JP2009098323A - 半透過型液晶表示パネル、半透過型液晶表示パネルの製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
とで異ならせることが可能な半透過型液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明は、液晶層30を介して互いに対向配置されたアレイ基板AR及びカ
ラーフィルタ基板CFを有し、1画素内に透過領域TAと反射板Rを有する反射領域RA
とを有する半透過型液晶表示パネル10において、アレイ基板は、第1透明基板11上に
画素領域毎に絶縁層を介して対向配置された下電極14及び上電極21を備え、カラーフ
ィルタ基板CFは、第2透明基板25上に遮光層26と、画素領域毎に配置された複数色
のカラーフィルタ層27R、27G、27Bと、反射領域に形成された位相差板29と、
を備え、位相差板29は、カラーフィルタ層27R、27G、27Bと第2透明基板25
との間に形成されている。
【選択図】図2
Description
表示パネルの製造方法及び電子機器に関するものである。詳しくは、製造工程を増大させ
ることなく透過領域と反射領域とに最適な層厚のカラーフィルタ層を形成することが可能
な半透過型液晶表示パネル、半透過型液晶表示パネルの製造方法及び電子機器に関するも
のである。
発が多く進められてきている。この半透過型液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素
電極を備えた透過領域と画素電極及び反射板の両方を備えた反射領域を有している。そし
て、暗い場所においてはバックライトを点灯して透過領域を利用して画像を表示し、明る
い場所においてはバックライトを点灯することなく反射領域において外光を利用して画像
を表示するものである。
を備えるいわゆる縦方向電界モード(例えばTN(Twisted Nematic)型あるいはVA(V
ertical Alignment)型)のものであるが、一対の基板の何れか一方にのみ電極を備える
いわゆる横方向電界モード(例えばFFS(Fringe Field Switching)型あるいはIPS
(In-Plane Switching)型)のものも知られている(下記特許文献1及び2参照)。この
横方向電界モード、例えばFFS型の液晶表示パネルは、広視野角かつ高コントラストで
あり、更に高開口度であるため明るい表示が可能になるという特徴を備えている。
表示パネルが存在している(下記特許文献3参照)。そこで、以下には公知の半透過型液
晶表示パネルとして下記特許文献3に開示された液晶表示装置について説明する。
8AのVIIIB−VIIIB線で切断した断面図である。
この液晶表示装置は、主に第一の基板101と液晶層100と第二の基板102から構
成され、第一の基板101と第二の基板102は液晶層100を挟持する。第一の基板1
01は、液晶層100に近接する側に、カラーフィルタ106と平坦化層107と第三の
配向膜105と内蔵位相板108と第一の配向膜103を有する。第二の基板102は、
液晶層100に近接する側に、薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタは走査配線1
11と信号配線112と画素電極118に接続されており、この他に共通配線113と共
通電極119を有する。薄膜トランジスタは逆スタガ型構造であり、そのチャネル部はア
モルファスシリコン層115で形成されている。走査配線111と信号配線112は交差
しており、薄膜トランジスタは概略その交差部に位置している。共通配線113は走査配
線111と平行に分布しており、スルーホールを通じて共通電極119が接続されている
。画素電極118と薄膜トランジスタはスルーホールで結合されている。画素電極118
の上には第二の配向膜104があり、液晶層100に近接してその配向方向を規定する。
膜103の直下に配設されており、これにより反射領域と透過領域のリタデーションの差
をなくすると共に、反射領域の液晶層の層厚を調節している。
射領域にのみ形成し、更に第一の配向膜103の直下に形成したので、透過領域と反射領
域の間のリタデーションを好適に調節することができる。
その表示方法が異なるため、カラーフィルタ基板に形成するカラーフィルタ層も反射領域
と透過領域とで変更することが行われている。すなわち、透過領域では液晶表示パネルの
裏面に設けた光源からの光がカラーフィルタ層を一回通過して画像を表示するものである
が、反射領域ではカラーフィルタ層を通過して反射領域に照射された外光が反射板に反射
し、再度カラーフィルタ層を通過して画像を表示するものである。このため、通常、透過
領域のカラーフィルタ層に比べて、反射領域のカラーフィルタ層は濃度の低いカラーフィ
ルタ層が用いられる。なお、上記特許文献3の液晶表示装置においても、各領域毎にカラ
ーフィルタ層の濃度を異ならせて形成する場合には上述の方法を用いて行われる。
従来は、反射領域のカラーフィルタ層を透過領域のカラーフィルタ層より薄く形成したり
、反射領域のカラーフィルタ層の一部に開口を形成したり、あるいは濃度の異なるカラー
フィルタ層を各領域のそれぞれに露光形成したりしている。
ラーフィルタ層の濃度の制御を厳密に行わなければならず、またこのために製造工程が増
えてしまい、コスト高を招来してしまう。
ることなく、カラーフィルタ層の濃度を透過領域と反射領域とで異ならせることが可能な
半透過型液晶表示パネル、この半透過型液晶表示パネルの製造方法及びこの半透過型液晶
表示パネルを備えた電子機器を提供することである。
、液晶層を介して互いに対向配置されたアレイ基板及びカラーフィルタ基板を有し、1画
素内に透過領域と反射板を有する反射領域とを有する横方向電界方式の半透過型液晶表示
パネルにおいて、
前記アレイ基板は、第1透明基板上に画素領域毎に絶縁層を介して対向配置された下電
極及び上電極を備え、
前記カラーフィルタ基板は、第2透明基板上にマトリクス状に形成された遮光層と、前
記画素領域毎に配置された複数色のカラーフィルタ層と、前記反射領域に形成された位相
差板と、を備え、
前記位相差板は、前記カラーフィルタ層と前記第2透明基板との間に形成されているこ
とを特徴とする。
形成した状態でカラーフィルタ層が形成されるので、反射領域に形成されるカラーフィル
タ層は透過領域に形成されるカラーフィルタ層より薄く形成される。したがって、反射領
域に形成されるカラーフィルタ層は透過領域に形成されるカラーフィルタ層より色の濃度
が薄くなる。これにより、別途製造工程を追加することなく透過領域を用いて表示をする
場合より反射領域を用いた場合の方が濃い表示となることがなくなる。
1透明基板側、又は、前記カラーフィルタ基板の前記位相差板の前記第2透明基板側に配
設されていると好ましい。
板側に表示画面が表示されることになり、カラーフィルタ基板側に設けた場合にはアレイ
基板側に表示画面が表示されることになる。よって、反射板の形成位置を変更するだけで
表示画面が表示される面を変更できるので、用途に応じて適宜変更することが可能となる
。
ャップ調整用のトップコート層が形成されていると好ましい。
り、透過領域の液晶層の層厚と反射領域の液晶層の層厚とを変更することが可能となる。
したがって、例えば透過領域の液晶層のリタデーションを1/2波長にし、反射領域の液
晶層のリタデーションを1/4波長に調整することが可能となる。
記カラーフィルタ層の層厚の50%以上であると好ましい。
領域のカラーフィルタ層の色濃度を透過領域のカラーフィルタ層の色濃度の半分に設定す
ることが可能となる。したがって、反射領域を用いた表示と透過領域を用いた表示とをほ
ぼ同一の色再現性で表示することができるようになる。なお、位相差板の層厚を100%
以上にすると、反射領域にほとんどカラーフィルタ層が形成されなくなってしまうので、
少なくとも透過領域のカラーフィルタ層の層厚より小さく設定する。
のカラーフィルタ層には、前記反射領域内の一部に開口が形成されていると好ましい。
ィルタ層を形成する場合、最も視感度の低い色、すなわち反射領域のカラーフィルタ層の
層厚が最も厚くなるB(青)のカラーフィルタ層に合わせて位相差板の層厚を設定した場
合には、他のR(赤)、G(緑)2つの色のカラーフィルタ層は、反射領域のカラーフィ
ルタ層の層厚が比較的厚くなる。したがって、この僅かに厚くなってしまったカラーフィ
ルタ層の色濃度を調整するために開口を形成すれば、全てのカラーフィルタ層で透過領域
を用いて表示を行う場合と同様の色味で反射領域を用いた表示を行うことが可能となる。
差板と前記第2透明基板との間には前記位相差板の液晶高分子を配向するための位相差板
用配向膜が形成されていると好ましい。
ルタ層より薄い層厚でも十分な屈折率異方性を得ることが可能となる。
(5)に示すカラーフィルタ基板の製造工程を含むことを特徴とする。
(1)透明基板上にマトリクス状に遮光層を形成する工程、
(2)前記遮光層により区分された各画素内の反射領域に所定厚の位相差板を形成する工
程、
(3)前記各画素のそれぞれに、前記反射領域に形成された位相差板によって透過領域の
層厚と前記反射領域の層厚とがレベリングされるように複数色のカラーフィルタ層を形成
する工程、
(4)前記カラーフィルタ層を覆うように保護層を形成する工程、
(5)前記保護層を被覆するように配向膜を形成する工程。
されるので、位相差板により形成された段差の分だけ反射領域のカラーフィルタ層の層厚
が薄くなるようにレベリングされてカラーフィルタ層が形成されることになる。したがっ
て、反射領域に形成されるカラーフィルタ層は透過領域に形成されるカラーフィルタ層よ
り色の濃度が薄くなる。これにより、別途製造工程を追加することなく透過領域を用いて
表示をする場合より反射領域を用いた場合の方が濃い表示となることがなくなる。
行うと好ましい。
(6)前記遮光層により区分された各画素内の前記反射領域に反射板を形成する工程。
より、アレイ基板の外面側に表示画面が表示される半透過型液晶表示パネルを得ることが
可能となる。
行うと好ましい。
(7)前記反射領域にセルギャップ調整用のトップコート層を形成する工程。
り、透過領域の液晶層の層厚と反射領域の液晶層の層厚とを変更することが可能となる。
したがって、例えば透過領域の液晶層のリタデーションを1/2波長にし、反射領域の液
晶層のリタデーションを1/4波長に調整することが可能となる。
層厚は、前記(3)の工程において形成される前記カラーフィルタ層の前記透過領域に形
成された部分の層厚の50%以上であると好ましい。
領域のカラーフィルタ層の色濃度を透過領域のカラーフィルタ層の色濃度の半分に設定す
ることが可能となる。したがって、反射領域を用いた表示と透過領域を用いた表示とをほ
ぼ同一の色再現性で表示することができるようになる。なお、位相差板の層厚を100%
以上にすると、反射領域にほとんどカラーフィルタ層が形成されなくなってしまうので、
少なくとも透過領域のカラーフィルタ層の層厚より小さく設定する。
ラーフィルタ層のうち、少なくとも1色のカラーフィルタ層の前記反射領域に形成される
部分には、開口が形成されていると好ましい。
ィルタ層を形成する場合、最も視感度の低い色、すなわち反射領域のカラーフィルタ層の
層厚が最も厚くなるB(青)のカラーフィルタ層に合わせて位相差板の層厚を設定した場
合には、他のR(赤)、G(緑)2つの色のカラーフィルタ層は、反射領域のカラーフィ
ルタ層の層厚が比較的厚くなる。したがって、この僅かに厚くなってしまったカラーフィ
ルタ層の色濃度を調整するために開口を形成すれば、全てのカラーフィルタ層で透過領域
を用いて表示を行う場合と同様の色味で反射領域を用いた表示を行うことが可能となる。
液晶高分子で形成されており、前記(2)の工程の直前に、以下の(8)に示す工程を行
うと好ましい。
(8)前記反射領域に位相差板用配向膜を形成する工程。
ルタ層より薄い層厚でも十分な屈折率異方性を得ることが可能となる。
とを特徴とする。
行う場合もほぼ同一の色再現性で表示が可能な表示パネルを搭載した電子機器を提供する
ことが可能となる。
は、本発明の技術思想を具体化するための半透過型液晶表示パネル、半透過型液晶表示パ
ネルの製造方法及び電子機器として、FFS型の半透過型液晶表示パネルを例示するもの
であって、本発明をこのFFS型の半透過型液晶表示パネルに特定することを意図するも
のではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のもの、例えば他の横方向電界
モード(例えばIPS型)の半透過型液晶表示パネルにも等しく適応し得るものである。
ルタ基板を透視して示す3画素分の平面図である。図2は図1のII−II線で切断した断面
図である。図3は図1のIII−III線で切断した断面図である。図4及び図5はカラーフィ
ルタ基板の製造工程を説明する図である。図6は本発明の変形例としての半透過型液晶表
示パネルの断面図である。図7Aは本発明のFFS型の半透過型液晶表示パネルを搭載し
たパーソナルコンピュータを示す図であり、図7Bは本発明のFFS型の半透過型液晶表
示パネルを搭載した携帯電話機を示す図である。なお、図6に示す断面図は、図2に示す
断面図に対応した断面を示したものである。また、この明細書における説明のために用い
られた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示さ
れているものではない。
る。この実施例1のFFS型の半透過型液晶表示パネル10は、電極等が形成されたアレ
イ基板ARと、カラーフィルタ層等が形成されたカラーフィルタ基板CFと、これらのア
レイ基板ARとカラーフィルタ基板CFとの間に形成された液晶層30と、から構成され
ている。
面に例えばMo/Alの2層配線からなる複数の走査線12が互いに平行になるように形
成されている。またこの走査線12に沿うように走査線12と同一の材料からなるコモン
配線13が形成されている。
なる反射板Rを形成する。この反射板Rは表面が凹凸形状となっているものであるが、図
2では簡略化して平坦に示されている。そして、走査線12及びコモン配線13で囲まれ
たそれぞれの領域(画素領域)に例えばITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Z
inc Oxide)等の透明導電性材料からなる下電極14が形成されている。この下電極14
は、コモン配線13及び反射板Rに重畳配置され、コモン配線13とは電気的に接続され
ているが、走査線12ないしゲート電極Gとは接続されておらず、共通電極として作用す
る。
板11の表面全体に亘って窒化ケイ素ないしは酸化ケイ素等の透明絶縁材料からなるゲー
ト絶縁膜15が被覆されている。更に、このゲート絶縁膜15の表面のTFT形成領域に
は例えばアモルファスシリコン(以下「a−Si」という。)層からなる半導体層16が
形成されている。この半導体層16が形成されている位置の走査線12の領域がTFTの
ゲート電極Gを形成する。
らなるソース電極Sを含む信号線17及びドレイン電極Dが形成されている。この信号線
17のソース電極S部分及びドレイン電極D部分は、いずれも半導体層16の表面に部分
的に重なっている。更に、この基板の表面全体に窒化ケイ素又は酸化ケイ素等の透明絶縁
材料からなる保護絶縁膜(パッシベーション膜ともいう)18が被覆されており、ドレイ
ン電極Dに対応する位置の保護絶縁膜18にはコンタクトホール19が形成されている。
素領域の保護絶縁膜18上に複数のスリット20を有する透明導電性材料、例えばITO
ないしIZOからなる上電極21が形成されている。この上電極21はコンタクトホール
19を介してドレイン電極Dと電気的に接続されている。そのため、この上電極21は画
素電極として作用する。更に、この基板の表面全体に亘り配向膜AL1が形成されており
、この配向膜AL1の表面はラビングローラ等を用いてラビング処理されている。
よう、スリット20の信号線17側の一端が開放端20aとなっているとともに他端が閉
鎖端20bとなっている。これにより、開放端20a側の開口度が向上し、より明るい表
示を行うことができるようになっている。なお、本実施例1ではスリット20の一端を開
放端20aとしたものを示したが、両端を閉鎖した形状としてもよい。
造方法について、図2〜図5を参照して簡単に説明する。なお、図4及び図5に示すもの
は1つの画素領域を拡大して示した概略断面図であって、B(青)のカラーフィルタ層2
7Bが形成される画素領域を代表して示したものである。
(第2透明基板)25の表面に所定厚の金属クロムをスパッタリング法を用いて成膜する
。この成膜が行われると、図4Bに示すように、公知のフォトリソグラフィ法によりアレ
イ基板ARの走査線12、信号線17及びTFTに対応する位置を被覆するようにマトリ
クス状にパターニングし、遮光層(ブラックマトリクス)26を形成する。
イミド等からなる位相差板用配向膜AL3を塗布する。そして、図4Dに示すように、こ
の位相差板用配向膜AL3の表面をラビングローラROを用いてラビング処理する。さら
に、図4Eに示すように、この位相差板用配向膜AL3の反射領域RAに位置する部分に
液晶高分子からなる位相差板29を形成する。この形成方法については公知の方法と同様
である。そして、このように形成された位相差板29のリタデーションは液晶層30と同
等あるいはそれ以上、例えば1/2波長に設定されている。加えて、この位相差板29の
層厚は、透過領域TAに形成される後述するカラーフィルタ層27R、27G、27Bの
層厚に対して50%以上となるように設定されている。
用配向膜AL3を形成するものとしたが、液晶高分子ではなく他の有機高分子を用いた位
相差板を用いる場合には位相差板用配向膜AL3を形成する必要はない。ただし、液晶高
分子を用いると位相差板29の層厚を液晶層30より小さく維持したまま高い屈折率異方
性を得られるので好ましい。
フィルタ層、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の3色からなるカラーフィルタ層27
R、27G、27B(図3参照)が形成される。なお、本実施例においてはストライプ配
列で各カラーフィルタ層27R、27G、27Bを形成している。これらのカラーフィル
タ層27R、27G、27Bは公知の着色樹脂で形成されており、その形成方法は、公知
の露光装置によるものである。ただし、反射領域RAにのみ位相差板29が形成されてい
るので、例えばスピンコート等を用いて着色樹脂を一様に塗布すると、自動的に反射領域
RAに塗布される着色樹脂の層厚は透過領域TAに塗布されるものより薄くなる。したが
って、位相差板29の形成時及びこの着色樹脂の塗布時にその層厚をそれぞれ調整するこ
とで、後に露光形成される各カラーフィルタ層27R、27G、27Bの透過領域TAと
反射領域RAとの層厚を適宜可変することが可能となる。
ィルタ層27R、27G、27Bのうち、特に視感度の最も低い色(本実施例においては
B(青))のカラーフィルタ層27Bの透過領域TAの層厚L1と反射領域RAの層厚L
2との差が所望の値となるように設定すると好ましい。これは、位相差板29及びカラー
フィルタ層27R、27G、27Bの層厚を画素毎に変更することが難しいため、B(青
)のカラーフィルタ層27Bが形成される画素領域を基準としたためである。また、これ
に起因して、その他の色、すなわちR(赤)及びG(緑)のカラーフィルタ層27R、2
7Gが形成される画素の反射領域RAの一部には、カラーフィルタ層27R、27Bが形
成されていない領域、すなわち開口(図示省略)を形成すると、全てのカラーフィルタ層
27R、27G、27Bの色濃度のレベリングが可能となる。ちなみに、R(赤)及びG
(緑)のカラーフィルタ層27R、27Gに上述した開口を形成する場合には、このカラ
ーフィルタ層27R、27Gを露光形成する際に用いられるマスクパターンを変更するだ
けで簡単に形成することが可能である。
ィルタ層27Bが形成される画素領域の透過領域TAと反射領域RAとに形成されるカラ
ーフィルタ層27Bの層厚L1、L2を、位相差板29の層厚を調整することで簡単に制
御できる。したがって、従来のように別途の工程により各カラーフィルタ層27R、27
G、27Bの層厚を変更したり、透過領域TAに形成するカラーフィルタ層と反射領域R
Aに形成するカラーフィルタ層とを異ならせたりする必要がなくなる。また、開口はR(
赤)及びG(緑)のカラーフィルタ層27R、27Gにのみ形成すればよく、さらにその
開口の面積も位相差板29が形成されていることで従来のものより小さくて済むので、こ
の開口部分に生じる光漏れ等も最小限に抑えることが可能となる。
5Aに示すように、カラーフィルタ層27R、27G、27Bを保護するとともに、その
表面を平坦化するための透明樹脂からなる平坦化層(保護層)28が形成される。そして
、図5B及び図5Cに示すように、反射領域RAに位置する平坦化層28の表面には、透
明樹脂からなるセルギャップ調整用のトップコート層32が形成されている。このトップ
コート層32により、透過領域TAの基板間距離L3と反射領域RAの基板間距離L4と
が、以下の式(1)に示す関係となっている。下記式(1)に示すような関係とすること
により、透過領域TAの液晶層30のリタデーションを1/2波長としたとき、反射領域
RAの液晶層30のリタデーションは1/4波長となるので、液晶層30を通過する光の
距離が均一になることにより、最適な表示品質での表示が行えるようになる。
L4=(1/2)L3 (1)
イミド等からなる配向膜AL2を塗布すると共にその表面をラビングローラROによりラ
ビング処理する。以上の工程により、カラーフィルタ基板CFが完成する。
組み立てられたカラーフィルタ基板CFのカラーフィルタ層27R、27G、27Bが互
いに対向するように、図示しないシール材を介してアレイ基板AR及びカラーフィルタ基
板CFを対向させ、両基板及びシール材で囲まれた領域内に液晶を封入して液晶層30を
形成することにより、実施例1のFFS型の半透過型液晶表示パネル10が得られる。な
お、両基板の透明基板11、25の外側に位置する面には偏光板31が設けられている。
示しない光源が設置され、カラーフィルタ基板CFの外面に表示画面が映し出されるもの
である。しかしながら、この半透過型液晶表示パネル10のような横方向電界モードの液
晶表示パネルにおいては、カラーフィルタ基板CFの外面に光源を設置し、アレイ基板A
Rの外面に表示画面を映し出すようにすることも可能である。そこで、以下には、上記実
施例1の変形例として、アレイ基板ARの外面に表示画面を映し出すようにした半透過型
液晶表示パネル10'の構成について、図6を参照して簡単に説明する。なお、本変形例
の半透過型液晶表示パネル10'においては、一部構成を除き上記実施例1の半透過型液
晶表示パネル10と同一の構成を備えているので、以下には異なる構成についてのみ詳述
し、同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略するものとする。
おいてはアレイ基板ARの反射領域RAに形成されていた反射板Rが、カラーフィルタ基
板CFの反射領域RAに形成されている点のみ異なる。詳しくは、本変形例の反射板Rは
、透明基板25と位相差板用配向膜AL3との間に形成されている。なお、このようにカ
ラーフィルタ基板CF側に反射板Rを形成する場合には、反射領域RAに入射する光は位
相差板29を2回通過することになるので、位相差板29のリタデーションも合わせて変
更しておくと好ましい。
板CFの外面に光源を配置することで、本変形例の半透過型液晶表示パネル10'は、ア
レイ基板ARの外面に表示画面が映し出されることになる。
このコモン配線13上にコンタクトホール19を形成して下電極14とコモン配線13と
の接続を行ったものを説明した。ただし、本発明はこのような構成に限定されず、例えば
反射板Rが導電性部材で形成されていることから、コモン配線13を反射板Rの下層に設
け、コモン配線13と反射板Rとを電気的に接続し、反射板Rと下電極14とをコンタク
トホール等を介して電気的に接続するようになせば、透過領域TAの面積が大きくなるの
で、より明るい表示を行うことができるようになる。
いて説明したが、これに限定されず、例えば低反射性を有する樹脂ブラック等を用いても
よい。また、トップコート層32は必ずしも設ける必要はなく、適宜省略することも可能
である。
'を説明した。このような本発明のFFS型の半透過型液晶表示パネルは、パーソナルコ
ンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に使用することができる。このう
ち、FFS型の半透過型液晶表示パネル41をパーソナルコンピュータ40に使用した例
を図7Aに、同じくFFS型の半透過型液晶表示パネル46を携帯電話機45に使用した
例を図7Bに示す。ただし、これらのパーソナルコンピュータ40及び携帯電話機45の
基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略する。
コモン配線 14:下電極 15:ゲート絶縁膜 16:半導体層 17:信号線 18
:保護絶縁膜 19:コンタクトホール 20:スリット 20a:開放端 20b:閉
鎖端 21:上電極 26:遮光層 27R、27G、27B:カラーフィルタ層 28
:平坦化層 29:位相差板 30:液晶層 31:偏光板 32:トップコート層 A
R:アレイ基板 CF:カラーフィルタ基板 R:反射板 G:ゲート電極 S:ソース
電極 D:ドレイン電極 TA:透過領域 RA:反射領域 AL1、AL2:配向膜
AL3:位相差板用配向膜
Claims (13)
- 液晶層を介して互いに対向配置されたアレイ基板及びカラーフィルタ基板を有し、1画
素内に透過領域と反射板を有する反射領域とを有する横方向電界方式の半透過型液晶表示
パネルにおいて、
前記アレイ基板は、第1透明基板上に画素領域毎に絶縁層を介して対向配置された下電
極及び上電極を備え、
前記カラーフィルタ基板は、第2透明基板上にマトリクス状に形成された遮光層と、前
記画素領域毎に配置された複数色のカラーフィルタ層と、前記反射領域に形成された位相
差板と、を備え、
前記位相差板は、前記カラーフィルタ層と前記第2透明基板との間に形成されているこ
とを特徴とする半透過型液晶表示パネル。 - 前記反射板は、前記アレイ基板の前記下電極の前記第1透明基板側、又は、前記カラー
フィルタ基板の前記位相差板の前記第2透明基板側に配設されていることを特徴とする請
求項1に記載の半透過型液晶表示パネル。 - 前記カラーフィルタ基板の前記反射領域には、セルギャップ調整用のトップコート層が
形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示パネル。 - 前記位相差板の層厚は、前記透過領域に形成される前記カラーフィルタ層の層厚の50
%以上であることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示パネル。 - 前記複数色のカラーフィルタ層のうち少なくとも1色のカラーフィルタ層には、前記反
射領域内の一部に開口が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶
表示パネル。 - 前記位相差板は液晶高分子で形成されており、該位相差板と前記第2透明基板との間に
は前記位相差板の液晶高分子を配向するための位相差板用配向膜が形成されていることを
特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示パネル。 - 以下の(1)〜(5)に示すカラーフィルタ基板の製造工程を含むことを特徴とする半
透過型液晶表示パネルの製造方法。
(1)透明基板上にマトリクス状に遮光層を形成する工程、
(2)前記遮光層により区分された各画素内の反射領域に所定厚の位相差板を形成する工
程、
(3)前記各画素のそれぞれに、前記反射領域に形成された位相差板によって透過領域の
層厚と前記反射領域の層厚とがレベリングされるように複数色のカラーフィルタ層を形成
する工程、
(4)前記カラーフィルタ層を覆うように保護層を形成する工程、
(5)前記保護層を被覆するように配向膜を形成する工程。 - 前記(1)の工程の後に、以下の(6)に示す工程を行うことを特徴とする請求項7に
記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
(6)前記遮光層により区分された各画素内の前記反射領域に反射板を形成する工程。 - 前記(4)の工程の後に、以下の(7)に示す工程を行うことを特徴とする請求項7に
記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
(7)前記反射領域にセルギャップ調整用のトップコート層を形成する工程。 - 前記(2)の工程において形成される前記位相差板の層厚は、前記(3)の工程におい
て形成される前記カラーフィルタ層の前記透過領域に形成された部分の層厚の50%以上
であることを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。 - 前記(3)の工程において形成される前記複数色のカラーフィルタ層のうち、少なくと
も1色のカラーフィルタ層の前記反射領域に形成される部分には、開口が形成されている
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。 - 前記(2)の工程において形成される前記位相差板は液晶高分子で形成されており、前
記(2)の工程の直前に、以下の(8)に示す工程を行うことを特徴とする請求項7に記
載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
(8)前記反射領域に位相差板用配向膜を形成する工程。 - 請求項1〜6の何れかに記載の半透過型液晶表示パネルを備えたことを特徴とする電子
機器。
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