JP2009076642A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】PINダイオード2は、アノード電極6、P層3、I層4、N層5およびカソード電極7により構成される。順バイアス状態で注入されたキャリアの濃度が比較的高いpn接合付近の領域またはn+n接合付近の領域に、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、ポリシリコン膜が形成されている。
【選択図】図2
Description
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、アノード側に形成されたPINダイオードの第1の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、アノード側に形成されたPINダイオードの第2の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、アノード側に形成されたPINダイオードの第3の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、アノード側に形成されたPINダイオードの第4の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、アノード側に形成されたPINダイオードの第5の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、アノード側に形成されたPINダイオードの第6の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、カソード側に形成されたPINダイオードの第1の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、カソード側に形成されたPINダイオードの第2の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、カソード側に形成されたPINダイオードの第3の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、カソード側に形成されたPINダイオードの第4の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、カソード側に形成されたPINダイオードの第5の例について説明する。
ここでは、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、グレイン界面を有するポリシリコン膜が、カソード側に形成されたPINダイオードの第6の例について説明する。
Claims (17)
- 第1導電型の第1領域を含むアノード部と、
第2導電型の第2領域を含むカソード部と、
前記アノード部と前記カソード部との間に位置し、前記アノード部と前記カソード部にそれぞれ接合された中間部と、
順バイアス状態において、前記中間部の厚み方向中央付近に存在するキャリアの濃度よりも高い濃度のキャリアが存在する、前記アノード部の側の部分および前記カソード部の側の部分のうち、少なくとも一方の側の部分に形成された、結晶欠陥を有する所定の膜と
を備えた、半導体装置。 - 前記中間部は、
所定の基板と、
前記基板の表面に接触するように前記基板の表面上に形成され、前記第1領域と接合される第2導電型の第3領域と
を含み、
前記第1領域および前記第3領域が、前記所定の膜によって形成された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1領域および前記第3領域は、前記基板の表面上に選択的に形成された、請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1領域および前記第3領域が形成されていない前記基板の部分には、前記基板の表面から所定の深さにわたり第2導電型の第4領域が形成された、請求項3記載の半導体装置。
- 前記第1領域および前記第3領域は、所定の厚みの第1部分と前記所定の厚みよりも薄い第2部分とを選択的に含むように前記基板の表面上に形成された、請求項2記載の半導体装置。
- 前記中間部は、
所定の基板と、
前記基板の表面から所定の深さにわたり形成され、前記第1領域と接合される第1導電型の第5領域と
を含み、
前記第1領域が前記所定の膜によって形成された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1領域は、前記基板の表面上に選択的に形成され、
前記第5領域は、前記第1領域に対応するように前記第1領域の直下に位置する前記基板の部分に選択的に形成された、請求項6記載の半導体装置。 - 前記第1領域および前記第5領域が形成されていない前記基板の部分には、前記基板の表面から所定の深さにわたり第2導電型の第6領域が形成された、請求項7記載の半導体装置。
- 前記中間部は、
所定の基板と、
前記基板の表面に接触するように前記基板の表面上に形成され、前記第2領域と接合される第2導電型の第7領域と
を含み、
前記第2領域および前記第7領域が、前記所定の膜によって形成された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2領域および前記第7領域は、前記基板の表面上に選択的に形成された、請求項9記載の半導体装置。
- 前記第2領域および前記第7領域が形成されていない前記基板の部分には、前記基板の表面から所定の深さにわたり第1導電型の第8領域が形成された、請求項10記載の半導体装置。
- 前記第2領域および前記第7領域は、所定の厚みの第1部分と前記所定の厚みよりも薄い第2部分とを選択的に含むように前記基板の表面上に形成された、請求項9記載の半導体装置。
- 前記第2部分では、前記第2部分の表面から所定の深さにわたり第1導電型の第8領域が形成された、請求項12記載の半導体装置。
- 前記中間部は、
所定の基板と、
前記基板の表面から所定の深さにわたり形成され、前記第2領域と接合される第2導電型の第9領域と
を含み、
前記第2領域が前記所定の膜によって形成された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第2領域は、前記基板の表面上に選択的に形成され、
前記第9領域は、前記第2領域に対応するように前記第2領域の直下に位置する前記基板の部分に選択的に形成された、請求項14記載の半導体装置。 - 前記第2領域および前記第9領域が形成されていない前記基板の部分には、前記基板の表面から所定の深さにわたり第1導電型の第10領域が形成された、請求項15記載の半導体装置。
- 前記所定の膜は、ポリシリコン膜およびアモルファスシリコン膜の少なくともいずれかの膜を含む、請求項1〜16のいずれかに記載の半導体装置。
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