JP2009088304A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハ表面の検査結果はいわゆるウエハ・マップ・データとして表示画面に表示可能な形で電子情報処理システムに格納され、後の処理に活用される。従って、裏面検査の結果もウエハ・マップ・データに反映する必要があるが、欠陥や不良のあった裏面の位置と対応する表面の位置を検査者が判断して当該不良情報をウエハ・マップ上に登録する必要がある。しかし、このような表裏の対応付け作業はウエハの大型化に伴い著しく困難なものになってきている。
【解決手段】本願発明はウエハ・プロセス完成時の外観検査において、ウエハ裏面の不良位置と対応するウエハ表面の位置を自動的に対応させることで、ウエハ裏面の外観不良データのウエハ・マップ・データへの反映を確実にするものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法における外観検査技術に適用して有効な技術に関する。

日本特開２００３−２４７９５８号公報（特許文献１）には、ウエハの裏面の外観検査の結果をウエハの表面に連動させて、ウエハ表面の対応する位置にマーキングをする技術が開示されている。

日本特開２００２−３４０９９０号公報（特許文献２）には、ウエハの裏面からレーザを当ててウエハの表面を検査する欠陥検査方法において、その結果をウエハの表面に反映させるため、ウエハの表面から、その対応する位置にマーキング用レーザ光を照射する技術が開示されている。

日本特開平３−５２２４８号公報（特許文献３）には、ウエハのオリエンテーション・フラットをそろえるためのウエハ面を回転させることが可能なベルヌーイ・チャックを使用したウエハ・ハンドリング装置が開示されている。

日本特開２００４−３１９７２０号公報（特許文献４）には、通常のウエハ・チャックとベルヌーイ・チャックを近接対向させて、最初ウエハを通常のウエハ・チャックで保持して、ウエハの表面にベルヌーイ・チャックからの薬液・リンス液を供給して洗浄・リンスを施し、その後、そのままウエハをベルヌーイ・チャックに受け渡し、そこで乾燥する技術が開示されている。

特開２００３−２４７９５８号公報 特開２００２−３４０９９０号公報 特開平３−５２２４８号公報 特開２００４−３１９７２０号公報

パワーＭＯＳ ＦＥＴやダイオードなどの半導体装置（半導体デバイス）の製造においては、表面に対するウエハ・プロセス完成後、裏面電極の形成が必須となる。また、裏面電極の形成には、ウエハ・プロセス完成時の完成検査として、ウエハ表面および裏面に対して外観検査を実行する必要がある。

ところで、このウエハ表面の検査結果はいわゆるウエハ・マップ・データとして表示画面に表示可能な形で電子情報処理システムに格納され、後の処理に活用される。従って、裏面検査の結果もウエハ・マップ・データに反映する必要があるが、欠陥や不良のあった裏面の位置と対応する表面の位置を検査者が判断して当該不良情報をウエハ・マップ上に登録する必要がある。しかし、このような表裏の対応付け作業はウエハの大型化に伴い著しく困難なものになってきている。また、このような作業はウエハの反転を繰り返す場合が多いため、ハンドリングその他でウエハの主面（表面、裏面）を傷つける恐れが高いという問題がある。外観検査時に発生したウエハの傷等は原理的に検査後もウエハ・マップ・データに反映されないので、信頼性上の問題となる。

本発明の目的は、半導体装置（半導体集積回路装置）の製造プロセスの信頼性向上を図ることにある。

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

すなわち、本願発明はウエハ・プロセス完成時の外観検査において、ウエハ裏面の不良位置と対応するウエハ表面の位置を自動的に対応させることで、ウエハ裏面の外観不良データのウエハ・マップ・データへの反映を確実にするものである。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、ウエハ裏面の不良位置と対応するウエハ表面の位置が自動的に対応するようにしたので、ウエハ裏面の外観不良データのウエハ・マップ・データへの反映の容易化を図ることができる。

〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。

１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウエハの表面に対する第１の外観検査を実行する工程；
（ｂ）前記第１の外観検査の結果を、電子情報処理システムに格納する工程；
（ｃ）前記第１の外観検査の結果を、前記電子情報処理システムの表示画面に、ミラー反転した表面側ウエハ・マップ・データとして表示する工程；
（ｄ）前記ウエハの裏面に対する第２の外観検査を実行する工程；
（ｅ）前記第２の外観検査の結果を前記電子情報処理システムに格納する工程、
ここで、工程（ｅ）は以下の下位工程を含む：
（ｅ１）前記ウエハの前記裏面上の不良部分を第１のポインタで特定する工程；
（ｅ２）前記ウエハの前記裏面上の前記第１のポインタで特定した前記不良部分に対応する前記表面側ウエハ・マップ・データに前記不良部分に関する不良データを付加する工程。

２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１のポインタはレーザ・ポインタである。

３．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記不良部分の前記第１のポインタによる特定は、前記レーザ・ポインタのレーザ光束を前記ウエハの前記裏面上の前記不良部分の一点に一致させるか、または前記不良部分の外周を囲むことによって範囲を指定することによって行われる。

４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記電子情報処理システムの前記表示画面の第２のポインタと前記第１のポインタは、前記ウエハの前記表面および前記裏面において、相互に対応する位置を指すように連動可能とされている。

５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の外観検査と前記第２の外観検査は同一の外観検査装置内で行われる。

６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）の前に、更に以下の工程を含む：
（ｕ）前記ウエハの前記裏面に金属電極層を形成する工程。

７．前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｕ）の前に、更に以下の工程を含む：
（ｖ）前記ウエハの前記裏面にバック・グラインディング処理を施す工程。

８．前記７項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｖ）の前に、更に以下の工程を含む：
（ｗ）前記ウエハの前記表面にデバイス形成のためのウエハ・プロセスを実行する工程。

９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）の後に、更に以下の工程を含む：
（ｘ）前記ウエハに対してプローブ・テストを実行する工程。

１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）における前記ウエハの厚さは３００マイクロメータ未満である。

１１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウエハ外観検査装置の搬送機構の第１のベルヌーイ・チャックによりウエハの表面を非接触で吸着した状態で、前記ウエハ外観検査装置のポート上のウエハ収納容器から前記ウエハ外観検査装置内に、前記ウエハを移送する工程；
（ｂ）前記ウエハ外観検査装置内において、前記第１のベルヌーイ・チャックから外観検査ウエハ・ステージ上の第２のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの裏面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
（ｃ）前記ウエハ外観検査装置内において、前記ウエハの裏面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、前記ウエハの前記表面に対する第１の外観検査を実行する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記ウエハ外観検査装置内において、前記第２のベルヌーイ・チャックから前記第１のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの前記表面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハの前記表面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、前記ウエハをウエハ仮置き位置に移送する工程；
（ｆ）前記ウエハを前記ウエハ仮置き位置に仮置きする工程；
（ｇ）前記ウエハの前記裏面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、仮置きされた前記ウエハを、前記ウエハ仮置き位置から移送する工程；
（ｈ）前記第１のベルヌーイ・チャックから前記第２のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの表面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
（ｉ）前記ウエハの表面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、前記ウエハの前記裏面に対する第２の外観検査を実行する工程；
（ｊ）前記工程（ｉ）の後、前記第２のベルヌーイ・チャックから前記第１のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの前記裏面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
（ｋ）前記工程（ｊ）の後、前記第１のベルヌーイ・チャックにより前記ウエハの裏面を非接触で吸着した状態で、前記ポート上の前記または他のウエハ収納容器に、前記ウエハを移送する工程；
（ｌ）前記工程（ｋ）の後、前記第１のベルヌーイ・チャックによる吸着状態を解除する工程。

１２．前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記ウエハ仮置き位置は前記ウエハ外観検査装置内に設けられている。

１３．前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記ウエハ仮置き位置は前記または前記他のウエハ収納容器である。

１４．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）前記ウエハの裏面に対する外観検査を実行する工程；
（ｂ）前記外観検査の結果を電子情報処理システムに格納する工程、
ここで、工程（ｂ）は以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記ウエハの前記裏面上の不良部分をポインタで特定する工程；
（ｂ２）前記ウエハの前記裏面上の前記ポインタで特定した前記不良部分に対応する表面側ウエハ・マップ・データに前記不良部分に関する不良データを付加する工程。

１５．前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記外観検査は前記ウエハの表面が第１のベルヌーイ・チャックに非接触で吸着された状態で行われる。

１６．前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記第１のベルヌーイ・チャックとウエハ収納容器間の前記ウエハの搬送は、第２のベルヌーイ・チャックに前記ウエハの前記表面又は前記裏面が非接触で吸着された状態で行われる。

１７．前記１５または１６項の半導体装置の製造方法において、前記外観検査は以下の下位工程を含む：
（ａ１）前記ウエハの前記表面が前記第１のベルヌーイ・チャックに非接触で吸着された状態で、前記ウエハの前記裏面に斜め方向から光を照射しながら前記ウエハを揺動させる工程。

１８．前記１４から１７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記ポインタはレーザ・ポインタである。

１９．前記１４から１８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記不良部分の前記ポインタによる特定は、前記レーザ・ポインタのレーザ光束を前記ウエハの前記裏面上の前記不良部分の一点に一致させるか、または前記不良部分の外周を囲むことによって範囲を指定することによって行われる。

２０．前記１４から１９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）の前に、更に以下の工程を含む：
（ｕ）前記ウエハの前記裏面に金属電極層を形成する工程。

〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。

２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。

３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。

４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。

５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。未加工のものだけでなく、半導体装置の製造プロセス途上のものも含む。

６．「外観検査」とは、一般に対象物の外観を見て傷、異物、シミ、汚れ等（以下「傷等」と言う）の有無を検査することを言う。ウエハについての外観検査は、通常、ミクロ的な傷等は自動で検査され、マクロ的な傷等は投光器、スリットランプなどで遮光照明して目視で行われる。

７．「ウエハ主面」とは、側面をのぞく、ウエハの表面、および裏面を言う。未加工のものだけでなく、半導体装置の製造プロセス途上のものも含む。

８．「ウエハ表面」とは、ウエハの表側主面、すなわち、薄膜積層、薄膜パターニングを繰り返して素子を形成するデバイス面を言う。

９．「ウエハ裏面」とは、ウエハ表面と反対側の主面を言う。

１０．「ウエハについて非接触」とは、ここでは主面が保持部材（ベルヌーイ・チャック）に接触しないことを言う。従って、ベルヌーイ・チャックのウエハ周辺をガードする爪等がウエハの側面と接触しても、やはり「非接触」という。なお、「ベルヌーイ・チャック」とは板状物（ウエハ）の一主面に中央から周辺に向かう気流（または主面に平行な気流）を形成することで、その気流の側圧（負圧）で板状物を非接触で吸引・保持する板状物保持部材である。一般に横方向のウエハのずれを防止するために板状物をガードする爪または周辺ガイド部材が設けられている。

１１．「ウエハ・プロセス」とは、主にウエハの表面に洗浄、酸化、薄膜積層、薄膜パターニングを繰り返して素子を形成する一連のプロセスを言う。

１２．「ポインタ」とは、ウエハ等の現実の被検査対象物上、または表示画面上で特定の座標を特定する矢印、点（レーザ・ポインタによるレーザ・スポット等を含む）、十字状等のマークで、通常電子情報処理システムのポインティング・デバイス（たとえばマウス）の操作に従って移動するものである。具体的には、マウス・ポインタやレーザ・ポインタ等である。

１３．「特定する」とは、ここでは主にポインタを、不良部分（微細なもの）の１点に合わせたり、不良部分（比較的大きなもの）の周囲を周回させて範囲を明確にすることを言う。

１４．「ウエハ・マップ・データ」とは、ウエハ上のチップ配列（ほぼ物理的な配置に対応するか、またはそのミラー反転）を地図のように画像化して表示したもので、各種の検査結果（異物検査、欠陥検査、外観検査、プローブテスト等の電気的検査等）による不良等の位置と各チップの関係を見ることができるものを言う。一般にウエハ・マップ・データに不良情報を付加することを「不良化」という。この不良化により、ウエハ・マップ・データを参照して、プローブテストで当該チップをスキップしたり、ダイ・ボンディング等でも不良化されたチップ領域をスキップする（ピックアップしない）ことにより、工程の簡略化および製品の高信頼化を図っている。

〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。

１．本実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスの概要説明（主に図１から６）
図１は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査（裏面検査）プロセスの概要を説明する概念図である。同図(a)は現実のウエハ１の裏面１bであり、同図(b)は現実のウエハ１の表面１aをミラー反転したものである。そうしないと、裏面の位置と表面の位置の対応を取る際に逐一ミラー反転操作をする必要があり、ウエハ・マップ・データ３という直感的なデータ形式にしたメリットが大幅に減少してしまうからである。このようにすると、ウエハ裏面の不良箇所２（不良部分）が電子情報処理システム（ＰＣ等）の画面上におけるウエハ表面のウエハ・マップ・データ３とが、そのまま対応することになる。

図２は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスの流れを示すブロック・フロー図である。図３は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスに用いる外観検査装置の主要部の構成および働きを示す装置模式図である。図２および図３に基づいて、外観検査プロセスの流れを説明する。

検査に際してウエハ１は、まずウエハ・ステージ５２上のベルヌーイ・チャック５１に表面を上にして、裏面がチャック面に非接触の状態で保持される。ベルヌーイ・チャック５１の周辺部にはウエハ１のずれを防止するための数個のガイド部材又はつめ６０が設けられている。この状態で、ウエハ表面に対する外観検査１０１が行われる。検査は投光器５４等で斜光照明して、その反射光を光検知器５５または目視で確認する。基本的には、検査においてはミクロな外観不良は光検知器５５からの画像データにより自動認識して必要に応じて候補を表示画面５８上のウエハ・マップ・データ３上または関連する画面上に表示して、最終的に検査者が確認してウエハ・マップ・データ３上に不良データを登録する。一方、マクロな外観不良は目視で確認し、検査者がウエハ・マップ・データ３上に不良データを登録する。この結果は、その場でウエハ・マップ・データ３上に反映される（ウエハ表面外観検査結果表示ステップ１０２）。また、検査においては、照明角度や反射角度変更のため、ウエハ・ステージ５２が揺動可能または傾けることができるようになっている。不良箇所２の特定はコンピュータ５７に接続されたマウス５９を操作して、ウエハ表面上でレーザ・ポインタ５３等で当該部分を照らすこと等によって行われる。このとき画面５８のマウス・ポインタ５６はウエハ１の表面上の不良箇所２に対応するウエハ・マップ・データ３上の不良箇所２を指しているので、不良データの登録はたとえばその状態でマウス５９で登録操作をすればよい。なお、レーザ・ポインタの操作もマウス５９の操作で行え、両ポインタの指す位置は連動している。すなわち、対応する位置を指す。

表面の検査が完了すると、搬送用のベルヌーイ・チャックによってウエハ１が反転され、再び検査用のベルヌーイ・チャック５１にウエハ１が表面がチャックの表面に接触しない状態で保持される。この状態でウエハ裏面外観検査１０３が行われる。検査の仕方は、基本的に表面のときと同じであるが、今度は表面検査の結果が、ウエハ・マップ・データ３上に反映されている点が異なる。また、裏面検査のため、表示されるウエハ・マップ・データ３は、先ほどの表面検査のときのものとミラー反転の関係にある。すなわち、ウエハの裏から表面のチップ配列を見たものとなる。一般にこのミラー反転されたウエハ・マップ・データ３を参照しながら、裏面の検査が行われる。基本的には、検査においてはミクロな外観不良は光検知器５５からの画像データにより自動認識して必要に応じて候補を表示画面５８上のミラー反転されたウエハ・マップ・データ３上または関連する画面上に表示して、最終的に検査者が確認してミラー反転されたウエハ・マップ・データ３上に不良データを登録する。一方、マクロな外観不良は目視で確認し、検査者がミラー反転されたウエハ・マップ・データ３上に不良データを登録する。この結果は、その場でミラー反転されたウエハ・マップ・データ３上に反映される。また、検査においては、照明角度や反射角度変更のため、ウエハ・ステージ５２が揺動可能または傾けることができるようになっている。不良箇所２の特定はコンピュータ５７に接続されたマウス５９を操作して、ウエハ裏面上でレーザ・ポインタ５３等で当該部分を照らすこと等によって行われる（裏面不良箇所特定工程１０４）。このとき画面５８のマウス・ポインタ５６はウエハ１の裏面上の不良箇所２に対応するミラー反転されたウエハ・マップ・データ３上の不良箇所２を指しているので、不良データの登録はたとえばその状態でマウス５９で登録操作をすればよい（裏面不良箇所登録工程１０５）。なお、レーザ・ポインタの操作もマウス５９の操作で行え、両ポインタの指す位置は連動している。すなわち、対応する位置を指す。

次に、以上の動作を制御系の面から説明する。図４は図３を制御系の面から説明した装置ブロック図である。外観検査装置６２は独立の装置であるが、ウエハ・マップ・データ３を管理する電子情報処理システム６１からの制御も受ける。すなわち、裏面検査の場合、ミラー反転されたウエハ・マップ・データ３（ウエハ表面のもの）が表示画面５８に表示されており、マウス５９の操作によって、マウスポインタ５６の指す位置は移動する。それに伴ってレーザポインタの位置が移動するようにレーザポインタ制御系６３がレーザポインタを制御して、マウスポインタ５６の指す位置のちょうど裏側を指すように制御する。検査中のステージの傾き調整はステージ制御系６５により行われる。これはウエハ１の傾きを変えることにより、照明光の反射の仕方を調整することで、傷等の目視による認識を容易にするためである。一方、微細な傷等は検出データ処理系６６により、自動認識されて傷等の候補を表示画面５８に表示する。この傷等の不良箇所候補は最終的に検査者により確認されて、画面上で登録される。登録されたデータはウエハ・マップ・データ３上に反映される。

次に以上の処理を操作面から説明する。図５は裏面検査時の不良箇所登録の操作手順を説明する処理ブロック・フロー図である。まず、不良箇所があると実際のウエハ１の裏面上でレーザポインタを操作して、当該部分にレーザーポインタを合わせるか、またはその外周を周回して範囲を指定する（不良箇所特定ステップ１１１）。その際、表示画面５８（図４）ではこれに対応して、不良箇所が特定されている。すなわち、対応する表面座標または表面領域が自動的に選択されている（ウエハ・マップ・データ上での位置特定ステップ１１２）。その状態で不良の分類・属性等を選択して、不良データ１５９をウエハ・マップ・データ３（図４）に付加する（不良データ付加ステップ１１３）。このようにすることで、当該表面座標または表面領域と重なりを持つすべてのチップ領域について当該不良データが付加される。

図６は、不良箇所特定およびその登録の具体的手順を説明するためのウエハ裏面図（図６の(a)）およびウエハ表面のウエハ・マップ・データ表示画面図（図６の(b)）である。図６に基づいて、図５で説明した不良箇所特定およびその登録の具体的手順を説明する。外観不良が点状不良２aの場合は、通常それの関係するチップ領域は単一のチップであるから、そのチップのみが不良データを登録する対象として選択される。

また、外観不良が円形状不良２bや多角形不良２c（曲線および直線で囲まれた領域を含む）の場合は、当該領域の外周をレーザ・ポインタ５３で周回することによって、画面上でも対応するマウス・ポインタ５６が同領域を周回する。これによって、不良領域と重なりを持つチップ領域すべてが不良データを付加すべきチップ領域として選択される。

２．本実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスに使用するベルヌーイチャックの説明（主に図７から９）
図７は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおけるベルヌーイ・チャック間でのウエハの受け渡し手順を示すブロック・フロー図である。図８は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおける搬送用ベルヌーイ・チャックによるウエハ吸着の状態を説明する断面図（図８(a)）および上面図（図８(b)）である。図９は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおける検査用ベルヌーイ・チャックによるウエハ吸着の状態を説明する断面図（図９(a)）および上面図（図９(b)）である。

図７から９に基づいて、外観検査に使用する２種類のベルヌーイ・チャックとその間のウエハの受け渡しについて、その動作の概要を説明する。図８に示すように、搬送用ベルヌーイ・チャック７２はガス経路７３を通してドライエアーまたは窒素ガスをウエハ１に対して斜め外周方向に放射状に噴出すことで、ガス流の側圧（ウエハの反対側の大気圧を基準として負圧）でウエハ１を非接触で吸着している。ウエハ１が搬送用ベルヌーイ・チャック７２の表面に近づくと、法線方向のガスの動圧が作用してウエハ１を遠ざけるようになっている。ガス噴出し口はガス噴出し口配置領域７４に複数個設けられている。ベルヌーイ・チャックの吸着メカニズムにはウエハ１の横方向のずれを補償する作用はほとんどないので、横ずれを防止するためにガイドピン７１（ガイド爪）が複数設けられている。

同様に図９に示すように、検査用ベルヌーイ・チャック５１はガス経路７８を通してドライエアーまたは窒素ガスをウエハ１に対して斜め外周方向に放射状に噴出すことで、ガス流の側圧（ウエハの反対側の大気圧を基準として負圧）でウエハ１を非接触で吸着している。ウエハ１が検査用ベルヌーイ・チャック５１の表面に近づくと、法線方向のガスの動圧が作用してウエハ１を遠ざけるようになっている。ガス噴出し口はガス噴出し口配置領域７７に複数個設けられている。先に説明したようにベルヌーイ・チャックの吸着メカニズムにはウエハ１の横方向のずれを補償する作用はほとんどないので、横ずれを防止するためにガイドピン６０（ガイド爪）が複数設けられている。

外観検査ではウエハの両面を検査する必要があるため、ウエハ１の反転が必須である。また、外観検査の性質上、検査時に生じた傷等は検査の対象とならない場合が多く、検査自体による傷等の発生を極力低減する必要がある。そのため、本実施形態では被検査面であるウエハ主面を非接触でハンドリングが可能なベルヌーイ・チャックを複数個用いて、その間でウエハの受け渡しを直接行うことで、傷等の発生を防止している。

次にベルヌーイ・チャック間のウエハの受け渡し手順の概略を説明する。図７に示すように、まず、搬送用ベルヌーイ・チャック７２がウエハの一つの主面を保持して、検査用ベルヌーイ・チャック５１に近づく（搬送用ベルヌーイ・チャック接近ステップ１２１）。搬送用ベルヌーイ・チャック７２に保持されたウエハ１の他の主面が検査用ベルヌーイ・チャック５１に十分に接近した時点で、検査用ベルヌーイ・チャック５１の吸着ガス噴出しが開始する（検査用ベルヌーイ・チャック・ガス噴出し開始ステップ１２３）。このとき、両ベルヌーイ・チャックともに吸着ガスを噴出しているので、ウエハ１は両チャックから引かれることになる。続いて、搬送用ベルヌーイ・チャック７２のガス噴出しが停止されると（搬送用ベルヌーイ・チャック・ガス停止ステップ１２４）、ウエハ１は急速に検査用ベルヌーイ・チャック５１側に移動する（ウエハ移し変えステップ１２５）。最後に、搬送用ベルヌーイ・チャック７２が退避する（搬送用ベルヌーイ・チャック退避ステップ１２６）。

このように、搬送用ベルヌーイ・チャック７２と検査用ベルヌーイ・チャック５１を分けたのは、以下の理由による。検査用ベルヌーイ・チャック５１はウエハ１を傾ける等の精密な制御が必要であるため、相当の高さ方向の寸法を必要とする。一方、搬送用ベルヌーイ・チャック７２は比較的狭いスロットの中に入り込まなければならないので、きわめて薄く作る必要があったからである。また、ベルヌーイ・チャック同士の受け渡し方式とした理由は、外観検査中の傷等の発生は検査の対象とならない可能性が高いからである。

なお、外観検査全体の中でのウエハ受け渡し手順の詳細については、セクション４で詳述する。

３．本実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスで使用する概観検査装置および電子情報処理システムの全体構成の説明（主に図１０）
図１０は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスに用いる外観検査装置全体の構成および働きを示す装置模式図である。図１０に示すように、複数の被検査ウエハはウエハ収納容器８５に収容された状態で外観検査装置６２のウエハ待機領域７９内のウエハポート８４上に置かれる。そこから被検査ウエハ１は一枚ずつ非接触状態でウエハ搬送機構８１の搬送用ベルヌーイ・チャック７２により、検査ステージ５２上の検査用ベルヌーイ・チャック５１上に表面を上にした状態で移され、そこで非接触状態で表面の検査が行われる。このとき、電子情報処理システム６１の画面にはウエハ表面のウエハ・マップ・データ３（ミラー反転していないもの）が表示される。ウエハ１は再び搬送用ベルヌーイ・チャック７２により、非接触状態で仮置き位置８３（仮置きバー８２）上に移送される。なお、仮置きは特別な仮置き場所を設けるほか、元の又は他のウエハ収納容器の元のまたは他のスロットを仮置き場所としてもよい。ここで、搬送用ベルヌーイ・チャック７２により、ウエハ反転操作が行われ、非接触状態で検査ステージ５２上の検査用ベルヌーイ・チャック５１上に裏面を上にした状態で移され、そこで非接触状態で裏面の検査が行われる。このとき、電子情報処理システム６１の画面にはウエハ表面のミラー反転したウエハ・マップ・データ３が表示される。検査が終了するとウエハ１は非接触状態でウエハ搬送機構８１の搬送用ベルヌーイ・チャック７２により、ウエハ収納容器８５に戻される。

ここでは、一枚のウエハについて連続して同一のウエハの表面と裏面の外観検査を実施する方法を説明したが、最初にすべてのウエハの表面を検査して、検査が終わったら仮置き場所（たとえば元のウエハ収納容器）に戻し、その後、すべてのウエハの裏面を検査してもよい。表面および裏面検査の順は、逆でもよいが、表面を先にすると、表面検査の情報を参照して裏面検査ができるので、効率的である。たとえば、表面欠陥等がある部分は、スキップして時間を節約できる。また、裏面と関係がありそうなカテゴリーの表面欠陥部分に対応する裏面部分を特に集中的に検査することが可能なる。

４．本実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおけるウエハ搬送の説明（主に図１１から２２）
図１１から図２１は、本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスの詳細な流れを示すプロセス断面または上面フロー図である。図２２は、本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおける外観検査装置内でのウエハの流れを示す処理ブロック・フロー図である。これらに基づいて、外観検査プロセスの詳細な流れを説明する。

図１１に示すように、はじめ被検査ウエハ１はウエハ収納容器８５内のスロット８６に一枚ずつ表面が上を向いた状態で収容され、外観検査装置のウエハ・ポートにセットされる（ウエハ・マガジン・セット工程１３１；図２２以下同じ）。ここで、図１２に示すように、搬送用ベルヌーイ・チャック７２が上からウエハ１を保持するために接近してくる。次に図１３に示すように、ウエハ１の表面を吸着した状態で、搬送用ベルヌーイ・チャック７２が検査用ベルヌーイ・チャック５１に接近し（チャック搬送工程１３２）、ウエハ１を検査用ベルヌーイ・チャック５１上に移し変える（移し変え工程１３３）。このときウエハ１は表面を上に向けている（検査チャック吸着工程１３４）。すなわち、図１４に示すように、ウエハ１の裏面の裏面電極５を下にして、ウエハ１の表面の多層膜６を上にしている。この状態で表面に対する外観検査が実行される（表面外観検査工程１３５）。表面検査が終わると図１５に示すように、搬送用ベルヌーイ・チャック７２が検査用ベルヌーイ・チャック５１に接近し、ウエハ１を検査用ベルヌーイ・チャック５１上から搬送用ベルヌーイ・チャック７２に移し変える（移し変え工程１３６）。搬送用ベルヌーイ・チャック７２に表面を吸着されて搬送されたウエハ１（チャック搬送工程１３７）は図１６に示すように、仮置きバー８２上に表面を上にした状態で一時的に置かれる（仮置き工程）。そこで、搬送用ベルヌーイ・チャック７２は上下反転して、下からウエハ１に接近し、ウエハ１の裏面を吸着し、再び検査用ベルヌーイ・チャック５１へ向けて移送する（チャック搬送工程１３９）。図１８に示すように、途中で、搬送用ベルヌーイ・チャック７２がウエハ１の裏面を吸着したまま上下反転して（ウエハ反転工程１４０）、ウエハ１の裏面を上にした状態で検査用ベルヌーイ・チャック５１接近し、ウエハ１を移し変える（移し変え工程１４１）。ここで、図１９に示すように、ウエハ１は裏面を上にした状態で表面を非接触で検査用ベルヌーイ・チャック５１に吸着されている（検査チャック吸着工程１４２）。この状態で裏面の外観検査が実行される（裏面外観検査工程１４３）。外観検査がすべて終了すると図２０に示すように、再び搬送用ベルヌーイ・チャック７２が検査用ベルヌーイ・チャック５１に接近して、ウエハ１を検査用ベルヌーイ・チャック５１から受け取り（受け渡し工程１４４）、ウエハ１の裏面を吸着して、ウエハ収納容器８５に向けて搬送する（チャック搬送工程１４５）。最終的に図２１に示すように、ウエハ１は上下反転された後（ウエハ反転工程１４６）、同一のまたは他のウエハ収納容器８５の元の位置または他の位置に戻される（ウエハ容器収納工程１４７）。このとき、搬送用ベルヌーイ・チャック７２の吸着ガスの吹き出しが停止されて、ウエハ１の吸着が解除される。なお、通常は同一のウエハ収納容器８５の元の位置に戻される。

５．本実施形態の半導体装置の製造方法によって製造したデバイス構造の説明（主に図２３から２４）
図２３は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法によって製造した半導体装置の一例である縦型パワーＭＯＳ ＦＥＴのデバイス斜視図である。図２４は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法によって製造した半導体装置の一例である縦型パワーＭＯＳ ＦＥＴのデバイス要部断面図である。以下これらに基づいて、縦型パワーＭＯＳデバイス構造の概要を説明する。

両図において、ｎ＋シリコン基板１の裏面には裏面電極５が設けられている。ｎ＋シリコン基板１の表面にはｎ−エピタキシャル層１４がある。その中にはｎ＋ソース領域１５、ｐ型チャネル領域１７、ｐ＋領域１６等が設けられている。ｎ−エピタキシャル層１４の上面またはその上方にはゲート絶縁膜１２a、シリコン酸化膜１２、ポリシリコン・ゲート電極１３、ソース・メタル膜１１、ゲート・アルミニウム・パッド２１等が設けられている。

６．本実施形態の半導体装置の製造方法の全体プロセスの説明（主に図２５から３２）
図２５は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法における全体プロセスを示すプロセス・ブロック・フロー図である。図２６から図３２は本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ表面プロセスから裏面電極形成プロセスまでのデバイス断面図である。以下これらに基づいてウエハ表面プロセスから組立工程までにプロセスの流れを説明する。

図２６に示すように、ウエハ１の表面に対して、多層構造膜６（一部ウエハまたはエピタキシャル層の表面領域を含む）を形成するための酸化工程、不純物ドープ工程、膜堆積工程、露光、エッチング等のパターニング工程、その他熱処理工程等の多数のウエハ表面処理が実行される（表面デバイス・プロセス１５１；図２５以下同じ）。次に図２７に示すように、ウエハの表面にＢＧテープ７を貼り付けた状態でウエハの裏面に対して裏面研削８（バック・グラインディング）を行う（裏面研削工程１５２）。続けて、ウエハの裏面に対して裏面研削でのひずみを除去するために裏面のケミカル・エッチング９を行う（裏面エッチング１５３）。

裏面エッチング１５３が終了すると、図２９に示すようにＢＧテープ７を剥離する。次に図３０に示すように、ウエハの裏面に、バリア膜として、たとえば１００nm程度の厚さのチタン膜５aがスパッタリングにより形成される。続いて、図３１に示すように、ダイ・ボンディング時の密着性向上のための中間層として、たとえば２００nm程度の厚さのニッケル膜５bがスパッタリングにより形成される。更に図３２に示すように、ニッケルの酸化防止のためのトップ・コート膜として、たとえば１００nm程度の厚さの金膜がスパッタリングにより形成される（以上が裏面スパッタリング工程１５４である）。

なお、裏面電極としては、トップ・コート膜からバリア膜の順で以下のような例がある。すなわち、Ａｕのみ、Ａｕ/ＡｕＳｂ/Ａｕ、Ａｕ/Ｎｉ/Ｔｉ/Ｎｉシリサイド、Ａｇ/Ｎｉ/Ｔｉ、Ａｇ/Ｎｉ/Ｎｉシリサイド等である。

次に、図２５に示すように、ウエハの表面および裏面の外観検査を先に説明したごとく実施する（外観検査工程１５５）。更にウエハ・プローブ・テスト１５６を実行する。その後、ウエハ１を個々のチップ領域に分割した後、組立工程１５７を実行する。

７．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態では縦型パワーＭＯＳ ＦＥＴ等の製造プロセスを例にとり説明したが、本願はそれに限定されるのもではなく、その他の種類のパワー・デバイス、ダイオード、裏面金属電極を有する半導体集積回路装置等の製造プロセスにも適用できることは言うまでもない。

本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査（裏面検査）プロセスの概要を説明する概念図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスの流れを示すブロック・フロー図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスに用いる外観検査装置の主要部の構成および働きを示す装置模式図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスに用いる外観検査装置と電子情報処理装置との関係を示すシステム模式図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の裏面外観検査プロセスの流れを示すブロック・フロー図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の裏面外観検査プロセスにおける不良部分の特定の手法を示す説明図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおけるベルヌーイ・チャック間でのウエハの受け渡し手順を示すブロック・フロー図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおける搬送用ベルヌーイ・チャックによるウエハ吸着の状態を説明する断面図（図８(a)）および上面図（図８(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおける検査用ベルヌーイ・チャックによるウエハ吸着の状態を説明する断面図（図９(a)）および上面図（図９(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスに用いる外観検査装置全体の構成および働きを示す装置模式図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、被検査ウエハをウエハ容器に収容した状態で外観検査装置のロードポートにセットした状態を示す断面図（図１１(a)）および上面図（図１１(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、ウエハ容器に収容された被検査ウエハを搬送用ベルヌーイ・チャックがとりに行った状態を示す断面図（図１２(a)）および上面図（図１２(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、表面外観検査のため被検査ウエハを搬送用ベルヌーイ・チャックから検査用ベルヌーイ・チャックへ移し変えている状態を示す断面図（図１３(a)）および上面図（図１３(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、検査用ベルヌーイ・チャック上で表面外観検査をしている状態を示す断面図（図１４(a)）およびウエハ部分拡大断面図（図１４(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、ウエハ反転のため被検査ウエハを検査用ベルヌーイ・チャックから搬送用ベルヌーイ・チャックへ移し変えている状態を示す断面図（図１５(a)）および上面図（図１５(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、ウエハ反転のため被検査ウエハを搬送用ベルヌーイ・チャックから仮置きバー（仮置き位置）上にへ移し変えている状態を示す断面図（図１６(a)）および上面図（図１６(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、ウエハ反転のため被検査ウエハを搬送用ベルヌーイ・チャックが仮置きバー（仮置き位置）上のウエハへ下方から接近している様子を示す断面図（図１７(a)）および上面図（図１７(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、ウエハ反転後に裏面外観検査のため、被検査ウエハを搬送用ベルヌーイ・チャックから検査用ベルヌーイ・チャックへ移し変えている状態を示す断面図（図１８(a)）および上面図（図１８(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、検査用ベルヌーイ・チャック上で裏面外観検査をしている状態を示す断面図（図１９(a)）およびウエハ部分拡大断面図（図１９(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、ウエハを収納容器に戻すのため被検査ウエハを検査用ベルヌーイ・チャックから搬送用ベルヌーイ・チャックへ移し変えている状態を示す断面図（図２０(a)）および上面図（図２０(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおいて、外観検査終了後、ウエハを収納容器に戻している状態を示す断面図（図２１(a)）および上面図（図２１(b)）である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハプロセス完成時の外観検査プロセスにおける外観検査装置内でのウエハの流れを示す処理ブロック・フロー図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法によって製造した半導体装置の一例である縦型パワーＭＯＳ ＦＥＴのデバイス斜視図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法によって製造した半導体装置の一例である縦型パワーＭＯＳ ＦＥＴのデバイス要部断面図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法における全体プロセスを示すプロセス・ブロック・フロー図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ表面プロセスに関するデバイス断面図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ・バック・グラインディング・プロセスに関するデバイス断面図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面エッチング・プロセスに関するデバイス断面図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ・バック・グラインディング・テープ除去プロセスに関するデバイス断面図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面電極スパッタリング（チタン）・プロセスに関するデバイス断面図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面電極スパッタリング（ニッケル）・プロセスに関するデバイス断面図である。 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法におけるウエハ裏面電極スパッタリング（金）・プロセスに関するデバイス断面図である。

符号の説明

１ ウエハ
１ａ ウエハの表面（デバイス面）
１ｂ ウエハの裏面
２ 不良部分
３ ウエハ・マップ・データ
５３ 第１のポインタ（ポインタ）
５８ 表示画面
６１ 電子情報処理システム
１０１ 第１の外観検査
１０３ 第２の外観検査
１５９ 不良データ

Claims (20)

1. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）ウエハの表面に対する第１の外観検査を実行する工程；
   （ｂ）前記第１の外観検査の結果を、電子情報処理システムに格納する工程；
   （ｃ）前記第１の外観検査の結果を、前記電子情報処理システムの表示画面に、ミラー反転した表面側ウエハ・マップ・データとして表示する工程；
   （ｄ）前記ウエハの裏面に対する第２の外観検査を実行する工程；
   （ｅ）前記第２の外観検査の結果を前記電子情報処理システムに格納する工程、
   ここで、工程（ｅ）は以下の下位工程を含む：
   （ｅ１）前記ウエハの前記裏面上の不良部分を第１のポインタで特定する工程；
   （ｅ２）前記ウエハの前記裏面上の前記第１のポインタで特定した前記不良部分に対応する前記表面側ウエハ・マップ・データに前記不良部分に関する不良データを付加する工程。
2. 前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１のポインタはレーザ・ポインタである。
3. 前記２項の半導体装置の製造方法において、前記不良部分の前記第１のポインタによる特定は、前記レーザ・ポインタのレーザ光束を前記ウエハの前記裏面上の前記不良部分の一点に一致させるか、または前記不良部分の外周を囲むことによって範囲を指定することによって行われる。
4. 前記３項の半導体装置の製造方法において、前記電子情報処理システムの前記表示画面の第２のポインタと前記第１のポインタは、前記ウエハの前記表面および前記裏面において、相互に対応する位置を指すように連動可能とされている。
5. 前記４項の半導体装置の製造方法において、前記第１の外観検査と前記第２の外観検査は同一の外観検査装置内で行われる。
6. 前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）の前に、更に以下の工程を含む：
   （ｕ）前記ウエハの前記裏面に金属電極層を形成する工程。
7. 前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｕ）の前に、更に以下の工程を含む：
   （ｖ）前記ウエハの前記裏面にバック・グラインディング処理を施す工程。
8. 前記７項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｖ）の前に、更に以下の工程を含む：
   （ｗ）前記ウエハの前記表面にデバイス形成のためのウエハ・プロセスを実行する工程。
9. 前記８項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｅ）の後に、更に以下の工程を含む：
   （ｘ）前記ウエハに対してプローブ・テストを実行する工程。
10. 前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）における前記ウエハの厚さは３００マイクロメータ未満である。
11. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
    （ａ）ウエハ外観検査装置の搬送機構の第１のベルヌーイ・チャックによりウエハの表面を非接触で吸着した状態で、前記ウエハ外観検査装置のポート上のウエハ収納容器から前記ウエハ外観検査装置内に、前記ウエハを移送する工程；
    （ｂ）前記ウエハ外観検査装置内において、前記第１のベルヌーイ・チャックから外観検査ウエハ・ステージ上の第２のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの裏面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
    （ｃ）前記ウエハ外観検査装置内において、前記ウエハの裏面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、前記ウエハの前記表面に対する第１の外観検査を実行する工程；
    （ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記ウエハ外観検査装置内において、前記第２のベルヌーイ・チャックから前記第１のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの前記表面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
    （ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハの前記表面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、前記ウエハをウエハ仮置き位置に移送する工程；
    （ｆ）前記ウエハを前記ウエハ仮置き位置に仮置きする工程；
    （ｇ）前記ウエハの前記裏面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、仮置きされた前記ウエハを、前記ウエハ仮置き位置から移送する工程；
    （ｈ）前記第１のベルヌーイ・チャックから前記第２のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの表面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
    （ｉ）前記ウエハの表面を非接触で前記第２のベルヌーイ・チャックが吸着した状態で、前記ウエハの前記裏面に対する第２の外観検査を実行する工程；
    （ｊ）前記工程（ｉ）の後、前記第２のベルヌーイ・チャックから前記第１のベルヌーイ・チャックへ、前記ウエハの前記裏面を非接触で前記第１のベルヌーイ・チャックが吸着するように、前記ウエハを移し変える工程；
    （ｋ）前記工程（ｊ）の後、前記第１のベルヌーイ・チャックにより前記ウエハの裏面を非接触で吸着した状態で、前記ポート上の前記または他のウエハ収納容器に、前記ウエハを移送する工程；
    （ｌ）前記工程（ｋ）の後、前記第１のベルヌーイ・チャックによる吸着状態を解除する工程。
12. 前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記ウエハ仮置き位置は前記ウエハ外観検査装置内に設けられている。
13. 前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記ウエハ仮置き位置は前記または前記他のウエハ収納容器である。
14. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
    （ａ）前記ウエハの裏面に対する外観検査を実行する工程；
    （ｂ）前記外観検査の結果を電子情報処理システムに格納する工程、
    ここで、工程（ｂ）は以下の下位工程を含む：
    （ｂ１）前記ウエハの前記裏面上の不良部分をポインタで特定する工程；
    （ｂ２）前記ウエハの前記裏面上の前記ポインタで特定した前記不良部分に対応する表面側ウエハ・マップ・データに前記不良部分に関する不良データを付加する工程。
15. 前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記外観検査は前記ウエハの表面が第１のベルヌーイ・チャックに非接触で吸着された状態で行われる。
16. 前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記第１のベルヌーイ・チャックとウエハ収納容器間の前記ウエハの搬送は、第２のベルヌーイ・チャックに前記ウエハの前記表面又は前記裏面が非接触で吸着された状態で行われる。
17. 前記１６項の半導体装置の製造方法において、前記外観検査は以下の下位工程を含む：
    （ａ１）前記ウエハの前記表面が前記第１のベルヌーイ・チャックに非接触で吸着された状態で、前記ウエハの前記裏面に斜め方向から光を照射しながら前記ウエハを揺動させる工程。
18. 前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記ポインタはレーザ・ポインタである。
19. 前記１８項の半導体装置の製造方法において、前記不良部分の前記ポインタによる特定は、前記レーザ・ポインタのレーザ光束を前記ウエハの前記裏面上の前記不良部分の一点に一致させるか、または前記不良部分の外周を囲むことによって範囲を指定することによって行われる。
20. 前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ａ）の前に、更に以下の工程を含む：
    （ｕ）前記ウエハの前記裏面に金属電極層を形成する工程。

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