JP2008283467A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】たとえば、CDS/ADC21は、フォトダイオードPD1,PD2の信号電荷を、三角波VREFを用いてデジタル信号に変換する。その信号をもとに、飽和信号レベル算出回路31は、フォトダイオードPD1,PD2の飽和信号レベルを算出する。パラメータMAXレベル設定回路36は、三角波VREFの振幅レベルを制御するための、レベル設定時に設定されるパラメータMAXレベルを、実際のセンサ動作時に、飽和信号レベル算出回路31からの飽和信号レベルに応じて最適化する。その最適値にしたがって、VREF発生回路38は、AD変換処理に用いる三角波VREFを発生する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態にしたがった、固体撮像装置の基本構成を示すものである。ここでは、垂直2画素1セル構造の、増幅型のCMOSイメージセンサを例に説明する。
Claims (5)
- 光電変換素子によって光電変換した信号電荷を出力する画素部と、
前記画素部からの出力信号をデジタル信号に変換する変換回路と、
前記変換回路からの前記デジタル信号をもとに、前記光電変換素子の飽和信号レベルを算出する飽和信号レベル算出回路と、
前記飽和信号レベル算出回路からの前記飽和信号レベルに応じて、前記変換回路で用いる前記変換回路の最大信号レベルを設定する設定回路と
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記画素部は、二次元的に配置された複数のセルを有し、前記複数のセルは、それぞれ、第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の信号電荷を検出部に読み出す第1の読み出し用トランジスタと、前記検出部をリセットするための第1のリセットトランジスタ、および、前記検出部に読み出された前記信号電荷を増幅するための第1の増幅用トランジスタを含む、画素構造を有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記画素部には、さらに、飽和レベルの信号電荷の注入と読み出しとが行われる電荷注入用のセルが設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記電荷注入用のセルは、
第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の信号電荷を検出部に読み出す第2の読み出し用トランジスタと、前記検出部をリセットするための第2のリセットトランジスタ、および、前記検出部に読み出された前記信号電荷を増幅するための第2の増幅用トランジスタを含む、画素構造を有するとともに、
さらに、前記第2のリセットトランジスタのドレイン電圧を制御するドレイン電圧制御回路を備え、
前記ドレイン電圧制御回路によって前記第2のリセットトランジスタのドレイン電圧が0Vに制御された状態で、前記飽和レベルの信号電荷の注入が、前記第2の光電変換素子に対して行われることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記飽和レベルの信号電荷の注入と読み出しは、垂直帰線期間内に動作させることを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像装置。
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