JPH07273354A - ダイオ−ド - Google Patents
ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPH07273354A JPH07273354A JP8800794A JP8800794A JPH07273354A JP H07273354 A JPH07273354 A JP H07273354A JP 8800794 A JP8800794 A JP 8800794A JP 8800794 A JP8800794 A JP 8800794A JP H07273354 A JPH07273354 A JP H07273354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity concentration
- diode
- region
- layer
- concentration region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 本発明の目的は、pinダイオ−ドに関し、
特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値IRPを小さくす
ることにより逆回復時間Trrを長くしないで、T2の
期間のdi/dtを小さくし、ソフトリカバリ−特性の
ダイオ−ドを提供する事にある。 【構成】 p型高不純物濃度領域4とn型高不純物濃度
領域1及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域2よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
2に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域3が少
なくとも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純
物濃度領域とpn接合Jが隣接するように形成されたこ
とを特徴とする。
特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値IRPを小さくす
ることにより逆回復時間Trrを長くしないで、T2の
期間のdi/dtを小さくし、ソフトリカバリ−特性の
ダイオ−ドを提供する事にある。 【構成】 p型高不純物濃度領域4とn型高不純物濃度
領域1及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域2よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
2に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域3が少
なくとも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純
物濃度領域とpn接合Jが隣接するように形成されたこ
とを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する分野の説明】本発明は整流用ダイオ−ド
特に高速ダイオ−ドの構造に関するものである。
特に高速ダイオ−ドの構造に関するものである。
【0002】
【従来技術とその問題点】近年、電子機器の小型化、高
効率化のために、装置の高周波化が進んでおり、機器に組
み込まれる整流用のダイオ−ドに対しても高周波化の要
望が強い。高周波用のダイオ−ド(高速ダイオ−ド)に
必要な特性として、逆回復に要する時間が短いことが要
求される。これと共に近年問題となっているのが、ダイ
オ−ドの逆回復時の電流変化と、ダイオ−ドを組み込ん
だ回路に存在する浮遊インダクタンスとによる、スパイ
クノイズの問題である。
効率化のために、装置の高周波化が進んでおり、機器に組
み込まれる整流用のダイオ−ドに対しても高周波化の要
望が強い。高周波用のダイオ−ド(高速ダイオ−ド)に
必要な特性として、逆回復に要する時間が短いことが要
求される。これと共に近年問題となっているのが、ダイ
オ−ドの逆回復時の電流変化と、ダイオ−ドを組み込ん
だ回路に存在する浮遊インダクタンスとによる、スパイ
クノイズの問題である。
【0003】図3は従来構造図で図中1はN型シリコン
基体(高濃度不純物n層)、2は (2) 低濃度不純物n層(i領域)、4は高濃度不純物p層、
JはPN接合である。図4はその不純物濃度分布図、図
5は逆回復時の電流、電圧波形を示す。
基体(高濃度不純物n層)、2は (2) 低濃度不純物n層(i領域)、4は高濃度不純物p層、
JはPN接合である。図4はその不純物濃度分布図、図
5は逆回復時の電流、電圧波形を示す。
【0004】ダイオ−ドの逆回復時間Trrは、大別し
て図示の様に2種類の期間からなりたっている。即ち
ダイオ−ドの電流が順方向のIFから0迄減少して逆方
向電流が流れ始めた時点から電流がその尖頭値IRPとな
るまでの期間T1 前記期間T1の後の、電流が減少して再び0になるま
での期間T2 ダイオ−ドの高速動作の為には逆回復時間Trrが短い
ことが望ましい。しかし、ダイオ−ドの逆電流IRがそ
の尖頭値IRPに達してから、電流が0になるまでの期間
T2があまりに短いと浮遊インダクタンス成分Lによる
L*di/dtなる誘起起電力が大きくなり、いわゆる
スパイクノイズ発生の原因となる。この様なスパイクノ
イズを低減するためには、T2の期間の電流減少率di
/dtを小さくしてやればよい。しかし、単にT2の期
間の電流減少率di/dtを小さくするとダイオ−ドの
逆回復時間Trrが長くなってしまう。ちなみに、電流
が順方向電流IFから減少して、逆方向電流の尖頭値IR
Pへ向う場合の−di/dtは、ほぼ、回路側の条件で
決まっている。
て図示の様に2種類の期間からなりたっている。即ち
ダイオ−ドの電流が順方向のIFから0迄減少して逆方
向電流が流れ始めた時点から電流がその尖頭値IRPとな
るまでの期間T1 前記期間T1の後の、電流が減少して再び0になるま
での期間T2 ダイオ−ドの高速動作の為には逆回復時間Trrが短い
ことが望ましい。しかし、ダイオ−ドの逆電流IRがそ
の尖頭値IRPに達してから、電流が0になるまでの期間
T2があまりに短いと浮遊インダクタンス成分Lによる
L*di/dtなる誘起起電力が大きくなり、いわゆる
スパイクノイズ発生の原因となる。この様なスパイクノ
イズを低減するためには、T2の期間の電流減少率di
/dtを小さくしてやればよい。しかし、単にT2の期
間の電流減少率di/dtを小さくするとダイオ−ドの
逆回復時間Trrが長くなってしまう。ちなみに、電流
が順方向電流IFから減少して、逆方向電流の尖頭値IR
Pへ向う場合の−di/dtは、ほぼ、回路側の条件で
決まっている。
【0005】ここで、ダイオ−ドの内部のキャリア−の
動きから逆回復時の様子を見るとT1の期間はさらに、
順方向バイアス時に蓄積されていたキャリア−が減少
し、pn接合が回復して逆バイアス電圧を持ち始める迄
の期間Tjと、ひきつづいて接合近傍に空乏領域が広が
り、この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出され
る期間Tkとに分けられる。T2の期間は、逆バイアス
電圧の増加にともなう空乏領域のさらなる増大により、
この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出される期
間である。勿論、各期間を通じて再結合によるキャリア
−の減少は起こっている。一般に、Trrを短くするた
めには、重金属拡散等によりキャリア−のライフタイム
を短くする必要があるが、この場合、低濃度領域に蓄積
されたキャリア−量が減少すること、また、再結合によ
るキャリア−の減少速度が速くなる (3) 等によりT2も短くなりdi/dtが大きくなってしま
う。この様に、Trrを短くし、かつ、電流減少率di
/dtの小さい、いわゆるソフトリカバリ−特性のダイ
オ−ドを作るのは困難であった。
動きから逆回復時の様子を見るとT1の期間はさらに、
順方向バイアス時に蓄積されていたキャリア−が減少
し、pn接合が回復して逆バイアス電圧を持ち始める迄
の期間Tjと、ひきつづいて接合近傍に空乏領域が広が
り、この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出され
る期間Tkとに分けられる。T2の期間は、逆バイアス
電圧の増加にともなう空乏領域のさらなる増大により、
この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出される期
間である。勿論、各期間を通じて再結合によるキャリア
−の減少は起こっている。一般に、Trrを短くするた
めには、重金属拡散等によりキャリア−のライフタイム
を短くする必要があるが、この場合、低濃度領域に蓄積
されたキャリア−量が減少すること、また、再結合によ
るキャリア−の減少速度が速くなる (3) 等によりT2も短くなりdi/dtが大きくなってしま
う。この様に、Trrを短くし、かつ、電流減少率di
/dtの小さい、いわゆるソフトリカバリ−特性のダイ
オ−ドを作るのは困難であった。
【0006】
【発明の目的】本発明の目的は、pinダイオ−ドに関
し、特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値IRPを小さ
くすることにより逆回復時間Trrを長くしないで、T
2の期間のdi/dtを小さくし、ソフトリカバリ−特
性のダイオ−ドを提供する事にある。
し、特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値IRPを小さ
くすることにより逆回復時間Trrを長くしないで、T
2の期間のdi/dtを小さくし、ソフトリカバリ−特
性のダイオ−ドを提供する事にある。
【0007】
【課題を解決するための本発明の手段】本発明では、p
inダイオ−ドにおいて、p層とn層との間に設けられ
た低不純物濃度領域内に、これと同導電型で、かつこれ
よりも高不純物濃度の領域を、pn接合に隣接して設け
たことを特徴としている。
inダイオ−ドにおいて、p層とn層との間に設けられ
た低不純物濃度領域内に、これと同導電型で、かつこれ
よりも高不純物濃度の領域を、pn接合に隣接して設け
たことを特徴としている。
【0008】
【実施例】ここでの説明は、不純物濃度の低いi層とし
てn型低不純物濃度層を持つダイオ−ドについて行う。
この構造を単にpin(構造)とよぶ。図1は本発明の
一実施例を示す断面構造図、図2はその不純物濃度分布
図で従来例と同一符号は同等部分を示す。図において、
1はn層、2はi層、3はi層中に設けられたn層、4
はp層をそれぞれ示している。本実施例は、従来のpi
n構造ダイオ−ドのi層の中に、これと同じ導電型で、
かつ高不純物濃度の層をp型層に隣接して設けたことが
特徴となっている。
てn型低不純物濃度層を持つダイオ−ドについて行う。
この構造を単にpin(構造)とよぶ。図1は本発明の
一実施例を示す断面構造図、図2はその不純物濃度分布
図で従来例と同一符号は同等部分を示す。図において、
1はn層、2はi層、3はi層中に設けられたn層、4
はp層をそれぞれ示している。本実施例は、従来のpi
n構造ダイオ−ドのi層の中に、これと同じ導電型で、
かつ高不純物濃度の層をp型層に隣接して設けたことが
特徴となっている。
【0009】本発明構造では、接合が回復した直後の空
乏層は主に、p型層に隣接して設けたn型高不純物濃度
領域に広がるので従来のpinダイオ−ドのi層に広が
る空乏層に比較して幅が狭く、又、広がる速度も遅い。
従って、空乏層の広 (4) がりにより吸い出されるキャリア−の量が少なく電流は
あまり増加しない。このため、尖頭逆電流IRPの値が
小さくTkの期間も短くなり、空乏化していないi層部
分に多くのキャリア−が残っている。そしてその後のT
2の期間はi層に空乏層が広がるようになりここでは空
乏層が広がり易いため、電流の急激な減少が起こりにく
く、従来構造のダイオ−ドに較べてソフトリカバリ−特
性となる。
乏層は主に、p型層に隣接して設けたn型高不純物濃度
領域に広がるので従来のpinダイオ−ドのi層に広が
る空乏層に比較して幅が狭く、又、広がる速度も遅い。
従って、空乏層の広 (4) がりにより吸い出されるキャリア−の量が少なく電流は
あまり増加しない。このため、尖頭逆電流IRPの値が
小さくTkの期間も短くなり、空乏化していないi層部
分に多くのキャリア−が残っている。そしてその後のT
2の期間はi層に空乏層が広がるようになりここでは空
乏層が広がり易いため、電流の急激な減少が起こりにく
く、従来構造のダイオ−ドに較べてソフトリカバリ−特
性となる。
【0010】図6は従来のpin構造ダイオ−ドa及
び、本実施例の構造を持つダイオ−ド(b)の、逆回復
時の電流波形を示す。電流波形の時間変化は先ず時刻t
1では、両方のダイオ−ドとも、pn接合付近のキャリ
ア−はまだかなり残っている。時刻t2になるとpn接
合の空乏化が始まっている。時刻t3になると従来のダ
イオ−ド(a)では空乏層の広がり速度が速く、大量の
キャリア−が吸い出されるため、電流はまだ増加してい
る。一方、この時刻t3において、本実施例のダイオ−
ド(b)では空乏層の広がり速度が遅いため、電流が増
加し難く既にその尖頭値に達している。時刻t4におい
て、従来のダイオ−ド(a)においても電流がその尖頭
値に達している。一方、本実施例のダイオ−ド(b)で
は電流は徐々に減少し始めている。時刻t5になると、
従来のダイオ−ド(a)においては電流が急激に減少し
始める、これは空乏層の広がり速度は既に広がった空乏
層幅に反比例する関係にあり、キャリア−の吸いだし量
が急減するためである。一方、本実施例のダイオ−ド
(b)では空乏層幅が小さく電流は徐々に減少する。時
刻t6になると、従来のダイオ−ド(a)においては電
流がほとんど0になっている。一方、本実施例のダイオ
−ド(b)ではi層2内のキャリア−は未だ残っており
電流はゆるやかに減少する。以上のように、本実施例の
ダイオ−ドでは、従来のpin構造のダイオ−ド (5) に較べてソフトリカバリ−特性となる。
び、本実施例の構造を持つダイオ−ド(b)の、逆回復
時の電流波形を示す。電流波形の時間変化は先ず時刻t
1では、両方のダイオ−ドとも、pn接合付近のキャリ
ア−はまだかなり残っている。時刻t2になるとpn接
合の空乏化が始まっている。時刻t3になると従来のダ
イオ−ド(a)では空乏層の広がり速度が速く、大量の
キャリア−が吸い出されるため、電流はまだ増加してい
る。一方、この時刻t3において、本実施例のダイオ−
ド(b)では空乏層の広がり速度が遅いため、電流が増
加し難く既にその尖頭値に達している。時刻t4におい
て、従来のダイオ−ド(a)においても電流がその尖頭
値に達している。一方、本実施例のダイオ−ド(b)で
は電流は徐々に減少し始めている。時刻t5になると、
従来のダイオ−ド(a)においては電流が急激に減少し
始める、これは空乏層の広がり速度は既に広がった空乏
層幅に反比例する関係にあり、キャリア−の吸いだし量
が急減するためである。一方、本実施例のダイオ−ド
(b)では空乏層幅が小さく電流は徐々に減少する。時
刻t6になると、従来のダイオ−ド(a)においては電
流がほとんど0になっている。一方、本実施例のダイオ
−ド(b)ではi層2内のキャリア−は未だ残っており
電流はゆるやかに減少する。以上のように、本実施例の
ダイオ−ドでは、従来のpin構造のダイオ−ド (5) に較べてソフトリカバリ−特性となる。
【0011】ダイオ−ドの諸特性のうち、この他の重要
な特性として逆方向耐圧が有る。一般にi層の不純物濃
度が高いとpn接合の電界強度が高くなり易く耐圧が低
くなってしまう。しかし、本実施例においては、p型層
に接した高不純物濃度領域の先に低不純物濃度のi層が
存在しており、この両領域の厚さ、不純物濃度を調節す
ることにより充分、必要な逆耐電圧を得ることが出来
る。このダイオ−ドの製造法は先ず、ウェファ−径10
0mm、厚さ400μm、抵抗率0.003Ω・cm、面
方位(111)のn型シリコン基板ウェファ−1を用意
する。この基板ウェファ−1の主表面にn型高抵抗層、
すなわちi層2(20Ω・cm)を、厚さ50μmだけ
エピタキシャル成長させる。次にエピタキシャル成長中
のド−バントの量を増加してn型の低抵抗層3(4.5
Ω・cm)を10μm成長させる。次に、ウェファ−表
面に酸化膜を500Å形成する、続いてp型層4を形成
するため、ボロンをイオン注入により打ち込む。その
後、1150℃で900分間、窒素中でアニ−ル拡散を
行なう事により、表面濃度約8E18/cm∧3、深さ
約7μmのp型層4が形成される。この様にして接合形
成されたウェファ−にPt、Au等の重金属を拡散して、
ライフタイムを短くした後、周知のフォトエッチング技
術を用いて、シリコンをメサ型に加工し、表面に保護膜
5を形成する。その後、電極金属A1を表面に、Cr−
Niを裏面に形成し、ウェファ−を2mm□四方のチッ
プに分割して本実施例素子を完成した。
な特性として逆方向耐圧が有る。一般にi層の不純物濃
度が高いとpn接合の電界強度が高くなり易く耐圧が低
くなってしまう。しかし、本実施例においては、p型層
に接した高不純物濃度領域の先に低不純物濃度のi層が
存在しており、この両領域の厚さ、不純物濃度を調節す
ることにより充分、必要な逆耐電圧を得ることが出来
る。このダイオ−ドの製造法は先ず、ウェファ−径10
0mm、厚さ400μm、抵抗率0.003Ω・cm、面
方位(111)のn型シリコン基板ウェファ−1を用意
する。この基板ウェファ−1の主表面にn型高抵抗層、
すなわちi層2(20Ω・cm)を、厚さ50μmだけ
エピタキシャル成長させる。次にエピタキシャル成長中
のド−バントの量を増加してn型の低抵抗層3(4.5
Ω・cm)を10μm成長させる。次に、ウェファ−表
面に酸化膜を500Å形成する、続いてp型層4を形成
するため、ボロンをイオン注入により打ち込む。その
後、1150℃で900分間、窒素中でアニ−ル拡散を
行なう事により、表面濃度約8E18/cm∧3、深さ
約7μmのp型層4が形成される。この様にして接合形
成されたウェファ−にPt、Au等の重金属を拡散して、
ライフタイムを短くした後、周知のフォトエッチング技
術を用いて、シリコンをメサ型に加工し、表面に保護膜
5を形成する。その後、電極金属A1を表面に、Cr−
Niを裏面に形成し、ウェファ−を2mm□四方のチッ
プに分割して本実施例素子を完成した。
【0012】図7は、本発明の他の実施例の不純物濃度
分布を示す図である。本構造は、i層の不純物濃度分布
をpn接合に接した側を高く、n型高不純物濃度層側を
低くなるように連続的に変化させたものである。これ
は、i層のエピタキシャル成長中のド−パントの量を連
続的に変化させることで容易に実現できる。 (6) 図8は、本発明の他の実施例の断面構造を示す。これ
は、i層中の高不純物濃度領域ならびにp型層領域を、
選択拡散技術を用いて作成した例である。図9は、本発
明の他の実施例の断面構造を示す。i層中の高不純物濃
度領域を複数に分割して設けたものである。この様にi
層中の高不純物濃度領域は必ずしもダイオ−ドの断面全
体にある必要はなく断面の一部に設けた場合でも、本実
施例の原理からして同様の効果が得られる。図10は、
本発明の他の実施例の断面構造を示す。これは、同一主
表面にp、n高不純物濃度領域が存在する場合を示す。
以上の説明は低不純物濃度領域i層がn型低不純物濃度
領域の場合について説明したが、低不純物濃度領域i層
p型低不純物濃度領域の場合でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
分布を示す図である。本構造は、i層の不純物濃度分布
をpn接合に接した側を高く、n型高不純物濃度層側を
低くなるように連続的に変化させたものである。これ
は、i層のエピタキシャル成長中のド−パントの量を連
続的に変化させることで容易に実現できる。 (6) 図8は、本発明の他の実施例の断面構造を示す。これ
は、i層中の高不純物濃度領域ならびにp型層領域を、
選択拡散技術を用いて作成した例である。図9は、本発
明の他の実施例の断面構造を示す。i層中の高不純物濃
度領域を複数に分割して設けたものである。この様にi
層中の高不純物濃度領域は必ずしもダイオ−ドの断面全
体にある必要はなく断面の一部に設けた場合でも、本実
施例の原理からして同様の効果が得られる。図10は、
本発明の他の実施例の断面構造を示す。これは、同一主
表面にp、n高不純物濃度領域が存在する場合を示す。
以上の説明は低不純物濃度領域i層がn型低不純物濃度
領域の場合について説明したが、低不純物濃度領域i層
p型低不純物濃度領域の場合でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
【0013】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よればpinダイオ−ドに関し、特に、逆回復時の逆方
向電流の尖頭値IRPを小さくすることにより逆回復時
Trrを長くしないで、T2の期間のdi/dtを小さ
くし、ソフトリカバリ−特性のダイオ−ドを提供できる
ので電源装置等に適用して装置の小型化、高効率化、高
周波化に好適である等実用上の効果は大きい。
よればpinダイオ−ドに関し、特に、逆回復時の逆方
向電流の尖頭値IRPを小さくすることにより逆回復時
Trrを長くしないで、T2の期間のdi/dtを小さ
くし、ソフトリカバリ−特性のダイオ−ドを提供できる
ので電源装置等に適用して装置の小型化、高効率化、高
周波化に好適である等実用上の効果は大きい。
【図1】本発明の一実施例構造図
【図2】本発明実施例の不純物濃度分布図
【図3】従来構造図
【図4】従来構造の不純物濃度分布図
【図5】従来構造の動作説明用の電流、電圧波形図 (7)
【図6】従来構造及び本発明実施例を比較した電流波形
図
図
【図7】本発明の他の実施例の不純物濃度分布図
【図8】本発明の他の実施例構造図
【図9】本発明の他の実施例構造図
【図10】本発明の他の実施例構造図
1 N型半導体基体(高濃度n型領域) 2 低不純物濃度領域(真正領域) 3 高不純物濃度領域 4 P型高濃度領域 5 保護膜 J PN接合
Claims (3)
- 【請求項1】 p型高不純物濃度領域とn型高不純物濃
度領域及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域が少なく
とも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純物濃
度領域とpn接合が隣接するように形成されたことを特
徴とするダイオ−ド。 - 【請求項2】 低不純物濃度領域中の高不純物濃度領域
の不純物濃度を、pn接合に近い側ほど高くした事を特
徴とする請求項1のダイオ−ド。 - 【請求項3】 p型高不純物濃度領域とn型高不純物濃
度領域及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域の不
純物濃度をpn接合に近い側ほど高くした事を特徴とす
るダイオ−ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8800794A JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8800794A JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07273354A true JPH07273354A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13930756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8800794A Pending JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07273354A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318412A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7102207B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having rectifying action |
KR100695306B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 피아이엔 다이오드의 제조 방법 |
JP2007123932A (ja) * | 2001-02-23 | 2007-05-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
WO2009022592A1 (ja) * | 2007-08-13 | 2009-02-19 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | ソフトリカバリーダイオード |
WO2010026653A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 株式会社 東芝 | 記憶装置 |
US8829519B2 (en) | 2007-09-20 | 2014-09-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2016009871A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | アーベーベー・テクノロジー・アーゲー | 逆導通パワー半導体デバイス |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8800794A patent/JPH07273354A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123932A (ja) * | 2001-02-23 | 2007-05-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
KR100695306B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 피아이엔 다이오드의 제조 방법 |
JP2003318412A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4539011B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2010-09-08 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置 |
US7102207B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having rectifying action |
US7781869B2 (en) | 2002-12-03 | 2010-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having rectifying action |
WO2009022592A1 (ja) * | 2007-08-13 | 2009-02-19 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | ソフトリカバリーダイオード |
JP2009049045A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Kansai Electric Power Co Inc:The | ソフトリカバリーダイオード |
US8829519B2 (en) | 2007-09-20 | 2014-09-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
WO2010026653A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 株式会社 東芝 | 記憶装置 |
JP2016009871A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | アーベーベー・テクノロジー・アーゲー | 逆導通パワー半導体デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4843253B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
CN102593168B (zh) | 半导体器件和逆导igbt | |
US7696598B2 (en) | Ultrafast recovery diode | |
JP6356689B2 (ja) | ショットキーダイオード及びその製造方法 | |
US7473965B2 (en) | Structure of a high breakdown voltage element for use in high power applications | |
US8476712B2 (en) | Surge-current-resistant semiconductor diode with soft recovery behavior and methods for producing a semiconductor diode | |
JPH08316500A (ja) | ダイオード及びその製造方法 | |
EP0074642B1 (en) | Low-loss and high-speed diodes | |
JPWO2011024214A1 (ja) | 高速回復ダイオード | |
JP4119148B2 (ja) | ダイオード | |
EP2256813A2 (en) | Electric power conversion device | |
CN114551601B (zh) | 高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅mosfet | |
US7838970B2 (en) | Semiconductor component with high concentration doped zone embedded in emitter region | |
US8592903B2 (en) | Bipolar semiconductor device and manufacturing method | |
JPH07273354A (ja) | ダイオ−ド | |
JP2006245475A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH033954B2 (ja) | ||
JP3468571B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN110534582B (zh) | 一种具有复合结构的快恢复二极管及其制造方法 | |
CN110504324B (zh) | 一种高压瞬态电压抑制二极管 | |
JPH0286173A (ja) | 半導体ダイオード | |
JP2003124478A (ja) | 半導体装置 | |
CN112216746A (zh) | 碳化硅半导体器件 | |
JPS62115880A (ja) | Pn接合素子 | |
JP2000058867A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040520 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040729 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060523 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |