JP5018212B2 - 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 178
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 241
- 239000010408 film Substances 0.000 description 180
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000878457 Macrocallista nimbosa FMRFamide Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
ーンに対する第2段階目の最終検査が行われるが、この検査においては吸収体層表面及び多層反射膜表面における反射率のコントラストを観測することにより行われる。尚、バッファー層の除去は行わなくても良い場合もあるが、多層反射膜表面にバッファー層の被覆膜があると多層反射膜の反射率を低下させることになる場合が多い為、バッファー層は除去されるのが通常である。
r={|Rm−Ra|/(Rm+Ra)}×100[%]
にて与えられる。ここで、Rmは多層反射膜表面あるいはバッファー層表面における反射率であり、Raは吸収体層表面での反射率である。吸収体層に形成されるパターンの検査は背景技術で述べたようにバッファー層表面と多層反射膜表面の各々に対する吸収体層表面の反射率コントラストをそれぞれ検出することにより行なわれる。このうち表面反射率は、多層反射膜表面よりバッファー層表面の方が小さくなるのが通常であるので、多層反射膜表面との間で反射率の差、つまりコントラストを確保することに比べると、バッファー層表面との間でコントラストを得ることの方がやや難しいことになる。一般的にバッファーの材料としてあげられているSiO2やRuなどの場合、検査波長域の反射率はその膜厚にもよるが、40〜50%程度であることが多い。従って、前述したコントラストを表す式から、50%強となるコントラストを得るために吸収体層に必要な反射率の範囲を求めると吸収体層反射率は13%より小さいことが求められる。好ましくは10%以下が良い。
とシート抵抗に関する所望の範囲を満たす膜が形成可能である。しかし、図5(b)に示すようにTaSiONでは消衰係数とシート抵抗の所望の範囲を満たす膜を得ることは難しい。これは窒化が主体の膜では、膜中のTa比率の増大に伴い、消衰係数の大きいTaNの影響により、酸素(O)による透明性の確保が難しいことによる。この為、図5(b)にみられるように、膜が窒化ベースの場合、雰囲気の酸素ガス流量を高めた場合でも、消衰係数の低下は小さく、シート抵抗の増大が問題となり、所望の消衰係数とシート抵抗の範囲を満たす膜を得ることは困難である。
S以上だと、LER(Line Edge Roughness)の転写特性に与える影響が大きくなりすぎるためである。
以下、吸収体上層膜を下層吸収膜とは別のターゲットを用いたスパッタリング成膜によ
って、吸収体上層膜をTa比率が比較的小さい膜にて形成した場合の実施例により本発明の反射型フォトマスクブランク10、ないし反射型フォトマスク20を詳細に説明する。
行った。その後、下層吸収体層41のエッチングをCl2/He=40/60[sccm]の混合ガスによるガス圧665mPaの雰囲気にて、バイアスパワー40W及びソースパワー200Wにて行った。
2・・・・多層反射膜
3・・・・バッファー層
4・・・・吸収体層
5・・・・レジスト
41・・・下層吸収体層
42・・・低反射層
10・・・反射型フォトマスクブランク
20・・・反射型フォトマスク
3a・・・バッファー層パターン
4a・・・・吸収体層パターン
41a・・下層吸収体層パターン
42a・・低反射層パターン
5a・・・レジストパターン
Claims (5)
- 基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜及び露光光を吸収する吸収体層を備え、
前記吸収体層が、タンタル(Ta)とシリコン(Si)の他、酸素(O)、又は酸素(O)と窒素(N)とを含む材料からなる上層膜と、
タンタル(Ta)とシリコン(Si)とを含む材料からなる下層膜から構成される積層構造とし、
前記上層膜をTa比率の高い膜にて作製する場合、前記上層膜及び前記下層膜が共にTaとSiの比(Ta/Si)において4.6のTaとSiからなる化合物ターゲットを用いたスパッタリング成膜にて作製されたことを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 前記上層膜をSi比率の高い膜にて作製する場合、
タンタル(Ta)とシリコン(Si)の他、酸素(O)と窒素(N)を含む材料からなり、Ta、Si、O、Nの組成において、Ta原子数が32〜36%、Si原子数が38〜42%、O原子数が3〜7%、N原子数が19〜23%の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。 - 反射型フォトマスクブランクにおける前記上層膜をSi比率の高い膜にて作製する場合、
前記下層膜が、請求項1に係る化合物ターゲットを用いたスパッタリング成膜にて作製される他、前記上層膜がTaとSiの比(Ta:Si)において1:3〜1:5のTaとSiからなる化合物ターゲットを用いたスパッタリング成膜にて作製されたことを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクブランク。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクにおける吸収体層に、パターンが形成されたことを特徴とする反射型フォトマスク。
- 請求項4に記載の反射型フォトマスクに、極端紫外光を照射し、その反射光により半導体基板上に設けられた極端紫外光用レジスト層を露光し、パターンを転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007116757A JP5018212B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007116757A JP5018212B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277397A JP2008277397A (ja) | 2008-11-13 |
JP5018212B2 true JP5018212B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40055039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007116757A Active JP5018212B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5018212B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5638769B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2014-12-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法 |
JP5339085B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2013-11-13 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクおよびその製造方法ならびにマスクパターン検査方法 |
JP5657352B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2015-01-21 | 株式会社東芝 | 露光量評価方法および反射型基板 |
US10553428B2 (en) * | 2017-08-22 | 2020-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reflection mode photomask and fabrication method therefore |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10198023A (ja) * | 1997-01-09 | 1998-07-31 | Nec Corp | X線露光マスク及びその製造方法 |
JP4397496B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2010-01-13 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 反射型露光マスクおよびeuv露光装置 |
JP2002246299A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子 |
JP4158960B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2008-10-01 | Hoya株式会社 | 露光用反射型マスクブランク及び露光用反射型マスク |
JP3806702B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2006-08-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
JP4061319B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2008-03-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
JP4212025B2 (ja) * | 2002-07-04 | 2009-01-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
JP4529359B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2010-08-25 | 凸版印刷株式会社 | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
JP5003159B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2012-08-15 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP5256569B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2013-08-07 | 凸版印刷株式会社 | 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、露光方法及びマスクブランクの製造方法 |
-
2007
- 2007-04-26 JP JP2007116757A patent/JP5018212B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008277397A (ja) | 2008-11-13 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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