JP2009071181A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】不純物を拡散させる熱処理を低温化・短時間化し、かつ、良品率を向上させること。
【解決手段】親水性膜19を成膜するステップと、親水性膜19の開口部22により露出する基板表面25を親水性膜19とともに薬液で処理するステップと、基板表面25に隣接するように成膜されたポリシリコン膜32に注入された不純物をポリシリコン膜32から基板8に拡散させるステップとを備えている。このとき、半導体装置は、基板表面25が薬液で処理されることにより、基板8とポリシリコン膜32との界面に膜が形成されることが防止され、ポリシリコン膜32から基板8に不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することができる。さらに、半導体装置は、薬液で処理されるときに用いられた液体が親水性膜19の表面に残ることが防止され、ウォーターマークが生成されることが防止され、パターン異常の発生が防止される。
【選択図】図13
【解決手段】親水性膜19を成膜するステップと、親水性膜19の開口部22により露出する基板表面25を親水性膜19とともに薬液で処理するステップと、基板表面25に隣接するように成膜されたポリシリコン膜32に注入された不純物をポリシリコン膜32から基板8に拡散させるステップとを備えている。このとき、半導体装置は、基板表面25が薬液で処理されることにより、基板8とポリシリコン膜32との界面に膜が形成されることが防止され、ポリシリコン膜32から基板8に不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することができる。さらに、半導体装置は、薬液で処理されるときに用いられた液体が親水性膜19の表面に残ることが防止され、ウォーターマークが生成されることが防止され、パターン異常の発生が防止される。
【選択図】図13
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置を生産するときに利用される半導体装置の製造方法に関する。
バイポーラデバイスとCMOSデバイスとが併用された半導体装置(BiCOMS)が知られている。そのバイポーラデバイスは、マスクポリシリコン膜をシリコン基板まで開口してエミッタコンタクトとコレクタコンタクトとを形成し、その上にポリシリコン膜を成膜し、そのポリシリコン膜にヒ素を注入して、熱処理でそのヒ素をポリシリコン膜からシリコン基板に押し込むことでエミッタ電極を形成している。このような半導体装置は、微細化が望まれ、そのヒ素をポリシリコン膜からシリコン基板に押し込む熱処理は、低温化、低時間化が望まれている。
ポリシリコン膜コンとシリコン基板とのエミッタ界面に生成する数Åの自然酸化膜、ケミカル酸化膜が砒素押し込みの際に阻害となることが知られている。このため、その自然酸化膜、ケミカル酸化膜を除去する、もしくは極力薄くすることにより、そのヒ素をポリシリコン膜からシリコン基板に押し込む熱処理を低温化、低時間化することができる。シリコン基板の表面に薬液処理を行って、このような酸化膜を除去した後に、そのポリシリコン膜コンを成膜する技術が知られている。
図1は、公知の半導体装置の製造方法を示している。その半導体装置の製造方法では、まず、マスクポリシリコン膜により表面が被覆された所定の半導体装置が形成される(ステップS101)。その半導体装置は、次いで、そのマスクポリシリコン膜とが部分的にエッチングされ、基板の表面の一部が露出するエミッタコンタクトが開口される。その露出した基板の表面は、マスクポリシリコン膜とともにフッ酸処理され、その基板の表面に形成される酸化物が除去される。その半導体装置は、さらに、そのフッ酸が除去されるように、その基板の表面の一部がそのマスクポリシリコン膜とともに水洗されて乾燥される(ステップS102)。その半導体装置は、次いで、ポリシリコン膜が成膜される。そのポリシリコン膜は、そのエミッタコンタクトを埋めてその基板に隣接し、かつ、そのマスクポリシリコン膜を被覆するように、形成される(ステップS103)。その半導体装置は、次いで、そのポリシリコン膜に不純物である砒素がイオン注入される。その半導体装置は、次いで、部分的にドライエッチング加工されて、そのポリシリコン膜のうちのエミッタコンタクトの周辺の部分からエミッタ電極が形成される(ステップS104)。その半導体装置は、次いで、サイドウォール膜が成膜される(ステップS105)。その半導体装置は、次いで、エッチングされて、端子となる領域が露出され、そのサイドウォール膜がサイドウォールに形成される。その半導体装置は、さらに、熱処理されて、そのポリシリコン膜に注入された不純物が基板に拡散され、基板にエミッタ領域が形成される(ステップS106)。その半導体装置は、次いで、端子となる領域に接続される配線パターンと保護膜とが形成されて、半導体装置の完成品に形成される。
図2は、ステップS101のマスクポリシリコン膜が成膜された後の半導体装置を示している。その半導体装置101は、単結晶シリコンから形成されている基板に形成され、bip部102とMOS部103とを含んでいる。その基板には、複数の領域が形成されている。その複数の領域は、隣接する2つの領域が互いに異なる導電型になるように形成され、半導体領域105とコレクタコンタクト領域106とコレクタ領域107とベース領域108とMOS部well110とMOS部LDD111とMOS部LDD112とを含んでいる。
半導体領域105は、その基板の全体に形成されている。コレクタコンタクト領域106とコレクタ領域107とベース領域108とは、bip部102に配置されている。コレクタコンタクト領域106は、半導体領域105より上層側に半導体領域105に隣接するように形成されている。コレクタ領域107は、コレクタコンタクト領域106より上層側に形成され、半導体領域105に隣接しないように、かつ、コレクタコンタクト領域106に囲まれるように形成されている。ベース領域108は、コレクタコンタクト領域106とコレクタ領域107とより上層側に形成されている。ベース領域108は、2つの領域から形成されている。ベース領域108の1つの領域は、コレクタコンタクト領域106に隣接するように形成されている。ベース領域108の他の領域は、コレクタ領域107に隣接するように形成されている。
MOS部well110とMOS部LDD111とMOS部LDD112とは、MOS部103に配置されている。MOS部well110は、半導体領域105より上層側に半導体領域105に隣接するように形成されている。MOS部LDD111とMOS部LDD112とは、それぞれ、半導体領域105に隣接しないように、MOS部well110の上層に形成されている。MOS部LDD111とMOS部LDD112とは、さらに、MOS部LDD111とMOS部LDD112とが互いに隣接しないように、MOS部well110に囲まれるように形成されている。
半導体装置101は、さらに、素子分離膜116と第1MOSゲート電極114と第2MOSゲート電極115とMOS部保護膜117とマスクポリシリコン膜118とが形成されている。素子分離膜116は、絶縁体である酸化膜から形成され、その基板を被覆するように形成されている。素子分離膜116は、さらに、コレクタコンタクト領域106が他のコレクタコンタクト領域に隣接しないように形成されている。素子分離膜116は、さらに、ベース領域108のうちのコレクタコンタクト領域106に隣接する領域がコレクタ領域107に隣接しないように、かつ、ベース領域108のうちのコレクタ領域107に隣接する領域がコレクタコンタクト領域106に隣接しないように、形成されている。素子分離膜116は、さらに、1つのMOS部well110に囲まれるMOS部LDD111とMOS部LDD112とが他のMOS部wellに囲まれるMOS部LDDに隣接しないように、形成されている。
第1MOSゲート電極114は、多結晶シリコンから形成され、素子分離膜116より上層のうちのMOS部LDD111とMOS部LDD112との間付近に配置され、素子分離膜116に隣接するように形成されている。第2MOSゲート電極115は、多結晶シリコンから形成され、第1MOSゲート電極114より上層に配置され、第1MOSゲート電極114に隣接するように形成されている。
MOS部保護膜117は、絶縁体から形成され、素子分離膜116と第1MOSゲート電極114と第2MOSゲート電極115とより上層に配置され、素子分離膜116と第1MOSゲート電極114と第2MOSゲート電極115とに隣接して素子分離膜116と第1MOSゲート電極114と第2MOSゲート電極115とを被覆するように配置されている。マスクポリシリコン膜118は、多結晶シリコンから形成され、MOS部保護膜117を被覆するように配置されている。このとき、半導体装置101は、マスクポリシリコン膜118のbip部102の表面が平坦であり、マスクポリシリコン膜118のMOS部103の表面に凹凸が形成されている。
図3は、ステップS102が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置121は、エッチングされて、bip部102にエミッタコンタクト122とコレクタコンタクト123とが形成されている。エミッタコンタクト122は、ベース領域108のうちのコレクタ領域107に隣接しない領域の一部の表面125が外部に露出するように形成されている。コレクタコンタクト123は、ベース領域108のうちのコレクタ領域107に隣接する領域の一部の表面126が外部に露出するように形成されている。
このようなエッチングによれば、半導体装置121は、不純物が拡散することを阻害する膜が表面125、126に形成されることがある。その膜としては、数Åの厚さの自然酸化膜、ケミカル酸化膜が例示される。半導体装置121は、さらに、表面125がマスクポリシリコン膜118とともに薬液に接触させられ、表面125、126に形成される膜が除去される。その薬液は、酸化膜に対してエッチングレートがあり、かつ、ケミカル酸化膜が生じない液体であり、このような薬液としては、フッ酸が例示される。半導体装置121は、次いで、その薬液が除去されるように、表面125がマスクポリシリコン膜118とともに水洗されて乾燥される。
図4は、ステップS103が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置131は、ポリシリコン膜132が成膜されている。そのポリシリコン膜132は、多結晶シリコンから形成されている。ポリシリコン膜132は、ベース領域108と隣接するように、エミッタコンタクト122の内部に充填され、コレクタコンタクト123の内部に充填され、マスクポリシリコン膜118が露出しないようにマスクポリシリコン膜118を被覆している。このように、薬液処理した後にポリシリコン膜132を成膜することによれば、ポリシリコン膜132とベース領域108とが隣接する界面133には、ポリシリコン膜132からベース領域108に不純物が拡散することを阻害する膜が形成されにくい。
半導体装置131は、ポリシリコン膜132が形成された後に、不純物である砒素がポリシリコン膜132にイオン注入される。なお、ポリシリコン膜132は、イオン注入と異なる方法を用いて形成されることもできる。その方法としては、ポリシリコン膜132の結晶成長時に砒素をドーピングする方法が例示される。
図5は、ステップS104が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置141は、マスクポリシリコン膜118とポリシリコン膜132とが部分的にドライエッチングされて、エミッタ電極142が形成され、MOS部保護膜117が露出している。すなわち、エミッタ電極142は、主にポリシリコン膜132に形成されていた多結晶シリコンから形成されている。半導体装置141は、さらに、コレクタコンタクト143が形成されている。コレクタコンタクト143は、エミッタコンタクト122が形成されていた箇所に形成され、ベース領域108のうちのコレクタ領域107に隣接する部分が除去されて、コレクタ領域107の一部が外部に露出するように形成されている。
図6は、ステップS105が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置151は、サイドウォール膜152が成膜されている。そのサイドウォール膜152は、絶縁体である酸化膜から形成され、MOS部保護膜117とエミッタ電極142とを被覆し、コレクタコンタクト143の内面を被覆するように形成されている。半導体装置151は、素子分離膜116とMOS部保護膜117とサイドウォール膜152とが部分的にエッチングされる。
図7は、ステップS106が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置161は、素子分離膜116とMOS部保護膜117とサイドウォール膜152とが選択的にエッチングされて、電極となる部分が露出されている。すなわち、半導体装置161は、エミッタ電極142に形成されたポリシリコン膜132の一部の表面165が露出している。半導体装置161は、さらに、ベース領域108の一部の表面166が露出している。半導体装置161は、さらに、コレクタ領域107の一部の表面167が露出している。半導体装置161は、さらに、MOS部LDD111の一部の表面168が露出している。半導体装置161は、さらに、MOS部LDD112の一部の表面169が露出している。半導体装置161は、さらに、第2MOSゲート電極115の一部の表面171が露出している。
半導体装置161は、さらに、サイドウォール162、163、164が形成されている。サイドウォール162は、素子分離膜116またはMOS部保護膜117またはサイドウォール膜152から形成され、エミッタ電極142の側面を被覆している。サイドウォール163は、サイドウォール膜152から形成され、コレクタコンタクト143の側面を被覆している。サイドウォール164は、MOS部保護膜117またはサイドウォール膜152から形成され、第1MOSゲート電極114と第2MOSゲート電極115との側面を被覆している。
半導体装置161は、さらに、エミッタ領域172が形成されている。エミッタ領域172は、ベース領域108のうちの界面133の近傍に形成され、ベース領域108に囲まれるように形成されている。すなわち、エミッタ領域172は、半導体装置161が熱処理されることにより、エミッタ電極142に形成されたポリシリコン膜132に含有されている砒素が界面133を介してポリシリコン膜132からベース領域108に拡散して形成され、半導体装置161は、エミッタ領域172とエミッタ電極142とから形成されるポリエミッタが形成される。このとき、界面133には、不純物がポリシリコン膜132から基板(ベース領域8)に拡散することを阻害する膜が多く形成されないで、エミッタ領域172は、より低温で、より短時間の熱処理により十分に形成されることができる。半導体装置161は、次いで、端子となる領域に接続される配線パターンと、その配線パターンを互いに絶縁する保護膜とが形成されて後、半導体装置の完成品に形成される。
このような半導体装置の製造方法によれば、界面133には、不純物がポリシリコン膜132から基板(ベース領域108)に拡散することを阻害する膜が多く形成されないで、エミッタ領域172は、より低温で、より短時間の熱処理により十分に形成されることができる。
図8は、ステップS102の水洗時の半導体装置を示している。その半導体装置171は、マスクポリシリコン膜118の表面に水滴172が接触することにより、マスクポリシリコン膜118の表面に付着する薬液の残渣が除去される。このとき、水滴172は、マスクポリシリコン膜118が疎水性であることから、マスクポリシリコン膜118の表面との接触角が大きい。水滴は、一般に、接触角が大きいときに、凹凸が形成される表面(たとえば、MOS部103の表面)に接触すると、その段差に引っかかり、十分に乾燥されないでその表面に液残りしやすい。
半導体装置121は、凹凸の表面に水滴が液残りしたときに、図3に示されているように、乾燥後にウォーターマーク173が形成されることがある。ウォーターマーク173は、ステップS103が実行された後の半導体装置131で、図4に示されているように、マスクポリシリコン膜118とポリシリコン膜132との界面に残存する。ウォーターマーク173は、エミッタ電極のドライエッチング加工時にマスクポリシリコン膜118がエッチングされることを阻害し、ステップS104が実行された後の半導体装置141では、図5に示されているように、たとえば、マスクポリシリコン膜118のうちのウォーターマーク173に被覆された一部174が膜残りする。このような膜残りは、図6、図7に示されているように、パターン異常を発生させ、半導体装置を製造するときの良品率を低下させる。
特開2002−270813号公報には、不純物拡散のための熱処理時にエミッタ電極を構成する多結晶シリコンが単結晶化することを界面酸化膜の残存を防ぎつつ確実に抑止すること、これにより、エミッタ電極抵抗を低減するとともにエミッタ不純物濃度を設計通りに制御して安定したhFEを実現する技術が開示されている。その半導体装置の製造方法は、シリコン基板の表面近傍に、第一導電型のコレクタ領域と該コレクタ領域の表面に位置する第二導電型のベース領域とを形成する工程と、前記シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を選択的にエッチングして前記ベース領域に到達する接続孔を形成する工程と、酸化剤およびアルカリを含む洗浄液を用いて前記絶縁膜表面および前記接続孔の内部を洗浄する工程と、前記接続孔を埋め込むように全面に多結晶シリコン膜を形成した後、該多結晶シリコン中に第一導電型の不純物を導入する工程と、基板全体を加熱処理し、前記不純物を前記ベース領域中に拡散させて第一導電型のエミッタ領域を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜を選択的にエッチングしてエミッタ電極とする工程とを含むことを特徴としている。
特開2002−270813号公報には、さらに、マスクポリシリコン膜の開口後、アンモニア、過酸化水素および水からなる洗浄液を用いてエミッタ界面処理をして、ウェハ表面にケミカル酸化膜を生成して、欠陥(ウォーターマーク)の発生を防ぐことが開示されている。
図9は、マスクポリシリコン膜の開口後に、アンモニア、過酸化水素および水からなる洗浄液を用いてエミッタ界面処理された半導体装置を示している。その半導体装置181は、親水性であるケミカル酸化膜182が生成されている。ケミカル酸化膜182は、膜厚が数Åであり、ウェハ表面を被覆するように形成されている。このような半導体装置181によれば、水洗されたときに、ケミカル酸化膜182の表面に接触する水滴183は、その表面との接触角が小さい。このため、水滴183は、ウェハ表面の段差に引っかかることなく、十分に乾燥され、乾燥後にウォーターマークが形成されることが防止され、半導体装置に欠陥が発生することが防止される。
しかしながら、ケミカル酸化膜182は、ポリシリコン膜132とベース領域108とが隣接する界面で、ポリシリコン膜132からシリコン基板へのヒ素押し込みを阻害することがある。このため、低温、低時間の熱処理では、その砒素押し込みが十分されず、エミッタ抵抗(RE)を上昇させることがある。不純物の押し込みのための熱処理の低温化、短時間化を可能にし、かつ、良品率を向上させることが望まれている。
特開2001−230236号公報には、不均一な厚みの自然酸化膜やウォーターマークに起因するエッチング残渣の発生を抑制することができるエッチングを実現する技術が開示されている。その微細デバイスの製造方法は、シリコン系材料層をエッチングにより微細加工することを含む微細デバイスの製造方法であって、エッチングの前処理として、フッ酸を含む第一の溶液による酸化物除去処理と、続いて酸化剤を含む第二の溶液による酸化処理とを行うことを特徴としている。
特開2005−033080号公報には、ベース拡散層やエミッタ拡散層の不純物濃度プロファイルを変えることなく、電流増幅率hFEが広範囲に制御された半導体装置が開示されている。その半導体装置は、エミッタ領域上にエミッタポリシリコン膜コン電極を有するバイポーラトランジスタを備えた半導体装置において、前記エミッタポリシリコン膜コン電極は前記エミッタ領域上に順次形成された第1のポリシリコン膜コン層、酸化物層、及び第2のポリシリコン膜コン層からなる3層構造を有することを特徴としている。
本発明の課題は、不純物の押し込みのための熱処理の低温化、短時間化を可能にし、かつ、良品率を向上させる半導体装置の製造方法を提供することにある。
以下に、発明を実施するための最良の形態・実施例で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態・実施例の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
本発明による半導体装置の製造方法は、親水性膜(19)を成膜する工程と、基板(8)のうちの親水性膜(19)に形成された開口部(22)により露出する基板表面(25)を親水性膜(19)とともに薬液で処理する工程と、基板表面(25)に隣接するように成膜されたポリシリコン膜(32)に注入された不純物をポリシリコン膜(32)から基板(8)に拡散させる工程とを備えている。このとき、半導体装置は、基板表面(25)が薬液で処理されることにより、基板(8)とポリシリコン膜(32)との界面に膜が形成されることが防止され、ポリシリコン膜(32)から基板(8)に不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することができる。さらに、半導体装置は、薬液で処理されるときに用いられた液体が親水性膜(19)の表面に残ることが防止され、ウォーターマークが生成されることが防止され、パターン異常の発生が防止される。その結果、本発明による半導体装置の製造方法は、不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することと、良品率(歩留まり)を向上させることとを両立させることができる。
本発明による半導体装置の製造方法は、ポリシリコン膜から基板に不純物が拡散することを阻害する膜がポリシリコン膜と基板との界面に形成されることが防止され、基板に不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することができる。本発明による半導体装置の製造方法は、さらに、その膜がその界面に形成されないように洗浄するときに用いられた液体が残存することが防止され、膜残りが防止され、その結果、半導体装置を生産するときの歩留まりを向上させることができる。このような半導体装置の製造方法は、バイポーラデバイスとCMOSデバイスとが併用された半導体装置(BiCOMS)を製造することに好適である。
図面を参照して、本発明による半導体装置の製造方法の実施の形態を記載する。その半導体装置の製造方法は、図10に示されているように、まず、マスクポリシリコン膜により表面が被覆された所定の半導体装置が形成される(ステップS1)。その半導体装置は、次いで、そのマスクポリシリコン膜を被覆するように、親水性膜が成膜される(ステップS2)。その半導体装置は、次いで、そのマスクポリシリコン膜とその親水性膜とが部分的にエッチングされ、基板の表面の一部が露出するエミッタコンタクトが開口される。その露出した基板の表面は、親水性膜とともにフッ酸処理され、その基板の表面に形成される酸化物が除去される。その半導体装置は、さらに、そのフッ酸が除去されるように、その基板の表面の一部がその親水性膜とともに水洗されて乾燥される(ステップS3)。その半導体装置は、次いで、ポリシリコン膜が成膜される。そのポリシリコン膜は、そのエミッタコンタクトを埋めてその基板に隣接し、かつ、その親水性膜を被覆するように、形成される(ステップS4)。その半導体装置は、次いで、そのポリシリコン膜に不純物である砒素がイオン注入される。その半導体装置は、次いで、部分的にドライエッチング加工されて、そのポリシリコン膜のうちのエミッタコンタクトの周辺の部分からエミッタ電極が形成される(ステップS5)。その半導体装置は、次いで、サイドウォール膜が成膜される(ステップS6)。その半導体装置は、次いで、エッチングされて、端子となる領域が露出され、そのサイドウォール膜がサイドウォールに形成される。その半導体装置は、さらに、熱処理されて、そのポリシリコン膜に注入された不純物が基板に拡散され、基板にエミッタ領域が形成される(ステップS7)。その半導体装置は、次いで、端子となる領域に接続される配線パターンと保護膜とが形成されて、半導体装置に形成される。
図11は、ステップS2の親水性膜が成膜された後の半導体装置を示している。その半導体装置1は、単結晶シリコンから形成されている基板に形成され、bip部2とMOS部3とを含んでいる。その基板には、複数の領域が形成されている。その複数の領域は、隣接する2つの領域が互いに異なる導電型になるように形成され、半導体領域5とコレクタコンタクト領域6とコレクタ領域7とベース領域8とMOS部well10とMOS部LDD11とMOS部LDD12とを含んでいる。半導体領域5は、その基板の全体に形成されている。
コレクタコンタクト領域6とコレクタ領域7とベース領域8とは、bip部2に配置されている。コレクタコンタクト領域6は、半導体領域5より上層側に半導体領域5に隣接するように形成されている。コレクタ領域7は、コレクタコンタクト領域6より上層側に形成され、半導体領域5に隣接しないように、かつ、コレクタコンタクト領域6に囲まれるように形成されている。ベース領域8は、コレクタコンタクト領域6とコレクタ領域7とより上層側に形成されている。ベース領域8は、2つの領域から形成されている。ベース領域8の1つの領域は、コレクタコンタクト領域6に隣接するように形成されている。ベース領域8の他の領域は、コレクタ領域7に隣接するように形成されている。
MOS部well10とMOS部LDD11とMOS部LDD12とは、MOS部3に配置されている。MOS部well10は、半導体領域5より上層側に半導体領域5に隣接するように形成されている。MOS部LDD11とMOS部LDD12とは、それぞれ、半導体領域5に隣接しないように、MOS部well10の上層に形成されている。MOS部LDD11とMOS部LDD12とは、さらに、MOS部LDD11とMOS部LDD12とが互いに隣接しないように、MOS部well10に囲まれるように形成されている。
半導体装置1は、さらに、素子分離膜16と第1MOSゲート電極14と第2MOSゲート電極15とMOS部保護膜17とマスクポリシリコン膜18と親水性膜19とが形成されている。素子分離膜16は、絶縁体である酸化膜から形成され、その基板を被覆するように形成されている。素子分離膜16は、さらに、コレクタコンタクト領域6が他のコレクタコンタクト領域に隣接しないように形成されている。素子分離膜16は、さらに、ベース領域8のうちのコレクタコンタクト領域6に隣接する領域がコレクタ領域7に隣接しないように、かつ、ベース領域8のうちのコレクタ領域7に隣接する領域がコレクタコンタクト領域6に隣接しないように、形成されている。素子分離膜16は、さらに、1つのMOS部well10に囲まれるMOS部LDD11とMOS部LDD12とが他のMOS部wellに囲まれるMOS部LDDに隣接しないように、形成されている。
第1MOSゲート電極14は、多結晶シリコンから形成され、素子分離膜16より上層のうちのMOS部LDD11とMOS部LDD12との間付近に配置され、素子分離膜16に隣接するように形成されている。第2MOSゲート電極15は、多結晶シリコンから形成され、第1MOSゲート電極14より上層に配置され、第1MOSゲート電極14に隣接するように形成されている。
MOS部保護膜17は、絶縁体から形成され、素子分離膜16と第1MOSゲート電極14と第2MOSゲート電極15とより上層に配置され、素子分離膜16と第1MOSゲート電極14と第2MOSゲート電極15とに隣接して素子分離膜16と第1MOSゲート電極14と第2MOSゲート電極15とを被覆するように配置されている。
マスクポリシリコン膜18は、多結晶シリコンから形成され、MOS部保護膜17を被覆するように配置されている。親水性膜19は、マスクポリシリコン膜18より親水性である酸化物(酸化シリコン)から形成され、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成されるHTO(High Temparature Oxide)膜が例示される。親水性膜19は、マスクポリシリコン膜18が外部に露出しないようにマスクポリシリコン膜18を被覆している。このとき、親水性膜19は、エミッタ界面処理時(ステップS3)に除去されない程度の膜厚に成膜されている。このような親水性膜19の膜厚としては、50〜500Åが例示される。なお、親水性膜19は、酸化物と異なる他の親水性膜から形成されることもできる。その親水性膜としては、シリコン窒化膜が例示される。
このとき、半導体装置1は、親水性膜19のbip部2の表面が平坦であり、親水性膜19のMOS部3の表面に凹凸が形成されている。
図12は、ステップS3が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置21は、エッチングされて、bip部2に開口部であるエミッタコンタクト22とコレクタコンタクト23とが形成されている。エミッタコンタクト22は、ベース領域8のうちのコレクタ領域7に隣接しない領域の一部の表面25が外部に露出するように形成されている。コレクタコンタクト23は、ベース領域8のうちのコレクタ領域7に隣接する領域の一部の表面26が外部に露出するように形成されている。このエッチングは、素子分離膜16とMOS部保護膜17とマスクポリシリコン膜18とともに親水性膜19を除去する必要があるために、複数ステップによる時間固定エッチングにより行われ、または、プラズマ発光モニターを用いて計測される計測結果に基づいてエッチング条件が変化するエッチングにより行われる。
このようなエッチングによれば、半導体装置21は、不純物が拡散することを阻害する膜が表面25、26に形成されることがある。その膜としては、数Åの厚さの自然酸化膜、ケミカル酸化膜が例示される。半導体装置21は、さらに、表面25が親水性膜19とともにフッ酸に接触させられ、表面25、26に形成される膜が除去される。半導体装置21は、次いで、そのフッ酸が除去されるように、表面25が親水性膜19とともに水洗されて乾燥される。なお、そのフッ酸は、酸化膜に対してエッチングレートがあり、かつ、ケミカル酸化膜が生じない液体に置換されることができる。
凹凸が形成される表面に接触する水滴は、一般に、その表面との接触角が大きいときに、その凹凸に引っかかり、その表面に液残りしやすく、乾燥後にウォーターマークが形成されることがある。半導体装置21は、親水性膜19のMOS部3の表面に凹凸が形成されている。親水性の表面に接触する水滴は、一般に、その表面との接触角が小さい。このため、半導体装置21は、表面25、26に形成される膜を十分に除去し、かつ、MOS部3の親水性膜19の凹凸の表面に薬液が残留されることを防止し、乾燥後にウォーターマークが形成されることを防止することができる。なお、親水性膜19が完全な親水性を示していないときでも、半導体装置21は、マスクポリシリコン膜18の表面に比較して、親水性膜19の凹凸の表面に薬液が残留されることが防止され、乾燥後にウォーターマークが形成されることを防止することができる。
図13は、ステップS4が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置31は、ポリシリコン膜32が成膜されている。そのポリシリコン膜32は、多結晶シリコンから形成されている。ポリシリコン膜32は、ベース領域8と隣接するように、エミッタコンタクト22の内部に充填され、コレクタコンタクト23の内部に充填され、親水性膜19が露出しないように親水性膜19を被覆している。このように薬液処理した後にポリシリコン膜32を成膜することによれば、ポリシリコン膜32とベース領域8とが隣接する界面33には、ポリシリコン膜32からベース領域8に不純物が拡散することを阻害する膜が形成されにくい。半導体装置31は、さらに、MOS部3の親水性膜19とポリシリコン膜32との凹凸の界面にウォーターマークが形成されることが防止されている。
半導体装置31は、ポリシリコン膜32が形成された後に、不純物である砒素がポリシリコン膜32にイオン注入される。
図14は、ステップS5が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置41は、マスクポリシリコン膜18と親水性膜19とポリシリコン膜32とが部分的にドライエッチングされて、エミッタ電極42が形成され、MOS部保護膜17が露出している。すなわち、エミッタ電極42は、主にポリシリコン膜32から形成されている。半導体装置41は、さらに、コレクタコンタクト43が形成されている。コレクタコンタクト43は、エミッタコンタクト22が形成されていた箇所に形成され、ベース領域8のうちのコレクタ領域7に隣接する部分が除去されて、コレクタ領域7の一部が外部に露出するように形成されている。
このとき、半導体装置41は、親水性膜19とポリシリコン膜32との界面にウォーターマークが形成されることが防止され、ポリシリコン膜32が膜残りすることが防止されている。
図15は、ステップS6が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置51は、サイドウォール膜52が成膜されている。そのサイドウォール膜52は、絶縁体である酸化膜から形成され、MOS部保護膜17とエミッタ電極42とコレクタコンタクト43とを被覆するように形成されている。半導体装置51は、素子分離膜16とMOS部保護膜17とサイドウォール膜52とが部分的にエッチングされる。
図16は、ステップS7が実行された後の半導体装置を示している。その半導体装置61は、半導体装置51の素子分離膜16とMOS部保護膜17とサイドウォール膜52とが選択的にエッチングされて、電極となる部分が露出されている。すなわち、半導体装置61は、エミッタ電極42に形成されたポリシリコン膜32の一部の表面65が露出している。半導体装置61は、さらに、ベース領域8の一部の表面66が露出している。半導体装置61は、さらに、コレクタ領域7の一部の表面67が露出している。半導体装置61は、さらに、MOS部LDD11の一部の表面68が露出している。半導体装置61は、さらに、MOS部LDD12の一部の表面69が露出している。半導体装置61は、さらに、第2MOSゲート電極15の一部の表面71が露出している。
半導体装置61は、サイドウォール62、63、64が形成されている。サイドウォール62は、素子分離膜16またはMOS部保護膜17またはサイドウォール膜52から形成され、エミッタ電極42の側面を被覆している。サイドウォール63は、サイドウォール膜52から形成され、コレクタコンタクト43の側面を被覆している。サイドウォール64は、MOS部保護膜17またはサイドウォール膜52から形成され、第1MOSゲート電極14と第2MOSゲート電極15との側面を被覆している。
半導体装置61は、さらに、エミッタ領域72が形成されている。エミッタ領域72は、ベース領域8のうちの界面33の近傍に形成され、ベース領域8に囲まれるように形成されている。すなわち、エミッタ領域72は、半導体装置61が熱処理されることにより、界面33を介して、エミッタ電極42に形成されたポリシリコン膜32に含有されている砒素がベース領域8に拡散して形成され、半導体装置61は、エミッタ領域72とエミッタ電極42とから形成されるポリエミッタが形成される。このとき、界面33には、不純物がポリシリコン膜32から基板(ベース領域8)に拡散することを阻害する膜が多く形成されないで、エミッタ領域72は、より低温で、より短時間の熱処理により十分に形成されることができる。半導体装置61は、次いで、端子となる領域に接続される配線パターンと、その配線パターンを互いに絶縁する保護膜とが形成されて後、半導体装置の完成品に形成される。
本発明による半導体装置の製造方法によれば、不純物の押し込みのための熱処理の低温化、短時間化することと、良品率を向上させることを両立させることができる。
1 :半導体装置
2 :bip部
3 :MOS部
5 :半導体領域
6 :コレクタコンタクト領域
7 :コレクタ領域
8 :ベース領域
10:MOS部well
11:MOS部LDD
12:MOS部LDD
14:第1MOSゲート電極
15:第2MOSゲート電極
16:素子分離膜
17:MOS部保護膜
18:マスクポリシリコン膜
19:親水性膜
21:半導体装置
22:エミッタコンタクト
23:コレクタコンタクト
25:表面
26:表面
31:半導体装置
32:ポリシリコン膜
33:界面
41:半導体装置
42:エミッタ電極
43:コレクタコンタクト
51:半導体装置
52:サイドウォール膜
61:半導体装置
62:サイドウォール
63:サイドウォール
64:サイドウォール
65:表面
66:表面
67:表面
68:表面
69:表面
71:表面
72:エミッタ領域
2 :bip部
3 :MOS部
5 :半導体領域
6 :コレクタコンタクト領域
7 :コレクタ領域
8 :ベース領域
10:MOS部well
11:MOS部LDD
12:MOS部LDD
14:第1MOSゲート電極
15:第2MOSゲート電極
16:素子分離膜
17:MOS部保護膜
18:マスクポリシリコン膜
19:親水性膜
21:半導体装置
22:エミッタコンタクト
23:コレクタコンタクト
25:表面
26:表面
31:半導体装置
32:ポリシリコン膜
33:界面
41:半導体装置
42:エミッタ電極
43:コレクタコンタクト
51:半導体装置
52:サイドウォール膜
61:半導体装置
62:サイドウォール
63:サイドウォール
64:サイドウォール
65:表面
66:表面
67:表面
68:表面
69:表面
71:表面
72:エミッタ領域
Claims (16)
- 基板上に形成された疎水性膜に、前記疎水性膜より親水性である親水性膜を成膜する工程と、
前記疎水性膜と前記親水性膜とに、前記基板のうちの一部の基板表面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記基板表面を前記親水性膜の表面とともに薬液で処理する工程と、
前記基板表面に隣接するようにポリシリコン膜を成膜する工程と、
前記ポリシリコン膜中の不純物を前記ポリシリコン膜から前記基板に拡散させる工程
とを具備する半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記親水性膜の表面は、凹凸が形成される部位を含む
半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2のいずれかにおいて、
前記ポリシリコン膜を成膜する工程は、
前記基板上にポリシリコン膜を形成する工程と、
前記イオン注入を施して前記ポリシリコン膜に前記不純物を導入する工程とを含む
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれかにおいて、
前記ポリシリコン膜を部分的にエッチングする工程を更に具備し、
前記不純物は、前記ポリシリコン膜が部分的にエッチングされた後に、前記ポリシリコン膜から前記基板に拡散される
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれかにおいて、
前記開口部は、複数ステップのエッチングにより形成される
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれかにおいて、
前記開口部は、センサを用いて計測される計測結果に基づいてエッチング条件が変化するエッチングにより形成される
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項6のいずれかにおいて、
前記疎水性膜は、ポリシリコンからなるマスクポリシリコン膜であり、
前記親水性膜は、前記マスクポリシリコン膜を被覆する
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項7のいずれかにおいて、
前記親水性膜は、前記薬液で処理する工程で前記親水性膜の一部が残存するように、膜厚が形成される
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項8のいずれかにおいて、
前記親水性膜は、シリコン酸化膜である
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項8のいずれかにおいて、
前記親水性膜は、シリコン窒化膜である
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項10のいずれかにおいて、
前記薬液は、酸化膜をエッチングし、かつ、前記基板表面を酸化させないものである
半導体装置の製造方法。 - 請求項11において、
前記薬液は、フッ酸である
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項12のいずれかにおいて、
前記基板には、バイポーラトランジスタが形成される領域と、MOSトランジスタが形成される領域とを含む
半導体装置の製造方法。 - 請求項13において、
前記開口部は、前記バイポーラトランジスタが形成される領域に形成される
半導体装置の製造方法。 - 請求項14において、
前記開口部は、エミッタコンタクトとコレクタコンタクトとを含む
半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項15のいずれかに記載される半導体装置の製造方法により製造された
半導体装置。
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- 2007-09-14 JP JP2007239935A patent/JP2009071181A/ja active Pending
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