JP2008500675A - Dramにおける自動ヒドゥン・リフレッシュ及びその方法 - Google Patents
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Abstract
Description
従って、メモリ装置の消費電力を増やすことなく、また、深刻なノイズの問題を生じることなく、より大きい帯域幅を提供し得るDRAMが必要である。
一般的に、一実施形態において、本発明は、複数のメモリセルを有するメモリと、低電圧高周波差動アドレス及びデータ信号を受信するための直列の受信器と、高周波低電圧差動アドレス及びデータ信号を送信するための直列の送信器とを提供する。例示した実施形態を説明するために、直列信号用の高周波数は、1秒間当たり約2ギガビットより大きいことを意味する。また、低電圧差動信号は、約200〜300ミリボルト(mV)の電圧の揺れを有する。
図1は、本発明の一実施形態に基づく集積回路メモリ10をブロック図で示す。メモリ10は、メモリアレイ12、命令デコーダ40、アドレスバッファ42、制御信号発生器44、モードレジスタ46、バーストカウンタ48、データ制御ラッチ回路50、読み出しデータバッファ52、書き込みデータバッファ54、送受信器56、クロックカウンタ58、リフレッシュカウンタ60、62、64及び66、並びにレディ制御バッファ68を含む。メモリアレイ12は、メモリアレイ、即ち、バンク14、16、18及び20、行デコーダ22、24、26及び28、並びに列デコーダ30、32、34及び36を含む。
Claims (10)
- 集積回路メモリであって、
複数バンクのリフレッシュ可能なメモリセルを有するメモリアレイと、
複数のリフレッシュカウンタであって、前記複数のリフレッシュカウンタのうちの1つのリフレッシュカウンタが、前記複数バンクのうちの対応する1つのバンク内において、リフレッシュ動作の数を計数する、複数のリフレッシュカウンタと、
前記複数のリフレッシュカウンタに接続されたクロックカウンタであって、該クロックカウンタはリフレッシュ動作に残されている最大時間を判定するための選択可能な所定値で初期化される、クロックカウンタと、
を備える、集積回路メモリ。 - 請求項1に記載の集積回路メモリは更に、
前記複数のリフレッシュカウンタの各々の計数値を前記最大時間と比較し、前記最大時間に匹敵する前記複数リフレッシュカウンタの1つの計数値に応答して、前記集積回路メモリへのアクセスを停止してリフレッシュ動作を完了させる制御回路を備える、集積回路メモリ。 - 請求項1に記載の集積回路メモリにおいて、
リフレッシュ動作に残されている最大時間を判定するための前記選択可能な所定値は、前記集積回路メモリが動作すると予想される温度に基づいて決定される、集積回路メモリ。 - 複数のメモリバンクに構成された複数のリフレッシュ可能なメモリセルを有するメモリをリフレッシュするための方法であって、
バースト動作のために前記メモリにアクセスすること、
前記バースト動作時、前記複数のメモリバンクのうちの1つへのアクセスを検出すること、
前記バースト動作に応答して、前記バースト動作時、アクセスされていない前記複数のメモリバンクのうちの1つのバンクのメモリセルをリフレッシュすること、
を備える、方法。 - 請求項4に記載の方法は更に、
前記複数のメモリバンクのうちの1つのバンクのリフレッシュ期間に残されている最大時間を判定すること、
前記残されている最大時間をレジスタビットフィールドに記憶すること、
を備える、方法。 - 請求項5に記載の方法において、
前記リフレッシュ期間に残されている最大時間は、前記メモリが動作すると予想される温度に基づいて判定される、方法。 - 請求項5に記載の方法において、
リフレッシュ期間に残されている前記最大時間は、前記メモリが動作すると予想される電圧に基づいて判定される、方法。 - 請求項4に記載の方法は更に、
自動ヒドゥン・リフレッシュ動作モードを選択的にイネーブル状態にすることを備え、
前記自動ヒドゥン・リフレッシュ動作モード時、前記複数のバンクのうちの1つのバンクのアクセスが、前記複数のバンクのうちの他のバンクがリフレッシュ可能となるように、自動的に検出される、方法。 - 複数のメモリバンクに構成された複数のリフレッシュ可能なメモリセルを有するメモリをリフレッシュするための方法であって
前記複数のメモリバンクのうちの1つのバンクをリフレッシュするために残されている最大時間を判定すること、
前記残されている最大時間をユーザプログラム可能なレジスタビットフィールドに記憶すること、
を備える、方法。 - 請求項9に記載の方法は更に、
前記バースト動作時、前記複数のメモリバンクのうちの1つへのアクセスを検出すること、
前記残されている最大時間内における前記バースト動作に応答して、前記バースト動作時、アクセスされていない前記複数のメモリバンクのうちの1つのバンクのメモリセルをリフレッシュすること、
を備える、方法。
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