CN103887400A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

发光二极管封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN103887400A
CN103887400A CN201210561831.7A CN201210561831A CN103887400A CN 103887400 A CN103887400 A CN 103887400A CN 201210561831 A CN201210561831 A CN 201210561831A CN 103887400 A CN103887400 A CN 103887400A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
package structure
led
reflector
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210561831.7A
Other languages
English (en)
Inventor
林厚德
陈滨全
陈隆欣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rongchuang Energy Technology Co ltd, Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Rongchuang Energy Technology Co ltd
Priority to CN201210561831.7A priority Critical patent/CN103887400A/zh
Priority to TW101150001A priority patent/TWI492424B/zh
Priority to US14/014,374 priority patent/US20140175483A1/en
Publication of CN103887400A publication Critical patent/CN103887400A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及自本体部一端垂直向下延伸的接引电极，第一电极的本体部和第二电极的本体部位于接引电极的一端均自本体部的同侧朝向本体部凹陷形成凹槽，第一电极的本体部、第二电极的本体部嵌置于反射杯内，第一电极的接引电极和第二电极的接引电极暴露于反射杯之外。本发明中第一电极、第二电极的本体部均嵌置于反射杯内，第一电极、第二电极的接引电极暴露于反射杯之外，有效地提升了发光二极管封装结构的密合度。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管（light emitting diode，LED）作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。
在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。
一般的发光二极管封装结构通常单独成型反射杯，在反射杯成型后再将电极弯折贴设于反射杯的底面或侧面上。然而，这种发光二极管封装结构中电极与反射杯结合不紧密，发光二极管封装结构的密合度不佳，电极在使用过程中容易松动或脱落。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种密合度较佳的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极均包括一纵长的本体部以及自本体部一端向下延伸的接引电极，所述第一电极的本体部位于接引电极的一端自本体部的同侧朝向本体部凹陷形成凹槽，第二电极的本体部位于接引电极的一端自本体部的同侧朝向本体部凹陷形成凹槽，所述第一电极的本体部、第二电极的本体部嵌置于所述反射杯内，所述第一电极的接引电极、第二电极的接引电极暴露于反射杯之外。
与现有技术相比，本发明的发光二极管封装结构中第一电极、第二电极的本体部均嵌置于反射杯内，第一电极、第二电极的接引电极暴露于反射杯之外，有效地提升了发光二极管封装结构的密合度。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1是本发明实施例中发光二极管封装结构的俯视示意图。
图2是图1所示发光二极管封装结构沿II-II线的剖面示意图。
图3是图1所示发光二极管封装结构的仰视示意图。
图4是图1所示发光二极管封装结构中电极的俯视示意图。
图5是图4所示电极沿V-V线的剖面示意图。
图6是图4所示电极的仰视示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 100
第一电极 10
第一本体部 101
端部 102、202
上表面 1011、2011
下表面 1012、2012
第一凹槽 103
第一接引电极 104
第一增厚部 105
底面 1051、2051
导孔 106、206
通槽 107、207
第二电极 20
第二本体部 201
第二凹槽 203
第二接引电极 204
第二增厚部 205
沟槽 30
反射杯 40
容置槽 41
发光二极管芯片 50
封装层 60
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参考图1至图3，本发明一实施例的发光二极管封装结构100，包括间隔设置的第一电极10和第二电极20、分别与第一电极10和第二电极20电连接的发光二极管芯片50以及围绕发光二极管芯片50设置的反射杯40，所述反射杯40具有一容纳发光二极管芯片50的容置槽41。
请同时参考图4至图6，该第一电极10包括一纵长的第一本体部101以及自第一本体部101的端部102垂直向下延伸的第一接引电极104。该第二电极20包括一纵长的第二本体部201以及自第二本体部201端部202垂直向下延伸的第二接引电极204。
该第一本体部101的端部102、第二本体部201的端部202分别自第一本体部101、第二本体部201的同侧朝向第一本体部101、第二本体部201凹陷形成一第一凹槽103、第二凹槽203。该第一本体部101、第二本体部201对应于第一凹槽103、第二凹槽203位置处的宽度（该宽度是指与第一电极10、第二电极20的延伸方向垂直的纵向宽度）小于对应第一本体部101、第二本体部201的剩余部分的宽度。该第一凹槽103、第二凹槽203分别由第一本体部101、第二本体部201的同侧先朝向第一本体部101、第二本体部201凹陷再水平向外一体延伸形成。
在本实施例中，第一本体部101的端部102、第二本体部201的端部202分别自第一本体部101、第二本体部201的两侧同时朝向第一本体部101、第二本体部201凹陷形成一对第一凹槽103、一对第二凹槽203。该对第一凹槽103对称设置于第一本体部101的端部102的相对两侧。该对第二凹槽203对称设置于第二本体部201的端部202的相对两侧。该第一本体部101的端部102的宽度沿远离第二电极20的方向先逐渐变窄，延伸一段距离之后该宽度不再变化。该第二本体部201的端部202的宽度沿远离第一电极10的方向先逐渐变窄，延伸一段距离之后该宽度也不再变化。
该第一本体部101包括相对设置的上表面1011和下表面1012。该第一本体部101上开设有至少一贯穿第一本体部101上表面1011和下表面1012的导孔106。该第二本体部201包括相对设置的上表面2011和下表面2012。该第二本体部201上开设有至少一贯穿第二本体部201上表面2011和下表面2012的导孔206。
该第一电极10靠近第二电极20的一端朝向远离第一电极10的第一本体部101的下表面1012的方向向下凸出延伸形成一第一增厚部105，该第二电极20靠近第一电极10的一端朝向远离第二电极20的第二本体部201的下表面2012的方向向下凸出延伸形成一第二增厚部205。该第一增厚部105、第二增厚部205分别自第一本体部101的下表面1012、第二本体部201的下表面2012向下垂直延伸而出。该第一增厚部105、第二增厚部205的宽度（该宽度是指与第一电极10、第二电极20的延伸方向垂直的纵向宽度）分别小于第一本体部101、第二本体部201的宽度。
该第一增厚部105的远离第一本体部101的底面1051、该第二增厚部205的远离第二本体部201的底面2051分别与第一接引电极104远离第一本体部101的底面、第二接引电极204远离第二本体部201的底面（未标示）平齐。
相邻的第一电极10和第二电极20之间形成一沟槽30用以绝缘性阻断该第一电极10和第二电极20。该第一本体部101与第一接引电极104共同围设形成一通槽107，该第二本体部201与第二接引电极204共同围设形成一通槽207。该通槽107、207的顶端分别与导孔106、206连通。该沟槽30分别与通槽107、207横向（沿第一电极10、第二电极20的延伸方向）连通。
请再次参考图1至图3，该第一本体部101、第二本体部201嵌置于反射杯40内。该第一本体部101的端部102、第二本体部201的端部202分别从反射杯40相对的两侧（沿第一电极10、第二电极20的延伸方向）凸伸而出。该第一接引电极104、第二接引电极204暴露于反射杯40之外。该第一增厚部105的底面1051、第二增厚部205的底面2051均外露于反射杯40外。
该反射杯40的材质为环氧树脂、硅树脂、PPA（聚邻苯二酰胺树脂）中的任一种。该反射杯40通过注塑的方式一体成型。
该容置槽41形成于该第一本体部101的上表面1011和第二本体部201的上表面2011上并向上贯穿该反射杯40。第一本体部101的上表面1011和第二本体部201的上表面2011部分外露于容置槽41的底部。
该发光二极管芯片50位于该容置槽41内并通过导线（未标示）分别连接至第一电极10和第二电极20。在本实施例中该发光二极管芯片50设置于第一电极10的第一本体部101的上表面1011上并通过导线分别与第一电极10和第二电极20电连接。可以理解地，在其他实施例中，该发光二极管芯片50还可以通过覆晶（Flip-Chip）的方式直接与第一电极10、第二电极20电连接。
该封装层60的材质为硅胶、环氧树脂或其他高分子化合物中的一种。优选地，该封装层60还包含有荧光粉或光学扩散粉，以用于转换或漫射该发光二极管芯片50发出的光线。
可以理解地，该第一本体部101、第二本体部201对应于第一凹槽103、第二凹槽203位置处的宽度小于第一本体部101和第二本体部201剩余部分宽度，当发光二极管封装结构100安装于电路板（图未示）上时，该第一凹槽103、第二凹槽203与电路板之间形成收容焊锡的空间以将该发光二极管封装结构100牢固焊接于电路板上。另外，该第一凹槽103、第二凹槽203的设置还能增加该反射杯40与第一电极10、第二电极20的接触面积，从而增加反射杯40与第一电极10、第二电极20的结合强度。
在本发明中，该反射杯40围绕第一电极10的该第一本体部101、第二本体部201嵌置于该反射杯40之内，第一接引电极104、第二接引电极204外露于反射杯40之外，这能有效提升发光二极管封装结构100的密合度。
其次，该第一增厚部105、第二增厚部205能增加该反射杯40与第一电极10、第二电极20的结合强度；同时在成型反射杯40时该导孔106、206内卡榫有成型反射杯40的高分子化合物，亦能增加该反射杯40与第一电极10、第二电极20的结合强度。
另外，在本发明中，该第一增厚部105的远离该第一本体部101的底面1051和该第二增厚部205的远离第二本体部201的底面2051分别外露于反射杯40的底部，这能增加第一电极10、第二电极20的散热面积，发光二极管芯片50工作时产生的热量能通过第一增厚部105的底面1051和第二增厚部205的底面2051散发到空气之中，从而有效提升该发光二极管封装结构100的散热效率。
可以理解的是，本发明第二实施例所述的发光二极管封装结构100还可以作为顶部发光型发光二极管封装结构使用，具体使用时发光二极管封装结构100通过第一增厚部105的底面1051和第二增厚部205的底面2051与外部电源电连接。
还可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，其特征在于：所述第一电极和第二电极均包括一纵长的本体部以及自本体部一端向下延伸的接引电极，所述第一电极的本体部位于接引电极的一端自本体部的同侧朝向本体部凹陷形成凹槽，第二电极的本体部位于接引电极的一端自本体部的同侧朝向本体部凹陷形成凹槽，所述第一电极的本体部、第二电极的本体部嵌置于所述反射杯内，所述第一电极的接引电极、第二电极的接引电极暴露于反射杯之外。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极的本体部对应凹槽处的宽度于第一电极的本体部剩余部分的宽度，第二电极的本体部对应凹槽处的宽度小于第二电极的本体部的剩余部分的宽度。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极上的凹槽由第一电极的本体部的一侧向朝向本体部凹陷再水平向外一体延伸形成，第二电极上的凹槽由第二电极的本体部的一侧向朝向本体部凹陷再水平向外一体延伸形成。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极的本体部和第二电极的本体部位于接引电极的一端分别自本体部的两侧同时朝向本体部凹陷形成一对凹槽。
5.如权利要求1-4项中任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极本体部和第二电极本体部分别从反射杯的相对两侧凸伸而出。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二电极均包括相对设置的顶面和底面，所述第一电极靠近第二电极的一端朝向远离第一电极底面的方向向下凸出延伸形成一第一增厚部，所述第二电极靠近第一电极的一端朝向远离第二电极底面的方向向下凸出延伸形成一第二增厚部。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极本体部上开设贯穿第一电极本体部上下表面的导孔，第二电极的本体部上开设贯穿第二电极本体部上下表面的导孔。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一增厚部远离第一电极的外表面和第二增厚部的远离第二电极的外表面分别外露于反射杯之外。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极的上表面部分暴露于所述反射杯的容置槽内，所述第二电极的上表面部分暴露于所述反射杯的容置槽内。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括填充于容置槽内并覆盖发光二极管芯片的封装层，所述封装层内包含用于转换发光二极管芯片的光线波长的荧光粉。
CN201210561831.7A 2012-12-22 2012-12-22 发光二极管封装结构 Pending CN103887400A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210561831.7A CN103887400A (zh) 2012-12-22 2012-12-22 发光二极管封装结构
TW101150001A TWI492424B (zh) 2012-12-22 2012-12-26 發光二極體封裝結構
US14/014,374 US20140175483A1 (en) 2012-12-22 2013-08-30 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210561831.7A CN103887400A (zh) 2012-12-22 2012-12-22 发光二极管封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103887400A true CN103887400A (zh) 2014-06-25

Family

ID=50956215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210561831.7A Pending CN103887400A (zh) 2012-12-22 2012-12-22 发光二极管封装结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20140175483A1 (zh)
CN (1) CN103887400A (zh)
TW (1) TWI492424B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601898A (zh) * 2015-10-19 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060043401A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High power light emitting diode package
TWM329244U (en) * 2007-10-01 2008-03-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode device
CN102122696A (zh) * 2009-12-01 2011-07-13 Lg伊诺特有限公司 发光装置及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
KR101626412B1 (ko) * 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN103050602B (zh) * 2011-10-11 2016-04-06 光宝电子(广州)有限公司 发光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060043401A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High power light emitting diode package
TWM329244U (en) * 2007-10-01 2008-03-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode device
CN102122696A (zh) * 2009-12-01 2011-07-13 Lg伊诺特有限公司 发光装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI492424B (zh) 2015-07-11
TW201427107A (zh) 2014-07-01
US20140175483A1 (en) 2014-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102414851B (zh) 发光模块、光源装置、液晶显示装置和发光模块的制造方法
US20080296590A1 (en) LED-Based Light Source Having Improved Thermal Dissipation
KR101181224B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US20170162477A1 (en) Lead frame and light emitting diode package having the same
JP2014049764A (ja) 側面型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
CN104022215B (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103050602A (zh) 发光装置
TWI509834B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN103972372A (zh) 发光二极管封装结构
US8791493B2 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
CN103579450B (zh) 发光二极管灯条
KR20140029200A (ko) 발광다이오드 패키지 구조 및 그 제작방법
KR101329194B1 (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
CN104103748B (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103887400A (zh) 发光二极管封装结构
KR101337598B1 (ko) 크기가 감소된 캐비티를 갖는 ｌｅｄ 패키지
CN210224030U (zh) 内置ic的led结构
CN107785475B (zh) 发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的led模组
KR20140008911A (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
CN104022214A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103427006B (zh) 发光二极管
CN104124330A (zh) 发光二极管模组
CN103682063A (zh) 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
KR101198860B1 (ko) 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
CN107146837B (zh) 一种双面侧发光的led光源单元及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140625