JP2007005508A - 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】逆スタガー型の薄膜トランジスタの製造方法において、薄膜トランジスタのチャネル層18は、ゲート絶縁膜13上に非晶質シリコン膜14、バッファー膜31、光−熱変換膜32の順に成膜する工程3、光−熱変換膜32に半導体レーザ光16を照射して非晶質シリコン膜14を微結晶シリコン膜15に結晶化する工程4と、光−熱変換膜32とバッファー膜31とを除去する工程5と、微結晶シリコン膜15上に非晶質シリコン膜17を成膜する工程6とを有する。
【選択図】図1
Description
Claims (4)
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を被覆するように前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を介してチャネル層を形成する工程と、
前記チャネル層の一方側にソース電極を形成するとともに他方側にドレイン電極を形成する工程と
を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
前記チャネル層を形成する工程は、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン膜、バッファー膜、光−熱変換膜の順に成膜する工程、
前記光−熱変換膜に半導体レーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に結晶化する工程と、
前記光−熱変換膜とバッファー膜とを除去する工程と、
前記微結晶シリコン膜上に非晶質シリコン膜を成膜する工程と
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記微結晶シリコン膜の結晶粒径は100nm以下である
ことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記光−熱変換膜を形成した後で前記半導体レーザ光を照射する前に、前記光−熱変換膜上に反射低減膜を形成し、
前記反射低減膜は前記光−熱変換膜及び前記バッファー膜を除去する際に除去する
ことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 複数の画素からなる表示パネルの画素を駆動する薄膜トランジスタを備えた表示装置の製造方法において、
前記薄膜トランジスタの製造工程は、
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を被覆するように前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を介してチャネル層を形成する工程と、
前記チャネル層の一方側にソース電極を形成するとともに他方側にドレイン電極を形成する工程とを備え、
前記チャネル層を形成する工程は、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン膜、バッファー膜、光−熱変換膜の順に成膜する工程と、
前記光−熱変換膜に半導体レーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に結晶化する工程と、
前記光−熱変換膜とバッファー膜とを除去する工程と、
前記微結晶シリコン膜上に非晶質シリコン膜を成膜する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
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