JP2009064819A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート電極103およびゲート絶縁膜104の上にpoly−Si層107とa−Si層108が積層されてアクティブ領域が形成されている。poly−Siは全面に形成されたa−Siの一部をレーザアニールによってpoly−Siに変換している。poly−Siとa−Siを同時にドライエッチングし、エッチング速度の差によってa−Siのみ除去し、poly−Si層107を残留させる。これによってフォトリソグラフィ工程無しに、poly−Si層107のパターニングが出来、製造コストを低減できる。
【選択図】図1
Description
「特許文献1」には、プロセスが複雑になるのを防止するために、poly−Siを用いたTFTにおいてもボトムゲートを用いる構成が記載されている。この構成はゲート電極の上に形成されたゲート絶縁膜の上に、先ず、チャンネルとなるpoly−Si層を形成し、その上にa−Si層を形成する。a−Siの上にはn+Si層のコンタクト層が形成され、その上にソース/ドレイン電極(SD電極)が形成される。poly−Siをチャンネルに用いたTFTをこのような構成とすることによって、a−Siをチャンネルに用いたTFTとで共通のプロセスが多くなり、プロセスが単純化する。
Claims (9)
- 画素電極と画素用TFTがマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に駆動回路用TFTを含む駆動回路が形成され、
前記画素用TFTはチャネル部がa−Si層で形成されたボトムゲート型TFTであり、
前記駆動回路用TFTはボトムゲート型TFTであり、前記駆動回路用TFTは、チャネル部にpoly−Si層が形成され、前記poly−Si層を覆ってa−Si層が形成され、前記a−Si層の上にはn+Si層が形成され、前記n+Si層の上にはソース電極およびドレイン電極が形成されている表示装置の製造方法であって、
前記poly−Si層は第2のa−Si層の一部をレーザ照射によって第2のpoly−Si層に変換し、前記第2のa−Si層と前記第2のpoly−Si層を同時にエッチングすることによって形成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第2のa−Si層の一部をレーザ照射によって第2のpoly−Si層に変換する際、前記第2のpoly−Si層の表面に酸化膜を形成し、前記第2のa−Si層と表面に酸化膜が形成された前記第2のpoly−Si層を同時にエッチングすることによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示装置は有機EL表示装置であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 画素電極と画素用TFTがマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に駆動回路用TFTを含む駆動回路が形成された表示装置であって、
前記画素用TFTはチャネル部がa−Si層で形成されたボトムゲート型TFTであり、
前記駆動回路用TFTはボトムゲート型TFTであり、前記駆動回路用TFTは、チャネル部にpoly−Si層が形成され、前記poly−Si層を覆ってa−Si層が形成され、前記a−Si層の上にはn+Si層が形成され、前記n+Si層の上にはソース電極およびドレイン電極が形成されており、
前記poly−Si層の表面はエッチングされた面であることを特徴とする表示装置。 - 前記poly−Si層の側部は前記a−Si層によって覆われていることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記poly−Si層は側部において、前記n+Si層と接触していることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記表示装置は有機EL表示装置であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2014079082A1 (zh) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 开关管的制作方法及开关管的蚀刻设备 |
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JPH0555570A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
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