JP2008310076A - 電流駆動装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】チップ面積を増大することなく、出力電流の誤差を低減する電流駆動型パネル、および電流駆動回路を提供する。
【解決手段】電流駆動型表示パネルと、前記電流駆動型の表示パネルを駆動する電流駆動回路と、前記電流駆動回路にかかる電圧を抑えるMOSトランジスタを備えることにより、電流駆動型表示パネルから発生する電圧をMOSトランジスタの飽和特性によって電流駆動装置にかかる電圧を下げることにより、電流駆動回路が低い耐圧特性をもつトランジスタで構成することが出来、小面積で低バラツキの電流駆動回路を実現することが出来る。
【選択図】図1

Description

本発明はテレビジョン受像機、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等に用いる表示装置に関するものである。
従来、電流駆動型表示パネルについて、駆動回路のトランジスタ耐圧は、表示パネルと接続したときに発生する電圧以上が必要であった。通常、表示パネルの電圧は10V前後であるため、駆動回路のトランジスタ耐圧も10V前後の耐圧特性をもつトランジスタで構成する必要があった(たとえば、特許文献1参照)。
図5は、前記特許文献1に記載された、従来の電流駆動回路の構成図である。
図5において、電流出力部51は、データ切り替え用スイッチ52によって、入力されたデータに応じてスイッチを制御し、電流出力部51から出力される電流を、出力端子53から出力し、出力端子53は表示パネルに接続される構成となっている。
国際公開第03/091977号パンフレット
従来、電流駆動型表示パネルにおいて、表示パネルと同程度の高い耐圧特性をもつトランジスタを使用する必要があり、たとえば、図5に示す特許文献1に開示されている、従来の電流駆動回路では、高い耐圧のトランジスタを使用する。一般的に高耐圧トランジスタは近傍トランジスタのバラツキが大きいという特性を持っている。このバラツキを改善するために、電流出力部のトランジスタ面積を大きくすることによって改善することが必要であった。そのため、チップ面積が増加し、また、高耐圧プロセスを使用するためにウェハコストが増加するため、チップコストが増加するという欠点を持っている。
この発明は、上記従来の課題を解決するものである。低耐圧トランジスタで電流出力回路を構成することが出来る。そのため、バラツキが少なく電流出力特性が均一であるため、電流出力部の面積を大きくする必要のない、チップ面積の増大を防ぐ電流駆動型パネル、および電流駆動回路を提供することを目的とする。
請求項1記載の電流駆動装置は、電流駆動型表示パネルを駆動する駆動回路において、前記電流駆動型表示パネルに第1のMOSトランジスタのドレイン端子が接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子には第1のバイアス電圧が接続され、前記第1のMOSトランジスタのソース端子に前記第1のトランジスタの耐圧特性よりも低い耐圧特性を持つMOSトランジスタによって、すべて、あるいは一部の回路が構成された電流駆動回路を実現する。
請求項2記載の電流駆動装置は、前記電流駆動型表示パネルと前記第1のMOSトランジスタとの間に第2のMOSトランジスタを接続し、前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に出力制御信号を接続する。
請求項3記載の電流駆動装置は、前記第2のMOSトランジスタのソース端子に第3のMOSトランジスタのソース端子を接続し、前記第3のMOSトランジスタのゲート端子には前記出力制御信号の反転信号を接続する。
請求項4記載の電流駆動装置は、前記第2のMOSトランジスタのソース端子に第3のMOSトランジスタのソース端子を接続し、前記第3のMOSトランジスタのゲート端子には前記出力制御信号の反転信号を接続する。
請求項1記載の電流駆動装置によれば、電流駆動回路を低い耐圧のトランジスタで構成することが出来るため、バラツキの少ない電流出力特性を得ることができ、低面積な電流駆動回路を実現出来る。よって、チップ面積の縮小、および低耐圧トランジスタによって拡散工程が減りウェハコストの削減が出来るため、チップコストの削減が出来る。
請求項2記載の電流駆動装置によれば、Hi−Z状態にすることが出来、たとえば、電流駆動型表示パネルのソースラインにオペアンプ等を接続することでプリチャージ動作が可能となる。
請求項3記載の表示装置によれば、第3のMOSトランジスタにより、第1のMOSトランジスタと電流駆動回路との配線に他の信号によるノイズによる過電圧を抑えることが出来るため、より確実に耐圧を抑えることが可能となる。
請求項4記載の表示装置によれば、出力制御信号が発生するノイズを反転信号により打ち消すことで、電流駆動回路にかかる過電圧を抑えることが出来るため、より確実に耐圧を抑えることが可能となる。
以下本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は第一実施の形態における駆動回路の構成例を示すものである。図1において、11は電流駆動型表示パネル、12はMOSトランジスタ、13はMOSトランジスタ12のゲート端子に接続されるバイアス電圧、14は電流駆動回路である。
具体的には電流駆動型表示パネル11のソースラインの入力端子とMOSトランジスタ12のドレイン端子とが接続され、MOSトランジスタ12のソース端子には電流駆動回路14の出力端子が接続される。
以上のように構成されたこの実施の形態の表示装置について以下、その動作を説明する。電流駆動型表示パネル11の画素回路は、電流駆動回路14から出力される電流をカレントコピーする際、必要なゲート電圧をソースラインに出力電圧として発生させる。電流駆動型表示パネル11によって発生した出力電圧はMOSトランジスタ12のドレイン端子に入力される。しかし、MOSトランジスタ12に接続されているバイアス電圧13によって、MOSトランジスタ12のソース端子は、MOSトランジスタの特性により、バイアス電圧13−VT(MOSトランジスタの閾値)以下となる。MOSトランジスタ12のソース端子の電圧とドレイン端子の電圧との電圧差が発生するが、MOSトランジスタ12の飽和特性によってMOSトランジスタ12のソース端子とドレイン端子間の電流は変化することはないため、電流駆動回路14から出力された電流を正しく電流駆動型表示パネル11に供給することが出来る。
以上のように、この実施の形態によれば、電流駆動回路14に入力される電圧はバイアス電圧13−VT以下であるため、電流駆動型表示パネル11が発生する出力電圧よりも低い耐圧特性を持つトランジスタによって構成することが可能となる。
(実施の形態2)
図2は第二実施の形態における駆動回路の構成例を示すものである。図2において、21は電流駆動型表示パネル、22は第1のMOSトランジスタ、23は第1のMOSトランジスタ22のゲート端子に接続されるバイアス電圧、24は電流駆動回路、25は第2のMOSトランジスタ、26は第2のMOSトランジスタ25のゲート端子に接続される出力制御信号である。
以上のように構成されたこの実施の形態の表示装置について以下、その動作を説明する。電流駆動型表示パネル21の画素回路は、電流駆動回路24から出力される電流をカレントコピーする際、必要なゲート電圧をソースラインに出力電圧として発生させる。電流駆動型表示パネル21によって発生した出力電圧はMOSトランジスタ22のドレイン端子に入力される。しかし、MOSトランジスタ22に接続されているバイアス電圧23によって、MOSトランジスタ22のソース端子は、MOSトランジスタの特性上、バイアス電圧23−VT(MOSトランジスタの閾値)以下となる。MOSトランジスタ22のソース端子の電圧とドレイン端子の電圧との電圧差が発生するが、MOSトランジスタ22の飽和特性によってMOSトランジスタ22のソース端子とドレイン端子間の電流は変化することはないため、電流駆動回路24から出力された電流を正しく電流駆動型表示パネル21に供給することが出来る。また、第2のMOSトランジスタ25に入力される出力制御信号26によって、電流出力を出力状態とHi−Z状態のいずれかに切り替えることが出来る。
以上のように、この実施の形態によれば、電流駆動回路24にはバイアス電圧23−VT以上であり、電流駆動型表示パネル21が発生する出力電圧よりも低い耐圧特性を持つトランジスタによって構成することが可能となる。また、Hi−Z状態にすることで、たとえば、電流駆動型表示パネル21のソースラインにオペアンプ等を接続することでプリチャージ動作が可能となる。
なお、出力制御信号26によって第2のMOSトランジスタ25が接続状態となる電圧を第1のバイアス電圧23と同じ電圧とし、第2のMOSトランジスタ25が切断状態となる電圧を出力制御信号26の切断状態となる電圧と同等にする信号を設け、第1のMOSトランジスタ22に入力することで2つのMOSトランジスタを一つにすることが出来る。
(実施の形態3)
図3は第二実施の形態における駆動回路の構成例を示すものである。図3において、31は電流駆動型表示パネル、32は第1のMOSトランジスタ、33は第1のMOSトランジスタ32のゲート端子に接続されるバイアス電圧、34は電流駆動回路、35は第2のMOSトランジスタ、36は第2のMOSトランジスタ35のゲート端子に接続される出力制御信号、37は第3のMOSトランジスタ、38は第3のMOSトランジスタ37のゲート端子に接続されるバイアス電圧である。
以上のように構成されたこの実施の形態の表示装置について以下、その動作を説明する。電流駆動型表示パネル31の画素回路は、電流駆動回路34から出力される電流をカレントコピーする際、必要なゲート電圧をソースラインに出力電圧として発生させる。電流駆動型表示パネル31によって発生した出力電圧はMOSトランジスタ32のドレイン端子に入力される。しかし、MOSトランジスタ32に接続されているバイアス電圧33によって、MOSトランジスタ32のソース端子は、MOSトランジスタの特性上、バイアス電圧33−VT(MOSトランジスタの閾値)以下となる。MOSトランジスタ32のソース端子の電圧とドレイン端子の電圧との電圧差が発生するが、MOSトランジスタ32の飽和特性によってMOSトランジスタ32のソース端子とドレイン端子間の電流は変化することはないため、電流駆動回路34から出力された電流を正しく電流駆動型表示パネル31に供給することが出来る。また、第3のMOSトランジスタ37と第3のバイアス電圧38は、第1のMOSトランジスタ32と第1のバイアス電圧33と同じ動作をする。また、第2のMOSトランジスタ35に入力される出力制御信号36によって、電流出力を出力状態、Hi−Z状態に切り替えることが出来る。
以上のように、この実施の形態によれば、電流駆動回路34にはバイアス電圧33−VT以上であり、電流駆動型表示パネル31が発生する出力電圧よりも低い耐圧特性を持つトランジスタによって構成することが可能となる。また、Hi−Z状態にすることで、たとえば、電流駆動型表示パネル31のソースラインにオペアンプ等を接続することでプリチャージ動作が可能となる。また、第3のMOSトランジスタを追加することで、第1のMOSトランジスタと電流駆動回路34との配線に他の信号によるノイズがのることにより、電流駆動回路34のトランジスタの耐圧を超える電圧が発生した場合でも、第3のMOSトランジスタを電流駆動回路34の近傍に配置することにより、より確実に耐圧を抑えることが可能となる。
なお、出力制御信号36によって第2のMOSトランジスタ35が接続状態となる電圧を第1のバイアス電圧33と同じ電圧とし、第2のMOSトランジスタ35が切断状態となる電圧を出力制御信号36の切断状態となる電圧と同等にする信号を設け、第1のMOSトランジスタ32に入力することで2つのMOSトランジスタを一つにすることが出来る。
(実施の形態4)
図4は第四実施の形態における駆動回路の構成例を示すものである。図4において、41は電流駆動型表示パネル、42は第1のMOSトランジスタ、43は第1のMOSトランジスタ42のゲート端子に接続されるバイアス電圧、44は電流駆動回路、45は第2のMOSトランジスタ、46は第2のMOSトランジスタ45のゲート端子に接続される第1の出力制御信号、47は第3のMOSトランジスタ、48は第3のMOSトランジスタ47のゲート端子に接続される第2の出力制御信号である。
以上のように構成されたこの実施の形態の表示装置について以下、その動作を説明する。電流駆動型表示パネル41の画素回路は、電流駆動回路44から出力される電流をカレントコピーする際、必要なゲート電圧をソースラインに出力電圧として発生させる。電流駆動型表示パネル41によって発生した出力電圧はMOSトランジスタ42のドレイン端子に入力される。しかし、MOSトランジスタ42に接続されているバイアス電圧43によって、MOSトランジスタ42のソース端子は、MOSトランジスタの特性上、バイアス電圧43−VT(MOSトランジスタの閾値)以下となる。MOSトランジスタ42のソース端子の電圧とドレイン端子の電圧との電圧差が発生するが、MOSトランジスタ42の飽和特性によってMOSトランジスタ42のソース端子とドレイン端子間の電流は変化することはないため、電流駆動回路44から出力された電流を正しく電流駆動型表示パネル41に供給することが出来る。また、第1の出力制御信号46と反転の信号を第2の出力制御信号48として第3のMOSトランジスタ47のゲート端子に入力することにより、第1の出力制御信号46と第2のMOSトランジスタ45のソース端子−ゲート端子間容量によるカップリングノイズの影響により発生する過電圧を抑えることが出来る。第2のMOSトランジスタ45と第3のMOSトランジスタ47のトランジスタサイズは同じであるのが良い。また、第2のMOSトランジスタ45に入力される第1の出力制御信号46によって、電流出力を出力状態、Hi−Z状態に切り替えることが出来る。
以上のように、この実施の形態によれば、電流駆動回路44にはバイアス電圧43−VT以上であり、電流駆動型表示パネル41が発生する出力電圧よりも低い耐圧特性を持つトランジスタによって構成することが可能となる。また、Hi−Z状態にすることで、たとえば、電流駆動型表示パネル41のソースラインにオペアンプ等を接続することでプリチャージ動作が可能となる。また、第3のMOSトランジスタを追加することで、第1の出力制御信号46と第2のMOSトランジスタ45のソース端子−ゲート端子間容量によるカップリングノイズの影響により発生する過電圧を抑えることが出来、より確実に耐圧を抑えることが可能となる。
なお、第1の出力制御信号46によって第2のMOSトランジスタ45が接続状態となる電圧を第1のバイアス電圧43と同じ電圧とし、第2のMOSトランジスタ45が切断状態となる電圧を第1の出力制御信号46の切断状態となる電圧と同等にすることで、第1のMOSトランジスタ42と第2のMOSトランジスタ45を一つにすることが出来る。その場合、第2の出力制御信号48も同様に接続状態となる電圧は第1のバイアス電圧43と同じ電圧にする必要がある。
なお、第三実施の形態と同様に、第1のMOSトランジスタと電流駆動回路44との間にさらにMOSトランジスタを配置し、バイアス電圧を入力することにより、さらに過電圧を抑えることが出来るようになる。
本発明にかかる表示装置は、有機ELパネルなど電流駆動型の表示用に有用である。また電流値を合わせながら高精度に出力するプリンタドライバ等の用途にも応用できる。
この発明の実施の形態1による駆動装置の全体構成を示す図 この発明の実施の形態2による駆動装置の全体構成を示す図 この発明の実施の形態3による駆動装置の全体構成を示す図 この発明の実施の形態4による駆動装置の全体構成を示す図 従来の表示装置の全体構成を示す図
符号の説明
11 電流駆動型表示パネル
12 第1のMOSトランジスタ
13 第1のバイアス電圧
14 電流駆動回路
21 電流駆動型表示パネル
22 第1のMOSトランジスタ
23 第1のバイアス電圧
24 電流駆動回路
25 第2のMOSトランジスタ
26 出力制御信号
31 電流駆動型表示パネル
32 第1のMOSトランジスタ
33 第1のバイアス電圧
34 電流駆動回路
35 第2のMOSトランジスタ
36 出力制御信号
37 第3のMOSトランジスタ
38 第3のバイアス電圧
41 電流駆動型表示パネル
42 第1のMOSトランジスタ
43 第1のバイアス電圧
44 電流駆動回路
45 第2のMOSトランジスタ
46 第1の出力制御信号
47 第3のMOSトランジスタ
48 第2の出力制御信号

Claims (4)

  1. 電流駆動型表示パネルを駆動する駆動回路において、前記電流駆動型表示パネルに第1のMOSトランジスタのドレイン端子が接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子には第1のバイアス電圧が接続され、前記第1のMOSトランジスタのソース端子に前記第1のトランジスタの耐圧特性よりも低い耐圧特性を持つMOSトランジスタによって、すべて、あるいは一部の回路が構成された電流駆動回路を備えることを特徴とする電流駆動装置。
  2. 請求項1において、前記電流駆動型表示パネルと前記第1のMOSトランジスタとの間に第2のMOSトランジスタを接続し、前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に出力制御信号を接続することを特徴とする電流駆動装置。
  3. 請求項2において、前記第2のMOSトランジスタのソース端子に第3のMOSトランジスタのソース端子を接続し、前記第3のMOSトランジスタのゲート端子には前記出力制御信号の反転信号を接続することを特徴とする電流駆動装置。
  4. 請求項3において、前記第2のMOSトランジスタのソース端子に第3のMOSトランジスタのソース端子を接続し、前記第3のMOSトランジスタのゲート端子には前記出力制御信号の反転信号を接続することを特徴とする電流駆動装置。
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