JP2009083172A - 光インプリント方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、より均一なベース層を形成可能な光インプリント方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、基板上に光硬化性レジストを離散的に滴下する工程と、前記光硬化性レジストに凹凸パターンが形成されたモールドを接触させ、モールドの凹凸パターンに前記光硬化性レジストを充填させる工程と、光を照射し前記光硬化性レジストを硬化させる工程と、モールドと光硬化させた光硬化性レジストを剥離する工程とを有する光インプリント方法において、モールドと基板上に滴下した光硬化性レジストとが接触するまでの間、基板上に滴下した光硬化性レジストの離散的な配置を保持する中間層を前記基板表面に形成してなる光インプリント方法を特徴とする。
【選択図】図3
Description
(化1)
YnSiX(4−n)
ここで、Yはアルキル基,フルオロアルキル基,ビニル基,アミノ基,フェニル基,クロロアルキル基,イソシアネート基、もしくはエポキシ基、またはこれらを含む有機基であり、Xはアルコキシル基,アセチル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。また、Xで示されるアルコキシル基はメトキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基であることが好ましい。また、Yで示される有機基全体の炭素数は1〜20の範囲内、特に5〜10の範囲内であることが好ましい。
CF3(CF2)3CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)9CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)9CH2CH2Si(OCH3)3
(CF3)2CF(CF2)4CH2CH2Si(OCH3)3
(CF3)2CF(CF2)6CH2CH2Si(OCH3)3
(CF3)2CF(CF2)8CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)3(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)5(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)7(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)3CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)5CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)7CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)9CH2CH2SiCH3(OCH3)2
(CF3)2CF(CF2)4CH2CH2SiCH3(OCH3)2
(CF3)2CF(CF2)6CH2CH2SiCH3(OCH3)2
(CF3)2CF(CF2)8CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)3(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)5(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)7(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)3CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)9CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)7SO2N(C2H5)C2H4CH2Si(OCH3)3
前記した中間層102aの作製方法としては、例えば、スピンコート,ディップ法、または気相蒸着法などが挙げられる。また、上記中間層がシランカップリング剤またはその重合体のみからなる層である場合には、上記材料を必要に応じて溶媒などに分散させて、例えばスピンコート,スプレーコート,ディップコート,ロールコート,ビードコートなどの公知の塗布方法によって基材上に塗布することにより行うことが出来る。
本実施例では、ディスク基板に溝構造を形成した。
実施例1と同様な手順により、種々のシランカップリング剤を用いて中間層を形成し、インプリントしたベース層の膜厚および表面粗さRaの結果を説明する。具体的には以下の化学式で表されるシランカップリング剤を用いた。
Y−Si−(OCH3)3
まず、表面が平滑な石英ディスク基板表面に中間層102aを形成し、その水に対する接触角を評価した。また、その中間層102aを形成した石英ディスク基板を用いて、インプリントを行いベース膜厚および表面粗さRaを評価した。その結果を表1に示す。なお、表1において、ベース膜厚および表面粗さRaは中間層102aの厚みを含めた値である。
実施例1と同様な手順により、インクジェットによるレジスト103の1滴当りの滴下量を変え、インプリントしたベース層の膜厚および表面粗さRaの結果を説明する。レジスト103の1滴あたりの滴下量に対するベース層の膜厚および表面粗さRaの結果を表2に示す。
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用したディスクリートトラックメディアの製造方法について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図7は、本実施例に関わる記録媒体を示す模式図である。
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用して製造した光情報処理装置について説明する。
101 凹凸形状形成部
102,201,501 基板
102a,208a 中間層形成部
102b 下地基板
103,104,209 レジスト
105 ベース層
106 下部ステージ
107 上部ステージ
108 緩衝層
200 磁気記録媒体
202 穴
203 記録トラック
204 サーボパターン
205 外周部
206 内周部
207 軟磁性裏打層
208 記録層
211 硬化したレジスト
212 非磁性体
213 保護膜
500 光回路
502 発信ユニット
503,503′ 光導波路
504,504′ 光コネクタ
508 微小突起物
Claims (20)
- 基板上に光硬化性レジストを離散的に滴下する工程と、
前記光硬化性レジストに凹凸パターンが形成されたモールドを接触させ、モールドの凹凸パターンに前記光硬化性レジストを充填させる工程と、
光を照射して前記光硬化性レジストを硬化させる工程と、
モールドと光硬化させた光硬化性レジストを剥離する工程とを有する光インプリント方法において、
モールドと基板上に滴下した光硬化性レジストとが接触するまでの間、基板上に滴下した光硬化性レジストの離散的な配置を保持する中間層を前記基板表面に形成してなることを特徴とする光インプリント方法。 - 前記中間層の水に対する接触角θが、前記基板の水に対する接触角θよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層の水に対する接触角θが、
30°<θ<90°
であることを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。 - 前記中間層が前記基板表面と化学結合により結合してなることを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。
- 前記基板表面と結合する官能基がシランカップリング基であることを特徴とする請求項4に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層は、前記レジストと化学結合により結合を形成する官能基を少なくとも1つ以上有する有機化合物を有してなることを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。
- 基板上に光硬化性レジストを離散的に滴下する工程と、
前記光硬化性レジストに凹凸パターンが形成されたモールドを接触させ、モールドの微細凹凸パターンに前記光硬化性レジストを充填させる工程と、
光を照射して前記光硬化性レジストを硬化させる工程と、
モールドと光硬化させた光硬化性レジストを剥離する工程とを有する光インプリント方法において、
光硬化性レジストの表面張力より大きな界面張力を有する中間層を前記基板表面に形成してなることを特徴とする光インプリント方法。 - 前記中間層の水に対する接触角θが、
30°<θ<90°
であることを特徴とする請求項7に記載の光インプリント方法。 - 前記中間層が前記基板表面と化学結合により結合してなることを特徴とする請求項8に記載の光インプリント方法。
- 前記基板表面と結合する官能基がシランカップリング基であることを特徴とする請求項9に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層は、前記レジストと化学結合により結合を形成する官能基を少なくとも1つ以上有する有機化合物を有してなることを特徴とする請求項7に記載の光インプリント方法。
- 基板上に光硬化性レジストを離散的に滴下する工程と、
前記光硬化性レジストに凹凸パターンが形成されたモールドを接触させ、モールドの凹凸パターンに前記光硬化性レジストを充填させる工程と、
光を照射し前記光硬化性レジストを硬化させる工程と、
モールドと光硬化させた光硬化性レジストを剥離する工程とを有する光インプリント方法において、
基板表面の水に対する接触角よりも大きな接触角を有する中間層を前記基板表面に形成してなることを特徴とする光インプリント方法。 - 前記中間層が光硬化性レジストの表面張力より大きな界面張力を有することを特徴とする請求項12に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層の水に対する接触角θが、
30°<θ<90°
であることを特徴とする請求項12に記載の光インプリント方法。 - 前記中間層が前記基板表面と化学結合により結合してなることを特徴とする請求項12に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層は、前記レジストと化学結合により結合を形成する官能基を少なくとも1つ以上有する有機化合物を有してなることを特徴とする請求項12に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層が下記一般式1で示されるシランカップリング剤を含むことを特徴とする請求項12に記載の光インプリント方法。
YnSiX(4−n) ・・・(一般式1)
(ここで、Yはアルキル基,フルオロアルキル基,ビニル基,アミノ基,フェニル基,クロロアルキル基,イソシアネート基、もしくはエポキシ基、またはこれらを含む有機基であり、Xはアルコキシル基,アセチル基またはハロゲンを示し、nは0〜3までの整数である。) - 離散的に光硬化性レジストを滴下する工程において、
インクジェット法によって前記光硬化性レジスト液滴を前記中間層表面に配することを特徴とする請求項12に記載の光インプリント方法。 - インクジェット法によって前記光硬化性レジスト液滴を前記中間層表面に配する工程において、
インクジェットから吐出した液滴の吐出量が1滴当り0.005以上100pl以下であり、
前記インクジェットにより前記中間層表面に配した液滴の中心間距離が液滴の長手方向の長さより大きいことを特徴とする請求項18に記載の光インプリント方法。 - 前記中間層の厚さが、前記凹凸パターンの高さの1/2以下であることを特徴とする請求項12に記載の光インプリント方法。
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