JP2008509547A - 高いスループットのｃｖｄ装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来のＣＶＤ装置又は方法を基板のより高いスループットの観点で改良すること。
【解決手段】反応チャンバー内に配置され、少なくとも基板を載せる可動のサセプタを有するプロセス室を備え、膜を構成する成分を基板上に堆積するため、プロセス室内に、膜を構成する成分を含有すると共に順次行われるプロセス工程において導入可能な相互に異なるプロセスガス、を導入するための複数のガス導入管が開口するＣＶＤ装置に関する。スループットを高くするために、そこで相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、プロセス室が、内部に個々のガス混合比を実現する相互に異なるガス導入管（３４、３４’）が開口すると共にサセプタ（２０）の移動を介して基板（９）がそれに順次供給可能となっている複数の相互に分離された堆積室（１１、１１’）、を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、反応チャンバー内に配置され、少なくとも基板を載せる可動のサセプタを有するプロセス室を備え、膜を構成する成分を基板上に堆積するため、プロセス室内に、膜を構成する成分を含有すると共に順次行われるプロセス工程において導入可能な相互に異なるプロセスガス、を導入するための複数のガス導入管が開口するＣＶＤ装置に関する。

本発明は、反応チャンバー内に配置され、順次行われるプロセス工程において基板上に堆積される、膜を構成する成分を含有する異なるプロセスガスが導入され、基板が可動のサセプタによって支持されるプロセス室内で、少なくとも、特に薄膜を少なくとも基板上に堆積するＣＶＤ方法に関する。

この種の装置又はそのような方法は、従来技術において知られている。プロセス室において、異なる成長工程が順次行われ、個々の成長工程間にガスがプロセス室内に流し込まれ交換される。異なる各成長工程において、異なるガス混合比が使用される。そして、また、超格子層を有する積層部を堆積するために、周期的に異なるガスをプロセス室内に導入することが提案される。

電子部品、特にＣＭＯＳ及びＤＲＡＭにおける改良は、大きくなっていく基板上に等価な誘電体薄膜を必要とする。誘電体高−ｋ材料は、ＳｉＯ_２に置き換わるべきである。これらの材料の可能な候補は、例えば、アルミニウム酸化物又はハフニウム酸化物を含む材料である。しかしながら、これらの単体の酸化物は、おそらく高い誘電定数に対する全ての要請、即ち少ない漏れ電流密度と高い温度安定性に対する要請を満たす地位にはないであろう。この理由のため、これら若しくは同様の金属酸化物のより複雑な混合、又はこれらの材料の添加を利用すべきであると考えられる。さらに、これに、電極として、ポリシリコンが新材料によって置き換えられることが期待される。工業的規模におけるこの材料系の製造は、経済的で、生産効率が高く、再現性が高く、そして高い純度で正確な界面が定義されている一様な膜が実現可能であり、また、高いアスペクト比を有する基板上に高い適合性を確保できる堆積方法を必要とする。

ＳｉＯ_２等の膜を堆積するために、従来の有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が成功裏に使用されていた。原子層堆積（ＡＬＤ）に関して、ＭＯＣＶＤは、厚さ１０ｎｍの新たな高−ｋ複合層を小さい又は大きい基板上に堆積することには、もはや適していない。さらに、これに、ＭＯＣＶＤは、高いアスペクト比を有する基板に対する、必要な高い適合性を達成しない。原子層堆積において、異なる気相の反応物質が、交互かつ繰り返し基板に導入される。これは、交互に起こる自己制限的な表面反応に基づく、複数の単一層（モノレーヤ）の堆積を可能にする。気相の異なる反応物質が反応室内に導入される切り替わりの工程は、排気工程及びパージ工程を介して相互に分離される。これは、複雑なスイッチ操作と弁操作を必要とする。さらに、これに、弁操作の制限された応答時間は、時間遅延になる。排気工程とパージ工程は、それ自身が膜成長に寄与することがなく、プロセス時間の大部分を使うことになる。多くのＡＬＤ反応室において、反応ガスは基板表面に平行に流れるため、成長速度がより長い工程長を必要とする。この特徴は、低いスループットにつながり、特に単一基板での原子層堆積においてなる。

さらに、これに、原子層堆積においては、反応物質として僅かな前駆体しか使用できない。これらの大方の前駆体は、塩素を含有する材料に基づいている。原料、例えばＨ_２Ｏを酸化手段とするもの、に基礎をおくＡＬＤ法は、副生成物としてＨＣｌを生成することになり、排気においてその問題が発生する。さらに、固体原料を使用するＡＬＤ法は、通常、十分な蒸気圧を得ることができない。また、これは、システムのスループットを低減する。この問題は、複数の基板を有するシステム、及び大型の反応室において深刻化する。
独国公開第４４１４６８３Ａ１号公報 独国公開第１０２４２２５７Ａ１号公報

本発明の技術的課題は、この種の方法又は装置を基板のより高いスループットの観点で改良することである。

この課題は特許請求の範囲に規定された発明を介して解決され、形式上従属項として規定された請求項２〜請求項２４又は請求項２７〜請求項４２は独立にかつ相互に独立な解決を記載しており、さらにまた、これらは残りの請求項のそれぞれとの組み合わせにおいて課題の解決に寄与する。

請求項１は、まずそして実質的に、プロセス室が、そこで相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、個々のガス混合比を実現する相互に異なるガス管が開口し、サセプタの移動によって基板がそれに順次供給可能となっている、相互に分離された複数の堆積室を有することを企図する。請求項２５は、まずそして実質的に、異なるプロセスガスがプロセス室の相互に分離された堆積室に導入され、サセプタの移動を介して少なくとも１つの基板が順次個々の堆積室に移動され、そして、各堆積室内でプロセス工程のうちの１つが行われることを企図する。

もって、本発明は、従来技術の１つ又は複数の上記の問題を補償する方法及び装置に関する。このシステムでは、基板は、気相の異なる反応物質が満たされた、異なる部屋に交互に晒される。これらの部屋は、好ましくは、隣り合う部屋から動的なガス流シールによって分離され、その結果、隣り合う部屋からのガスの混合が低減される。ガスは、相互に独立に基板に供給される。液体の又は溶解した金属前駆体を加熱された空間に不連続に吐出することの適用の下での、これと無接触蒸発システム及び無接触蒸発法とを組み合わせは、前駆体を気化させてそれを反応室に導入するために、高い飽和蒸気圧を可能にする。これは、基板が各室内で気相の反応体に晒されるための不可欠な時間を削減し、もってスループットを向上できる。これに代えて、連続的に蒸発させることによって、前駆体はまた高い飽和蒸気圧で供給されるのでもよい。これに関連する方法は、バブラー、又は他のガス供給システム若しくは方法を使用できる。前駆体は、これらの装置又は方法の組み合わせによって、プロセス室に供給される。

各堆積室に連続的に個々のプロセスガスが導入されることは、本発明の特別の長所とみなされる。従来技術から知られている方法及び装置における場合とは異なり、この場合は、ガス交換が不要となり、むしろ処理工程から処理工程への基板の移動が必要とされる。個々のプロセス室は、加熱されるのでもよい。このために、基板ホルダ用に開口する部屋の態様で堆積室が形成されたプロセスチャンバーが加熱されるのでもよい。さらに、個々の堆積室が独立に加熱されるのでもよい。また、サセプタも加熱されるのでもよい。好ましくは、ガス導入管もまた温度調節される。

本発明の実施例は、添付された図面を参照して、明らかにされる。
堆積室本体１は、真空室２内に配置され、好ましくは、隣に真空フランジ３を有する金属、クオーツからなり、及び基板出入扉４から構成される。１つ又は複数のこれらの部屋２は、基板ローダシステム５の外部充填扉８が割り当てられるのでもよい。１つ又は複数の分離扉４８は、出入扉４の内部又は外部充填扉８内に設けられるのでもよい。ローダシステム５は、搬入及び搬出の目的で基板を運ぶ働きの自動ロボットアーム７を有する搬送室を備える。

符号１で示されるものは、プロセス室の本体１を構成し、反応チャンバー２内に配置される。反応室は、複数の堆積室１１、及び複数のパージ／排気室４０を有する。その部屋に境を接している部分は、その中に基板ホルダ１３及び基板リフト機構１４が配置される可動のサセプタ２０である。可動のサセプタ２０は、水平駆動機構１５及び垂直のリフト機構１６に連結されている。チャンバー本体１と可動のサセプタ２０の両方は、少なくとも外部の輻射加熱又は内蔵する抵抗加熱によって加熱できるようになっている。好ましくは、チャンバー本体１と可動のサセプタ２０は、円形のディスク状の形状を有する。矩形等のその他の形状でも、しかしながら可能である。

基板ホルダ１３と基板リフト機構１４が取り付けられたサセプタ２０は、水平方向に動くことができ、好ましくはチャンバー本体１に対して回転され、サセプタ２０とチャンバー本体１との間には狭い間隙２１が存在する。堆積室１１、１１’及び排気／パージ室４０のうちの１つ以上の部屋のガスの混合を相当量回避するため、狭い間隙２１はダイナミックなシール２２として役立ち、その結果、気体を相互に独立に基板に導入することができる。間隙は圧搾空気が流され、導入チャネル２４を介して導入され排気チャネル２５を介して減圧された圧力に下げられる。間隙２１の幅ｓは、最低限のガス流が堆積室１１、１１’から出て行くように設定されている。基板９は窪み内に配置され、その結果、好ましくその表面が基板ホルダ２０の表面２０’に位置合わせ可能となっている。ガス間隙内の制御された圧力は、堆積室１１内の処理圧力よりもわずかに高く、また、そこで境を接している排気／パージ室４０内の圧力よりもかなり高くできる。

チャンバー本体１の中央に位置するガス間隙は、部屋１１、１１’及び４０を回転機構又は並進機構から隔てている。

複数の堆積室１１、１１’及び排気／パージ室４０は、チャンバー本体１内に配置される。これらの部屋のそれぞれは、不活性ガスが満たされた狭い間隙２１を介して互いから分離されている。

適切に設計され特にカップ状又は箱状の堆積室１１、１１’のそれぞれは、底部面４６及び少なくとも３つ又は４つの好ましくは垂直の側壁３２を有する。チャンバー本体１内において、堆積室１１、１１’の隣に、１つ以上の導管チャネル３４が１つ以上の反応ガス用に設けられ、例えば部屋内に開口するノズル等の適切な端部３８を有する。これらの導管チャネル３４は、外部の反応ガス管、真空システム、及びガス混合システムと接続される。好適なＭＯＣＶＤ、ＡＬＤ、その他の処理に適した堆積室１１、１１’内部の圧力を生成するため、排気チャネル３５を通ってガスが排気される。全ての排気チャネル３５は、主真空パイプ及び排気ポンプに接続されている。

幾つかのパージガス導入チャネル２４及びパージガス排気チャネルは、パージ室４０に設けられている。他の構成の実施例において、パージ室４０の上部は、好ましくはターボ分子ポンプからなるポンプの入口フランジ４３用の開口４２を有する。

各堆積室１１、１１’又はパージ室４０に隣り合って、可動のサセプタ２０の一部がある。サセプタ２０は、好ましくは「静電チャック」即ち静電基板保持を有する基板ホルダ１３上に配置された基板９を支持することができる。これは、リフト機構１６のリフトピン１４が提供される。

図４に示す断面図から、この実施例において２つの相互に異なる堆積室１１、１１’が提供されることが分かる。ここで、これらの堆積室のそれぞれは、円形状の底面を有する。底面は、しかしながらまた、例えば図６に示すような他の形状を有するのでもよい。また、堆積室１１、１１’の底面、又は、両方の堆積室１１、１１’の間に配置されているパージ室４０の底面は、基本的には、矩形、特に正方形でもよい。

図４に図示された実施例において、サセプタ上に合計４つの基板が配置されている。図示しない好ましい構成において、サセプタ上に、より多い、特に少なくとも６つの基板がサセプタの中心の周りに環状の構成で配置される。複数の基板ホルダのそれぞれは、堆積室１１、１１’又はパージ室４０が割り当てられ、もってサセプタの所定の回転位置において、各基板９が堆積室１１、１１’又はパージ室４０の下部に配置されるのでもよい。上記の構成、即ち、個々の部屋１１、１１’、４０の底面が基板９の底面よりも大きい構成においては、処理工程中にサセプタが回転されるのでもよい。サセプタは、定期的にステップ的に回転し、各基板９が部屋１１、１１’、４０に割り当てられる回転位置で、部屋に応じたプロセスが基板の表面上で実行可能な所定の時間保持される。

図５に図示された実施例において、堆積室１１、１１’は基板９の底面よりも大きい底面を有し、もってこの装置もまたステップ的に駆動されうる。しかしながら、ここで、図４に図示する装置とは異なり、パージ室４０はより狭く形成されている。さらに、これらは、基本的には、個々の堆積室１１、１１’の間のガスシールの形成に役立ち、その結果、異なるプロセスガスが個々の堆積室１１、１１’に混合しない。ここで、パージ室４０は、基本的に十字状の構造を有する。ここで、パージガスのガス導入口２９は、例えば中心に配置されるのでもよい。しかしながらまた、パージガスは、個々のパージ室４０の動径方向の外周端に位置する導入口２４を通ってパージ室４０内に導入されるのでもよい。しかしながらまた、両方のチャネル２４、２９のそれぞれは、代わりに、出口として使用され、パージガスがパージ室４０に径方向に流れて通り抜けるのでもよい。

また、この実施例において、４つの異なる堆積室１１、１１’のそれぞれは、個々のプロセスガスがそこを通って堆積室１１、１１’に導入されるガス管チャネル３４、３４’を有する。ここでまた、ガス管チャネル３４、３４’の断面形状のみが示される。ここで、堆積室１１、１１’内部の均一なガス分布を確保するため、特別な構成が提供される。同じことが、また、個々の出口チャネル３５、３５’の形成に適用される。これらの両方のチャネル３４、３４’３５、３５’を通る流れは、できるだけ少ないガスが間隙２１内に入り込み、又は、パージガスが間隙２１を通ってノズル２９、３５から堆積室１１、１１’内に全く入って行かないように構成される。

これまで記載された構成は、ＣＶＤ−プロセス（例えば、ＭＯＣＶＤ、ＡＬＤ、又は他の）において、異なるタイプの薄膜を基板上に堆積するために用いられる。連続処理もバッチ処理も可能である。

典型的な処理シーケンスにおいて、サセプタ２０は、第１の基板ホルダ１３のマウント位置に動かされ、特に回転させられる。サセプタ２０は、基板ホルダ１３が基板入出扉４の前に位置したとき、止められる。そして引き続いて、リフトピン１４が持ち上げられる。ガス分離扉４８が開く。そして次に、基板９を運ぶロボットアーム７が第１の高さに動き、基板ホルダ１３上方のリフトピン１４の上に基板９をおく。リフト機構１６を介して、リフトピンが下がり、その結果、基板が基板ホルダ１３上に静止する。基板ホルダ１３は、好ましくは静電基板ホルダである。しかしながら、それは、基板を保持する機械的な手段を有するのでもよい。

そして次に、サセプタ２０は、ロボットアーム７に対して隣の基板ホルダ１３のための更なるマウント位置に動かされる。全ての基板ホルダ１３に対する上記の工程が繰り返された後、マウント工程が終了する。分離扉４８が閉まり、空のロボットアーム７がニュートラルポジションに戻る。この記載されたマウント工程は、バッチ処理に関する。連続的に処理する方法は、基板の高温交換（”hot swap of Substrates”）と称される代わりのマウント／取り出し工程が必要である。この場合、既に処理された基板がロボットアームによって取り除かれ、さらの基板が空の基板ホルダ上に置かれる。そのために、好ましくは、高速ツフィン−アームロボットが使用される。

基板ホルダ１３を有するサセプタ２０が回転し始めたとき、基板は所定の時刻に堆積室１１に入っていく。部屋の温度及び部屋１１内部の基板の温度は、一定に保持され、部屋内部での所望の化学反応に適している。部屋１１内部では、定常の、好ましくは水平方向に移動する、反応ガス又は反応蒸気の流れが導入口３４と排気口３５との間に存在する。このガス流は、継続的に保持される。反応ガス又は反応蒸気は、堆積室１１に向いた基板表面上に原料の薄膜を形成する。所望の膜又は所望の表面成長が達成されると直ぐ、基板は体積室１１を離れ排気／パージ室４０及び隣の体積室１１’のいずれか１室以上に移動する。

隣の部屋１１を相互に、また、堆積チャンバー本体を取り囲む真空部分２から分離するため、複数のダイナミックなシール領域２２が提供される。これらは、チャンバー本体１とサセプタ２０との間で、チャンバー本体１とサセプタ２０との間の狭い間隙２１として機能する。この間隙は、連続的に不活性ガスでパージされる。不活性ガスの供給は、チャネル２９を通して行われる。間隙、部屋、及び真空室内部との間には、適切な圧力勾配が保持されている。間隙は、異なる部屋１１と反応チャンバー本体１の外側の真空室との間を反応ガスが流れることを防止する動的なガスケットをなす。

図６に図示された実施例において、パージ室４０又は堆積室１１、１１’の底面は、長さ方向に見て円形平板状の基板９の直径よりも小さい。この装置を用いることによって、基板ホルダ２０の連続的な回転が可能である。堆積室１１、１１’又はパージ室４０の底面は、基板の各点がパージ室４０又は堆積室１１、１１’内部で同一滞在時間を有するように設定される。特に、底面は、円形セグメント状の形状である。

堆積室内に入っていくプロセスガスを実現するために、例えば蒸発装置が、欧州公開第１０９８０１５A1号公報の書面の開示が本出願の開示に充分含まれているため、この書面に記載さているように使用できる。

しかし、蒸発装置として、欧州公開第１３２０６３６A1号公報の書面も本出願の開示に充分に含まれるため、この書面に記載された装置も適している。

結論として、液体の前駆体又は液体に溶解した前駆体の蒸発は、独国公開第１００５７４９１号公報の書面の開示も本出願の開示に充分含まれるため、この書面に記載されているように装置内で及びこの方法に従って起こる。

全ての開示された特徴は、（それ自身が）発明の要部をなす。これでもって、出願の開示において、付属の又は添付した優先権の基礎出願（先の出願のコピー）の公開内容は、また十分に取り込まれ、この書面の目的及び特徴に関しても、また、先の出願の特許請求の範囲内に含まれている。

ロボットアームを有する真空搬送室に接続された２つの真空室を備えたシステムの構造の模式図である。より多くの反応チャンバーが搬送室又は真空システムに接続されるのでもよい。 本発明による装置の断面を示す粗い模式図である。 図４に図示された本発明による装置のプロセスチャンバーのIII−III交差線での断面の、同様に粗い模式図である。 部屋を支持する本体をなすプロセスチャンバー本体の、図３におけるIV−IV線での断面図である。 図４と同様の更なる実施例の断面図である。 図４と同様の更なる実施例の断面図である。

符号の説明

１ 堆積室（プロセス室）本体
２ 反応（プロセス）チャンバー
３ 真空フランジ
４ 基板出入扉
５ 基板ローダシステム
７ 自動ロボットアーム
８ 外部充填扉
９ 基板
１１、１１’ 堆積室
１３ 基板ホルダ
１４ リフトピン
１５ 水平駆動機構
１６ リフト機構
２０ サセプタ
２０’ 表面
２１ 間隙
２２ シール
２４ 導入チャネル
２５ 排気チャネル
２９ ガス導入口
３２ 側壁
３４、３４’ 導管チャネル
３５、３５’ 排気チャネル
３８ 端部
４０ パージ／排気室
４２ 開口
４３ 入口フランジ
４６ 底部面
４８ 分離扉

Claims (15)

1. 反応チャンバー（２）と、その中に配置され、回転軸の周りで回転可能で１つ以上の基板ホルダー（１３）が出て行くディスク状のサセプタ（２０）、及び、前記回転軸の周りに配置され、間隙（２１）が形成されていることによって、その開口部が同一面に配置されサセプタ（２０）と対向する、相互に分離された複数の堆積室（１１、１１’）を有するプロセス室とを備え、前記各堆積室（１１、１１’）が、膜形成成分を含有し相互に異なるプロセスガスを導入及び排気するための、ガス混合システム及びガス供給システムに接続されたガス導入管（３４、３４’）及びガス排気管（３５、３５’）を有し、そこで、時間的に順次行われる工程が相互に異なる膜又はコンポーネント膜を堆積するために、前記サセプタ（２０）の前記基板ホルダ（１３）上に載せられた基板（９）が前記サセプタ（２０）の回転によって順次異なる堆積室（１１、１１’）に搬送可能である、少なくとも、特に薄膜を少なくとも前記基板（９）上に堆積する装置において、円形底面のカップ状の形状を有しプロセスチャンバー（１）の窪みからなる前記堆積室（１１、１１’）に、前駆体を気相にして前記ガス導入管（３４）を通して導入するため、前記ガス混合システムが、液体の又は液体に溶解した前駆体を加熱された空間に吐出する無接触の蒸発システムである、ことを特徴とする高いスループットのＣＶＤ装置。
2. 少なくとも、２つの前記堆積室間に配置されたパージ装置（４０）、特にパージ室の態様のもの、を特徴とする請求項１に記載の高いスループットのＣＶＤ装置。
3. 前記堆積室（１１、１１’）及び前記パージ室（４０）のうちの隣り合ういずれか又は両方の間の部分に配置されたガス出口、特に密閉ガス用のガス出口、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の高いスループットのＣＶＤ装置。
4. リフト機構（１６、１４）によって持ち上げ可能な基板ホルダ（１３）、を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ装置。
5. 前記堆積室の形状、大きさ及び位置が、前記サセプタ（２０）上に配置された前記基板（９）が、前記サセプタ（２０）の所定の回転位置において、その都度、これらのそれぞれに割り当てられた前記堆積室（１１、１１’）及び前記パージ室（４０）のうちの１つ以上の部屋、又は前記部屋（１１、１１’、４０）の間の空間のそれぞれに配置されるように、選択される、を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ装置。
6. 前記ガス導入管が温度調節されている、ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ装置。
7. 前記リフト機構（１６）が、垂直方向に向けられ、前記基板（９）の下側に作用するリフトピン（１４）又はリフトリングを有する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ装置。
8. 前記サセプタ（２０）、前記堆積室の壁、及び前記パージ室（１１、１１’、４０）の壁のうちのいずれか１つ以上の温度調節用の１つ以上の加熱手段、を特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ装置。
9. 反応チャンバー（２）内に配置され、順次行われるプロセス工程において基板（９）上に堆積される、膜を構成する成分を含有する異なるプロセスガスが導入され、前記基板（９）が可動のサセプタ（２０）によって支持されるプロセス室（１１、１１’）内で、少なくとも、特に薄膜を少なくとも前記基板（９）上に堆積し、異なるプロセスガスがプロセスチャンバーの相互に分離された前記堆積室（１１、１１’）に導入され、前記少なくとも１つの基板が前記サセプタ（２０）の移動によって順次個々の前記堆積室（１１、１１’）に運ばれ、前記各堆積室（１１、１１’）においてプロセス工程のうちの１つが行われる方法において、前記プロセスガスが、ガス混合システム内で不連続にかつ無接触で液体の又は液体に溶解した前駆体を蒸発させることによって形成され、前記液体の又は液体に溶解した前駆体が加熱された空間内に吐出されることによって気化する、ことを特徴とする高いスループットのＣＶＤ方法。
10. 堆積された膜が、２層以上のコンポーネント膜、特に２−６族、３−５族、又は４族の典型元素を含むものからなり、前記コンポーネント膜が異なる堆積室内で堆積される、ことを特徴とする請求項９に記載の高いスループットのＣＶＤ方法。
11. 前記コンポーネント膜が、前記基板（９）上に１層堆積される、ことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の高いスループットのＣＶＤ方法。
12. 前記堆積室（１１、１１’）が、それらに割り当てられたプロセスガスが連続的に流される、ことを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ方法。
13. 前記堆積室及び前記パージ室（１１、１１’、４０）のうちのいずれか１つ以上の部屋内に流れ込むガス流が、前記堆積室及び前記パージ室のうちのいずれか１つ以上の前記部屋から出て行くガス流と同等の量である、ことを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ方法。
14. 前記基板（９）が順次異なる前記堆積室（１１）に割り当てられ、堆積室（１１、１１’）が前記基板上に金属膜を堆積するための金属を含有するガスを内在させ、さらに、前記基板（９）が、前に堆積された金属膜と反応する他のガスを内在させる異なる堆積室（１１’）のうちの１つに割り当てられる、ことを特徴とする請求項９乃至請求項１３のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ方法。
15. 前記基板は、その都度反応ガスを内在させる２つの堆積室（１１、１１’）への割り当ての間に、それらの間に配置され、不活性のパージガスを内在すること、及び隣の堆積室よりも減圧されていることのいずれか１つ以上に該当する、パージ室に割り当てられる、ことを特徴とする請求項９乃至請求項１４のいずれか１項に記載の高いスループットのＣＶＤ方法。

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