JP2008200997A - ナノインプリント用金型の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ナノインプリント用金型のコストを低減するナノインプリント用金型の製造方法を提供する。
【解決手段】金型用基板2上に金型用樹脂膜3が形成され、該金型用樹脂膜3にはナノオーダの凹凸からなる金型パターンが形成されたナノインプリント用金型4において、電子ビーム描画法によって作製されたナノオーダの凹凸からなるマザーパターンを有するマザー金型原盤1を上記金型用樹脂膜3に押し付けてマザーパターンを反転して転写させることにより、上記金型パターンが形成される。
【選択図】図1
【解決手段】金型用基板2上に金型用樹脂膜3が形成され、該金型用樹脂膜3にはナノオーダの凹凸からなる金型パターンが形成されたナノインプリント用金型4において、電子ビーム描画法によって作製されたナノオーダの凹凸からなるマザーパターンを有するマザー金型原盤1を上記金型用樹脂膜3に押し付けてマザーパターンを反転して転写させることにより、上記金型パターンが形成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、ナノインプリント用金型のコストを低減するナノインプリント用金型の製造方法に関する。
ナノインプリント法は、金型を用いて基板上に形成した樹脂の最表面にナノオーダの凹凸パターンを形成する方法である。ナノインプリント法は、1)熱硬化式、2)光硬化式、3)ソフト式に大別される。
ナノインプリント用のSi金型又は石英金型(モールド)は、金型用のシリコン系基板または石英系基板(以下、金型用基板と称する)の表面に、リソグラフィーとエッチングを用いて、ナノオーダの凹凸パターン(以下、金型パターンと称する)を形成することにより、作製される。
まず、熱硬化式でのナノインプリントのプロセスフローを図4に示す。
図4(a)に示されるように、対象の基板(以下、対象基板と称する)41上にレジストあるいは樹脂を塗布して熱硬化性を有する樹脂膜(以下、対象樹脂膜と称する)42tを形成する。ナノインプリント用金型43を、金型パターンを有する面44を下にして、対象基板41の上方から対象樹脂膜42tに押し付ける。図4(b)に示されるように、その状態で加熱することにより、対象樹脂膜42tを硬化させる。続いて、図4(c)に示されるように、ナノインプリント用金型43を離型させることにより、金型パターンが反転して転写されたパターンを有する対象樹脂膜42tが形成される。その後、図4(d)に示されるように、O2ドライエッチングにより対象樹脂膜42tを所望の厚さだけ除去してナノインプリントパターン45を完成させる。
次に、光硬化式でのナノインプリントのプロセスフローを図5に示す。
光硬化式では、図5(a)に示されるように、対象基板41上にレジストあるいは樹脂を塗布して光硬化性を有する樹脂膜(以下、対象樹脂膜と称する)42oを形成する。ナノインプリント用金型43を、金型パターンを有する面44を下にして、対象基板41の上方から対象樹脂膜42oに押し付ける。図5(b)に示されるように、対象樹脂膜42oを硬化させるために、ナノインプリント用金型43の裏側(上方)から、例えば紫外線のように樹脂を硬化させる光を照射する。その後は、熱硬化式と同様、図5(c)、図5(d)に示されるように、離型とO2ドライエッチングを行う。
最後に、ソフト式でのナノインプリントのプロセスフローを図6に示す。
ソフト式では、図6(d)に示すように、上記の熱硬化式、光硬化式の方法と異なり、金型パターン64のパターン通りに対象基板61上に、ナノインプリントパターン62が形成される。まず、図6(b)に示すようにナノインプリント用金型63の金型パターン64の全体にレジスト又は樹脂62を均等に塗布する。次に図6(c)に示すように、このナノインプリント用金型63を対象基板62の上面に押し付ける(スタンプする)。上記の熱硬化式、光硬化式の方法と異なり、加熱、光照射、O2ドライエッチングの追加工程は必要なく、図6(d)のように金型パターン64の凸部と一致する部分にレジスト又は樹脂62が残存したナノプリントパターン62が形成される。なお、上記の熱硬化式、光硬化式の方法で得られたナノプリントパターンを作製したい場合には、図6(a)中のナノインプリント用金型63の金型パターン64の凹凸部を反転させればよい。
最小線幅及び金型の位置精度の点で、ソフト式より熱硬化式及び光硬化式が優れているため、熱硬化式及び光硬化式がナノインプリント法の主流となっている。
図7に示されるように、ナノインプリント装置71は、真空作業室72内に定盤73が設けられ、その定盤73上に水平に移動自在な移動ステージ74が設けられる。移動ステージ74上には基板保持部材75が設けられ、この基板保持部材75に対象樹脂膜76が形成された対象基板77が保持される。対象基板77の上面は、ナノインプリント用金型78の下面より十分広い面積があり、金型パターンを対象基板77の複数箇所にナノインプリントすることができる。
真空作業室72内には、ナノインプリント用金型78を1つ以上形成されたモールド79がモールド駆動ステージ80に保持され、そのモールド駆動ステージ80はナノインプリント用金型78を上下に移動させて対象樹脂膜76に押し付けるための押圧機構81を備える。
モールド駆動ステージ80は水平方向には固定であり、移動ステージ74によって対象基板77が水平移動し、所定位置で停止したとき、押圧機構81が作動してナノインプリントを行う。
真空作業室72は、排気装置82を備える。排気装置82は、排気側開閉バルブ83を開放し、供給側開閉バルブ84を閉鎖し、ポンプ85を起動することにより、真空作業室72内を所定の真空にすることができる。
真空作業室72の外部には、供給側開閉バルブ84を介して離型材を供給する離型材供給装置86が設けられる。離型材としては種々のものを選択でき、レジストが付着しにくい成分からなる材料をガス化したもの、あるいはその材料を含む液体、あるいはその材料を粉末化したものを用いることができる。
特に、ガス化した離型材を用いた場合には、真空作業室72にプラズマ発生装置を設け、真空作業室72内をプラズマ発生雰囲気としてもよい。
ナノインプリント装置71にあっては、ナノインプリント用金型78が対象樹脂膜76に接触していないとき、ナノインプリント用金型78は雰囲気中に存在する離型材と接触する。よって、離型材は金型パターンが形成された面に付着する。
金型パターンが形成された面に離型材を付着させておくことにより、離型の際に対象樹脂膜76の樹脂がナノインプリント用金型78に残存することが防止され、離型が良好に実施できる。
ナノインプリント用金型に金型パターンを有する面を形成するには、電子ビーム描画法が用いられる。しかし、電子ビーム描画法はパターンを描くのに時間がかかるという欠点があり、ナノインプリント用金型の製作コストが高くなってしまう。
さらに、押圧してナノインプリントパターンを形成するのに用いられるナノインプリント用金型は摩耗などにより劣化するため、使用回数に制限がある。そのため、ナノインプリントのコストに占めるナノインプリント用金型の製作コストが無視できない。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ナノインプリント用金型のコストを低減するナノインプリント用金型の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、金型用基板上に金型用樹脂膜が形成され、該金型用樹脂膜にはナノオーダの凹凸からなる金型パターンが形成されたナノインプリント用金型において、電子ビーム描画法によって作製されたナノオーダの凹凸からなるマザーパターンを有するマザー金型原盤を上記金型用樹脂膜に押し付けてマザーパターンを反転して転写させることにより、上記金型パターンが形成されるものである。
マザー金型原盤を金型用樹脂膜に押し付けてから離型させるまでの間に、該金型用樹脂膜に光照射と加熱の少なくともいずれか一方の処理を行ってもよい。
マザー金型原盤を金型用樹脂膜から離型させた後、該金型用樹脂膜にO2熱処理あるいは光照射とO3ガスを用いた熱処理を行ってもよい。
マザー金型原盤を金型用樹脂膜から離型させた後、該金型用樹脂膜の金型パターンにテーパ形状部あるいは逆テーパ形状部を形成してもよい。
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。
(1)ナノインプリント用金型のコスト及びナノインプリントのコストを低減することができる。
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図8(a)〜図8(d)に示されるように、本発明に係るナノインプリント用金型の製造方法は、所望のナノインプリントパターンが得られるように設計されたマザーパターンを有するマザー金型原盤1を電子ビーム描画法で作製し、このマザー金型原盤1を金型用基板2上に形成した金型用樹脂膜3に押し付けてマザーパターンを転写させることにより、ナノインプリント用金型4を製造するものである。
詳しく述べると、まず、マザー金型原盤1を作製する。図8(a)に示すように、マザー金型原盤1用の基板として、例えば、直径約10cm(4インチ)、厚さ1mmの円板形の石英基板を用いる。このマザー金型原盤用基板上にCrあるいはWSiの金属膜を膜厚10〜50nmで成膜する。その金属膜に電子ビーム描画用ポジレジスト(ZEP−520A)を膜厚100〜200nm塗布する。この電子ビーム描画用ポジレジストを電子ビーム描画により感光させ、現像することによって、レジストのパターニングを行う。図8(b)に示すように、レジストのパターンは、例えば、ピッチ100nm(ライン幅50nm、スペース幅50nm)でラインが並ぶパターンとし、そのパターンが、例えば、石英基板の中央に10mm角の範囲内全面に有るものとする。
図8(c)のように、このパターニングされたレジストをマスクとして金属膜をドライエッチングし、レジストの残膜を除去する。図8(d)のように、続いて、金属膜をマスクとしてマザー金型原盤用基板を厚さ100nmドライエッチングし、金属膜の残膜を除去する。以上により、ピッチ100nm(ライン幅50nm、スペース幅50nm)のマザーパターン999を有するマザー金型原盤1が作製される。
次に、図1(a)〜図1(d)に示されるように、マザー金型原盤1からナノインプリント法によりナノインプリント用金型4を作製する。ナノインプリント装置としては、光硬化型樹脂膜を用いる場合は光硬化型装置を、熱硬化型樹脂膜を用いる場合は熱硬化型装置を用いる。ナノインプリント装置は、面内圧力を均一にする機能を有していることが望ましい。金型用基板2としては直径約10cmの円板形の石英基板を用いる。
図1(a)に示されるように、この金型用基板2の上にSi系樹脂あるいはSOG(Spin On Glass)と呼ばれる樹脂をスピンコートにより塗布し、熱処理後、金型用樹脂膜3とする。さらにその金型用樹脂膜3の上に離型材として一部フッ素化したSi系樹脂を塗布・熱処理して離型材膜5を形成する。
図7に示すナノインプリント装置のモールド駆動ステージ80にマザーパターンの面が下向きとなるようにマザー金型原盤1を設置し、基板保持部材75に金型用樹脂膜3及び離型材膜5の面が上向きとなるように金型用基板2を設置する。この状態で金型用基板2を移動ステージ74により所定の位置へ横移動させてから、マザー金型原盤1を押圧機81によって下方へ移動させることにより、図1(b)に示されるように、マザー金型原盤1を金型用基板2に押し付けて金型用樹脂膜3にマザーパターンを転写させる。
マザー金型原盤1を金型用基板2に押し付けてから離型させるまでの間に、押し付けたままの状態で、金型用樹脂膜の硬化特性に応じてマザー金型原盤1の上方の図示しない光源から金型用樹脂膜3に光照射を行うか、図示しないヒータによる金型用樹脂膜3の加熱を行うか、いずれか一方を行うことにより、硬化金型用樹脂膜3を硬化させる。続いて、マザー金型原盤1を上方へ移動させることにより、図1(c)に示されるように、マザー金型原盤1から金型用基板2を離型させ、続いて離型材膜5を除去する。
この離型の際に、上記光照射又は加熱によって、金型用樹脂膜3に転写によって形成された凸部の体積減少による収縮が引き起こされる。金型用樹脂膜3の凸部が収縮することによって、マザー金型原盤1の凹部との摩擦が解消され、離型が円滑になる。これにより、ナノインプリント用金型4は、金型用樹脂膜3の樹脂がマザー金型原盤1に残存することが防止され、金型用樹脂膜3の凸部がもぎ取られることがなくなる。すなわち、マザーパターンと凹凸が反転したピッチ100nm(ライン幅50nm、スペース幅50nm)の金型パターンを有するナノインプリント用金型4の作製を、高精度にナノインプリントにより行うことができる。
離型の後、金型用樹脂膜にO2熱処理あるいは光照射とO3ガスを用いた熱処理を行うことで、金型用樹脂膜3を酸化させてさらに硬化させ、耐久性を持たせる。以上により、ナノインプリント用金型4が作製される。
次に、ナノインプリント用金型4を用いて対象基板への凹凸ナノインプリントパターンのナノインプリントを行う。ナノインプリント装置としては、光硬化型のものを用いる。ナノインプリント装置は、面内圧力を均一にする機能を有していることが望ましい。
図2(a)に示されるように、対象基板21として、直径約10cmの円板形の石英基板を用いる。対象基板21の材料としては、石英、Si、Al2O3、LiNbO3、非晶質のカーボンなどがある。
対象基板21の上にPMMA(Poly Methyl MethaAclyrate)、ポリスチレン、あるいはポリイミド樹脂をスピンコートにより塗布および加熱して対象樹脂膜22を形成し、さらにその対象樹脂膜22の上に離型材として光硬化樹脂を塗布して離型材膜23を形成する。光硬化樹脂としてはPAK−01がある。
ナノインプリント装置のモールド駆動ステージ80に金型パターンの面が下向きとなるようにナノインプリント用金型4を設置し、基板保持部材75に対象樹脂膜22及び離型材膜23の面が上向きとなるように対象基板21を設置する。この状態で対象基板21を所望の位置となるよう横方向へ移動させてからナノインプリント用金型4を下方へ移動させることにより、図2(b)に示されるように、ナノインプリント用金型4を対象基板21に押し付けて対象樹脂膜22に金型パターンを転写させる。
この状態で、図2(b)に示されるように、加熱による対象樹脂膜22の硬化と光照射による離型材膜23の硬化、図2(c)の離型、図2(d)のO2ドライエッチングを行う。離型とO2ドライエッチングは従来と同様に行うので説明は省略する。この結果、ナノインプリントパターンを設計通りに形成できる。
本発明によれば、マザー金型原盤1を用いてナノインプリント用金型4をナノインプリント法で作製するので、1つのマザー金型原盤1から多数、例えば100個のナノインプリント用金型4をレプリカのように作製することができる。これにより、ナノインプリントの製作コストに占めるマザー金型の製作コストを従来比で百分の1〜数十分の1に低減することができる。
また、本発明では、ナノインプリント用金型4を作製する際のマザー金型原盤1を金型用樹脂膜3から離型させる工程において離型材をガス化させる。しかし、万が一、ガス化した離型材がマザー金型原盤1の表面に十分に行き渡らないと、金型用樹脂膜3の凸部がもぎ取られてその凸部の樹脂がマザー金型原盤1に吸着し、作製されたナノインプリント用金型4が不良になるおそれがある。
そこで、本発明では、マザー金型原盤1を金型用樹脂膜3に押し付けてから離型させるまでの間に、金型用樹脂膜3の硬化特性に応じてに光照射又は加熱のいずれか一方の処理を行うようにした。これにより、離型が容易になると共に、凸部のもぎ取りがなくなることで不良のナノインプリント用金型4が作製されるのを防止することができる。
また、本発明は、マザー金型原盤1を金型用樹脂膜3から離型させた後、金型用樹脂膜3にO2熱処理あるいは光照射とO3ガスを用いた熱処理を行うことにより、金型用樹脂膜3をさらに硬化させるので、ナノインプリント用金型4が形状崩れの無い耐久性のあるものとなる。
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
前述の実施形態では、金型用樹脂膜3に形成された凹凸はいわゆる矩形のものであり、つまり、凹凸の側面が金型用基板2の面及び金型用樹脂膜3の上面に対して垂直である。しかし、この実施形態では、図1(c)のようにマザー金型原盤1を金型用樹脂膜3から離型させた後、図1(d)のナノインプリント用金型4の金型用樹脂膜3の金型パターンにテーパ形状部あるいは逆テーパ形状部を形成する。具体的には、図1(d)で得られたナノインプリント用金型4をドライエッチング又はスパッタすることにより、凹凸の側面が金型用基板2の面及び金型用樹脂膜3の上面に対して斜めになるようにする。
金型用基板2を石英基板とした場合、ドライエッチングするためのガスとしてC4F8,C5F10等のガスを用い、−150℃程度の低温でドライエッチングするか、あるいはイオンの割合を多くしたエッチング条件でドライエッチングする。これにより、図3(a)に示されるように、ナノインプリント用金型31は、金型用基板32上の金型用樹脂膜33の凸部がテーパ状に削られ、凸部断面が等方台形となる。この結果、ナノインプリント用金型31を対象樹脂膜から離型させることが容易になる。
一方、ラジカルの割合を多くしたエッチング条件でドライエッチングすると、図3(b)に示されるように、ナノインプリント用金型36は、金型用基板37上の金型用樹脂膜38の凸部が逆テーパ状に削られ、凸部断面が楔形となる。この結果、くさび形のため対象樹脂膜と接触面積が小さく、ナノインプリント用金型36は、対象樹脂膜からの離型が容易という効果がある。
ドライエッチングに用いるガスとしては、CF4、CHF3、C2F6、C3F8、CBrF3、C4F8,C5F10等のF系ガス、Cl2、CCl4、CF3Cl等のCl系ガス、CBrF3等のBrF系ガス、あるいはこれらのガスにH2又はO2を適量添加した混合ガスがある。
1 マザー金型原盤
2 金型用基板
3 金型用樹脂膜
4 ナノインプリント用金型
5 離型材膜
21 対象基板
22 対象樹脂膜
24 樹脂
2 金型用基板
3 金型用樹脂膜
4 ナノインプリント用金型
5 離型材膜
21 対象基板
22 対象樹脂膜
24 樹脂
Claims (4)
- 金型用基板上に金型用樹脂膜が形成され、該金型用樹脂膜にはナノオーダの凹凸からなる金型パターンが形成されたナノインプリント用金型において、
電子ビーム描画法によって作製されたナノオーダの凹凸からなるマザーパターンを有するマザー金型原盤を上記金型用樹脂膜に押し付けてマザーパターンを反転して転写させることにより、上記金型パターンが形成されることを特徴とするナノインプリント用金型の製造方法。 - マザー金型原盤を金型用樹脂膜に押し付けてから離型させるまでの間に、該金型用樹脂膜に光照射と加熱の少なくともいずれか一方の処理を行うことを特徴とする請求項1記載のナノインプリント用金型の製造方法。
- マザー金型原盤を金型用樹脂膜から離型させた後、該金型用樹脂膜にO2熱処理あるいは光照射とO3ガスを用いた熱処理を行うことを特徴とする請求項1又は2記載のナノインプリント用金型の製造方法。
- マザー金型原盤を金型用樹脂膜から離型させた後、該金型用樹脂膜の金型パターンにテーパ形状部あるいは逆テーパ形状部を形成することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のナノインプリント用金型の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007039690A JP2008200997A (ja) | 2007-02-20 | 2007-02-20 | ナノインプリント用金型の製造方法 |
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---|---|
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Family
ID=39778971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007039690A Pending JP2008200997A (ja) | 2007-02-20 | 2007-02-20 | ナノインプリント用金型の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008200997A (ja) |
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