JP2009071334A - 表面処理方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Wは、処理容器10内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、N2 とH2 との混合ガスがプラズマ発生部30に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにNF3 ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段22により冷却され、活性化されたNF3 ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Wの表面に形成される。N2 、H2 及びNF3 ガスの供給が停止され、加熱手段19で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。
【選択図】図1
Description
10 処理容器
13 石英ライニング
15 石英ドーム
18 加熱部カバー
19 加熱ランプ
20 ウエハ載置台
21 クランプリング
24 ウエハリフト手段
25 ピン駆動機構
26 反応ガス(NF3 )供給管
28 NF3 ガス源
29 基台
30 プラズマ形成管(プラズマ発生部)
31 プラズマキャビティ
32 マイクロ波発生源
33 プラズマガス導入部
35 N2 ガス源
36 H2 ガス源
40 排気管
41 真空ポンプ
100 真空クラスタ装置
101 自然酸化膜除去チャンバ
102 加熱チャンバ
103 配線形成チャンバ
104 ロードロックチャンバ
105 搬送チャンバ
106 搬送ロボット
107 ゲートバルブ
200 真空クラスタ装置
201 自然酸化膜除去チャンバ
202 加熱チャンバ
203 配線形成チャンバ
204 冷却チャンバ
205 ロードロックチャンバ
206 搬送チャンバ
207 搬送ロボット
208 ゲートバルブ
Claims (8)
- 表面に酸化膜を有する被処理体を処理する処理方法において、
プラズマガス導入部よりNとHを含むプラズマガスを導入する工程と、
プラズマ発生部により前記NとHを含むプラズマガスを活性化することにより、NラジカルとHラジカルからなる活性ガス種を発生する工程と、
ガス供給管より添加NF3ガスを前記プラズマ発生部の端から離れた前記プラズマ発生部と前記被処理体の間の位置において、前記NラジカルとHラジカルからなる活性ガス種に供給して該添加NF3ガスを活性化して前記添加NF3ガスの活性ガス種を形成する工程と、
前記NラジカルとHラジカルからなる活性ガス種と前記添加NF3ガスの活性ガス種との相乗作用により、前記被処理体の表面上の前記酸化物を変質させてSi、N、H、F、Oの混合した反応膜を前記被処理体上に形成する工程と、
を備えたことを特徴とする処理方法。 - 加熱手段により、前記反応膜が形成された前記被処理体を加熱して前記反応膜を昇華することにより前記被処理体から前記反応膜を除去する工程と
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の処理方法。 - 前記プラズマ発生部が、マイクロ波発生源と導波管とから構成され、マイクロ波により前記NとHを含むプラズマガスを活性化することを特徴とする請求項1に記載の処理方法。
- 前記ガス供給管が、前記被処理体を載置する載置台の上方に向かって前記添加NF3ガスを供給することを特徴とする請求項1に記載の処理方法。
- 表面に酸化膜を有する被処理体を処理する処理装置において、
NとHを含むプラズマガスを導入するプラズマガス導入部と、
前記NとHを含むプラズマガスを活性化することにより、NラジカルとHラジカルからなる活性ガス種を発生するプラズマ発生部と、
添加NF3ガスの活性ガス種を形成するために、該添加NF3ガスを前記プラズマ発生部の端から離れた前記プラズマ発生部と前記被処理体の間の位置において前記NラジカルとHラジカルからなる活性ガス種に供給するガス供給管と、
を具備し、
前記NラジカルとHラジカルからなる活性ガス種と前記添加NF3ガスの活性ガス種との相乗作用により、前記被処理体の表面上の前記酸化物を変質させてSi、N、H、F、Oの混合した反応膜を前記被処理体上に形成する、
ことを特徴とする処理装置。 - 前記反応膜を昇華することにより前記被処理体から前記反応膜を除去するために、前記反応膜が形成された前記被処理体を加熱する加熱手段と、
を具備することを特徴とする請求項5に記載の処理装置。 - 前記プラズマ発生部が、マイクロ波発生源と導波管とから構成され、マイクロ波により前記NとHを含むプラズマガスを活性化することを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
- 前記ガス供給管が、前記被処理体を載置する載置台の上方に向かって前記添加NF3ガスを供給することを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
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