JP2009071251A - フリップチップbga基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】フリップチップBGAパッケージにおいて、バンプに加わるせん断応力を増加させることなく、反りを低減したフリップチップBGA基板を提供する。
【解決手段】フリップチップBGA基板13において、シリコンチップ11が実装される実装位置の裏面に相当する基板13表面に、シリコンチップ11外形と同じか、又は外側外周に沿って溝18を形成した。これによりシリコンチップ実装部分の変形による歪が吸収され、反りが低減される。
【選択図】図1
【解決手段】フリップチップBGA基板13において、シリコンチップ11が実装される実装位置の裏面に相当する基板13表面に、シリコンチップ11外形と同じか、又は外側外周に沿って溝18を形成した。これによりシリコンチップ実装部分の変形による歪が吸収され、反りが低減される。
【選択図】図1
Description
本発明は、各種ICのフリップチップBGA(Ball Grid Array:ボールグリッドアレイ)パッケージ基板に関するもので、より詳細には、シリコンチップが実装される部位に溝或いは窪みを設けて基板全体の反りを低減させたフリップチップBGA基板に関する。
従来技術において、シリコンチップは、図7に示すように、バンプ112によりパッケージ基板113にフリップチップ接合され、パッケージ基板内部の配線によりBGAはんだボール114に電気的に接続されている。
フリップチップBGAパッケージ構造では、シリコンチップ111とパッケージ基板113との間にアンダーフィル材115と呼ばれる樹脂を充填し、シリコンチップ111とパッケージ基板113を平面で接着する構造をとる。
フリップチップ接合は、高温下で行われることが多く、シリコンチップ111とパッケージ基板113との熱膨張係数差により接合終了後の常温状態ではシリコンチップ111側が凸になるようにシリコンチップ111とパッケージ基板113が反る。
この反りにより、シリコンチップ111とパッケージ基板113の接合面同士の相対位置が維持されるため、接続バンプ112にかかるせん断応力が低減されている。
特開2007−27699号公報(図1)
フリップチップ接合は、高温下で行われることが多く、シリコンチップ111とパッケージ基板113との熱膨張係数差により接合終了後の常温状態ではシリコンチップ111側が凸になるようにシリコンチップ111とパッケージ基板113が反る。
この反りにより、シリコンチップ111とパッケージ基板113の接合面同士の相対位置が維持されるため、接続バンプ112にかかるせん断応力が低減されている。
しかしながら、従来技術で説明したシリコンチップとパッケージ基板の熱膨張係数差による反りは、BGAパッケージ全体の反りとなり、BGAはんだボール面の平坦性(コプラナリティ)に影響する。平坦性が悪いと、マザーボードへの部品マウント時に問題となる。シリコンチップが大きい場合、パッケージ基板が大きい場合は特に深刻である。
又、図8に示すように、マザーボード116への部品実装後にも、BGAはんだボール114に大きい変形を発生させ、BGAパッケージとマザーボード116との接続信頼性の低下をもたらす。
一般的に、パッケージ全体の反りを低減するために、図9に示すように、スティフナ117と呼ばれる補強部材を接着する方法がとられているが、この場合、パッケージ基板113を強制的に変形させるために、フリップチップ接続バンプ112に加わるせん断応力が増加し、シリコンチップ111とパッケージ基板113との接続強度の低下をもたらす。
又、図8に示すように、マザーボード116への部品実装後にも、BGAはんだボール114に大きい変形を発生させ、BGAパッケージとマザーボード116との接続信頼性の低下をもたらす。
一般的に、パッケージ全体の反りを低減するために、図9に示すように、スティフナ117と呼ばれる補強部材を接着する方法がとられているが、この場合、パッケージ基板113を強制的に変形させるために、フリップチップ接続バンプ112に加わるせん断応力が増加し、シリコンチップ111とパッケージ基板113との接続強度の低下をもたらす。
従って、フリップチップ接続バンプに加わるせん断応力を増加させることなくパッケージの反りを抑えることができるパッケージ基板を実現することに解決しなければならない課題を有する。
上記課題を解決するために、本願発明のフリップチップBGA基板は、次に示す構成にしたことである。
(1)フリップチップBGA基板は、フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置の裏面に相当する基板表面に、シリコンチップ外形と同じか、又は外側外周に沿って溝を形成したことである。
(2)フリップチップBGA基板は、フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置と同じ基板表面に、シリコンチップ外形よりも外側外周に沿って溝を形成したことである。
(3)フリップチップBGA基板は、フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置の裏面に相当する基板表面に、シリコンチップ外形よりも大きく板厚を薄くした窪み部分を形成したことである。
(2)フリップチップBGA基板は、フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置と同じ基板表面に、シリコンチップ外形よりも外側外周に沿って溝を形成したことである。
(3)フリップチップBGA基板は、フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置の裏面に相当する基板表面に、シリコンチップ外形よりも大きく板厚を薄くした窪み部分を形成したことである。
本発明においては、パッケージ基板のシリコンチップを実装する位置に溝或いは窪みを形成する構造にしたことにより、フリップチップBGAパッケージの反りが低減するため、スティフナ形成の必要がなくなる。又は、スティフナを形成しても、溝により形成される板厚の薄い部分で歪が吸収され、フリップチップ接続バンプへのせん断応力の増加が抑えられる。
更に、本願発明のフリップチップBGAパッケージは、マザーボードに部品実装された後のBGAはんだボールの変形が小さいため、BGAはんだボールの接続信頼性が向上する。
更に、本願発明のフリップチップBGAパッケージは、マザーボードに部品実装された後のBGAはんだボールの変形が小さいため、BGAはんだボールの接続信頼性が向上する。
次に、本願発明に係るフリップチップBGA基板の実施例について図面を参照して説明する。
本願発明の第1実施例のフリップチップBGA基板は、図1及び図2に示すように、パッケージ基板13の上面に搭載されるシリコンチップ11がフリップチップ実装される位置の裏面に、シリコンチップ11の外形と同じか、または外側外周に沿って溝18を形成する。
この溝18は、ルータやレーザ加工によって形成が可能であり、パッケージ基板13の板厚の約半分程度を切り欠いて形成されている。
この溝18は、ルータやレーザ加工によって形成が可能であり、パッケージ基板13の板厚の約半分程度を切り欠いて形成されている。
図3は、パッケージ基板13にシリコンチップ11をフリップチップ実装した構造の断面図であり、バンプ12によりパッケージ基板13にフリップチップ接合され、パッケージ基板13内部の配線によりBGAはんだボール14に電気的に接続されている。シリコンチップ11とパッケージ基板13との間にアンダーフィル材15と呼ばれる樹脂を充填し、シリコンチップ11とパッケージ基板13を平面で接着する構造となっている。
このようにして生成されたフリップチップBGA基板は、シリコンチップ11とパッケージ基板13との熱膨張係数差によりパッケージ基板13に反りが発生するが、溝18によりパッケージ基板13の板厚の薄い(剛性の低い)部分が形成されているため、シリコンチップ実装部分の変形による歪が吸収され、溝18のない場合に比べて基板全体の反りが低減される。
このようにして生成されたフリップチップBGA基板は、シリコンチップ11とパッケージ基板13との熱膨張係数差によりパッケージ基板13に反りが発生するが、溝18によりパッケージ基板13の板厚の薄い(剛性の低い)部分が形成されているため、シリコンチップ実装部分の変形による歪が吸収され、溝18のない場合に比べて基板全体の反りが低減される。
図4は、溝18を形成したフリップチップBGA基板であるパッケージ基板13をマザーボード16に部品実装した断面図であり、実装後のBGAはんだボール14の変形は溝18のない場合に比べて低減される。バンプ12でフリップチップ接合されたシリコンチップ11とパッケージ基板13の凸状の反りはそのままにして、反りから外れた位置に設けた溝18によりマザーボード16上にパッケージ基板13が装着されるため、反りの部分のバンプ12へのせん断応力は増加せすその分シリコンチップ11とパッケージ基板13との接続強度を維持或いは増加させることができる。
次に、本願発明の第2実施例のフリップチップBGA基板について、図面を参照して説明する。
第2実施例のフリップチップBGA基板は、図5に示すように、シリコンチップ11が実装される実装位置と同じ基板表面に、シリコンチップ外形よりも外側外周に沿って溝19を形成した構造となっている。
この場合も、シリコンチップ11とパッケージ基板13との熱膨張係数差によりパッケージ基板13に反りが発生するが、実装したシリコンチップ11側の基板面に設けた溝19によりパッケージ基板13の板厚の薄い(剛性の低い)部分が形成されているため、シリコンチップ実装部分の変形による歪が吸収され、溝19のない場合に比べて基板全体の反りが低減される。
この場合も、シリコンチップ11とパッケージ基板13との熱膨張係数差によりパッケージ基板13に反りが発生するが、実装したシリコンチップ11側の基板面に設けた溝19によりパッケージ基板13の板厚の薄い(剛性の低い)部分が形成されているため、シリコンチップ実装部分の変形による歪が吸収され、溝19のない場合に比べて基板全体の反りが低減される。
次に、本願発明の第3実施例のフリップチップBGA基板について、図面を参照して説明する。
第3実施例のフリップチップBGA基板は、図6に示すように、シリコンチップ11が実装される実装位置の裏面に相当するパッケージ基板13表面に、シリコンチップ11外形よりも大きく板厚を薄くした窪み部分21を形成した構造となっている。
この場合、BGAは窪み部分21にBGAはんだボール14を配置することができないためフルグリッドにはできない。シリコンチップ実装部分全体のパッケージ基板13の板厚が薄いため、この窪み部分21の変形は大きくなるが、パッケージ基板13全体の変形は抑えられる。
この窪み部分21を作成するためには、完成基板のルータ加工、レーザ加工の他に、予め穴を形成した基板を積層する方法でも可能である。
この場合、BGAは窪み部分21にBGAはんだボール14を配置することができないためフルグリッドにはできない。シリコンチップ実装部分全体のパッケージ基板13の板厚が薄いため、この窪み部分21の変形は大きくなるが、パッケージ基板13全体の変形は抑えられる。
この窪み部分21を作成するためには、完成基板のルータ加工、レーザ加工の他に、予め穴を形成した基板を積層する方法でも可能である。
パッケージ基板のシリコンチップを実装する位置に溝或いは窪みを形成する構造にしたことにより、フリップチップBGAパッケージの反りへの影響を低減させるためのフリップチップBGA基板を提供する。
11 シリコンチップ
12 バンプ
13 パッケージ基板
14 BGAはんだボール
15 アンダフィル材
16 マザーボード
18 溝
19 溝
21 窪み部分
12 バンプ
13 パッケージ基板
14 BGAはんだボール
15 アンダフィル材
16 マザーボード
18 溝
19 溝
21 窪み部分
Claims (3)
- フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、
前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置の裏面に相当する基板表面に、シリコンチップ外形と同じか、又は外側外周に沿って溝を形成したことを特徴とするフリップチップBGA基板。 - フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、
前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置と同じ基板表面に、シリコンチップ外形よりも外側外周に沿って溝を形成したことを特徴とするフリップチップBGA基板。 - フリップチップBGAパッケージに用いられる基板において、
前記基板は、シリコンチップが実装される実装位置の裏面に相当する基板表面に、シリコンチップ外形よりも大きく板厚を薄くした窪み部分を形成したことを特徴とするフリップチップBGA基板。
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2007
- 2007-09-18 JP JP2007241112A patent/JP2009071251A/ja active Pending
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