JP2009057618A - Copper-containing thin film, and method for producing the same - Google Patents
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Description
本発明は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法（Chemical Vapor Deposition法；以下、ＣＶＤ法と称する））によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機銅錯体を化学気相蒸着法により銅含有薄膜を形成させることによって得られるルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした銅含有薄膜及びその製造法に関する。 In the present invention, an organic ruthenium complex is produced by a chemical vapor deposition method (Chemical Vapor Deposition method; hereinafter referred to as a CVD method), and then a ruthenium-containing thin film is produced. The present invention relates to a copper-containing thin film in which a ruthenium-containing thin film obtained by forming a copper-containing thin film by chemical vapor deposition is used as a lower metal film and a method for producing the same.
近年、半導体、電子部品、光学部品等の材料で金属二層薄膜に関し、多くの研究・開発がなされている。例えば、高誘電体材料での電極材料として、白金／ルテニウム二層薄膜が使用されており、その電極特性の向上を目的としている（例えば、非特許文献１参照）。また、不揮発性メモリの一つであるＭＲＡＭでの巨大磁気抵抗膜として、磁性層（コバルト、鉄、ニッケル膜など）と非磁性層（ルテニウム膜）からなる二層膜が使用されている（例えば、特許文献１）。又、シリコン半導体の配線用銅膜として、ルテニウム金属層の上に銅膜の成膜が検討されている（例えば、非特許文献２及び３参照）。
これらの金属二層膜の成膜方法としては、例えば、白金／ルテニウム膜の成膜ではレーザーパルス融解法により成膜しており、また巨大磁気抵抗膜であるニッケル／ルテニウム膜の成膜はＭＢＥ法が使用されているが、これらの成膜方法は量産性が低いことから、工業的製法とは言えず、量産性の高いＣＶＤ法による製造方法が求められている。 As a method for forming these metal bilayer films, for example, a platinum / ruthenium film is formed by a laser pulse melting method, and a nickel / ruthenium film that is a giant magnetoresistive film is formed by MBE. However, since these film forming methods have low mass productivity, they cannot be said to be industrial production methods, and manufacturing methods by CVD methods with high mass productivity are demanded.
一方、ルテニウム膜上に銅膜を成膜する方法で、ルテニウム膜を成膜する方法としては、例えば、単層ずつ積み上げる方法（ＡＬＤ法）であるため、単位時間当たりのルテニウム薄膜の成膜速度が遅いという問題があり、又、銅薄膜製造のための銅錯体として、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅(I)トリメチルビニルシラン（(hfac)Cu(tmvs)）を使用しているが、当該銅錯体は熱安定性が悪いこと、また再現性良く銅薄膜が得られにくい等の問題があった。 On the other hand, as a method of forming a copper film on a ruthenium film, a method of forming a ruthenium film is, for example, a method of stacking single layers (ALD method), and thus a film formation rate of a ruthenium thin film per unit time. In addition, hexafluoroacetylacetonato copper (I) trimethylvinylsilane ((hfac) Cu (tmvs)) is used as a copper complex for the production of copper thin films. There were problems such as poor thermal stability and difficulty in obtaining a copper thin film with good reproducibility.
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした、平坦な連続銅含有薄膜及びその製造法を提供するものでもある。 The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a flat continuous copper-containing thin film using a ruthenium-containing thin film as a lower metal film and a method for producing the same.
本発明の課題は、一般式（１） The subject of this invention is general formula (1).
（式中、Ｘ１及びＹ１は、直鎖又は分枝状の炭化水素基であり、Ｚ１は、水素原子又は炭素原子数１〜４の炭化水素基を示す。Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。）
で示されるβ-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、ビス(2,6-ジメチル-2-トリメチルシリルオキシ-3,5-ヘプタンジオナト)銅（II）錯体（以下、有機銅錯体と称することもある）を化学気相蒸着法により銅含有薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした銅含有薄膜の製造法によって解決される。
(In the formula, X 1 and Y 1 are linear or branched hydrocarbon groups, Z 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. L is at least two (Unsaturated hydrocarbon compound having a double bond.)
A ruthenium-containing thin film is produced by chemical vapor deposition of an organic ruthenium complex having a β-diketonate represented by the formula (1) and an unsaturated hydrocarbon compound having at least two double bonds as a ligand, and then the ruthenium-containing thin film is produced. Copper (II) complex containing bis (2,6-dimethyl-2-trimethylsilyloxy-3,5-heptanedionato) copper (II) complex (hereinafter sometimes referred to as organocopper complex) is contained on the thin film by chemical vapor deposition. This is solved by a method for producing a copper-containing thin film using a ruthenium-containing thin film as a lower metal film, which is characterized by forming a thin film.
本発明により、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした、平坦な連続銅含有薄膜及びその製造法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a flat continuous copper-containing thin film having a ruthenium-containing thin film as a lower metal film and a method for producing the same.
本発明は、有機ルテニウム錯体をＣＶＤ法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機銅錯体をＣＶＤ法により銅含有薄膜を形成させることによって、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした銅含有薄膜を製造するが、ルテニウム含有薄膜を製造する工程（以下、第１工程と称する）とルテニウム含有薄膜の上に銅含有薄膜を製造する工程（以下、第２工程と称する）のふたつの工程から構成させる。 In the present invention, a ruthenium-containing thin film is produced by forming a ruthenium-containing thin film by CVD using an organic ruthenium complex, and then forming a copper-containing thin film by forming the organic copper complex by CVD on the ruthenium-containing thin film. A copper-containing thin film as a lower metal film is manufactured. A process for manufacturing a ruthenium-containing thin film (hereinafter referred to as a first process) and a process for manufacturing a copper-containing thin film on a ruthenium-containing thin film (hereinafter referred to as a second process) 2 steps).
本発明の第１工程は、有機ルテニウム錯体をＣＶＤ法によりルテニウム含有薄膜を製造する工程であるが、当該工程は、水素源、酸素源又は不活性ガスの存在下にて行うのが望ましい。前記水素源としては、水素ガスが好適に用いられ、酸素源としては、酸素ガスが好適に用いられる。又、不活性ガスとしては、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等が好適に使用される。 The first step of the present invention is a step of producing a ruthenium-containing thin film from an organic ruthenium complex by a CVD method, and this step is preferably performed in the presence of a hydrogen source, an oxygen source or an inert gas. Hydrogen gas is preferably used as the hydrogen source, and oxygen gas is preferably used as the oxygen source. Moreover, as an inert gas, nitrogen, helium, argon etc. are used suitably, for example.
本発明の第１工程で使用する有機ルテニウム錯体としては、一般式（１） The organic ruthenium complex used in the first step of the present invention is represented by the general formula (1)
（式中、Ｘ１及びＹ１は、直鎖又は分枝状の炭化水素基であり、Ｚ１は、水素原子又は炭素原子数１〜４の炭化水素基を示す。Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。）
で示されるβ-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体が使用される。
(In the formula, X 1 and Y 1 are linear or branched hydrocarbon groups, Z 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. L is at least two (Unsaturated hydrocarbon compound having a double bond.)
An organic ruthenium complex having a β-diketonate represented by the above formula and an unsaturated hydrocarbon compound having at least two double bonds as a ligand is used.
前記の一般式（１）において、Ｘ１及びＹ１は、直鎖又は分枝状の炭化水素基を示し、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等の炭素原子数１〜６の直鎖又は分枝状の炭化水素基である。Ｚ１は、水素原子又は炭素原子数１〜４の炭化水素基を示し、炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基等の炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状の炭化水素基である。又、Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示し、例えば、1,5-ヘキサジエン、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、1,4-シクロヘキサジエン、2,5-ジメチル-2,4-ヘキサジエン、4-ビニル-1-シクロヘキセン、1,3-ペンタジエンが好適に使用される。 In the general formula (1), X 1 and Y 1 each represent a linear or branched hydrocarbon group, such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, A straight-chain or branched hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms such as an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, an n-hexyl group, and an isohexyl group. Z 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and examples of the hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, A linear or branched hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms such as a t-butyl group. L represents an unsaturated hydrocarbon compound having at least two double bonds, such as 1,5-hexadiene, 1,5-cyclooctadiene, norbornadiene, 1,4-cyclohexadiene, 2,5- Dimethyl-2,4-hexadiene, 4-vinyl-1-cyclohexene and 1,3-pentadiene are preferably used.
本発明の有機ルテニウム錯体の配位子であるβ-ジケトナトの元となるβ-ジケトンは、公知の方法により容易に合成が可能な化合物である。 The β-diketone which is the base of β-diketonato which is a ligand of the organoruthenium complex of the present invention is a compound that can be easily synthesized by a known method.
本発明においては、ＣＶＤ法によりルテニウム薄膜を形成させるために、当該有機ルテニウム錯体を気化させる必要があるが、本発明の有機ルテニウム錯体を気化させる方法としては、例えば、有機ルテニウム錯体自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、有機ルテニウム錯体を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；トルエン等の芳香族炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。 In the present invention, in order to form a ruthenium thin film by the CVD method, it is necessary to vaporize the organic ruthenium complex. In addition to the method of vaporizing by packing or transporting to an organic solvent, the organic ruthenium complex is converted into an appropriate solvent (for example, aliphatic hydrocarbons such as hexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, and octane; aromatic hydrocarbons such as toluene; tetrahydrofuran; And ethers such as dibutyl ether.) A method (solution method) of diluting the solution into a vaporization chamber with a liquid transfer pump and vaporizing the solution can also be used.
成膜対象物（例えば、基板）への金属の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、好ましくは水素源、酸素源又は不活性ガスとともに、当該有機ルテニウム錯体を加熱した基板上に送り込んでルテニウム薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。又、プラズマＣＶＤ法で金属ルテニウム膜を蒸着させる方法も使用出来る。なお、成膜対象物には凹凸部があっても構わない。 As a method for depositing a metal on a film formation target (for example, a substrate), it can be performed by a known CVD method, for example, under normal pressure or reduced pressure, preferably with a hydrogen source, an oxygen source or an inert gas. A method of depositing a ruthenium thin film by feeding the organic ruthenium complex onto a heated substrate can be used. Moreover, the method of vapor-depositing a metal ruthenium film | membrane by plasma CVD method can also be used. Note that the film formation target may have an uneven portion.
前記ルテニウム薄膜を蒸着させる際、反応系内の圧力は、好ましくは1Pa〜200kPa、更に好ましくは10Pa〜110kPaであり、成膜対象物の温度は、好ましくは100〜500℃、更に好ましくは150〜400℃である。又、水素源又は酸素源による金属薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対するそれらの含有割合は、好ましくは0.5〜95容量％、更に好ましくは1〜90容量％である（残りは不活性ガスである）。なお、得られたルテニウム下層膜には凹凸部があっても構わない。 When depositing the ruthenium thin film, the pressure in the reaction system is preferably 1 Pa to 200 kPa, more preferably 10 Pa to 110 kPa, and the temperature of the film formation target is preferably 100 to 500 ° C., more preferably 150 to 400 ° C. Further, the content ratio of the metal thin film by the hydrogen source or oxygen source with respect to the total gas amount is preferably 0.5 to 95% by volume, more preferably 1 to 90% by volume (the rest is an inert gas). is there). The obtained ruthenium underlayer film may have uneven portions.
本発明の第２工程は、有機銅錯体をＣＶＤ法により、第１工程において製造したルテニウム含有薄膜の上に銅含有薄膜を製造する工程であるが、当該工程は、水素源又は不活性ガスの存在下にて行うのが望ましい。前記水素源としては、水素ガスが好適に用いられる。又、不活性ガスとしては、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等が好適に使用される。 The second step of the present invention is a step of producing a copper-containing thin film on the ruthenium-containing thin film produced in the first step by an organic copper complex by the CVD method. It is desirable to perform in the presence. As the hydrogen source, hydrogen gas is preferably used. Moreover, as an inert gas, nitrogen, helium, argon etc. are used suitably, for example.
本発明の第２工程で使用する有機銅錯体は、ビス(2,6-ジメチル-2-トリメチルシリルオキシ-3,5-ヘプタンジオナト)銅（II）錯体が用いられる（以下、銅錯体Ａと称する）。 As the organic copper complex used in the second step of the present invention, a bis (2,6-dimethyl-2-trimethylsilyloxy-3,5-heptanedionato) copper (II) complex is used (hereinafter referred to as copper complex A). .
一方、本発明での有機銅錯体と水素源又は不活性ガスを用いて銅膜を蒸着させる際、反応系内の圧力は、好ましくは1Pa〜200kPa、更に好ましくは10Pa〜110kPaであり、成膜対象物の温度は、好ましくは100〜500℃、更に好ましくは150〜400℃である。又、水素源又は不活性ガスによる銅薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する水素源の含有割合は、好ましくは0.5〜95容量％、更に好ましくは1〜90容量％である。 On the other hand, when the copper film is deposited using the organocopper complex and hydrogen source or inert gas in the present invention, the pressure in the reaction system is preferably 1 Pa to 200 kPa, more preferably 10 Pa to 110 kPa. The temperature of the object is preferably 100 to 500 ° C, more preferably 150 to 400 ° C. The content ratio of the hydrogen source with respect to the total gas amount when the copper thin film is deposited by the hydrogen source or the inert gas is preferably 0.5 to 95% by volume, more preferably 1 to 90% by volume.
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。 Next, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the scope of the present invention is not limited thereto.
参考例１（ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム(II)（以下、[Ru(acac)2(hd)]と称する）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、三塩化ルテニウム三水和物8.87g(33.9mmol)、1,5-ヘキサジエン6.12g(74.5mmol)及びイソプロプロピルアルコール60mlを加え、攪拌しながら70℃で4時間反応させた後、アセチルアセトン10.6g(106mmol)及び水酸化ナトリウム4.22g(106mmol)を混合した水溶液を滴下し、攪拌しながら0.5時間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン60ml及び水30mlを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留（140℃、39Pa）し、黄褐色の粘性液体として、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム(II)10.3gを得た（単離収率：80％）。
なお、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム(II)は、以下の物性値で示される新規な化合物である。
Reference Example 1 (Synthesis of bis (acetylacetonato) (1,5-hexadiene) ruthenium (II) (hereinafter referred to as [Ru (acac) 2 (hd)])
To a 100-ml flask equipped with a stirrer, thermometer and dropping funnel, add 8.87 g (33.9 mmol) of ruthenium trichloride trihydrate, 6.12 g (74.5 mmol) of 1,5-hexadiene and 60 ml of isopropyl alcohol. Then, the mixture was reacted at 70 ° C. for 4 hours with stirring, and then an aqueous solution in which 10.6 g (106 mmol) of acetylacetone and 4.22 g (106 mmol) of sodium hydroxide were mixed was added dropwise and reacted for 0.5 hour with stirring. After completion of the reaction, 60 ml of methylcyclohexane and 30 ml of water were added, and the organic layer was separated and dried over anhydrous sodium sulfate. After filtration, the filtrate was concentrated, and the concentrate was distilled under reduced pressure (140 ° C., 39 Pa) to obtain 10.3 g of bis (acetylacetonato) (1,5-hexadiene) ruthenium (II) as a tan viscous liquid. (Isolation yield: 80%).
Note that bis (acetylacetonato) (1,5-hexadiene) ruthenium (II) is a novel compound represented by the following physical property values.
IR(neat(cm-1))；3076、2923、1576、1517、1400、1268、1201、1022、933、767、620、432
（β-ジケトン特有のピーク(1622cm-1)が消失し、β-ジケトナト特有のピーク(1576cm-1)が観察された）
元素分析(C16H24O4Ru)；炭素：50.2％、水素：6.45％、ルテニウム：26.3％
（理論値；炭素：50.4％、水素：6.34％、ルテニウム：26.5％）
MS(m/e)；382、300、43
IR (neat (cm -1 )); 3076, 2923, 1576, 1517, 1400, 1268, 1201, 1022, 933, 767, 620, 432
(The peak specific to β-diketone (1622 cm -1 ) disappeared, and the peak specific to β-diketonato (1576 cm -1 ) was observed.)
Elemental analysis (C 16 H 24 O 4 Ru); carbon: 50.2%, hydrogen: 6.45%, ruthenium: 26.3%
(Theoretical value: Carbon: 50.4%, Hydrogen: 6.34%, Ruthenium: 26.5%)
MS (m / e); 382, 300, 43
実施例１（蒸着実験；新規な銅含有薄膜の製造）
参考例１で得られた有機ルテニウム錯体（ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム(II)；[Ru(acac)2(hd)]）を用いて、ルテニウム下層金属膜の製造し、更にそのルテニウム下層金属膜の上に銅膜を蒸着して、その膜特性を評価した。
Example 1 (deposition experiment; production of a novel copper-containing thin film)
Production of ruthenium underlayer metal film using the organic ruthenium complex (bis (acetylacetonato) (1,5-hexadiene) ruthenium (II); [Ru (acac) 2 (hd)]) obtained in Reference Example 1. Further, a copper film was deposited on the ruthenium lower metal film, and the film characteristics were evaluated.
［第１工程；ルテニウム膜の成膜工程（ルテニウム下層金属膜の製造）］
図１に示す装置で、気化器６（ガラス製アンプル５）にあるルテニウム錯体７は、マスフローコントローラー１Ａを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器５を出る。気化器５を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｃ、ストップバルブ２を経て導入された水素、酸素、あるいはヘリウムガスとともに反応器１１に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ１４の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計１２によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０で加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたルテニウム錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０で所定の温度に加熱された被蒸着基板９の表面上で反応し、基板９上に金属ルテニウム薄膜が析出する。反応器１１を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。
[First Step: Ruthenium Film Formation Step (Manufacture of Ruthenium Underlayer Metal Film)]
In the apparatus shown in FIG. 1, the ruthenium complex 7 in the vaporizer 6 (glass ampule 5) exits the vaporizer 5 along with the helium gas introduced via the mass flow controller 1A. The gas exiting the vaporizer 5 is introduced into the reactor 11 together with the hydrogen, oxygen, or helium gas introduced through the mass flow controller 1C and the stop valve 2. The pressure in the reaction system is controlled to a predetermined pressure by opening and closing the valve 14 in front of the vacuum pump, and is monitored by the pressure gauge 12. The central part of the glass reactor has a structure that can be heated by the
［第２工程；ルテニウム膜上への銅膜の成膜工程］
同様に図１に示す装置にて、バルブ４を閉じた後、銅錯体Ａ８はマスフローコントローラー１Ｂを経て導入されたヘリウムガスに同伴し、バルブ３を経て、反応器１１に導入される。反応器１１の中央には、第１工程で得られたルテニウム膜基板があり、その加熱された被蒸着ルテニウム基板表面上に銅膜が蒸着される。
[Second step: Step of forming copper film on ruthenium film]
Similarly, in the apparatus shown in FIG. 1, after the valve 4 is closed, the copper complex A8 is accompanied by the helium gas introduced through the mass flow controller 1B, and is introduced into the reactor 11 through the valve 3. At the center of the reactor 11 is the ruthenium film substrate obtained in the first step, and a copper film is deposited on the heated ruthenium substrate surface.
蒸着条件及び蒸着結果（膜特性）を表１に示す。なお、被蒸着基盤としては、7mm×40mmサイズの矩形のものを使用した。 The deposition conditions and deposition results (film characteristics) are shown in Table 1. In addition, as a substrate for vapor deposition, a rectangular substrate having a size of 7 mm × 40 mm was used.
得られた各膜のうち、代表例として実施例１（図２）及び比較例１（図３）の透過型電子顕微鏡写真を示した。それにより、実施例１では、平坦な連続銅膜が得られていることが分かる。又、各々の銅膜の抵抗率が低いことが分かる Among the obtained films, transmission electron micrographs of Example 1 (FIG. 2) and Comparative Example 1 (FIG. 3) are shown as representative examples. Thereby, in Example 1, it turns out that the flat continuous copper film is obtained. Moreover, it turns out that the resistivity of each copper film is low.
該結果より、有機ルテニウム錯体、例えば、Ru(acac)2(hd)を用いて、ＣＶＤ法によりルテニウム膜を成膜し、そのルテニウム膜上に、有機銅錯体を用いてＣＶＤ法にて銅膜を成膜することにより、表面の滑らかな銅膜が得られることが分かる。 From the results, a ruthenium film was formed by a CVD method using an organic ruthenium complex, for example, Ru (acac) 2 (hd), and a copper film was formed on the ruthenium film by a CVD method using an organic copper complex. It can be seen that a copper film having a smooth surface can be obtained by forming a film.
本発明は、有機ルテニウム錯体をＣＶＤ法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機銅錯体をＣＶＤ法により銅含有薄膜を形成させることによって得られるルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした銅含有薄膜及びその製造法に関する。 The present invention provides a ruthenium-containing thin film obtained by producing a ruthenium-containing thin film by CVD using an organic ruthenium complex and then forming a copper-containing thin film on the ruthenium-containing thin film by CVD. The present invention relates to a copper-containing thin film having a lower metal film and a method for producing the same.
Claims (9)
で示されるβ-ジケトナト及び少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、ビス(2,6-ジメチル-2-トリメチルシリルオキシ-3,5-ヘプタンジオナト)銅（II）錯体を化学気相蒸着法により銅含有薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした銅含有薄膜の製造法。 General formula (1)
A ruthenium-containing thin film is produced by chemical vapor deposition of an organic ruthenium complex having a β-diketonate represented by the formula (1) and an unsaturated hydrocarbon compound having at least two double bonds as a ligand, and then the ruthenium-containing thin film is produced. Ruthenium-containing, characterized by forming a copper-containing thin film by chemical vapor deposition of a bis (2,6-dimethyl-2-trimethylsilyloxy-3,5-heptanedionato) copper (II) complex on a thin film A method for producing a copper-containing thin film using the thin film as a lower metal film.
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| JP (1) | JP2009057618A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111422909A (en) * | 2020-04-03 | 2020-07-17 | 湖南大学 | Method for preparing transition metal sulfide by using high-melting-point sodium sulfate as sulfur source |
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2007
- 2007-09-03 JP JP2007227659A patent/JP2009057618A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111422909A (en) * | 2020-04-03 | 2020-07-17 | 湖南大学 | Method for preparing transition metal sulfide by using high-melting-point sodium sulfate as sulfur source |
| CN111422909B (en) * | 2020-04-03 | 2021-03-19 | 湖南大学 | Method for preparing transition metal sulfide by using high-melting-point sodium sulfate as sulfur source |
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