域を得ることができる。同じ理由により、第２ハイパスフィルタＨＰＦ２により所望の通過帯域を得ることができる。

（第２の変形例）
　以下に、第２の変形例に係る回路基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図５は、回路基板１０ｂの等価回路図である。

　回路基板１０ｂは、第２容量Ｃ２、第２基準導体２２ｂ及び第２基準電極２６ｂの代わりにアンテナＡＮＴを備えている点において、回路基板１０と相違する。以下に、この点について説明する。

　回路基板１０ｂは、アンテナＡＮＴを更に備えている。信号導体１８の右端部は、高周波信号を送信及び／又は受信するためのアンテナＡＮＴと接続されている。アンテナＡＮＴは、例えば、回路基板１０ｂの導体層により形成される。この場合、アンテナＡＮＴは、回路基板１０ｂの一部である。ただし、アンテナＡＮＴは、回路基板１０ｂの一部でなくてもよい。従って、回路基板１０ｂは、アンテナＡＮＴ、又は、アンテナＡＮＴを含む集積回路に接続される。

　信号導体１８がアンテナＡＮＴに接続されている場合、回路基板１０ｂは、第１基準電極２６ａに接続されている基準電位を後段の回路基板に伝送する必要がない。そのため、回路基板１０ｂは、第２容量Ｃ２、第２基準導体２２ｂ及び第２基準電極２６ｂを備えていない。回路基板１０ｂのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

（第３の変形例）
　以下に、第３の変形例に係る回路基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図６は、回路基板１０ｃの断面図である。図６では、左右方向に直交する断面を示した。

　回路基板１０ｃは、電源導体２０ｄ～２０ｇ、基準導体２２ｃ～２２ｅ及び層間接続導体ｖ５～ｖ８を更に備えている点、及び、基板本体１２がレジスト層１７ｂを更に含んでいる点において、回路基板１０ｃと相違する。以下に、これらの相違点ついて説明する。

　電源導体２０ｄ、基準導体２２ｃ、電源導体２０ｅ、基準導体２２ｄ、電源導体２０ｆ、基準導体２２ｅ、電源導体２０ｇは、回路基板前後方向における後から前へとこの順に並んでいる。電源導体２０ｄ～２０ｇ及び基準導体２２ｃ～２２ｅは、回路基板前後方向に延びている。このような基準導体２２ｃ～２２ｅは、第３電源導体２０ｃと第１容量Ｃ１を介して接続され、かつ、信号導体１８と絶縁されている。

　層間接続導体ｖ５は、第３電源導体２０ｃと電源導体２０ｄとを接続している。層間接続導体ｖ６は、第３電源導体２０ｃと電源導体２０ｅとを接続している。層間接続導体ｖ７は、第３電源導体２０ｃと電源導体２０ｆとを接続している。層間接続導体ｖ８は、第３電源導体２０ｃと電源導体２０ｇとを接続している。

　レジスト層１７ｂは、可撓性を有する絶縁性の保護層である。レジスト層１７ｂは、絶縁樹脂層１６ｃの下主面の全面を覆っている。これにより、レジスト層１７ｂは、電源導体２０ｄ～２０ｇ及び基準導体２２ｃ～２２ｅを保護している。

　ただし、レジスト層１７ｂには、開口が設けられている。開口は、回路基板上下方向に見て、基準導体２２ｃ～２２ｅと重なっている。これにより、基準導体２２ｃ～２２ｅは、開口を介して回路基板１０ｃから外部に露出している。本実施形態では、基準導体２２ｃ～２２ｅの上には、金メッキ層５０ｃ～５０ｅが設けられている。

　以上のような回路基板１０ｃは、図６に示すように、基準電位に接続された金属筐体２００に固定される。このとき、金メッキ層５０ｃ～５０ｅは、金属筐体２００に接続される。従って、基準導体２２ｃ～２２ｅは、基準電位に接続されるようになる。なお、基準導体２２ｃ～２２ｅのそれぞれは、複数個所において金属筐体２００に接続されてもよい。すなわち、回路基板１０は、複数個所において図６の断面の構造を有していてもよい。回路基板１０ｃのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｃによれば、信号導体１８を伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶことを抑制できる。より詳細には、基準導体２２ｃ～２２ｅは、第３電源導体２０ｃと容量結合している。よって、第３電源導体２０ｃから基準導体２２ｃ～２２ｅへとノイズが流れる。そして、ノイズは、金メッキ層５０ｃ～５０ｅを介して、金属筐体２００に流れる。その結果、回路基板１０ｃによれば、信号導体１８を伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶことを抑制できる。また、基準導体２２ｃ～２２ｅのそれぞれが複数個所において金属筐体２００に接続されることにより、信号導体１８を伝送される高周波信号にノイズの影響が及ぶことをより抑制できる。なお、回路基板１０ｃにおいて、金メッキ層５０ｃ～５０ｅと金属筐体２００は、半田等の導電性接合材により接合されてもよい。

（第４の変形例）
　以下に、第４の変形例に係る回路基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図７は、回路基板１０ｄの分解斜視図である。

　回路基板１０ｄは、第１チップコンデンサ３０ａ及び第２チップコンデンサ３０ｂを備えていない点において、回路基板１０と相違する。回路基板１０ｄでは、第１容量Ｃ１は、第１基準導体２２ａと第２電源導体２０ｂとの間に形成されている容量である。また、第２容量Ｃ２は、第２基準導体２２ｂと第２電源導体２０ｂとの間に形成されている容量である。回路基板１０ｄのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｄによれば、第１容量Ｃ１及び第２容量Ｃ２が容量により形成される。そのため、回路基板１０ｄでは、チップコンデンサが不要になる。更に、回路基板１０ｄの製造時に、チップコンデンサの実装工程が不要となる。その結果、回路基板１０ｄの製造コストが低減される。

（電子機器）
　以下に、電子機器１について図面を参照しながら説明する。図８は、電子機器１を示した図である。なお、図８では、第１チップコンデンサ３０ａ及び第２チップコンデンサ３０ｂを省略してある。

　電子機器１は、例えば、スマートフォン等の携帯型無線通信端末である。電子機器１は、回路基板１０及び回路基板３００，３０２を備えている。回路基板１０の左端部は、回路基板３００に接続されている。より詳細には、第１信号電極２４ａ、第１基準電極２６ａ及び第１電源電極２８ａは、半田により回路基板３００の電極に固定されている。

　また、回路基板１０の右端部は、回路基板３０２に接続されている。より詳細には、第２信号電極２４ｂ、第２基準電極２６ｂ及び第２電源電極２８ｂは、半田により回路基板３０２の電極に固定されている。これにより、信号導体１８には、高周波信号が伝送される。第１電源導体２０ａ、第２電源導体２０ｂ及び第３電源導体２０ｃは、電源電位に接続される。第１基準導体２２ａ及び第２基準導体２２ｂは、基準電位に接続される。

　また、回路基板３００の上下方向における位置と回路基板３０２の上下方向における位置とは異なっている。そのため、回路基板１０は、折り曲げられている。絶縁樹脂層１６ａ～１６ｃの材料が熱可塑性樹脂であるので、回路基板１０が折り曲げられることができる。

　なお、回路基板１０は、コネクタを介して回路基板３００及び回路基板３０２に接続されていてもよい。また、電子機器１は、回路基板１０の代わりに、回路基板１０ａ～１０ｄのいずれかを備えていてもよい。

（その他の実施形態）
　本発明に係る信号伝送線路は、回路基板１０，１０ａ～１０ｄに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、回路基板１０，１０ａ～１０ｄの構成を組み合わせることが可能である。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｄにおいて、信号導体１８は、回路基板左右方向に直線に延びている。しかしながら、信号導体１８は、回路基板上下方向に見て、曲がっていてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｄは、第１電源導体２０ａ、第２電源導体２０ｂ及び第３電源導体２０ｃのいずれか一つを備えていればよい。この場合、第１基準導体２２ａは、第１電源導体２０ａ、第２電源導体２０ｂ及び第３電源導体２０ｃのいずれか一つと第１容量Ｃ１を介して接続され、かつ、信号導体１８と絶縁されていればよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｄにおいて、第１電源導体２０ａ及び／又は第３電源導体２０ｃは、信号導体１８の全体に沿っていてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｄにおいて、第１基準導体２２ａは、信号導体１８の左端部（第１端部）より信号導体１８の中央点Ｃの近くにおいて、第１電源導体２０ａと第１容量Ｃ１を介して接続されていてもよい。また、回路基板１０，１０ａ，１０ｃ，１０ｄにおいて、第２基準導体２２ｂは、信号導体１８の右端部（第２端部）より信号導体１８の中央点Ｃの近くにおいて、第１電源導体２０ａと第２容量Ｃ２を介して接続されていてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ｂ～１０ｄは、第１容量Ｃ１の代わりに第１ハイパスフィルタＨＰＦ１を備えていてもよい。また、回路基板１０，１０ｃ，１０ｄは、第２容量Ｃ２の代わりに第２ハイパスフィルタＨＰＦ２を備えていてもよい。

　なお、回路基板１０ｃは、第１基準導体２２ａ及び第２基準導体２２ｂを備えていなくてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ｂ～１０ｄにおいて、絶縁樹脂層は、１層のみであってもよい。この場合、信号導体１８と電源導体とは、コプレナー構造を有する。また、絶縁樹脂層は、２そうであってもよい。この場合、信号導体１８と電源導体とは、マイクロストリップライン構造を有する。

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｄ，３００，３０２：回路基板
１２：基板本体
１６ａ～１６ｃ：絶縁樹脂層
１７ａ，１７ｂ：レジスト層
１８：信号導体
２０ａ：第１電源導体
２０ｂ：第２電源導体
２０ｃ：第３電源導体
２０ｄ～２０ｇ：電源導体
２２ａ：第１基準導体
２２ｂ：第２基準導体
２２ｃ～２２ｅ：基準導体
２４ａ：第１信号電極
２４ｂ：第２信号電極
２６ａ：第１基準電極
２６ｂ：第２基準電極
２８ａ：第１電源電極
２８ｂ：第２電源電極
３０ａ：第１チップコンデンサ
３０ｂ：第２チップコンデンサ
５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ：金メッキ層
１２２ａ：突出部
２００：金属筐体
２２２ａ，２２２ｂ：基準電極
２２４ａ，２２４ｂ：電源電極
ＡＮＴ：アンテナ
Ｃ：中央点
Ｃ１：第１容量
Ｃ２：第２容量
Ｃ３：第３容量
Ｃ４：第４容量
Ｌ１，Ｌ２：インダクタ
ｈ１～ｈ２０：開口
ｖ１：第１層間接続導体
ｖ２：第２層間接続導体
ｖ３：第３層間接続導体
ｖ４：第４層間接続導体
ｖ５～ｖ８：層間接続導体
ＨＰＦ１：第１ハイパスフィルタ
ＨＰＦ２：第２ハイパスフィルタ

Claims

　基板本体と、
　前記基板本体に設けられ、かつ、高周波信号が伝送される信号導体と、
　前記基板本体に設けられ、かつ、電源電位に接続される電源導体であって、前記信号導体の少なくとも一部の区間に沿っている電源導体と、
　前記基板本体に設けられ、かつ、前記信号導体及び前記電源導体と絶縁されている第１基準導体と、
　を備えている、
　回路基板。
　前記信号導体は、第１端部及び第２端部を有しており、
　前記回路基板は、
　外部回路との接続に用いられ、かつ、前記信号導体の前記第１端部と接続されている第１信号電極と、
　外部回路との接続に用いられ、かつ、前記第１基準導体と接続されている第１基準電極と、
　を更に備えている、
　請求項１に記載の回路基板。
　前記信号導体の前記第２端部は、前記高周波信号を送信及び／又は受信するためのアンテナと接続されている、
　請求項２に記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　外部回路との接続に用いられ、かつ、前記信号導体の前記第２端部と接続されている第２信号電極を、
　更に備えている、
　請求項２に記載の回路基板。
　前記第１基準導体は、前記電源導体と第１容量を介して接続されている、
　請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記第１容量である第１チップコンデンサを、
　更に備えている、
　請求項５に記載の回路基板。
　前記第１容量は、前記第１基準導体と前記電源導体との間に形成されている容量である、
　請求項５に記載の回路基板。
　前記信号導体は、第１端部、第２端部及び中央点を有しており、
　前記中央点は、前記信号導体により形成される経路における前記第１端部と前記第２端部との中央に位置し、
　前記第１基準導体は、前記中央点より前記第１端部の近くにおいて、前記電源導体と前記第１容量を介して接続されている、
　請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記基板本体に設けられ、かつ、基準電位に接続される第２基準導体であって、前記電源導体と第２容量を介して接続され、かつ、前記信号導体と絶縁されている第２基準導体を、
　更に備えており、
　前記第２基準導体は、前記中央点より前記第２端部の近くにおいて、前記電源導体と前記第２容量を介して接続されている、
　請求項８に記載の回路基板。
　前記第１基準導体は、前記電源導体と第１ハイパスフィルタを介して接続されている、
　請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１ハイパスフィルタの通過帯域は、前記高周波信号の周波数を含んでいる、
　請求項１０に記載の回路基板。
　前記信号導体は、第１端部、第２端部及び中央点を有しており、
　前記中央点は、前記信号導体により形成される経路における前記第１端部と前記第２端部との中央に位置し、
　前記第１基準導体は、前記中央点より前記第１端部の近くにおいて、前記電源導体と前記第１ハイパスフィルタを介して接続されている、
　請求項１０又は請求項１１のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記基板本体に設けられ、かつ、基準電位に接続される第２基準導体であって、前記電源導体と第２ハイパスフィルタを介して接続され、かつ、前記信号導体と絶縁されている第２基準導体を、
　更に備えており、
　前記第２基準導体は、前記中央点より前記第２端部の近くにおいて、前記電源導体と前記第２ハイパスフィルタを介して接続されている、
　請求項１２に記載の回路基板。
　前記基板本体は、複数の絶縁体層が積層された構造を有しており、
　前記電源導体は、前記基板本体の積層方向に見て、前記信号導体の少なくとも一部と重なっている、
　請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の回路基板。
　請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の回路基板を、
　備えている電子機器であって、
　前記第１基準導体は、前記回路基板の基準電位に接続されている、
　電子機器。