JP2009076677A - 半導体装置の製造方法及びフォトマスクの設計方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】設計レイアウト情報から、対象物のパターンの端部を検出する(ステップS11)。第1のレチクルのデータの作成のために、Y方向において並ぶ対象物のパターン、先端部及び突合部を結合する(ステップS12)。ステップS12により得られた結合体を遮光部とするレチクルのデータを作成する(ステップS13)。また、第2のレチクルのデータの作成のために、X方向において隣り合うパターンの端部に位置する先端部及び突合部同士を結合する(ステップS14)。X方向において隣り合うパターン間の隙間の中央部にY方向に延びる部位を設け、互いに等しいX座標を含む先端部等をY方向において結合する(ステップS15)。ステップS15により得られた結合体を開口部とするレチクルのデータを作成する(ステップS16)。
【選択図】図2
Description
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。第1の実施形態は、SRAM(Static Random Access Memory)セルのゲート電極等の繰り返しパターンが多い半導体装置の製造に好適である。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用するレチクルのデータの作成方法を作成する方法を示すフローチャートである。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、論理回路等の繰り返しパターンが少ない半導体装置の製造に好適である。第2の実施形態では、ステップS4の処理の内容が第1の実施形態と相違している。図6は、第2の実施形態におけるステップS4の処理を示すフローチャートである。ここでは、ステップS1において、図7Aに示すように、任意の方向に延びる第1のゲートパターン21、及びこの中間部と所定の間隔をあけて向かい合う第2のゲートパターン21を含む設計レイアウト情報が取得されているとする。
被加工膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜上に第1のフォトレジスト膜を形成する工程と、
第1のフォトマスクを用いて前記第1のフォトレジスト膜をパターニングする工程と、
パターニング後の前記第1のフォトレジスト膜をマスクとして前記マスク膜をパターニングする工程と、
前記第1のフォトレジスト膜を除去する工程と、
前記マスク膜上に第2のフォトレジストを形成する工程と、
第2のフォトマスクを用いて前記第2のフォトレジスト膜をパターニングする工程と、
パターニング後の前記第2のフォトレジスト膜をマスクとして前記マスク膜をパターニングする工程と、
前記第2のフォトレジスト膜を除去する工程と、
前記マスク膜を用いて前記被加工膜をパターニングする工程と、
を有し、
前記第1のフォトマスクとして、前記被加工膜の設計レイアウト情報において互いに分離している少なくとも2つの残しパターンを結合させる結合パターンを含むものを用い、
前記第2のフォトマスクとして、少なくとも前記結合パターンと重複し、前記第1のフォトマスクにおいて結合されている前記残しパターンを分断する分断パターンを含むものを用い、
前記分断パターンの面積は、予め定められた閾値以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第1のフォトレジスト膜及び前記第2のフォトレジスト膜として、ポジ型フォトレジスト膜を用いることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記結合パターンは、遮光パターンであり、
前記分断パターンは、開口パターンであることを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造方法。
前記マスク膜として、ハードマスクを用いることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2のフォトレジスト膜をパターニングする工程は、
前記第2のフォトマスクを用いて前記第2のフォトレジスト膜を露光する工程と、
前記第2のフォトレジスト膜を現像する工程と、
を有し、
前記閾値は、前記第2のフォトレジスト膜を露光する際の光学条件に基づいて定められていることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記分断パターンは、複数の結合パターンをつないでいることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1のフォトマスクにおいて結合されている前記残しパターンは、第1の方向に延びており、
前記分断パターンは、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記残しパターンから離間していることを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
被加工膜の設計レイアウト情報にいて互いに分離している少なくとも2つの残しパターンを結合させる結合パターンを含む第1のフォトマスクのデータを作成する工程と、
少なくとも前記結合パターンと重複し、前記第1のフォトマスクにおいて結合されている前記残しパターンを分断すると共に、その面積が予め定められた閾値以上である分断パターンを含む第2のフォトマスクのデータを作成する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。
前記第1のフォトマスク及び前記第2のフォトマスクは、ポジ型フォトレジスト膜の露光に用いられることを特徴とする付記8に記載のフォトマスクの設計方法。
前記第1のフォトマスクのデータとして、少なくとも前記残しパターン及び前記結合パターンに相当する遮光パターンを含むものを作成し、
前記第2のフォトマスクのデータとして、前記分断パターンに相当する開口パターンを含むものを作成することを特徴とする付記9に記載のフォトマスクの設計方法。
前記閾値は、前記第2のフォトマスクを用いた露光の際の光学条件に基づいて定められていることを特徴とする付記8乃至10のいずれか1項に記載のフォトマスクの設計方法。
前記分断パターンとして、複数の結合パターンをつなぐものを作成することを特徴とする付記8乃至11のいずれか1項に記載のフォトマスクの設計方法。
前記第1のフォトマスクにおいて結合されている前記残しパターンとして、第1の方向に延びるものを作成し、
前記分断パターンとして、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記残しパターンから離間するものを作成することを特徴とする付記8乃至12のいずれか1項に記載のフォトマスクの設計方法。
前記第2のフォトマスクのデータを作成する工程において、前記結合パターンの面積が前記閾値未満である場合に、前記結合パターンにパターンを追加して前記分断パターンを作成することを特徴とする付記8乃至13のいずれか1項に記載のフォトマスクの設計方法。
12:先端部
13:突合部
14:結合体
15:遮光パターン
16:結合体
17:結合体
18:開口パターン
21:ゲートパターン
23:接続部
24:結合体
25:遮光パターン
26:接続部
28:開口パターン
Claims (10)
- 被加工膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜上に第1のフォトレジスト膜を形成する工程と、
第1のフォトマスクを用いて前記第1のフォトレジスト膜をパターニングする工程と、
パターニング後の前記第1のフォトレジスト膜をマスクとして前記マスク膜をパターニングする工程と、
前記第1のフォトレジスト膜を除去する工程と、
前記マスク膜上に第2のフォトレジストを形成する工程と、
第2のフォトマスクを用いて前記第2のフォトレジスト膜をパターニングする工程と、
パターニング後の前記第2のフォトレジスト膜をマスクとして前記マスク膜をパターニングする工程と、
前記第2のフォトレジスト膜を除去する工程と、
前記マスク膜を用いて前記被加工膜をパターニングする工程と、
を有し、
前記第1のフォトマスクとして、前記被加工膜の設計レイアウト情報において互いに分離している少なくとも2つの残しパターンを結合させる結合パターンを含むものを用い、
前記第2のフォトマスクとして、少なくとも前記結合パターンと重複し、前記第1のフォトマスクにおいて結合されている前記残しパターンを分断する分断パターンを含むものを用い、
前記分断パターンの面積は、予め定められた閾値以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のフォトレジスト膜及び前記第2のフォトレジスト膜として、ポジ型フォトレジスト膜を用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記結合パターンは、遮光パターンであり、
前記分断パターンは、開口パターンであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2のフォトレジスト膜をパターニングする工程は、
前記第2のフォトマスクを用いて前記第2のフォトレジスト膜を露光する工程と、
前記第2のフォトレジスト膜を現像する工程と、
を有し、
前記閾値は、前記第2のフォトレジスト膜を露光する際の光学条件に基づいて定められていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記分断パターンは、複数の結合パターンをつないでいることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のフォトマスクにおいて結合されている前記残しパターンは、第1の方向に延びており、
前記分断パターンは、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記残しパターンから離間していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 被加工膜の設計レイアウト情報にいて互いに分離している少なくとも2つの残しパターンを結合させる結合パターンを含む第1のフォトマスクのデータを作成する工程と、
少なくとも前記結合パターンと重複し、前記第1のフォトマスクにおいて結合されている前記残しパターンを分断すると共に、その面積が予め定められた閾値以上である分断パターンを含む第2のフォトマスクのデータを作成する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの設計方法。 - 前記第1のフォトマスク及び前記第2のフォトマスクは、ポジ型フォトレジスト膜の露光に用いられることを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの設計方法。
- 前記第1のフォトマスクのデータとして、少なくとも前記残しパターン及び前記結合パターンに相当する遮光パターンを含むものを作成し、
前記第2のフォトマスクのデータとして、前記分断パターンに相当する開口パターンを含むものを作成することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクの設計方法。 - 前記第2のフォトマスクのデータを作成する工程において、前記結合パターンの面積が前記閾値未満である場合に、前記結合パターンにパターンを追加して前記分断パターンを作成することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載のフォトマスクの設計方法。
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