JP2009043357A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- LZIAMMQBHJIZAG-UHFFFAOYSA-N 2-[di(propan-2-yl)amino]ethyl carbamimidothioate Chemical compound CC(C)N(C(C)C)CCSC(N)=N LZIAMMQBHJIZAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】ビット線につながる複数のメモリセルと、ビット線を初期充電する初期充電回路を含み、ビット線に流れる電流値を検出して各メモリセルからの読み出しデータを判定するセンスアンプとを備える。センスアンプは、初期充電期間の最初の所定期間だけ電流値を抑制してビット線を初期充電し、初期充電の後半では制限されない通常の電流で初期充電が続行される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るセンスアンプ100の要部を示す回路図である。このセンスアンプ100は、例えばNAND型フラッシュメモリの読み出し回路として使用されるABL型のセンスアンプである。
図4は、本発明の第2の実施の形態に係るセンスアンプの要部を示す回路図である。このセンスアンプが、先の実施形態と異なる点は、初期充電回路1′の構成である。この実施形態では、電流制御回路13及びPMOSトランジスタ11は設けられていない。その代わりに、初期充電回路1′は、充電スイッチ用のPMOSトランジスタ12が電源VDDに直接接続されるのではなく、電源回路19を介して電源VDDに接続される。
次に、このように構成された本実施形態に係るセンスアンプの動作を説明する。図7は、このセンスアンプのプリチャージ期間のタイミングチャートである。
Claims (5)
- ビット線につながる複数のメモリセルと、
初期充電期間の最初の所定期間だけ電流値を抑制して前記ビット線を初期充電する初期充電回路を含み前記ビット線に流れる電流値を検出して前記各メモリセルからの読み出しデータを判定する電流検知型のセンスアンプと
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記初期充電回路は、
電源に接続されて制限された電流を出力する電流制御回路と、
この電流制御回路の出力端に接続されて前記ビット線の初期充電期間の最初の所定期間だけ前記ビット線に前記電流制御回路から出力される電流を供給する第1のトランジスタと、
前記電源に接続されて前記ビット線の初期充電期間の最初の所定期間に続く期間に前記ビット線に電流を供給する第2のトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記初期充電回路は、
電源に接続されて前記ビット線の初期充電期間の最初の所定期間だけ電源電圧よりも低い低電源電圧を出力し、前記ビット線の初期充電期間の最初の所定期間に続く期間に前記電源電圧を出力する電源回路を備えたものであることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記初期充電回路は、
前記ビット線の初期充電経路と電源との間に接続された充電電流をオンオフする充電スイッチトランジスタと、
この充電スイッチトランジスタのゲートに、前記ビット線の初期充電期間の最初の所定期間だけ通常の第1の制御電圧よりも前記充電スイッチトランジスタのオン抵抗が高くなる第2の制御信号を供給し、前記ビット線の初期充電期間の最初の所定期間に続く期間に前記第1の制御信号を供給する制御信号駆動回路と
を備えたことを特徴とする請求項1又は3記載の半導体記憶装置。 - 前記センスアンプは、
前記ビット線及びセンスノードに電源から初期充電電流を供給する初期充電回路と、
前記センスノードに接続されたセンス用キャパシタと、
前記センスノードの電位から前記ビット線を流れる電流値を検出する電流弁別回路と、
この電流弁別回路の出力を読み出しデータとして保持するラッチと、
前記初期充電回路に接続されて前記ビット線及びセンスノードに蓄積された電荷を放電する放電回路と、
前記初期充電回路と前記放電回路の接続点と前記ビット線とを選択的に接続するビット線選択トランジスタと
を備えたことを特徴とする請求項1〜4の何れか1項記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007208719A JP2009043357A (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 半導体記憶装置 |
US12/188,637 US7920435B2 (en) | 2007-08-10 | 2008-08-08 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007208719A JP2009043357A (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009043357A true JP2009043357A (ja) | 2009-02-26 |
Family
ID=40346365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007208719A Pending JP2009043357A (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7920435B2 (ja) |
JP (1) | JP2009043357A (ja) |
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- 2007-08-10 JP JP2007208719A patent/JP2009043357A/ja active Pending
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2008
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090040835A1 (en) | 2009-02-12 |
US7920435B2 (en) | 2011-04-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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