JP2009088534A - 発光ダイオード装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光ダイオード装置は、チップ107と、チップ107を搭載するために用い、本体117と、本体117から外側、下側および内側に延伸された複数のピンと、を有する熱伝導リードフレーム101と、熱伝導リードフレーム101と電気的に絶縁され、本体117の両側で各ピンの間にそれぞれ配置された複数の導電ピン103と、チップ107と電気的に接続された一方の端部と、各導電ピン103と電気的に接続された他方の端部と、を有する複数の金属ワイヤ109,111と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1を参照する。図1は、本発明の第1実施形態による発光ダイオード装置を示す斜視図である。この発光ダイオード装置は、LEDチップ107、熱伝導リードフレーム101、導電ピン103,105および第1の金属ワイヤ109,111を含む。LEDチップ107は、LEDチップ107の同一面にそれぞれ配置された電極113および電極115を有する。第1の金属ワイヤ109,111は、それぞれ電極113,115と電気的に接続された第1の端部と、それぞれ2つの導電ピン103,105と電気的に接続された第2の端部とを有する。
図3を参照する。図3は、本発明の第2実施形態による発光ダイオード装置を示す斜視図である。この発光ダイオード装置は、LEDチップ307、熱伝導リードフレーム301、導電ピン303,305、第1の金属ワイヤ309,311、第2の金属ワイヤ319,325および実装基板317を含む。このLEDチップ307は、2つの電極313,315を有する。これら2つの電極313,315は、LEDチップ307の同一面に配置され、実装基板317は、2つの導電領域321,323を有する。熱伝導リードフレーム301は、LEDチップ307を搭載するために用いるコア本体327と、コア本体327に接続された4つのアウターリード301a,301b,301c,301dとを含む。
図5を参照する。図5は、本発明の第3実施形態による発光ダイオード装置を示す斜視図である。この発光ダイオード装置は、LEDチップ507、熱伝導リードフレーム501、導電ピン503,505、第1の金属ワイヤ509、第2の金属ワイヤ511および実装基板519を含む。熱伝導リードフレーム501は、LEDチップ507を搭載するために用いるコア本体517と、コア本体517に接続された4つのアウターリード501a,501b,501c,501dとを含む。
101a アウターリード
101b アウターリード
101c アウターリード
101d アウターリード
103 導電ピン
105 導電ピン
107 LEDチップ
109 第1の金属ワイヤ
111 第1の金属ワイヤ
113 電極
115 電極
117 コア本体
201 カバー
203 開口
205 シール材
301 熱伝導リードフレーム
301a アウターリード
301b アウターリード
301c アウターリード
301d アウターリード
303 導電ピン
305 導電ピン
307 LEDチップ
309 第1の金属ワイヤ
311 第1の金属ワイヤ
313 電極
315 電極
317 実装基板
319 第2の金属ワイヤ
321 導電領域
323 導電領域
325 第2の金属ワイヤ
327 コア本体
401 カバー
403 開口
501 熱伝導リードフレーム
501a アウターリード
501b アウターリード
501c アウターリード
501d アウターリード
503 導電ピン
505 導電ピン
507 LEDチップ
509 第1の金属ワイヤ
511 第2の金属ワイヤ
513 電極
515 導電領域
517 コア本体
519 実装基板
601 カバー
603 開口
Claims (9)
- チップと、
前記チップを搭載するために用い、本体と、前記本体から外側、下側および内側に延伸された複数のピンと、を有する熱伝導リードフレームと、
前記熱伝導リードフレームと電気的に絶縁され、前記本体の両側で各前記ピンの間にそれぞれ配置された複数の導電ピンと、
前記チップと電気的に接続された一方の端部と、各前記導電ピンと電気的に接続された他方の端部と、を有する複数の金属ワイヤと、を備えることを特徴とする発光ダイオード装置。 - チップと、
前記チップを搭載するために用い、本体と、前記本体から外側、下側および内側に延伸された複数のピンと、を有する熱伝導リードフレームと、
前記本体と前記チップとの間に配置され、前記本体と前記チップとの間の熱応力を緩衝させる実装基板と、
前記熱伝導リードフレームと電気的に絶縁され、前記本体の両側で各前記ピンの間にそれぞれ配置された複数の導電ピンと、
各前記導電ピンと前記チップとを電気的に接続させる複数の金属ワイヤと、を備えることを特徴とする発光ダイオード装置。 - 前記チップを覆い、前記チップを露出させる開口を有するカバーをさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオード装置。
- 前記カバーは、前記本体から外側へ延伸された前記複数のピンおよび前記複数の導電ピンを穿設させることが可能な複数の貫通孔を有することを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード装置。
- 前記開口を充填させて前記チップを覆い、蛍光粉末が分布された透明コロイドをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード装置。
- 前記複数の金属ワイヤは、第1の金属ワイヤおよび第2の金属ワイヤを含むことを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード装置。
- 前記実装基板は、前記LEDチップの表面に対向した少なくとも1つの導電領域を有し、
前記第2の金属ワイヤは、前記導電領域および各前記導電ピンと電気的に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオード装置。 - 前記第1の金属ワイヤは、前記チップおよび各前記導電ピンと電気的に接続されていることを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオード装置。
- 前記第1の金属ワイヤは、前記導電領域および前記チップと電気的に接続されていることを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオード装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8680656B1 (en) * | 2009-01-05 | 2014-03-25 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package |
KR101775428B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2017-09-06 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
KR101228078B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | 오름반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지의 제조방법 |
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US8692282B2 (en) * | 2011-10-27 | 2014-04-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting module comprising the same |
CN103887400A (zh) * | 2012-12-22 | 2014-06-25 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187780A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2002280616A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置 |
JP2004207367A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板 |
JP2005116937A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2005524737A (ja) * | 2002-05-06 | 2005-08-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 波長変換する反応性樹脂材料及び発光ダイオード素子 |
JP2006086985A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、並びに、画像読取ユニット、及び、画像形成装置 |
JP3120556U (ja) * | 2005-11-29 | 2006-04-13 | 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 | 混合光発光ダイオード構造 |
JP2006222454A (ja) * | 2006-05-01 | 2006-08-24 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光装置および表面実装型パッケージ |
JP2006352061A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-12-28 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子への光学要素の結合 |
JP2007042700A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装型半導体装置 |
JP2007095855A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi Lighting Ltd | Led光源モジュール |
JP3133192U (ja) * | 2006-12-28 | 2007-07-05 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード構造 |
JP2007180326A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | 発光装置 |
JP2007194385A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2007214522A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Intekkusu Kk | 光源装置及びこれを用いた照明装置 |
JP2007227919A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5870584A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
EP1439586B1 (de) * | 1996-06-26 | 2014-03-12 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
WO1999007023A1 (de) * | 1997-07-29 | 1999-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optoelektronisches bauelement |
US6799870B2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-10-05 | Para Light Electronics Co. Ltd. | Sideway-projecting light emitting diode structure |
DE10255932A1 (de) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP2007088090A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007189031A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Allied Material Corp | 半導体素子搭載用部材とそれを用いた半導体装置および発光ダイオード |
TW200814362A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-16 | Bright Led Electronics Corp | Light-emitting diode device with high heat dissipation property |
TWM309757U (en) * | 2006-09-19 | 2007-04-11 | Everlight Electronics Co Ltd | Side view LED package structure |
-
2007
- 2007-10-01 TW TW096216404U patent/TWM329244U/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-04-01 US US12/078,490 patent/US20090085051A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-01 JP JP2008256579A patent/JP2009088534A/ja active Pending
-
2013
- 2013-05-22 JP JP2013108204A patent/JP2013211579A/ja active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187780A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2002280616A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置 |
JP2005524737A (ja) * | 2002-05-06 | 2005-08-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 波長変換する反応性樹脂材料及び発光ダイオード素子 |
JP2004207367A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板 |
JP2005116937A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2006086985A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、並びに、画像読取ユニット、及び、画像形成装置 |
JP2006352061A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-12-28 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子への光学要素の結合 |
JP2007042700A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装型半導体装置 |
JP2007095855A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi Lighting Ltd | Led光源モジュール |
JP3120556U (ja) * | 2005-11-29 | 2006-04-13 | 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 | 混合光発光ダイオード構造 |
JP2007180326A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | 発光装置 |
JP2007194385A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2007214522A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Intekkusu Kk | 光源装置及びこれを用いた照明装置 |
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