JP2008311420A - スパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ - Google Patents
スパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ Download PDFInfo
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Abstract
【課題】スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】液状Gaとドーパント元素とを混合する混合工程を備えるスパッタターゲットの製造方法とする。前記混合工程は、前記液状Ga中に前記ドーパント元素を溶解させる工程とすることができる。また、前記混合工程が、前記液状Ga中に粒子状の前記ドーパンド元素を分散させた後、固化させる工程としてもよい。
【選択図】なし
【解決手段】液状Gaとドーパント元素とを混合する混合工程を備えるスパッタターゲットの製造方法とする。前記混合工程は、前記液状Ga中に前記ドーパント元素を溶解させる工程とすることができる。また、前記混合工程が、前記液状Ga中に粒子状の前記ドーパンド元素を分散させた後、固化させる工程としてもよい。
【選択図】なし
Description
本発明は、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、電子デバイス等に、好適に用いられるIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造に好適に用いられるスパッタターゲット、スパッタターゲットの製造方法、スパッタ装置、III族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びこの製造方法で得られるIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにIII族窒化物化合物半導体発光素子を用いたランプに関する。
III族窒化物半導体発光素子は、可視光から紫外光領域の範囲に相当するエネルギーの直接遷移型のバンドギャップを有し、発光効率に優れていることから、LEDやLD等の発光素子として用いられている。
また、III族窒化物半導体は、電子デバイスに用いた場合でも、従来のIII−V族化合物半導体を用いた場合に比べ、優れた特性を有する電子デバイスが得られる。
また、III族窒化物半導体は、電子デバイスに用いた場合でも、従来のIII−V族化合物半導体を用いた場合に比べ、優れた特性を有する電子デバイスが得られる。
このようなIII族窒化物化合物半導体は、一般的に、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアを原料として、MOCVD法によって製造されている。MOCVD法は、キャリアガスに原料の蒸気を含ませて基板表面に運搬し、加熱された基板との反応で分解することにより、結晶を成長させる方法である。
一方、III族窒化物化合物半導体の結晶をスパッタによって製造する研究も行われている。具体的には、例えば、N2ガスを用いた高周波マグネトロンスパッタリングにより、Siの(100)面、及びAl2O3の(0001)面上にGaN層を成膜する方法が提案されている(例えば、非特許文献1)。
また、カソードと固体状のターゲットとを向かい合わせ、基板とターゲットとの間にメッシュを入れた装置を用いてGaN層を成膜する方法が提案されている(例えば、非特許文献2)。
また、上述のようなIII族窒化物化合物半導体の結晶からなるGaN層を成膜する場合、例えば、GaN層中にSiやMg等のドーパント元素がドーピングされた混晶を成膜する方法が用いられる。この際、母材となるGa元素に対してドーパント元素を混合したターゲットを用い、スパッタ法によってGaN層を成膜する方法が提案されている(例えば、非特許文献3)。
牛玖 由紀子(Y.USHIKU)他、「21世紀連合シンポジウム論文集」、Vol.2nd、p295(2003)、 ティー・キクマ(T.Kikuma)他、「バキューム(Vacuum)」、Vol.66、P233(2002) 応用物理学会編「第66回応用物理学会」パンフレット、7a−N−6(2005年秋)、1分冊、248ページ
牛玖 由紀子(Y.USHIKU)他、「21世紀連合シンポジウム論文集」、Vol.2nd、p295(2003)、 ティー・キクマ(T.Kikuma)他、「バキューム(Vacuum)」、Vol.66、P233(2002) 応用物理学会編「第66回応用物理学会」パンフレット、7a−N−6(2005年秋)、1分冊、248ページ
しかしながら、従来のスパッタ法では、ドーパント元素がドーピングされたガリウム窒化物半導体の結晶を成膜する場合、ドーピング濃度を微調整することは困難であった。
また、MOCVD法を用いて、GaN層としてMg元素のドープされたAlGaN等を成膜する場合には、Alの組成に応じて結晶内に取り込まれるMgの量が変化するため、Al組成が低い場合にはMgが入りやすいものの、Al組成が高いときにはMgが入りにくいという問題があった。
また、Si元素がドーピングされたガリウム窒化物半導体の結晶を、プラズマ中に窒素ガスと同時にSiH4ガスを流通させる方法を用いて成膜する方法も考えられる。しかし、この方法では、長期にわたって結晶膜の成膜を行うと、反応チャンバの内壁や天井にパーティクルが発生し、これがターゲットやウエーハ表面に付着して欠陥を生じる原因となる場合がある。
また、MOCVD法を用いて、GaN層としてMg元素のドープされたAlGaN等を成膜する場合には、Alの組成に応じて結晶内に取り込まれるMgの量が変化するため、Al組成が低い場合にはMgが入りやすいものの、Al組成が高いときにはMgが入りにくいという問題があった。
また、Si元素がドーピングされたガリウム窒化物半導体の結晶を、プラズマ中に窒素ガスと同時にSiH4ガスを流通させる方法を用いて成膜する方法も考えられる。しかし、この方法では、長期にわたって結晶膜の成膜を行うと、反応チャンバの内壁や天井にパーティクルが発生し、これがターゲットやウエーハ表面に付着して欠陥を生じる原因となる場合がある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
また、上記のスパッタターゲットの製造方法により得られるスパッタターゲットを提供することを目的とする。
また、上記のスパッタターゲットの製造方法により得られるスパッタターゲットを提供することを目的とする。
さらに、上記のスパッタターゲットが備えられているスパッタ装置を提供することを目的とする。
また、上記のスパッタ装置を用いて形成するIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、およびIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供することを目的とする。
また、上記のスパッタ装置を用いて形成するIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、およびIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供することを目的とする。
本発明者等は、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、液状のGaとドーパント元素とを混合することで、スパッタターゲット中におけるドーパント元素の濃度を容易に高精度で調整できることを見出した。そして、このようにして得られたスパッタターゲットを用いて成膜することで、成膜された層の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下に関する。
即ち、本発明は以下に関する。
[1] 液状Gaとドーパント元素とを混合する混合工程を備えることを特徴とするスパッタターゲットの製造方法。
[2] 前記混合工程が、前記液状Ga中に前記ドーパント元素を溶解させる工程であることを特徴とする[1]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[3] 前記ドーパントがMgであることを特徴とする[1]または[2]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[4] 前記混合工程において、GaとMgの原子数の比が1:0.01〜0.0001の範囲となるようにすることを特徴とする[1]〜[3]のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法。
[5] 前記混合工程において、GaとMgの重量の比が1:0.003〜0.00003の範囲となるようにすることを特徴とする[1]〜[3]のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法。
[6] 前記混合工程が、前記液状Ga中に粒子状の前記ドーパンド元素を分散させた後、固化させる工程であることを特徴とする[1]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[7] 前記ドーパントがSiであることを特徴とする[1]または[6]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[8] 前記混合工程において、ターゲット表面におけるGaとSiの粒子の露出面積の比が1:0.05〜0.0005の範囲となるようにすることを特徴とする[1]、[6]または[7]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[9] 前記混合工程において、GaとSiの重量の比が1:0.02〜0.0002の範囲となるようにすることを特徴とする[1]、[6]または[7]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[2] 前記混合工程が、前記液状Ga中に前記ドーパント元素を溶解させる工程であることを特徴とする[1]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[3] 前記ドーパントがMgであることを特徴とする[1]または[2]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[4] 前記混合工程において、GaとMgの原子数の比が1:0.01〜0.0001の範囲となるようにすることを特徴とする[1]〜[3]のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法。
[5] 前記混合工程において、GaとMgの重量の比が1:0.003〜0.00003の範囲となるようにすることを特徴とする[1]〜[3]のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法。
[6] 前記混合工程が、前記液状Ga中に粒子状の前記ドーパンド元素を分散させた後、固化させる工程であることを特徴とする[1]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[7] 前記ドーパントがSiであることを特徴とする[1]または[6]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[8] 前記混合工程において、ターゲット表面におけるGaとSiの粒子の露出面積の比が1:0.05〜0.0005の範囲となるようにすることを特徴とする[1]、[6]または[7]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[9] 前記混合工程において、GaとSiの重量の比が1:0.02〜0.0002の範囲となるようにすることを特徴とする[1]、[6]または[7]に記載のスパッタターゲットの製造方法。
[10] [1]〜[9]のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法によって得られたことを特徴とするスパッタターゲット。
[11] ガリウム窒化物半導体からなる半導体層を形成するためのスパッタ装置であって、[10]に記載のスパッタターゲットが備えられていることを特徴とするスパッタ装置。
[12] ガリウム窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有するIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法であって、前記半導体層の少なくとも一部を[11]に記載のスパッタ装置を用いて形成することを特徴とするIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法。
[13] [12]に記載の製造方法で得られるIII族窒化物化合物半導体発光素子。
[14] [13]に記載のIII族窒化物化合物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
[11] ガリウム窒化物半導体からなる半導体層を形成するためのスパッタ装置であって、[10]に記載のスパッタターゲットが備えられていることを特徴とするスパッタ装置。
[12] ガリウム窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有するIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法であって、前記半導体層の少なくとも一部を[11]に記載のスパッタ装置を用いて形成することを特徴とするIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法。
[13] [12]に記載の製造方法で得られるIII族窒化物化合物半導体発光素子。
[14] [13]に記載のIII族窒化物化合物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
本発明のスパッタターゲットの製造方法は、液状Gaとドーパント元素とを混合する混合工程を備えているので、スパッタターゲット中におけるドーパント元素の濃度を容易に高精度に調整することができる。
そして、本発明のスパッタターゲットの製造方法によって得られたドーパント元素の濃度が高精度で調整されたスパッタターゲットを用いて成膜することで、ドーパント元素のドーピング濃度が最適化された層を形成できる。
そして、本発明のスパッタターゲットの製造方法によって得られたドーパント元素の濃度が高精度で調整されたスパッタターゲットを用いて成膜することで、ドーパント元素のドーピング濃度が最適化された層を形成できる。
また、本発明のスパッタ装置は、上記のスパッタターゲットが備えられたものであるので、ドーパント元素のドーピング濃度が最適化された層を容易に成膜できる。
さらに、本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法では、本発明のスパッタ装置を用いて半導体層を形成するので、ドーパント元素のドーピング濃度が最適化された半導体層を備えた本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子およびランプを容易に製造できる。
また、本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子並びにランプは、半導体層のドーパント元素のドーピング濃度が最適なものとなるので、優れた発光特性を備えたものとなる。
さらに、本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法では、本発明のスパッタ装置を用いて半導体層を形成するので、ドーパント元素のドーピング濃度が最適化された半導体層を備えた本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子およびランプを容易に製造できる。
また、本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子並びにランプは、半導体層のドーパント元素のドーピング濃度が最適なものとなるので、優れた発光特性を備えたものとなる。
以下、本発明のスパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、III族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプの実施形態について、図面を適宜参照して説明する。
[スパッタ装置]
図1は、本発明に係るスパッタ装置の一例を模式的に示す概略図である。図1に示すスパッタ装置40は、ガリウム窒化物半導体からなる半導体層を形成するためのものであり、本発明のスパッタターゲットが備えられたものである。
図1は、本発明に係るスパッタ装置の一例を模式的に示す概略図である。図1に示すスパッタ装置40は、ガリウム窒化物半導体からなる半導体層を形成するためのものであり、本発明のスパッタターゲットが備えられたものである。
このスパッタ装置40は、図1に示すように、チャンバ41と、チャンバ41内に設置されたスパッタターゲット47と、スパッタターゲット47に対してパワーを印加するパワー印加手段45とを備えている。また、図1に示すように、スパッタ装置40のチャンバ41内には、基板11をスパッタターゲット47に対向させて下向きに取り付けるための取り付け手段11bと、基板11を加熱するためのヒータ44とが備えられており、チャンバ41の外には、ヒータ44に導電接続されたマッチングボックス46cと、マッチングボックス46cに導電接続される電源48と、チャンバ41内の圧力を制御するポンプなどからなる圧力制御手段49a、49b、49cと、チャンバ41内にガスを供給するガス供給手段42a、42bとが備えられている。
パワー印加手段45は、スパッタターゲット47に対して所定のパワーを印加するものであり、図1に示すように、電極43と、電極43に導電接続されたマッチングボックス46aと、マッチングボックス46aに導電接続される電源48とから構成されている。そして、スパッタターゲット47に印加されるパワーは、マッチングボックス46aに制御させることによって調整可能とされている。
また、本実施形態では、スパッタターゲット47に印加されるパワー(印加電力)が、パルスDC方式またはRF(高周波)方式により印加されるようになっている。なお、図1に示すスパッタ装置40を用いてリアクティブスパッタ法により半導体層を成膜する場合には、成膜レートを容易にコントロールできる点から、印加電力をRF(高周波)方式とすることがより好ましい。また、図1に示すスパッタ装置40を用いてリアクティブスパッタ法により半導体層を成膜する場合、DCで電場を連続してかけた状態にするとスパッタターゲット47がチャージアップしてしまい、成膜レートを高くすることが困難になるので、印加電力を、パルス的にバイアスを与えるパルスDC方式とすることが好ましい。
[スパッタターゲット]
ここで、本発明のスパッタターゲットおよびスパッタターゲットの製造方法について例を挙げて説明する。
本実施形態のスパッタターゲット47は、以下に示す製造方法によって得られたものである。また、本実施形態のスパッタターゲット47は、Ga元素とドーパント元素とを含有するものであり、成膜される半導体層の組成に対応する材料からなるものである。また、本実施形態においては、スパッタターゲット47として固体状のものを用いてもよいし、液状化されたものを用いてもよい。液状化されたスパッタターゲット47としては、全体が液状化されているものであってもよいし、表層のみが液状化した状態のものであってもよい。
ここで、本発明のスパッタターゲットおよびスパッタターゲットの製造方法について例を挙げて説明する。
本実施形態のスパッタターゲット47は、以下に示す製造方法によって得られたものである。また、本実施形態のスパッタターゲット47は、Ga元素とドーパント元素とを含有するものであり、成膜される半導体層の組成に対応する材料からなるものである。また、本実施形態においては、スパッタターゲット47として固体状のものを用いてもよいし、液状化されたものを用いてもよい。液状化されたスパッタターゲット47としては、全体が液状化されているものであってもよいし、表層のみが液状化した状態のものであってもよい。
[スパッタターゲットの製造方法]
このようなスパッタターゲット47を製造するには、液状Gaとドーパント元素とを混合する(混合工程)方法によって得られる。
ここでの混合工程は、例えば、ドーパント元素が液状Ga中に溶融可能なものである場合には、Gaの融点である29℃以上の温度とすることにより液状化された液状Ga中に、ドーパント元素を添加して混合し、溶解させる工程とすることができる。液状Ga中に溶融されるドーパント元素としては、Mg、Zn、Cdなどを挙げることができ、中でもp型のGaN層を形成するためのドーパントとして広く用いられているMgが好ましい。
このようなスパッタターゲット47を製造するには、液状Gaとドーパント元素とを混合する(混合工程)方法によって得られる。
ここでの混合工程は、例えば、ドーパント元素が液状Ga中に溶融可能なものである場合には、Gaの融点である29℃以上の温度とすることにより液状化された液状Ga中に、ドーパント元素を添加して混合し、溶解させる工程とすることができる。液状Ga中に溶融されるドーパント元素としては、Mg、Zn、Cdなどを挙げることができ、中でもp型のGaN層を形成するためのドーパントとして広く用いられているMgが好ましい。
また、混合工程は、例えば、ドーパント元素が粒子状である場合には、液状Ga中に粒子状のドーパンド元素を分散させた後、固化させる工程としてもよい。この場合、一旦、液状Ga中に均一に分散されたドーパンド元素の粒子が、Gaとドーパンド元素の粒子との比重の差などにより偏り、スパッタターゲット4内のドーパンド元素の濃度が偏ってしまうことが防がれる。液状Ga中に分散される粒子状のドーパント元素としては、Si、Ge、Sn、Ca、Beなどを挙げることができ、中でもn型のGaN層を形成するためのドーパントとして広く用いられているSiが好ましい。
また、ドーパント元素としては、Si、Ge、Sn、Mgなどを挙げることができ、特に限定されないが、n型半導体層を成膜するためのスパッタターゲット47を製造する場合にはSiであることが好ましく、p型半導体層を成膜するためのスパッタターゲット47を製造する場合にはMgであることが好ましい。
また、ドーパント元素がMgである場合には、スパッタターゲット47中におけるGa原子数とMg原子数との比が(Ga原子数:Mg原子数)1:0.01〜0.0001の範囲となるように混合することが望ましい。また、ドーパント元素がMgである場合には、スパッタターゲット47中におけるGaとMgの重量の比が1:0.003〜0.00003の範囲となるようにすることが好ましい。
また、ドーパント元素がSiである場合には、スパッタターゲット47表面におけるGaとSiの粒子の露出面積の比が(Ga粒子:Si粒子)1:0.05〜0.0005の範囲となるようにすることが望ましい。また、ドーパント元素がSiである場合には、スパッタターゲット47中におけるGaとSiの重量の比が1:0.02〜0.0002の範囲となるようにすることが好ましい。
また、ドーパント元素がSiである場合には、スパッタターゲット47表面におけるGaとSiの粒子の露出面積の比が(Ga粒子:Si粒子)1:0.05〜0.0005の範囲となるようにすることが望ましい。また、ドーパント元素がSiである場合には、スパッタターゲット47中におけるGaとSiの重量の比が1:0.02〜0.0002の範囲となるようにすることが好ましい。
[発光素子の半導体層の製造方法]
次に、図1に示すスパッタ装置40を用いる発光素子の製造方法の一例として、リアクティブスパッタ法によって基板11上に発光素子の半導体層を成膜する方法を例に挙げて説明する。
図1に示すスパッタ装置40を用いて基板11上に発光素子の半導体層を成膜するには、まず、圧力制御手段49a、49b、49cによって、チャンバ41内の圧力を所定の圧力にするとともに、ガス供給手段42a、42bを用いて、チャンバ41内にアルゴンガスと窒化物原料からなる活性ガスとをそれぞれ所定の供給量で供給し、チャンバ41内を所定の雰囲気とする。
次に、図1に示すスパッタ装置40を用いる発光素子の製造方法の一例として、リアクティブスパッタ法によって基板11上に発光素子の半導体層を成膜する方法を例に挙げて説明する。
図1に示すスパッタ装置40を用いて基板11上に発光素子の半導体層を成膜するには、まず、圧力制御手段49a、49b、49cによって、チャンバ41内の圧力を所定の圧力にするとともに、ガス供給手段42a、42bを用いて、チャンバ41内にアルゴンガスと窒化物原料からなる活性ガスとをそれぞれ所定の供給量で供給し、チャンバ41内を所定の雰囲気とする。
チャンバ41内の圧力は、0.3Pa以上とすることが好ましい。チャンバ41内の圧力を0.3Pa未満とすると、窒素の存在量が小さくなり過ぎ、スパッタされた金属が窒化物とならない状態で基板11上に付着する虞がある。また、チャンバ41内の圧力の上限は特に限定されないが、プラズマを発生させることができる程度の圧力に抑制することが必要である。
また、本実施形態で活性ガスとして用いる窒化物原料としては、一般に知られている窒素化合物を何ら制限されることなく用いることができるが、アンモニアや窒素(N2)は取り扱いが簡単であるとともに、比較的安価で入手可能であることから好ましい。
アンモニアは分解効率が良好であり、高い成長速度で成膜することが可能であるが、反応性や毒性が高いため、除害設備やガス検知器が必要となり、また、反応装置に使用する部材の材料を化学的に安定性の高いものにする必要がある。
また、窒素(N2)を用いた場合には、装置としては簡便なものを用いることができるが、高い反応速度が得られない。しかしながら、窒素を電界や熱等により分解してから装置に導入する方法とすれば、アンモニアより反応速度は低いものの工業生産的に利用可能な程度の十分な成膜速度を得ることができる。このため、装置コストとの兼ね合いを考えると、活性ガスとしては窒素(N2)が最も好適である。
アンモニアは分解効率が良好であり、高い成長速度で成膜することが可能であるが、反応性や毒性が高いため、除害設備やガス検知器が必要となり、また、反応装置に使用する部材の材料を化学的に安定性の高いものにする必要がある。
また、窒素(N2)を用いた場合には、装置としては簡便なものを用いることができるが、高い反応速度が得られない。しかしながら、窒素を電界や熱等により分解してから装置に導入する方法とすれば、アンモニアより反応速度は低いものの工業生産的に利用可能な程度の十分な成膜速度を得ることができる。このため、装置コストとの兼ね合いを考えると、活性ガスとしては窒素(N2)が最も好適である。
次いで、ヒータ台44内に設けられた図示略の加熱手段によってヒータ台44を発熱させ、基板11を所定の温度、つまり、基板11上に成長される半導体層に最適な成長温度となるように加温する。
半導体層を成膜する時の基板11の温度は、室温〜1200℃の範囲とすることが好ましく、300〜1000℃の範囲とすることがより好ましく、500〜800℃の範囲とすることが最も好ましい。なお、ここでの室温とは、工程の環境等にも影響される温度であるが、具体的な温度としては、0〜30℃の範囲である。
基板11の温度が上記下限未満だと、基板11上でのマイグレーションが抑制され、結晶性の良い半導体層の結晶を成膜することができない場合がある。また、基板11の温度が上記上限を超えると、半導体層の結晶が分解する虞がある。
半導体層を成膜する時の基板11の温度は、室温〜1200℃の範囲とすることが好ましく、300〜1000℃の範囲とすることがより好ましく、500〜800℃の範囲とすることが最も好ましい。なお、ここでの室温とは、工程の環境等にも影響される温度であるが、具体的な温度としては、0〜30℃の範囲である。
基板11の温度が上記下限未満だと、基板11上でのマイグレーションが抑制され、結晶性の良い半導体層の結晶を成膜することができない場合がある。また、基板11の温度が上記上限を超えると、半導体層の結晶が分解する虞がある。
そして、基板11が加温された状態で、マッチングボックス46aを介して電極43に電流を供給し、スパッタターゲット47にパワーを印加するとともに、ヒータ台44に電流を供給して、基板11にバイアスを印加する。
このことにより、チャンバ41内の気相中には、スパッタターゲット47からGaの粒子やドーパント元素の粒子が飛び出す。そして、気相中のGa粒子やドーパント元素の粒子などの粒子が、ヒータ台44に取り付けられた基板11の表面にぶつかるように供給されて堆積されることにより、基板11上に半導体層が成膜される。
本実施形態では、スパッタターゲット47がドーパント元素の溶解されたものである場合、スパッタターゲット47に印加するパワーを0.1W/cm2〜100W/cm2の範囲とすることが好ましく、1W/cm2〜50W/cm2の範囲とすることがより好ましく、1.5W/cm2〜50W/cm2の範囲とすることが最も好ましい。
また、本実施形態では、スパッタターゲット47が粒子状のドーパンド元素を分散させて固化させたものである場合、スパッタターゲット47に印加するパワーを0.1W/cm2〜100W/cm2の範囲とすることが好ましく、1W/cm2〜50W/cm2の範囲とすることがより好ましく、1.5W/cm2〜50W/cm2の範囲とすることが最も好ましい。
また、本実施形態では、スパッタターゲット47が粒子状のドーパンド元素を分散させて固化させたものである場合、スパッタターゲット47に印加するパワーを0.1W/cm2〜100W/cm2の範囲とすることが好ましく、1W/cm2〜50W/cm2の範囲とすることがより好ましく、1.5W/cm2〜50W/cm2の範囲とすることが最も好ましい。
ここで、スパッタターゲット47が、ドーパント元素の溶解されたものである場合には、スパッタターゲット47の少なくとも表層を液状化させることが好ましい。
スパッタターゲット47を液状化させる方法としては、例えば、スパッタターゲット47に印加するパワーを一定以上とする方法を挙げることができる。ここで、スパッタターゲット47を液状化させるためにスパッタターゲット47に印加されるパワーは、1.5W/cm2以上とすることが好ましい。1.5W/cm2以上のパワーをスパッタターゲット47に印加すると、スパッタターゲット47が固体状となっている場合であっても、スパッタターゲット47の表層がプラズマに曝されて融解するので、確実に液状化させることができる。また、スパッタターゲット47に印加するパワーが150W/cm2未満だと、スパッタターゲット47が固体状となっている場合に液状化することができない虞がある。
スパッタターゲット47を液状化させる方法としては、例えば、スパッタターゲット47に印加するパワーを一定以上とする方法を挙げることができる。ここで、スパッタターゲット47を液状化させるためにスパッタターゲット47に印加されるパワーは、1.5W/cm2以上とすることが好ましい。1.5W/cm2以上のパワーをスパッタターゲット47に印加すると、スパッタターゲット47が固体状となっている場合であっても、スパッタターゲット47の表層がプラズマに曝されて融解するので、確実に液状化させることができる。また、スパッタターゲット47に印加するパワーが150W/cm2未満だと、スパッタターゲット47が固体状となっている場合に液状化することができない虞がある。
また、スパッタターゲット47を液状化させる他の方法としては、スパッタターゲット47を加熱手段によって加熱する方法を挙げることができる。この場合に用いる加熱手段としては特に限定されず、電熱ヒータ等、適宜選択して用いることができる。
スパッタターゲット47に印加するパワーを上記範囲とすることにより、大きなパワーの反応種が生成することができ、また、この反応種を高い運動エネルギーで基板11へ供給することができる。このことにより、基板11上におけるマイグレーションが活発になり、成膜される半導体層が、その下地となる層の結晶性を引き継がないように転位をループ化させるのが容易になる。
また、スパッタターゲット47が、粒子状のドーパンド元素を分散させて固化させたものである場合には、スパッタターゲット47が液状化されないように、スパッタ装置40のスパッタターゲット47周辺の温度が、Gaの融点である29℃未満となるようにされる。
また、本実施形態において半導体層を成膜する際の成膜レートは、0.01nm/s〜10nm/sの範囲とすることが好ましい。成膜レートが0.01nm/s未満だと、成膜プロセスが長時間となってしまい、工業生産的に無駄が大きくなる。また、成膜レートが10nm/sを超えると、良好な膜を得ることが困難となる。
本実施形態のスパッタターゲット47の製造方法は、液状Gaとドーパント元素とを混合する混合工程を備えているので、得られたスパッタターゲット47中におけるドーパント元素の濃度を容易に高精度に調整することができる。
また、本実施形態のスパッタターゲット47の製造方法によって得られたスパッタターゲット47が備えられたスパッタ装置40を用いて、発光素子の半導体層を成膜することで、ドーパント元素のドーピング濃度が最適化された発光素子の半導体層を容易に成膜できる。
また、本実施形態のスパッタターゲット47の製造方法によって得られたスパッタターゲット47が備えられたスパッタ装置40を用いて、発光素子の半導体層を成膜することで、ドーパント元素のドーピング濃度が最適化された発光素子の半導体層を容易に成膜できる。
また、本実施形態の発光素子の半導体層の製造方法では、半導体層をスパッタ法で成膜するので、MOCVD法(有機金属化学気相成長法)などにより成膜する場合と比較して、成膜レートを高くすることができ、成膜(製造)時間を短縮することができる。さらに、製造時間が短縮されることにより、チャンバ内に不純物が入り込むのを最小限に抑制することができ、汚染の少ない良好な半導体層を得ることができる。
また、本実施形態の半導体層の製造方法では、窒化物原料からなる活性ガスをチャンバ内に供給するリアクティブスパッタ法を用いたので、得られた半導体層の結晶性が良好で均一なものとなる。
また、本実施形態の半導体層の製造方法では、窒化物原料からなる活性ガスをチャンバ内に供給するリアクティブスパッタ法を用いたので、得られた半導体層の結晶性が良好で均一なものとなる。
また、本実施形態の半導体層の製造方法において、スパッタターゲット47の少なくとも表層を液状化する場合、高エネルギーを有する粒子を取り出して基板11上に供給することができるので、基板11上に、結晶性の良好なIII族窒化物半導体からなる半導体層を、より高効率で成長させることができる。
また、スパッタターゲット47の少なくとも表層を液状化させる場合、スパッタターゲット47を部分的に偏ること無く均一に使用することができるので、スパッタターゲット47を構成している材料を効率良く使用することができる。
また、スパッタターゲット47の少なくとも表層を液状化させる場合、スパッタターゲット47を部分的に偏ること無く均一に使用することができるので、スパッタターゲット47を構成している材料を効率良く使用することができる。
なお、本実施形態の半導体層の製造方法では、窒化物原料からなる活性ガスをチャンバ内に供給するリアクティブスパッタ法を例に挙げて説明したが、本発明はリアクティブスパッタ法に限定されるものではない。
また、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、半導体層を成膜する際に、スパッタターゲット47に対し、磁場を回転させるか、又は磁場を揺動させる方法としてもよい。特に、印加電力をRF(高周波)方式とした場合、スパッタターゲット47のチャージアップを回避するために、マグネットの位置をスパッタターゲット47内で移動させつつ成膜することが好ましい。具体的なマグネットの運動方法は、スパッタ装置の種類によって適宜選択することができ、例えば、マグネットを揺動させたり、又は回転運動させたりすることができる。
また、成膜される半導体層を、基板11の表面に加え、側面を覆うように形成しても良く、さらに、基板11の裏面も覆うように形成しても良い。
基板の表面及び側面を成膜する方法としては、例えば、基板を揺動させたり又は回転運動させたりすることにより、スパッタターゲット47と対向する基板の位置を変更させつつ、成膜する方法が挙げられる。このような方法とすることにより、基板11の表面及び側面を一度の工程で成膜することが可能となり、次いで基板11の裏面への成膜工程を行うことにより、計2回の工程で基板全面を覆うことが可能となる。また、基板11の表面及び側面を成膜する他の方法としては、基板11を保持せずにチャンバ41内に設置することにより、基板全面に成膜する方法などが挙げられる。
基板の表面及び側面を成膜する方法としては、例えば、基板を揺動させたり又は回転運動させたりすることにより、スパッタターゲット47と対向する基板の位置を変更させつつ、成膜する方法が挙げられる。このような方法とすることにより、基板11の表面及び側面を一度の工程で成膜することが可能となり、次いで基板11の裏面への成膜工程を行うことにより、計2回の工程で基板全面を覆うことが可能となる。また、基板11の表面及び側面を成膜する他の方法としては、基板11を保持せずにチャンバ41内に設置することにより、基板全面に成膜する方法などが挙げられる。
さらに、スパッタターゲット47として、大面積で、位置の移動が可能なものを用いることにより、基板11を移動させずに基板11の全面に成膜しても良い。このような方法としては、マグネットを揺動させたり又は回転運動させたりすることにより、スパッタターゲット47のマグネットの位置をターゲット内で移動させつつ成膜するRF(高周波)方式のスパッタ法が挙げられる。
さらに、RF(高周波)方式のスパッタ法で成膜を行なう場合、基板11側とスパッタターゲット47側の両方を移動させる方法としても良い。また、スパッタターゲット47を基板11の近傍に配することにより、発生するプラズマを基板11に対してビーム状に供給するのではなく、基板11を包み込むように供給するような構成とすることで、基板11の表面及び側面の同時成膜が可能となる。
次に、本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子(以下、発光素子と略称することがある)およびその製造方法について説明する。
[III族窒化物化合物半導体発光素子]
図2は、本発明に係るIII族窒化物化合物半導体発光素子の一例を模式的に示した概略断面図である。また、図3は、図2に示すIII族窒化物化合物半導体発光素子の平面構造を示す概略図である。
本実施形態の発光素子1は、図2に示すように、一面電極型のものであり、基板11上に、中間層12と、III族元素としてGaを含有するIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層20とが形成されているものである。半導体層20は、図2に示すように、n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16の各層がこの順で積層されてなるものである。
[III族窒化物化合物半導体発光素子]
図2は、本発明に係るIII族窒化物化合物半導体発光素子の一例を模式的に示した概略断面図である。また、図3は、図2に示すIII族窒化物化合物半導体発光素子の平面構造を示す概略図である。
本実施形態の発光素子1は、図2に示すように、一面電極型のものであり、基板11上に、中間層12と、III族元素としてGaを含有するIII族窒化物化合物半導体からなる半導体層20とが形成されているものである。半導体層20は、図2に示すように、n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16の各層がこの順で積層されてなるものである。
[発光素子の積層構造]
<基板>
本実施形態の発光素子1において、基板11に用いることができる材料としては、III族窒化物化合物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板材料であれば、特に限定されず、各種材料を選択して用いることができる。例えば、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。
<基板>
本実施形態の発光素子1において、基板11に用いることができる材料としては、III族窒化物化合物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板材料であれば、特に限定されず、各種材料を選択して用いることができる。例えば、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。
<中間層>
本実施形態の発光素子1においては、基板11上に、六方晶系の結晶構造を持つ中間層12が成膜されている。
中間層12をなすIII族窒化物半導体の結晶は、単結晶構造を有するものであることが好ましい。III族窒化物半導体の結晶は、成長条件を制御することにより、上方向だけでなく、面内方向にも成長して単結晶構造を形成する。このため、中間層12の成膜条件を制御することにより、単結晶構造のIII族窒化物半導体の結晶からなる中間層12とすることができる。
このような単結晶構造を有する中間層12を基板11上に成膜した場合、中間層12のバッファ機能が有効に作用するため、その上に成膜されたIII族窒化物半導体は良好な配向性及び結晶性を有する結晶膜となる。
本実施形態の発光素子1においては、基板11上に、六方晶系の結晶構造を持つ中間層12が成膜されている。
中間層12をなすIII族窒化物半導体の結晶は、単結晶構造を有するものであることが好ましい。III族窒化物半導体の結晶は、成長条件を制御することにより、上方向だけでなく、面内方向にも成長して単結晶構造を形成する。このため、中間層12の成膜条件を制御することにより、単結晶構造のIII族窒化物半導体の結晶からなる中間層12とすることができる。
このような単結晶構造を有する中間層12を基板11上に成膜した場合、中間層12のバッファ機能が有効に作用するため、その上に成膜されたIII族窒化物半導体は良好な配向性及び結晶性を有する結晶膜となる。
また、中間層12をなすIII族窒化物半導体の結晶は、成膜条件をコントロールすることにより、六角柱を基本とした集合組織からなる柱状結晶(多結晶)とすることも可能である。なお、ここでの集合組織からなる柱状結晶とは、隣接する結晶粒との間に結晶粒界を形成して隔てられており、それ自体は縦断面形状として柱状になっている結晶のことをいう。
さらに、中間層12は、柱状結晶の各々のグレインの幅の平均値が、0.1〜100nmの範囲とされていることが、バッファ機能の面から好ましく、1〜70nmの範囲とされていることがより好ましい。ここで、グレインの幅とは、中間層12が柱状グレインの集合体である場合は、結晶の界面と界面の距離のことをいう。一方、グレインが島状に点在する場合には、グレインの幅とは、結晶グレインが基板面に接する面の最も大きい部分のさし渡しの長さを言う。III族窒化物化合物半導体の結晶層の結晶性を良好にするためには、柱状結晶の各々の結晶のグレインの幅を適正に制御する必要があり、具体的には、上記範囲とすることが好ましい。また、結晶のグレインは、略柱状の形状をしていることが好ましく、中間層12は、柱状のグレインが集合して層を成していることが望ましい。
各柱状結晶のグレインの幅は、断面TEM観察などにより容易に測定することが可能である。なお、各柱状結晶の幅は精密に規定できるものではなく、ある程度の幅の分布を有する。従って、各柱状結晶のグレインの幅が、上記範囲から外れる結晶が例えば数%程度あったとしても、本発明の効果に影響を及ぼすものではない。また、各柱状結晶のグレインの幅は、90%以上が上記範囲に入っていることが好ましい。
また、中間層12は、Alを含有する組成とされていることが好ましく、AlNからなる構成とすることにより、効率的に柱状結晶集合体とすることができ、より好ましい。
なお、中間層12を構成する材料としては、一般式AlGaInNで表されるIII族窒化物化合物半導体であれば、どのような材料でも用いることができる。さらに、V族として、AsやPが含有される構成としても良い。また、中間層12を、Alを含んだ組成とした場合、GaAlNとすることが好ましく、この際、Alの組成が50%以上とされていることが好ましい。
なお、中間層12を構成する材料としては、一般式AlGaInNで表されるIII族窒化物化合物半導体であれば、どのような材料でも用いることができる。さらに、V族として、AsやPが含有される構成としても良い。また、中間層12を、Alを含んだ組成とした場合、GaAlNとすることが好ましく、この際、Alの組成が50%以上とされていることが好ましい。
また、中間層12の膜厚は、10〜500nmの範囲とされていることが好ましく、20〜100nmの範囲とされていることがより好ましい。
中間層12の膜厚が10nm未満だと、上述したようなバッファ機能が充分でなくなる。また、500nmを超える膜厚で中間層12を形成し場合、コート層としての機能には変化が無いのにも関わらず、成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する虞がある。なお、中間層12の膜厚についても、上述したような断面TEM写真により、容易に測定することが可能である。
中間層12の膜厚が10nm未満だと、上述したようなバッファ機能が充分でなくなる。また、500nmを超える膜厚で中間層12を形成し場合、コート層としての機能には変化が無いのにも関わらず、成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する虞がある。なお、中間層12の膜厚についても、上述したような断面TEM写真により、容易に測定することが可能である。
また、中間層12は、基板11の表面11aの少なくとも60%以上、好ましくは80%以上を覆っている必要があり、90%以上を覆うように形成されていることが好ましい。また、中間層12は、表面11aの100%、即ち、基板11の表面11a上を隙間無く覆うように形成されていることが最も好ましい。
中間層12が基板11の表面11aを覆う領域が小さくなると、基板11が大きく露出した状態となる。このため、中間層12上に成膜される下地層14aと基板11上に直接成膜される下地層14aとの格子定数が異なるものとなり、均一な結晶とならず、ヒロックやピットを生じてしまう恐れがある。
中間層12が基板11の表面11aを覆う領域が小さくなると、基板11が大きく露出した状態となる。このため、中間層12上に成膜される下地層14aと基板11上に直接成膜される下地層14aとの格子定数が異なるものとなり、均一な結晶とならず、ヒロックやピットを生じてしまう恐れがある。
なお、中間層12が基板11の表面11aを覆う割合は、断面TEM写真を用いて測定することができる。特に、中間層12と下地層14aの材料が異なる場合には、EDSなどを用いて基板11と該基板11上の層との界面を、基板11の表面と平行にスキャンすることにより、中間層12が形成されていない領域の比を見積もることができる。また、本実施形態では、断面TEM写真から基板11の露出した面積を測定する方法を説明したが、中間層12のみを成膜した試料を用意し、AFM等の方法によって基板11の露出した面積を測定することも可能である。
また、中間層12は、基板11の表面11aに加え、側面を覆うようにして形成されていても良く、さらに、基板11の裏面を覆うようにして形成しても良い。
<半導体層>
図2に示すように、半導体層20は、n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16を備えている。
「n型半導体層」
n型半導体層14は、中間層12上に積層され、下地層14a、n型コンタクト層14b及びn型クラッド層14cから構成されている。なお、n型コンタクト層は、下地層、及び/又は、n型クラッド層を兼ねることが可能であるが、下地層が、n型コンタクト層、及び/又はn型クラッド層を兼ねることも可能である。
図2に示すように、半導体層20は、n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16を備えている。
「n型半導体層」
n型半導体層14は、中間層12上に積層され、下地層14a、n型コンタクト層14b及びn型クラッド層14cから構成されている。なお、n型コンタクト層は、下地層、及び/又は、n型クラッド層を兼ねることが可能であるが、下地層が、n型コンタクト層、及び/又はn型クラッド層を兼ねることも可能である。
(下地層)
本実施形態のn型半導体層14の下地層14aは、III族窒化物化合物半導体からなる。下地層14aの材料は、中間層12と同じであっても異なっていても構わないが、Gaを含むIII族窒化物化合物、即ちGaN系化合物半導体が好ましく、AlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることがより好ましい。
例えば、中間層12をAlNからなる柱状結晶の集合体とした場合、下地層14aは、柱状結晶の集合体である中間層12の結晶性をそのまま引き継がないように、マイグレーションによって転位をループ化させることが望ましい。GaN系化合物半導体は、転位のループ化を生じやすく、特に、AlGaN、又はGaNが好適である。
本実施形態のn型半導体層14の下地層14aは、III族窒化物化合物半導体からなる。下地層14aの材料は、中間層12と同じであっても異なっていても構わないが、Gaを含むIII族窒化物化合物、即ちGaN系化合物半導体が好ましく、AlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることがより好ましい。
例えば、中間層12をAlNからなる柱状結晶の集合体とした場合、下地層14aは、柱状結晶の集合体である中間層12の結晶性をそのまま引き継がないように、マイグレーションによって転位をループ化させることが望ましい。GaN系化合物半導体は、転位のループ化を生じやすく、特に、AlGaN、又はGaNが好適である。
また、下地層14aの膜厚は0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も好ましい。この膜厚以上にした方が結晶性の良好なAlXGa1―XN層が得られやすい。
下地層14aには、必要に応じて、n型不純物を1×1017〜1×1019/cm3の範囲内であればドープしても良いが、アンドープ(<1×1017/cm3)とすることもでき、アンドープの方が良好な結晶性の維持という点で好ましい。
例えば、基板11が導電性を有する場合には、下地層14aにドーパントをドープして導電性とすることにより、発光素子1の上下に電極を形成することができる。一方、基板11として絶縁性の材料を用いる場合には、発光素子1の同じ面に正極及び負極の各電極が設けられたチップ構造をとることになるので、基板11直上の層はドープしない結晶とした方が、結晶性が良好となることから好ましい。
n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeが挙げられる。
例えば、基板11が導電性を有する場合には、下地層14aにドーパントをドープして導電性とすることにより、発光素子1の上下に電極を形成することができる。一方、基板11として絶縁性の材料を用いる場合には、発光素子1の同じ面に正極及び負極の各電極が設けられたチップ構造をとることになるので、基板11直上の層はドープしない結晶とした方が、結晶性が良好となることから好ましい。
n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeが挙げられる。
(n型コンタクト層)
n型コンタクト層14bは、III族窒化物化合物半導体からなる。n型コンタクト層14bは、下地層14aと同様にAlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ましい。
また、n型コンタクト層14bには、n型不純物がドープされていることが好ましく、n型不純物を1×1017〜1×1019/cm3、好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の濃度で含有すると、負極との良好なオーミック接触の維持、クラック発生の抑制、良好な結晶性の維持の点で好ましい。n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeである。
n型コンタクト層14bは、III族窒化物化合物半導体からなる。n型コンタクト層14bは、下地層14aと同様にAlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ましい。
また、n型コンタクト層14bには、n型不純物がドープされていることが好ましく、n型不純物を1×1017〜1×1019/cm3、好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の濃度で含有すると、負極との良好なオーミック接触の維持、クラック発生の抑制、良好な結晶性の維持の点で好ましい。n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeである。
なお、下地層14a及びn型コンタクト層14bを構成する窒化ガリウム系化合物半導体は同一組成であることが好ましく、これらの合計の膜厚を0.1〜20μm、好ましくは0.5〜15μm、さらに好ましくは1〜12μmの範囲に設定することが好ましい。膜厚がこの範囲であると、半導体の結晶性が良好に維持される。
(n型クラッド層)
n型コンタクト層14bと発光層15との間には、n型クラッド層14cを設けることが好ましい。n型クラッド層14cを設けることにより、n型コンタクト層14bの最表面に生じた平坦性の悪化を修復することできる。n型クラッド層14cは、AlGaN、GaN、GaInN等により成膜することが可能である。また、これらの構造のヘテロ接合や複数回積層した超格子構造としてもよい。n型クラッド層14cをGaInNとする場合には、発光層15のGaInNのバンドギャップよりも大きくすることが望ましいことは言うまでもない。
n型コンタクト層14bと発光層15との間には、n型クラッド層14cを設けることが好ましい。n型クラッド層14cを設けることにより、n型コンタクト層14bの最表面に生じた平坦性の悪化を修復することできる。n型クラッド層14cは、AlGaN、GaN、GaInN等により成膜することが可能である。また、これらの構造のヘテロ接合や複数回積層した超格子構造としてもよい。n型クラッド層14cをGaInNとする場合には、発光層15のGaInNのバンドギャップよりも大きくすることが望ましいことは言うまでもない。
n型クラッド層14cの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは5〜500nmの範囲であり、より好ましくは5〜100nmの範囲である。
また、n型クラッド層14cのn型ドープ濃度は1×1017〜1×1020/cm3の範囲が好ましく、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の範囲である。ドープ濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および発光素子の動作電圧低減の点で好ましい。
また、n型クラッド層14cのn型ドープ濃度は1×1017〜1×1020/cm3の範囲が好ましく、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の範囲である。ドープ濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および発光素子の動作電圧低減の点で好ましい。
<発光層>
発光層15は、図2に示すように、窒化ガリウム系化合物半導体からなる障壁層15aと、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層15bとが交互に繰り返して積層され、且つ、n型半導体層14側及びp型半導体層16側に障壁層15aが配されている。図2に示す例では、発光層15は、6層の障壁層15aと5層の井戸層15bとが交互に繰り返して積層され、発光層15の最上層及び最下層に障壁層15aが配され、各障壁層15a間に井戸層15bが配される構成とされている。
発光層15は、図2に示すように、窒化ガリウム系化合物半導体からなる障壁層15aと、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層15bとが交互に繰り返して積層され、且つ、n型半導体層14側及びp型半導体層16側に障壁層15aが配されている。図2に示す例では、発光層15は、6層の障壁層15aと5層の井戸層15bとが交互に繰り返して積層され、発光層15の最上層及び最下層に障壁層15aが配され、各障壁層15a間に井戸層15bが配される構成とされている。
障壁層15aとしては、例えば、井戸層15bよりもバンドギャップエネルギーが大きいAlcGa1−cN(0≦c<0.3)等の窒化ガリウム系化合物半導体を、好適に用いることができる。
また、井戸層15bには、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体として、例えば、Ga1−sInsN(0<s<0.4)等の窒化ガリウムインジウムを用いることができる。
また、井戸層15bには、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体として、例えば、Ga1−sInsN(0<s<0.4)等の窒化ガリウムインジウムを用いることができる。
発光層15全体の膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚、即ち臨界膜厚が好ましい。例えば、発光層15の膜厚は、1〜500nmの範囲であることが好ましく、100nm前後の膜厚であればより好ましい。膜厚が上記範囲であると、発光出力の向上に寄与する。
<p型半導体層>
p型半導体層16は、p型クラッド層16a及びp型コンタクト層16bから構成されている。なお、p型コンタクト層がp型クラッド層を兼ねる構成であってもよい。
p型半導体層16は、p型クラッド層16a及びp型コンタクト層16bから構成されている。なお、p型コンタクト層がp型クラッド層を兼ねる構成であってもよい。
(p型クラッド層)
p型クラッド層16aとしては、発光層15のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層15へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AldGa1−dN(0<d≦0.4、好ましくは0.1≦d≦0.3)のものが挙げられる。p型クラッド層16aが、このようなAlGaNからなると、発光層15へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。
p型クラッド層16aの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1〜400nmであり、より好ましくは5〜100nmである。
p型クラッド層16aとしては、発光層15のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層15へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AldGa1−dN(0<d≦0.4、好ましくは0.1≦d≦0.3)のものが挙げられる。p型クラッド層16aが、このようなAlGaNからなると、発光層15へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。
p型クラッド層16aの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1〜400nmであり、より好ましくは5〜100nmである。
p型クラッド層16aのp型ドープ濃度は、1×1018〜1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019〜1×1020/cm3である。p型ドープ濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なp型結晶が得られる。p型不純物としては、特に限定されないが、例えば、好ましくはMgが挙げられる。
(p型コンタクト層)
p型コンタクト層16bは、少なくともAleGa1−eN(0≦e<0.5、好ましくは0≦e≦0.2、より好ましくは0≦e≦0.1)を含んでなる窒化ガリウム系化合物半導体層である。Al組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持およびpオーミック電極(後述の透光性電極17を参照)との良好なオーミック接触の点で好ましい。
p型コンタクト層16bの膜厚は、特に限定されないが、10〜500nmが好ましく、より好ましくは50〜200nmである。膜厚がこの範囲であると、発光出力を高く維持できる点で好ましい。
p型コンタクト層16bは、少なくともAleGa1−eN(0≦e<0.5、好ましくは0≦e≦0.2、より好ましくは0≦e≦0.1)を含んでなる窒化ガリウム系化合物半導体層である。Al組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持およびpオーミック電極(後述の透光性電極17を参照)との良好なオーミック接触の点で好ましい。
p型コンタクト層16bの膜厚は、特に限定されないが、10〜500nmが好ましく、より好ましくは50〜200nmである。膜厚がこの範囲であると、発光出力を高く維持できる点で好ましい。
また、p型コンタクト層16bは、p型ドーパントを1×1018〜1×1021/cm3の範囲の濃度で含有していると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましく、より好ましくは5×1019〜5×1020/cm3の範囲である。p型不純物としては、特に限定されないが、例えば、好ましくはMgが挙げられる。
なお、本発明の発光素子1を構成する半導体層20は、上述した実施形態のものに限定されるものではない。
例えば、本発明を構成する半導体層の材料としては、上記のものの他、例えば一般式AlXGaYInZN1−AMA(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記号Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦A<1である。)で表わされる窒化ガリウム系化合物半導体が知られており、本発明においても、それら周知の窒化ガリウム系化合物半導体を何ら制限なく用いることができる。
また、III族元素としてGaを含有するIII族窒化物化合物半導体は、Al、GaおよびIn以外に他のIII族元素を含有することができ、必要に応じてGe、Si、Mg、Ca、Zn、Be、P及びAs等の元素を含有することもできる。さらに、意図的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含む場合もある。
例えば、本発明を構成する半導体層の材料としては、上記のものの他、例えば一般式AlXGaYInZN1−AMA(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記号Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦A<1である。)で表わされる窒化ガリウム系化合物半導体が知られており、本発明においても、それら周知の窒化ガリウム系化合物半導体を何ら制限なく用いることができる。
また、III族元素としてGaを含有するIII族窒化物化合物半導体は、Al、GaおよびIn以外に他のIII族元素を含有することができ、必要に応じてGe、Si、Mg、Ca、Zn、Be、P及びAs等の元素を含有することもできる。さらに、意図的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含む場合もある。
<透光性正極>
透光性正極17は、p型半導体層16上に形成された透光性を有する電極である。
透光性正極17の材質としては、特に限定されず、ITO(In2O3−SnO2)、AZnO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−Ga2O3)等の材料を用いることができる。また、透光性正極17としては、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。
また、透光性正極17は、p型半導体層16上の全面を覆うように形成しても構わないし、隙間を開けて格子状や樹形状に形成しても良い。
透光性正極17は、p型半導体層16上に形成された透光性を有する電極である。
透光性正極17の材質としては、特に限定されず、ITO(In2O3−SnO2)、AZnO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−Ga2O3)等の材料を用いることができる。また、透光性正極17としては、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。
また、透光性正極17は、p型半導体層16上の全面を覆うように形成しても構わないし、隙間を開けて格子状や樹形状に形成しても良い。
<正極ボンディングパッド>
正極ボンディングパッド18は、図3に示すように透光性正極17上に形成された略円形の電極である。
正極ボンディングパッド18の材料としては、Au、Al、NiおよびCu等を用いた各種構造が周知であり、これら周知の材料、構造のものを何ら制限無く用いることができる。
正極ボンディングパッド18の厚さは、100〜1000nmの範囲内であることが好ましい。また、ボンディングパッドの特性上、厚さが大きい方が、ボンダビリティーが高くなるため、正極ボンディングパッド18の厚さは300nm以上とすることがより好ましい。さらに、製造コストの観点から500nm以下とすることが好ましい。
正極ボンディングパッド18は、図3に示すように透光性正極17上に形成された略円形の電極である。
正極ボンディングパッド18の材料としては、Au、Al、NiおよびCu等を用いた各種構造が周知であり、これら周知の材料、構造のものを何ら制限無く用いることができる。
正極ボンディングパッド18の厚さは、100〜1000nmの範囲内であることが好ましい。また、ボンディングパッドの特性上、厚さが大きい方が、ボンダビリティーが高くなるため、正極ボンディングパッド18の厚さは300nm以上とすることがより好ましい。さらに、製造コストの観点から500nm以下とすることが好ましい。
<負極>
負極19は、半導体層20を構成するn型半導体層14のn型コンタクト層14bに接するものである。このため、負極19は、図2および図3に示すように、発光層15、p型半導体層16、及びn型半導体層14の一部を除去してn型コンタクト層14bを露出させてなる露出領域14dの上に略円形状に形成されている。
負極19の材料としては、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができる。
負極19は、半導体層20を構成するn型半導体層14のn型コンタクト層14bに接するものである。このため、負極19は、図2および図3に示すように、発光層15、p型半導体層16、及びn型半導体層14の一部を除去してn型コンタクト層14bを露出させてなる露出領域14dの上に略円形状に形成されている。
負極19の材料としては、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができる。
[発光素子の製造方法]
図2に示す発光素子1を製造するには、まず、基板11上に半導体層20の形成された図4に示す積層半導体10を形成する。図4に示す積層半導体10を形成するには、まず、基板11を用意する。基板11は、前処理を施してから使用することが望ましい。
基板11の前処理としては、例えば、基板11としてシリコンからなる基板11を用いる場合には、よく知られたRCA洗浄方法などの湿式の方法を行いて、表面を水素終端させておく方法を用いることができる。このことにより、成膜プロセスが安定する。
図2に示す発光素子1を製造するには、まず、基板11上に半導体層20の形成された図4に示す積層半導体10を形成する。図4に示す積層半導体10を形成するには、まず、基板11を用意する。基板11は、前処理を施してから使用することが望ましい。
基板11の前処理としては、例えば、基板11としてシリコンからなる基板11を用いる場合には、よく知られたRCA洗浄方法などの湿式の方法を行いて、表面を水素終端させておく方法を用いることができる。このことにより、成膜プロセスが安定する。
また、基板11の前処理は、例えば、スパッタ装置のチャンバ内に基板11を配置し、中間層12を形成する前にスパッタする方法によって行ってもよい。具体的には、チャンバ内において、基板11をArやN2のプラズマ中に曝す事によって表面を洗浄する前処理を行なうことができる。ArガスやN2ガスなどのプラズマを基板11の表面に作用させることで、基板11表面に付着した有機物や酸化物を除去することができる。この場合、スパッタターゲットにパワーを印加せずに、基板11とチャンバとの間に電圧を印加すれば、プラズマ粒子が効率的に基板11に作用する。
基板11に前処理を行なった後、基板11上に、スパッタ法によって、図4に示す中間層12を成膜する。その後、従来のスパッタ法によって、図4に示す中間層12上にアンドープの半導体層からなる下地層14aを成膜する。
続いて、上述した図1に示すスパッタ装置40を用いるリアクティブスパッタ法によって、下地層14a上にn型コンタクト層14bを成膜する。n型コンタクト層14bの成膜に用いられるスパッタターゲット47は、Ga元素とドーパント元素とを含むものであって、n型コンタクト層14bの組成に対応する材料からなるものである。また、ここでのドーパント元素は、n型コンタクト層14bを成膜する際に用いるSi、GeおよびSn等のn型不純物である。
n型コンタクト層14bの成膜に用いられるスパッタターゲット47は、液状Gaとドーパント元素とを混合する方法によって得られたものである。具体的には、例えば、ドーパント元素がSiなど粒子状のものである場合には、液状Ga中に粒子状のドーパンド元素を分散させた後、固化させる方法によって得られたものである。
次いで、チャンバ41内を、n型コンタクト層14bを成膜するための所定の雰囲気とし、下地層14aの形成された基板11を所定の温度に加温する。n型コンタクト層14bの成膜温度は、結晶の分解する温度よりも低温にする必要があるため、1200℃未満とすることが好ましい。n型コンタクト層14bを成膜する際の基板11の温度が上記範囲内であれば、結晶性の良いn型コンタクト層14bが得られる。そして、マッチングボックス46aを介して電極43に所定の電流を供給し、スパッタターゲット47にパワーを印加するとともに、ヒータ台44に電流を供給して、基板11にバイアスを印加し、基板11の下地層14a上に所定の成膜レートでn型コンタクト層14bを成膜する。
次に、n型半導体層14のn型クラッド層14c、障壁層15aと井戸層15bとからなる発光層15、p型半導体層16のp型クラッド層16aを、膜厚制御性の観点で好ましいMOCVD(有機金属化学気相成長法)法で成膜する。
MOCVD法では、キャリアガスとして水素(H2)または窒素(N2)、III族原料であるGa源としてトリメチルガリウム(TMG)またはトリエチルガリウム(TEG)、Al源としてトリメチルアルミニウム(TMA)またはトリエチルアルミニウム(TEA)、In源としてトリメチルインジウム(TMI)またはトリエチルインジウム(TEI)、V族原料であるN源としてアンモニア(NH3)、ヒドラジン(N2H4)などが用いられる。
また、ドーパント元素のn型不純物には、Si原料としてモノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6)を、Ge原料としてゲルマンガス(GeH4)や、テトラメチルゲルマニウム((CH3)4Ge)やテトラエチルゲルマニウム((C2H5)4Ge)等の有機ゲルマニウム化合物を利用できる。
ドーパント元素のn型不純物には、Mg原料として例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を用いることができる。
ドーパント元素のn型不純物には、Mg原料として例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を用いることができる。
次いで、p型半導体層16のp型クラッド層16a上に、上述した図1に示すスパッタ装置40を用いるリアクティブスパッタ法によって、p型半導体層16のp型コンタクト層16bを成膜する。
p型半導体層16のp型コンタクト層16bの成膜に用いられるスパッタターゲット47は、Ga元素とドーパント元素とを含むものであって、p型コンタクト層16bの組成に対応する材料からなるものである。また、スパッタターゲット47が含有するドーパント元素としては、Mg等のp型不純物を用いる。
p型コンタクト層16bの成膜に用いられるスパッタターゲット47は、液状Gaとドーパント元素とを混合する方法によって得られたものである。具体的には、例えば、ドーパント元素がMgなど液状Ga中に溶融可能なものである場合には、液状化された液状Ga中に、ドーパント元素を添加して混合し、溶解させる方法によって得られたものである。
p型コンタクト層16bを成膜するには、スパッタターゲット47の設置されたチャンバ41内を、p型コンタクト層16bを成膜するための所定の雰囲気とし、p型クラッド層16aまでの各層の形成された基板11を所定の温度に加温する。そして、スパッタターゲット47に所定のパワーを印加して所定の成膜レートでp型コンタクト層16bを成膜する。
このようにして得られた図4に示す積層半導体10のp型コンタクト層16b上に、フォトリソグラフィー法を用いて透光性正極17および正極ボンディングパッド18を順次形成する。
次いで、透光性正極17および正極ボンディングパッド18の形成された積層半導体10をドライエッチングすることにより、n型コンタクト層14b上の露出領域14dを露出させる。
その後、露出領域14d上に、フォトリソグラフィー法を用いて負極19を形成することにより、図2および図3に示す発光素子1が得られる。
次いで、透光性正極17および正極ボンディングパッド18の形成された積層半導体10をドライエッチングすることにより、n型コンタクト層14b上の露出領域14dを露出させる。
その後、露出領域14d上に、フォトリソグラフィー法を用いて負極19を形成することにより、図2および図3に示す発光素子1が得られる。
本実施形態の発光素子は、半導体層20のうち、n型半導体層14の下地層14aおよびn型コンタクト層14bと、p型半導体層16のp型コンタクト層16bとがスパッタ法によって成膜されたものであるので、下地層14a、n型コンタクト層14b、p型コンタクト層16bをMOCVD法で成膜した場合と比較して、生産性に優れたものとなる。
また、本実施形態の発光素子は、半導体層20のうちの、上述した図1に示すスパッタ装置40を用いて成膜された半導体層における結晶中のドーパント元素のドーピング濃度が最適な濃度であるものとなる。従って、本実施形態の発光素子1は、優れた発光特性を備えたものとなる。
また、本実施形態の発光素子は、半導体層20のうちの、上述した図1に示すスパッタ装置40を用いて成膜された半導体層における結晶中のドーパント元素のドーピング濃度が最適な濃度であるものとなる。従って、本実施形態の発光素子1は、優れた発光特性を備えたものとなる。
また、本実施形態の製造方法では、p型半導体層16のp型コンタクト層16bをスパッタ法で成膜している。これに対し、例えば、MOCVD法を用いてp型半導体層16のp型クラッド層16aおよびp型コンタクト層16bを成膜した場合には、p型半導体層16中に水素が取り込まれて、p型半導体層16のキャリア濃度の向上が阻害されてしまう場合がある。このため、MOCVD法を用いてp型半導体層16のp型クラッド層16aおよびp型コンタクト層16bを成膜した場合には、成膜した後に活性化アニールを行っていた。
しかし、本実施形態の製造方法では、n型半導体層14の下地層14aおよびn型コンタクト層14bをスパッタ法で成膜しているので、p型半導体層16を成膜した後の活性化アニールが不要となり、この活性化アニールによって発生していた発光層15の井戸層15bの破壊が防止され、井戸層15bの破壊によるリーク電流や発光出力の低下等が生じることが無い。
なお、本実施形態では、発光素子1の半導体層20のうち、n型半導体層14のn型コンタクト層14bと、p型半導体層16のp型コンタクト層16bを図1に示すスパッタ装置40を用いる上述したスパッタ法によって成膜する方法を例に挙げて説明したが、本発明は上述した例に限定されるものではなく、半導体層20のうち少なくとも一部が本発明のスパッタ法によって成膜されていればよい。
例えば、本実施形態では、n型半導体層14のn型クラッド層14cやp型半導体層16のp型クラッド層16aをMOCVD法で成膜したが、n型クラッド層14cやp型クラッド層16aも本発明のスパッタ法によって成膜できる。
例えば、本実施形態では、n型半導体層14のn型クラッド層14cやp型半導体層16のp型クラッド層16aをMOCVD法で成膜したが、n型クラッド層14cやp型クラッド層16aも本発明のスパッタ法によって成膜できる。
また、本発明の発光素子1は、半導体層20のうち少なくとも一部が本発明のスパッタ法によって成膜されていればよく、半導体層20の成膜は、本発明のスパッタ法と、従来のスパッタ法、MOCVD法(有機金属化学気相成長法)、HVPE法(ハライド気相成長法)、MBE法(分子線エピタキシー法)等、半導体層を成長させることのできる如何なる方法とを組み合わせて行なってもよい。
なお、本発明のIII族窒化物化合物半導体発光素子は、上述の発光素子の他、レーザ素子や受光素子等の光電気変換素子、又は、HBTやHEMT等の電子デバイスなどに用いることができる。これらの半導体素子は、各種構造のものが多数知られており、本発明に係るIII族窒化物化合物半導体発光素子の構造は、これら周知の素子構造を含めて何ら制限されない。
[ランプ]
本発明のランプは、本発明の発光素子が用いられてなるものである。
本発明のランプとしては、例えば、本発明の発光素子と蛍光体とを組み合わせてなるものを挙げることができる。発光素子と蛍光体とを組み合わせたランプは、当業者周知の手段によって当業者周知の構成とすることができる。また、従来より、発光素子と蛍光体と組み合わせることによって発光色を変える技術が知られており、本発明のランプにおいてもこのような技術を何ら制限されることなく採用することが可能である。
本発明のランプは、本発明の発光素子が用いられてなるものである。
本発明のランプとしては、例えば、本発明の発光素子と蛍光体とを組み合わせてなるものを挙げることができる。発光素子と蛍光体とを組み合わせたランプは、当業者周知の手段によって当業者周知の構成とすることができる。また、従来より、発光素子と蛍光体と組み合わせることによって発光色を変える技術が知られており、本発明のランプにおいてもこのような技術を何ら制限されることなく採用することが可能である。
例えば、ランプに用いる蛍光体を適正に選定することにより、発光素子より長波長の発光を得ることも可能となり、また、発光素子自体の発光波長と蛍光体によって変換された波長とを混ぜることにより、白色発光を呈するランプとすることもできる。
図5は、本発明に係るIII族窒化物化合物半導体発光素子を用いて構成したランプの一例を模式的に示した概略図である。図5に示すランプ3は、砲弾型のものであり、図2に示す発光素子1が用いられている。図5に示すように、発光素子1の正極ボンディングパッド(図3に示す符号18参照)がワイヤー33で2本のフレーム31、32の内の一方(図5ではフレーム31)に接着され、発光素子1の負極(図3に示す符号19参照)がワイヤー34で他方のフレーム32に接合されることにより、発光素子1が実装されている。また、発光素子1の周辺は、透明な樹脂からなるモールド35で封止されている。
本発明のランプは、本発明の発光素子が用いられてなるものであるので、生産性に優れ、しかも、優れた発光特性を備えたものとなる。
また、本発明のランプは、一般用途の砲弾型、携帯のバックライト用途のサイドビュー型、表示器に用いられるトップビュー型等いかなる用途にも用いることができる。
また、本発明のランプは、一般用途の砲弾型、携帯のバックライト用途のサイドビュー型、表示器に用いられるトップビュー型等いかなる用途にも用いることができる。
次に、本発明を、実施例および比較例を示してより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
[実施例1]
図1に示すスパッタ装置40を用いて、以下に示すようにして図4に示す積層半導体10を作製し、図2および図3に示す発光素子1を作製した。
まず、鏡面研磨したサファイアからなる基板11を用意し、以下に示す前処理を行なった。すなわち、基板11を、中間層12を成膜するための金属Alからなるターゲットの設置されたスパッタ装置のチャンバ内に配置し、基板11を500℃に加熱した状態で、窒素ガスを15sccmの流量で導入した後、チャンバ内の圧力を1.0Paに保持し、ターゲットにパワーを印加せずに、基板11側に50Wの高周波バイアスを印加し、窒素プラズマ中に曝すことによって基板11表面を洗浄した。
図1に示すスパッタ装置40を用いて、以下に示すようにして図4に示す積層半導体10を作製し、図2および図3に示す発光素子1を作製した。
まず、鏡面研磨したサファイアからなる基板11を用意し、以下に示す前処理を行なった。すなわち、基板11を、中間層12を成膜するための金属Alからなるターゲットの設置されたスパッタ装置のチャンバ内に配置し、基板11を500℃に加熱した状態で、窒素ガスを15sccmの流量で導入した後、チャンバ内の圧力を1.0Paに保持し、ターゲットにパワーを印加せずに、基板11側に50Wの高周波バイアスを印加し、窒素プラズマ中に曝すことによって基板11表面を洗浄した。
そして前処理後、チャンバ内の圧力を0.5Paにするとともに、チャンバ内にアルゴンガスを5sccm、窒素ガスを15sccm流通させ(ガス全体における窒素の比は75%)中間層12を成膜するための雰囲気とした。次いで、基板11を500℃に加温し、基板11にバイアスを印加せず、金属Alターゲットに1W/cm2のパワーを印加し、スパッタ法によって0.12nm/sの成膜レートで基板11上にAlNの単結晶構造を有する厚み50nmの中間層12を成膜した。
次いで、中間層12が成膜された基板11の上に、リアクティブスパッタ法によって、アンドープのGaNからなる厚み6nmの下地層14aを成膜した。
次いで、下地層14aが成膜された基板11上に、図1に示すスパッタ装置40を用いるリアクティブスパッタ法によって、以下に示すように、SiがドープされたGaN層からなるn型コンタクト層14bを成膜した。
まず、図1に示すスパッタ装置40のチャンバ41内に、下地層14aの成膜された基板11と、スパッタターゲット47とを設置した。スパッタターゲット47としては、1kgの液状Ga中に、直径1mmの球形の粒子状のSiを1260mg混入させて均一に分散させ、固化させることによって得られたものを用いた。これにより、ターゲット47の表面におけるGaとSiの粒子の露出面積の比がGa:Si=1:0.0075となる。
次いで、チャンバ41内の圧力を0.5Paにするとともに、チャンバ41内にアルゴンガスを5sccm、窒素ガスを15sccm流通させ(ガス全体における窒素の比は75%)、n型コンタクト層14bを成膜するための雰囲気とした。
次いで、チャンバ41内の圧力を0.5Paにするとともに、チャンバ41内にアルゴンガスを5sccm、窒素ガスを15sccm流通させ(ガス全体における窒素の比は75%)、n型コンタクト層14bを成膜するための雰囲気とした。
次いで、基板11を1000℃に加温し、スパッタターゲット47内にマグネットをスイープさせることにより磁場のかかる位置を動かしながら、マッチングボックス46aを介して電極43に電流を供給し、スパッタターゲット47に1W/cm2のパワーを印加するとともに、ヒータ台44に電流を供給して基板11に0.5W/cm2のRF(高周波)バイアスを印加し、基板11上に1nm/sの成膜レートで2μm成膜し、SiがドープされたGaN層からなるn型コンタクト層14bを形成した。
ここで、得られたn型コンタクト層14b中におけるSi濃度を一般的なSIMS(二次イオン質量スペクトル)法により定量した。その結果、Siが6×1018cm−3の濃度でドープされていることが確認できた。
次に、n型コンタクト層14bまでの各層が成膜された基板11を、MOCVD炉に導入し、n型コンタクト層14b上に、n型半導体層14のn型クラッド層14c、障壁層15aと井戸層15bとからなる発光層15、p型半導体層16のp型クラッド層16aを成膜した。
まず、n型コンタクト層14b上に、1×1018cm−3の電子濃度を持つ20nmのIn0.1Ga0.9N型クラッド層(n型クラッド層14c)を成膜した。
続いて、n型クラッド層14cの上に、障壁層15aに始まり障壁層15aに終わる障壁層15aと井戸層15bとからなる積層構造であって、各層の膜厚を16nmとしたGaNからなる6層の障壁層15aと、各層の膜厚を3nmとしたIn0.2Ga0.8Nからなる5層の井戸層15bとが交互に積層されてなる発光層(多重量子井戸構造)15を成膜した。
その後、発光層15上に、MgがドープされたAl0.1Ga0.9Nからなる5nmのp型クラッド層16aを成膜した。
まず、n型コンタクト層14b上に、1×1018cm−3の電子濃度を持つ20nmのIn0.1Ga0.9N型クラッド層(n型クラッド層14c)を成膜した。
続いて、n型クラッド層14cの上に、障壁層15aに始まり障壁層15aに終わる障壁層15aと井戸層15bとからなる積層構造であって、各層の膜厚を16nmとしたGaNからなる6層の障壁層15aと、各層の膜厚を3nmとしたIn0.2Ga0.8Nからなる5層の井戸層15bとが交互に積層されてなる発光層(多重量子井戸構造)15を成膜した。
その後、発光層15上に、MgがドープされたAl0.1Ga0.9Nからなる5nmのp型クラッド層16aを成膜した。
次いで、p型半導体層16のp型クラッド層16aまでの各層が成膜された基板11をMOCVD炉から取り出し、図1に示すスパッタ装置40のチャンバ41内に設置してリアクティブスパッタ法によって、p型半導体層16のp型コンタクト層16bを成膜した。
p型半導体層16のp型コンタクト層16bの成膜には、スパッタターゲット47としては、加熱して液状とした1kgのGaAl合金中に、Mgを800mg混入させて液状化し、完全に溶融させた後に固化させることによって得られたものを用いた。これにより、ターゲット47のGaとMgの原子数の比がGa:Mg=1:0.0023となり、GaとMgの重量の比がGa:Mg=1:0.0008となる。
そして、マッチングボックス46aを介して電極43に電流を供給し、スパッタターゲット47に1W/cm2のパワーを印加し、さらに、ヒータ台44に電流を供給して基板11に0.5W/cm2のRF(高周波)バイアスを印加し、1nm/sの成膜レートでp型クラッド層16a上に200nm成膜することにより、MgがドープされたAl0.02Ga0.98N層からなるp型コンタクト層16bを成膜し、図4に示す積層半導体10を得た。
ここで得られたpコンタクト層16層中におけるMg濃度を一般的なSIMS(二次イオン質量スペクトル)法により定量した。その結果、Mgが1×1020cm−3の濃度でドープされていることが確認できた。
このようにして得られた図4に示す積層半導体10のp型コンタクト層16b上に、フォトリソグラフィー法を用いてITOからなる透光性正極17と、表面側から順にチタン、アルミニウム、金を積層した構造を有する正極ボンディングパッド18とを順次形成した。
次いで、透光性正極17および正極ボンディングパッド18の形成された積層半導体10をドライエッチングすることにより、n型コンタクト層14b上の露出領域14dを露出させ、露出領域14d上に、フォトリソグラフィー法を用いてNi、Al、Ti、及びAuの4層よりなる負極19を形成し、図2および図3に示す発光素子1を得た。
次いで、透光性正極17および正極ボンディングパッド18の形成された積層半導体10をドライエッチングすることにより、n型コンタクト層14b上の露出領域14dを露出させ、露出領域14d上に、フォトリソグラフィー法を用いてNi、Al、Ti、及びAuの4層よりなる負極19を形成し、図2および図3に示す発光素子1を得た。
このようにして得られた発光素子1の基板11の裏側を研削及び研磨してミラー状の面とし、350μm角の正方形に切断しチップとした。そして、チップを電極が上になるようにリードフレーム上に載置し、金線でリードフレームに結線することにより、発光ダイオードとした。
このようにして得られた発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流した。
その結果、電流20mAにおける順方向電圧は、初期では3.0Vであった。また、p型半導体層16側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は460nmであり、発光出力は15mWを示した。
このことにより、実施例の発光素子1は、優れた発光特性を備えていることが確認できた。
その結果、電流20mAにおける順方向電圧は、初期では3.0Vであった。また、p型半導体層16側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は460nmであり、発光出力は15mWを示した。
このことにより、実施例の発光素子1は、優れた発光特性を備えていることが確認できた。
[実施例2]
図3に示す発光素子の製造装置40を用いて、以下に示すようにして図4に示す積層半導体10を作製し、図1および図2に示す発光素子を作製した。
実施例2においては、基板11の前処理の条件と中間層12を成膜する条件以外は、実施例1と同様にして、積層半導体10を作製した。
図3に示す発光素子の製造装置40を用いて、以下に示すようにして図4に示す積層半導体10を作製し、図1および図2に示す発光素子を作製した。
実施例2においては、基板11の前処理の条件と中間層12を成膜する条件以外は、実施例1と同様にして、積層半導体10を作製した。
基板11の前処理は、鏡面研磨したサファイアからなる基板11を用意して、以下に示すように行なった。すなわち、基板11を、中間層12を成膜するための金属Alからなるターゲットの設置されたスパッタ装置のチャンバ内に配置し、基板11を750℃に加熱した状態で、窒素ガスを15sccmの流量で導入した後、チャンバ内の圧力を0.08Paに保持し、ターゲットにパワーを印加せずに、基板11側に50Wの高周波バイアスを印加し、窒素プラズマ中に曝すことによって基板11表面を洗浄した。
そして前処理後、チャンバ内の圧力を0.5Paにするとともに、チャンバ内にアルゴンガスを15sccm、窒素ガスを5sccm流通させ(ガス全体における窒素の比は25%)中間層12を成膜するための雰囲気とした。次いで、基板11を500℃に加温し、基板11にバイアスを印加せずに、金属Alターゲットに1W/cm2のパワーを印加し、スパッタ法によって0.12nm/sの成膜レートで基板11上にAlNの柱状結晶の集合体(多結晶)からなる厚み50nmの中間層12を成膜した。
実施例2で得られた図4に示す積層半導体10を用いて実施例1と同様にして、図2および図3に示す発光素子1を製造し、実施例1と同様にして、発光ダイオードとした。
そして、このようにして得られた発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流した。
その結果、電流20mAにおける順方向電圧は、3.0Vであった。また、p型半導体層16側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は460nmであり、発光出力は15mWを示した。
このことにより、実施例2の発光素子1は、優れた発光特性を備えていることが確認できた。
そして、このようにして得られた発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流した。
その結果、電流20mAにおける順方向電圧は、3.0Vであった。また、p型半導体層16側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は460nmであり、発光出力は15mWを示した。
このことにより、実施例2の発光素子1は、優れた発光特性を備えていることが確認できた。
[比較例]
従来のターゲットを備えたスパッタ装置を用い、発光素子1の半導体層20を構成するn型半導体層14のn型コンタクト層14bと、p型半導体層16のp型コンタクト層16bを成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、図4に示す積層半導体10を製造し、発光ダイオードとした。
なお、n型コンタクト層14bの成膜には、プラズマ中にSiH4ガスを流通させる方法を用いた。
また、p型コンタクト層16bの成膜には、Gaターゲットとは別に取り付けたイオンビームガンより、Mgイオンを照射しつつスパッタを行う方法を用いた。
従来のターゲットを備えたスパッタ装置を用い、発光素子1の半導体層20を構成するn型半導体層14のn型コンタクト層14bと、p型半導体層16のp型コンタクト層16bを成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、図4に示す積層半導体10を製造し、発光ダイオードとした。
なお、n型コンタクト層14bの成膜には、プラズマ中にSiH4ガスを流通させる方法を用いた。
また、p型コンタクト層16bの成膜には、Gaターゲットとは別に取り付けたイオンビームガンより、Mgイオンを照射しつつスパッタを行う方法を用いた。
比較例において得られたn型コンタクト層14b中におけるSi濃度を実施例1と同様にして調べた。その結果、実施例1と同様に6×1018cm−3の濃度でSiがドープされていた。しかし、窒素ガスと同時にSiH4を流通したことにより、チャンバ内でSiNの微粒子が発生し、出来上がったウエーハの表面には、異物が多数付着していた。
比較例1で得られたpコンタクト層14b層中におけるMg濃度を一般的なSIMS(二次イオン質量スペクトル)法により定量した。その結果、2インチのウエーハ内で、Mgが7×1019cm−3〜1.6×1020cm−3の濃度でドープされ、その値に分布があることが確認できた。
このことにより、従来のターゲットを用いた場合、ドーピング濃度を微調整することが困難であることが分かった。
このことにより、従来のターゲットを用いた場合、ドーピング濃度を微調整することが困難であることが分かった。
また、比較例において得られた発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流した。
その結果、電流20mAにおける順方向電圧は、初期では3.0Vのチップから3.8Vのチップまであった。また、p型半導体層16側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は460nmであり、発光出力は12mWのチップから15mWのチップまでであった。
このように、比較例では実施例1および実施例2と比較して特性のバラツキが見られた。また、実施例1および実施例2では、表面に異物の付着は見られなかったが、比較例では表面に付着した異物により、正常な特性を示すチップの収率が、実施例1および実施例2と比較して50%程度少なかった。
その結果、電流20mAにおける順方向電圧は、初期では3.0Vのチップから3.8Vのチップまであった。また、p型半導体層16側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は460nmであり、発光出力は12mWのチップから15mWのチップまでであった。
このように、比較例では実施例1および実施例2と比較して特性のバラツキが見られた。また、実施例1および実施例2では、表面に異物の付着は見られなかったが、比較例では表面に付着した異物により、正常な特性を示すチップの収率が、実施例1および実施例2と比較して50%程度少なかった。
本発明で得られるIII族窒化物化合物半導体発光素子は、良好な結晶性を持つIII族窒化物化合物半導体層を有し、優れた発光特性を有する。従って、優れた発光特性を有する発光ダイオード、レーザダイオード、或いは電子デバイス等の半導体素子を作製することが可能となる。
1…III族窒化物化合物半導体発光素子(発光素子)、3…ランプ、10…積層半導体、11…基板、11a…表面、12…中間層、13…下地層、14…n型半導体層、15…発光層、16…p型半導体層、17…透光性正極、40…スパッタ装置、41…チャンバ、43…電極、45…パワー印加手段、46a、46c…マッチングボックス、47…スパッタターゲット。
Claims (14)
- 液状Gaとドーパント元素とを混合する混合工程を備えることを特徴とするスパッタターゲットの製造方法。
- 前記混合工程が、前記液状Ga中に前記ドーパント元素を溶解させる工程であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 前記ドーパントがMgであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 前記混合工程において、GaとMgの原子数の比が1:0.01〜0.0001の範囲となるようにすることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 前記混合工程において、GaとMgの重量の比が1:0.003〜0.00003の範囲となるようにすることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 前記混合工程が、前記液状Ga中に粒子状の前記ドーパンド元素を分散させた後、固化させる工程であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 前記ドーパントがSiであることを特徴とする請求項1または請求項6に記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 前記混合工程において、ターゲット表面におけるGaとSiの粒子の露出面積の比が1:0.05〜0.0005の範囲となるようにすることを特徴とする請求項1、請求項6または請求項7に記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 前記混合工程において、GaとSiの重量の比が1:0.02〜0.0002の範囲となるようにすることを特徴とする請求項1、請求項6または請求項7に記載のスパッタターゲットの製造方法。
- 請求項1〜請求項9のいずれかに記載のスパッタターゲットの製造方法によって得られたことを特徴とするスパッタターゲット。
- ガリウム窒化物半導体からなる半導体層を形成するためのスパッタ装置であって、
請求項10に記載のスパッタターゲットが備えられていることを特徴とするスパッタ装置。 - ガリウム窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有するIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法であって、
前記半導体層の少なくとも一部を請求項11に記載のスパッタ装置を用いて形成することを特徴とするIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法。 - 請求項12に記載の製造方法で得られるIII族窒化物化合物半導体発光素子。
- 請求項13に記載のIII族窒化物化合物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
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- 2007-06-14 JP JP2007157669A patent/JP2008311420A/ja active Pending
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