JPH07273354A - ダイオ−ド - Google Patents
ダイオ−ドInfo
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- JPH07273354A JPH07273354A JP8800794A JP8800794A JPH07273354A JP H07273354 A JPH07273354 A JP H07273354A JP 8800794 A JP8800794 A JP 8800794A JP 8800794 A JP8800794 A JP 8800794A JP H07273354 A JPH07273354 A JP H07273354A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明の目的は、ｐｉｎダイオ−ドに関し、
特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくす
ることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の
期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特性の
ダイオ−ドを提供する事にある。 【構成】 ｐ型高不純物濃度領域４とｎ型高不純物濃度
領域１及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域２よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
２に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域３が少
なくとも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純
物濃度領域とｐｎ接合Ｊが隣接するように形成されたこ
とを特徴とする。
特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくす
ることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の
期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特性の
ダイオ−ドを提供する事にある。 【構成】 ｐ型高不純物濃度領域４とｎ型高不純物濃度
領域１及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域２よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
２に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域３が少
なくとも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純
物濃度領域とｐｎ接合Ｊが隣接するように形成されたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する分野の説明】本発明は整流用ダイオ−ド
特に高速ダイオ−ドの構造に関するものである。
特に高速ダイオ−ドの構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術とその問題点】近年、電子機器の小型化、高
効率化のために、装置の高周波化が進んでおり、機器に組
み込まれる整流用のダイオ−ドに対しても高周波化の要
望が強い。高周波用のダイオ−ド（高速ダイオ−ド）に
必要な特性として、逆回復に要する時間が短いことが要
求される。これと共に近年問題となっているのが、ダイ
オ−ドの逆回復時の電流変化と、ダイオ−ドを組み込ん
だ回路に存在する浮遊インダクタンスとによる、スパイ
クノイズの問題である。
効率化のために、装置の高周波化が進んでおり、機器に組
み込まれる整流用のダイオ−ドに対しても高周波化の要
望が強い。高周波用のダイオ−ド（高速ダイオ−ド）に
必要な特性として、逆回復に要する時間が短いことが要
求される。これと共に近年問題となっているのが、ダイ
オ−ドの逆回復時の電流変化と、ダイオ−ドを組み込ん
だ回路に存在する浮遊インダクタンスとによる、スパイ
クノイズの問題である。
【０００３】図３は従来構造図で図中１はＮ型シリコン
基体（高濃度不純物ｎ層）、２は （２） 低濃度不純物ｎ層（ｉ領域）、４は高濃度不純物ｐ層、
ＪはＰＮ接合である。図４はその不純物濃度分布図、図
５は逆回復時の電流、電圧波形を示す。
基体（高濃度不純物ｎ層）、２は （２） 低濃度不純物ｎ層（ｉ領域）、４は高濃度不純物ｐ層、
ＪはＰＮ接合である。図４はその不純物濃度分布図、図
５は逆回復時の電流、電圧波形を示す。
【０００４】ダイオ−ドの逆回復時間Ｔｒｒは、大別し
て図示の様に２種類の期間からなりたっている。即ち
ダイオ−ドの電流が順方向のＩＦから０迄減少して逆方
向電流が流れ始めた時点から電流がその尖頭値IRPとな
るまでの期間Ｔ1 前記期間Ｔ1の後の、電流が減少して再び０になるま
での期間Ｔ2 ダイオ−ドの高速動作の為には逆回復時間Ｔｒｒが短い
ことが望ましい。しかし、ダイオ−ドの逆電流ＩＲがそ
の尖頭値IRPに達してから、電流が０になるまでの期間
Ｔ２があまりに短いと浮遊インダクタンス成分Ｌによる
Ｌ＊ｄｉ／ｄｔなる誘起起電力が大きくなり、いわゆる
スパイクノイズ発生の原因となる。この様なスパイクノ
イズを低減するためには、Ｔ２の期間の電流減少率ｄｉ
／ｄｔを小さくしてやればよい。しかし、単にＴ２の期
間の電流減少率ｄｉ／ｄｔを小さくするとダイオ−ドの
逆回復時間Ｔｒｒが長くなってしまう。ちなみに、電流
が順方向電流ＩＦから減少して、逆方向電流の尖頭値IR
Pへ向う場合の−ｄｉ／ｄｔは、ほぼ、回路側の条件で
決まっている。
て図示の様に２種類の期間からなりたっている。即ち
ダイオ−ドの電流が順方向のＩＦから０迄減少して逆方
向電流が流れ始めた時点から電流がその尖頭値IRPとな
るまでの期間Ｔ1 前記期間Ｔ1の後の、電流が減少して再び０になるま
での期間Ｔ2 ダイオ−ドの高速動作の為には逆回復時間Ｔｒｒが短い
ことが望ましい。しかし、ダイオ−ドの逆電流ＩＲがそ
の尖頭値IRPに達してから、電流が０になるまでの期間
Ｔ２があまりに短いと浮遊インダクタンス成分Ｌによる
Ｌ＊ｄｉ／ｄｔなる誘起起電力が大きくなり、いわゆる
スパイクノイズ発生の原因となる。この様なスパイクノ
イズを低減するためには、Ｔ２の期間の電流減少率ｄｉ
／ｄｔを小さくしてやればよい。しかし、単にＴ２の期
間の電流減少率ｄｉ／ｄｔを小さくするとダイオ−ドの
逆回復時間Ｔｒｒが長くなってしまう。ちなみに、電流
が順方向電流ＩＦから減少して、逆方向電流の尖頭値IR
Pへ向う場合の−ｄｉ／ｄｔは、ほぼ、回路側の条件で
決まっている。
【０００５】ここで、ダイオ−ドの内部のキャリア−の
動きから逆回復時の様子を見るとＴ1の期間はさらに、
順方向バイアス時に蓄積されていたキャリア−が減少
し、ｐｎ接合が回復して逆バイアス電圧を持ち始める迄
の期間Ｔｊと、ひきつづいて接合近傍に空乏領域が広が
り、この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出され
る期間Ｔｋとに分けられる。Ｔ2の期間は、逆バイアス
電圧の増加にともなう空乏領域のさらなる増大により、
この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出される期
間である。勿論、各期間を通じて再結合によるキャリア
−の減少は起こっている。一般に、Ｔｒｒを短くするた
めには、重金属拡散等によりキャリア−のライフタイム
を短くする必要があるが、この場合、低濃度領域に蓄積
されたキャリア−量が減少すること、また、再結合によ
るキャリア−の減少速度が速くなる （３） 等によりＴ2も短くなりｄｉ／ｄｔが大きくなってしま
う。この様に、Ｔｒｒを短くし、かつ、電流減少率ｄｉ
／ｄｔの小さい、いわゆるソフトリカバリ−特性のダイ
オ−ドを作るのは困難であった。
動きから逆回復時の様子を見るとＴ1の期間はさらに、
順方向バイアス時に蓄積されていたキャリア−が減少
し、ｐｎ接合が回復して逆バイアス電圧を持ち始める迄
の期間Ｔｊと、ひきつづいて接合近傍に空乏領域が広が
り、この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出され
る期間Ｔｋとに分けられる。Ｔ2の期間は、逆バイアス
電圧の増加にともなう空乏領域のさらなる増大により、
この領域に蓄積されていたキャリア−が吸い出される期
間である。勿論、各期間を通じて再結合によるキャリア
−の減少は起こっている。一般に、Ｔｒｒを短くするた
めには、重金属拡散等によりキャリア−のライフタイム
を短くする必要があるが、この場合、低濃度領域に蓄積
されたキャリア−量が減少すること、また、再結合によ
るキャリア−の減少速度が速くなる （３） 等によりＴ2も短くなりｄｉ／ｄｔが大きくなってしま
う。この様に、Ｔｒｒを短くし、かつ、電流減少率ｄｉ
／ｄｔの小さい、いわゆるソフトリカバリ−特性のダイ
オ−ドを作るのは困難であった。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、ｐｉｎダイオ−ドに関
し、特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さ
くすることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ
2の期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特
性のダイオ−ドを提供する事にある。
し、特に、逆回復時の逆方向電流の尖頭値ＩＲＰを小さ
くすることにより逆回復時間Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ
2の期間のｄｉ／ｄｔを小さくし、ソフトリカバリ−特
性のダイオ−ドを提供する事にある。
【０００７】
【課題を解決するための本発明の手段】本発明では、ｐ
ｉｎダイオ−ドにおいて、ｐ層とｎ層との間に設けられ
た低不純物濃度領域内に、これと同導電型で、かつこれ
よりも高不純物濃度の領域を、ｐｎ接合に隣接して設け
たことを特徴としている。
ｉｎダイオ−ドにおいて、ｐ層とｎ層との間に設けられ
た低不純物濃度領域内に、これと同導電型で、かつこれ
よりも高不純物濃度の領域を、ｐｎ接合に隣接して設け
たことを特徴としている。
【０００８】
【実施例】ここでの説明は、不純物濃度の低いｉ層とし
てｎ型低不純物濃度層を持つダイオ−ドについて行う。
この構造を単にｐｉｎ（構造）とよぶ。図１は本発明の
一実施例を示す断面構造図、図２はその不純物濃度分布
図で従来例と同一符号は同等部分を示す。図において、
１はｎ層、２はｉ層、３はｉ層中に設けられたｎ層、４
はｐ層をそれぞれ示している。本実施例は、従来のｐｉ
ｎ構造ダイオ−ドのｉ層の中に、これと同じ導電型で、
かつ高不純物濃度の層をｐ型層に隣接して設けたことが
特徴となっている。
てｎ型低不純物濃度層を持つダイオ−ドについて行う。
この構造を単にｐｉｎ（構造）とよぶ。図１は本発明の
一実施例を示す断面構造図、図２はその不純物濃度分布
図で従来例と同一符号は同等部分を示す。図において、
１はｎ層、２はｉ層、３はｉ層中に設けられたｎ層、４
はｐ層をそれぞれ示している。本実施例は、従来のｐｉ
ｎ構造ダイオ−ドのｉ層の中に、これと同じ導電型で、
かつ高不純物濃度の層をｐ型層に隣接して設けたことが
特徴となっている。
【０００９】本発明構造では、接合が回復した直後の空
乏層は主に、ｐ型層に隣接して設けたｎ型高不純物濃度
領域に広がるので従来のｐｉｎダイオ−ドのｉ層に広が
る空乏層に比較して幅が狭く、又、広がる速度も遅い。
従って、空乏層の広 （４） がりにより吸い出されるキャリア−の量が少なく電流は
あまり増加しない。このため、尖頭逆電流ＩＲＰの値が
小さくＴｋの期間も短くなり、空乏化していないｉ層部
分に多くのキャリア−が残っている。そしてその後のＴ
２の期間はｉ層に空乏層が広がるようになりここでは空
乏層が広がり易いため、電流の急激な減少が起こりにく
く、従来構造のダイオ−ドに較べてソフトリカバリ−特
性となる。
乏層は主に、ｐ型層に隣接して設けたｎ型高不純物濃度
領域に広がるので従来のｐｉｎダイオ−ドのｉ層に広が
る空乏層に比較して幅が狭く、又、広がる速度も遅い。
従って、空乏層の広 （４） がりにより吸い出されるキャリア−の量が少なく電流は
あまり増加しない。このため、尖頭逆電流ＩＲＰの値が
小さくＴｋの期間も短くなり、空乏化していないｉ層部
分に多くのキャリア−が残っている。そしてその後のＴ
２の期間はｉ層に空乏層が広がるようになりここでは空
乏層が広がり易いため、電流の急激な減少が起こりにく
く、従来構造のダイオ−ドに較べてソフトリカバリ−特
性となる。
【００１０】図６は従来のｐｉｎ構造ダイオ−ドａ及
び、本実施例の構造を持つダイオ−ド（ｂ）の、逆回復
時の電流波形を示す。電流波形の時間変化は先ず時刻ｔ
1では、両方のダイオ−ドとも、ｐｎ接合付近のキャリ
ア−はまだかなり残っている。時刻ｔ2になるとｐｎ接
合の空乏化が始まっている。時刻ｔ3になると従来のダ
イオ−ド（ａ）では空乏層の広がり速度が速く、大量の
キャリア−が吸い出されるため、電流はまだ増加してい
る。一方、この時刻ｔ3において、本実施例のダイオ−
ド（ｂ）では空乏層の広がり速度が遅いため、電流が増
加し難く既にその尖頭値に達している。時刻ｔ4におい
て、従来のダイオ−ド（ａ）においても電流がその尖頭
値に達している。一方、本実施例のダイオ−ド（ｂ）で
は電流は徐々に減少し始めている。時刻ｔ5になると、
従来のダイオ−ド（ａ）においては電流が急激に減少し
始める、これは空乏層の広がり速度は既に広がった空乏
層幅に反比例する関係にあり、キャリア−の吸いだし量
が急減するためである。一方、本実施例のダイオ−ド
（ｂ）では空乏層幅が小さく電流は徐々に減少する。時
刻ｔ6になると、従来のダイオ−ド（ａ）においては電
流がほとんど０になっている。一方、本実施例のダイオ
−ド（ｂ）ではｉ層２内のキャリア−は未だ残っており
電流はゆるやかに減少する。以上のように、本実施例の
ダイオ−ドでは、従来のｐｉｎ構造のダイオ−ド （５） に較べてソフトリカバリ−特性となる。
び、本実施例の構造を持つダイオ−ド（ｂ）の、逆回復
時の電流波形を示す。電流波形の時間変化は先ず時刻ｔ
1では、両方のダイオ−ドとも、ｐｎ接合付近のキャリ
ア−はまだかなり残っている。時刻ｔ2になるとｐｎ接
合の空乏化が始まっている。時刻ｔ3になると従来のダ
イオ−ド（ａ）では空乏層の広がり速度が速く、大量の
キャリア−が吸い出されるため、電流はまだ増加してい
る。一方、この時刻ｔ3において、本実施例のダイオ−
ド（ｂ）では空乏層の広がり速度が遅いため、電流が増
加し難く既にその尖頭値に達している。時刻ｔ4におい
て、従来のダイオ−ド（ａ）においても電流がその尖頭
値に達している。一方、本実施例のダイオ−ド（ｂ）で
は電流は徐々に減少し始めている。時刻ｔ5になると、
従来のダイオ−ド（ａ）においては電流が急激に減少し
始める、これは空乏層の広がり速度は既に広がった空乏
層幅に反比例する関係にあり、キャリア−の吸いだし量
が急減するためである。一方、本実施例のダイオ−ド
（ｂ）では空乏層幅が小さく電流は徐々に減少する。時
刻ｔ6になると、従来のダイオ−ド（ａ）においては電
流がほとんど０になっている。一方、本実施例のダイオ
−ド（ｂ）ではｉ層２内のキャリア−は未だ残っており
電流はゆるやかに減少する。以上のように、本実施例の
ダイオ−ドでは、従来のｐｉｎ構造のダイオ−ド （５） に較べてソフトリカバリ−特性となる。
【００１１】ダイオ−ドの諸特性のうち、この他の重要
な特性として逆方向耐圧が有る。一般にｉ層の不純物濃
度が高いとｐｎ接合の電界強度が高くなり易く耐圧が低
くなってしまう。しかし、本実施例においては、ｐ型層
に接した高不純物濃度領域の先に低不純物濃度のｉ層が
存在しており、この両領域の厚さ、不純物濃度を調節す
ることにより充分、必要な逆耐電圧を得ることが出来
る。このダイオ−ドの製造法は先ず、ウェファ−径１０
０ｍｍ、厚さ４００μｍ、抵抗率０.００３Ω・ｃｍ、面
方位（１１１）のｎ型シリコン基板ウェファ−１を用意
する。この基板ウェファ−１の主表面にｎ型高抵抗層、
すなわちｉ層２（２０Ω・ｃｍ）を、厚さ５０μｍだけ
エピタキシャル成長させる。次にエピタキシャル成長中
のド−バントの量を増加してｎ型の低抵抗層３（４.５
Ω・ｃｍ）を１０μｍ成長させる。次に、ウェファ−表
面に酸化膜を５００Å形成する、続いてｐ型層４を形成
するため、ボロンをイオン注入により打ち込む。その
後、１１５０℃で９００分間、窒素中でアニ−ル拡散を
行なう事により、表面濃度約８Ｅ１８／ｃｍ∧３、深さ
約７μｍのｐ型層４が形成される。この様にして接合形
成されたウェファ−にＰｔ、Ａｕ等の重金属を拡散して、
ライフタイムを短くした後、周知のフォトエッチング技
術を用いて、シリコンをメサ型に加工し、表面に保護膜
５を形成する。その後、電極金属Ａ1を表面に、Ｃｒ−
Ｎｉを裏面に形成し、ウェファ−を２ｍｍ□四方のチッ
プに分割して本実施例素子を完成した。
な特性として逆方向耐圧が有る。一般にｉ層の不純物濃
度が高いとｐｎ接合の電界強度が高くなり易く耐圧が低
くなってしまう。しかし、本実施例においては、ｐ型層
に接した高不純物濃度領域の先に低不純物濃度のｉ層が
存在しており、この両領域の厚さ、不純物濃度を調節す
ることにより充分、必要な逆耐電圧を得ることが出来
る。このダイオ−ドの製造法は先ず、ウェファ−径１０
０ｍｍ、厚さ４００μｍ、抵抗率０.００３Ω・ｃｍ、面
方位（１１１）のｎ型シリコン基板ウェファ−１を用意
する。この基板ウェファ−１の主表面にｎ型高抵抗層、
すなわちｉ層２（２０Ω・ｃｍ）を、厚さ５０μｍだけ
エピタキシャル成長させる。次にエピタキシャル成長中
のド−バントの量を増加してｎ型の低抵抗層３（４.５
Ω・ｃｍ）を１０μｍ成長させる。次に、ウェファ−表
面に酸化膜を５００Å形成する、続いてｐ型層４を形成
するため、ボロンをイオン注入により打ち込む。その
後、１１５０℃で９００分間、窒素中でアニ−ル拡散を
行なう事により、表面濃度約８Ｅ１８／ｃｍ∧３、深さ
約７μｍのｐ型層４が形成される。この様にして接合形
成されたウェファ−にＰｔ、Ａｕ等の重金属を拡散して、
ライフタイムを短くした後、周知のフォトエッチング技
術を用いて、シリコンをメサ型に加工し、表面に保護膜
５を形成する。その後、電極金属Ａ1を表面に、Ｃｒ−
Ｎｉを裏面に形成し、ウェファ−を２ｍｍ□四方のチッ
プに分割して本実施例素子を完成した。
【００１２】図７は、本発明の他の実施例の不純物濃度
分布を示す図である。本構造は、ｉ層の不純物濃度分布
をｐｎ接合に接した側を高く、ｎ型高不純物濃度層側を
低くなるように連続的に変化させたものである。これ
は、ｉ層のエピタキシャル成長中のド−パントの量を連
続的に変化させることで容易に実現できる。 （６） 図８は、本発明の他の実施例の断面構造を示す。これ
は、ｉ層中の高不純物濃度領域ならびにｐ型層領域を、
選択拡散技術を用いて作成した例である。図９は、本発
明の他の実施例の断面構造を示す。ｉ層中の高不純物濃
度領域を複数に分割して設けたものである。この様にｉ
層中の高不純物濃度領域は必ずしもダイオ−ドの断面全
体にある必要はなく断面の一部に設けた場合でも、本実
施例の原理からして同様の効果が得られる。図１０は、
本発明の他の実施例の断面構造を示す。これは、同一主
表面にｐ、ｎ高不純物濃度領域が存在する場合を示す。
以上の説明は低不純物濃度領域ｉ層がｎ型低不純物濃度
領域の場合について説明したが、低不純物濃度領域ｉ層
ｐ型低不純物濃度領域の場合でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
分布を示す図である。本構造は、ｉ層の不純物濃度分布
をｐｎ接合に接した側を高く、ｎ型高不純物濃度層側を
低くなるように連続的に変化させたものである。これ
は、ｉ層のエピタキシャル成長中のド−パントの量を連
続的に変化させることで容易に実現できる。 （６） 図８は、本発明の他の実施例の断面構造を示す。これ
は、ｉ層中の高不純物濃度領域ならびにｐ型層領域を、
選択拡散技術を用いて作成した例である。図９は、本発
明の他の実施例の断面構造を示す。ｉ層中の高不純物濃
度領域を複数に分割して設けたものである。この様にｉ
層中の高不純物濃度領域は必ずしもダイオ−ドの断面全
体にある必要はなく断面の一部に設けた場合でも、本実
施例の原理からして同様の効果が得られる。図１０は、
本発明の他の実施例の断面構造を示す。これは、同一主
表面にｐ、ｎ高不純物濃度領域が存在する場合を示す。
以上の説明は低不純物濃度領域ｉ層がｎ型低不純物濃度
領域の場合について説明したが、低不純物濃度領域ｉ層
ｐ型低不純物濃度領域の場合でも同様の効果が得られる
ことは明らかである。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よればｐｉｎダイオ−ドに関し、特に、逆回復時の逆方
向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくすることにより逆回復時
Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の期間のｄｉ／ｄｔを小さ
くし、ソフトリカバリ−特性のダイオ−ドを提供できる
ので電源装置等に適用して装置の小型化、高効率化、高
周波化に好適である等実用上の効果は大きい。
よればｐｉｎダイオ−ドに関し、特に、逆回復時の逆方
向電流の尖頭値ＩＲＰを小さくすることにより逆回復時
Ｔｒｒを長くしないで、Ｔ２の期間のｄｉ／ｄｔを小さ
くし、ソフトリカバリ−特性のダイオ−ドを提供できる
ので電源装置等に適用して装置の小型化、高効率化、高
周波化に好適である等実用上の効果は大きい。
【図１】本発明の一実施例構造図
【図２】本発明実施例の不純物濃度分布図
【図３】従来構造図
【図４】従来構造の不純物濃度分布図
【図５】従来構造の動作説明用の電流、電圧波形図 （７）
【図６】従来構造及び本発明実施例を比較した電流波形
図
図
【図７】本発明の他の実施例の不純物濃度分布図
【図８】本発明の他の実施例構造図
【図９】本発明の他の実施例構造図
【図１０】本発明の他の実施例構造図
１ Ｎ型半導体基体（高濃度ｎ型領域） ２ 低不純物濃度領域（真正領域） ３ 高不純物濃度領域 ４ Ｐ型高濃度領域 ５ 保護膜 Ｊ ＰＮ接合
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐ型高不純物濃度領域とｎ型高不純物濃
度領域及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域内
に、これと同導電型で、かつ高不純物濃度領域が少なく
とも一つ存在し、この低不純物濃度領域中の高不純物濃
度領域とｐｎ接合が隣接するように形成されたことを特
徴とするダイオ−ド。 - 【請求項２】 低不純物濃度領域中の高不純物濃度領域
の不純物濃度を、ｐｎ接合に近い側ほど高くした事を特
徴とする請求項１のダイオ−ド。 - 【請求項３】 ｐ型高不純物濃度領域とｎ型高不純物濃
度領域及び、前記両領域の間に介在する低不純物濃度領
域よりなるダイオ−ドにおいて、低不純物濃度領域の不
純物濃度をｐｎ接合に近い側ほど高くした事を特徴とす
るダイオ−ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8800794A JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8800794A JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273354A true JPH07273354A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13930756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8800794A Pending JPH07273354A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273354A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-03-31 JP JP8800794A patent/JPH07273354A/ja active Pending
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