JP2008283201A - コールドウォール型熱処理炉および絶縁膜形成装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 81
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 124
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 65
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- -1 oxygen forms carbon clusters Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】この発明は、絶縁膜を形成するのに用いるコールドウォール型熱処理炉10において、反応管11内に配置した炭化珪素からなるサセプタ13を光照射により加熱し、サセプタ13上に載置した、最上層が炭化珪素である半導体基板14に熱処理を施して絶縁膜を形成することを特徴としている。
【選択図】図1
Description
G.Y.Chung et al.,Appl.Phys.Lett.76,1713(2000)
10 熱処理炉
11 反応管
12 赤外線ランプ
13 サセプタ
14 試料
20 ガス供給部
21,22,23 マスフローコントローラー
24 マニホールド
30 ガス排出部
31 NOガス除害装置
32 真空排気系
4 紫外線照射ユニット
4a 反射面
Claims (12)
- 反応管内に配置した炭化珪素からなるサセプタを光照射により加熱し、サセプタ上に載置した、最上層が炭化珪素である半導体基板に熱処理を施して絶縁膜を形成する、
ことを特徴とするコールドウォール型熱処理炉。 - 上記光照射は、波長が200nmから遠赤外線領域までの光の照射である、請求項1に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記熱処理は1200℃以上で行われ、熱処理後の降温は50℃/min以上の速さで行われる、請求項1または2に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記反応管内には、不活性ガスと一酸化窒素ガスとの混合ガスが供給される、請求項1から3の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記サセプタは、炭化珪素からなる高純度の単結晶、多結晶あるいは焼結体の何れかである、請求項1から4の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記反応管は合成石英からなる、請求項1から5の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記反応管は、冷却機構で外周壁が冷却される、請求項1から6の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 半導体基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置において、
内部に炭化珪素からなるサセプタが配置された反応管と、
上記反応管を外部から光照射により加熱して熱処理を行うとともにその熱処理温度を任意に制御可能な加熱手段と、
上記反応管に、不活性ガスと一酸化窒素ガスとの混合ガスを供給しその流量を制御するとともに、その混合ガス中の一酸化窒素ガスの濃度を任意に制御可能なガス供給手段と、を備え、
上記サセプタ上に、最上層が炭化珪素である半導体基板を載置し、反応管内に不活性ガスと一酸化窒素ガスとの混合ガスを供給して熱処理を行い、半導体基板に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする絶縁膜形成装置。 - 上記加熱手段による光照射は、波長が200nmから遠赤外線領域までの光の照射である、請求項8に記載の絶縁膜形成装置。
- 上記加熱手段による熱処理は、1200℃以上で行われ、熱処理後の降温は50℃/min以上の速さで行われる、請求項8または9に記載の絶縁膜形成装置。
- 上記ガス供給手段は、反応管内に、不活性ガスにより希釈された0.5%以上20%以下の一酸化窒素ガスを含む混合ガスを供給する、請求項8から10の何れか1項に記載の絶縁膜形成装置。
- 上記サセプタは、炭化珪素からなる高純度の単結晶、多結晶あるいは焼結体の何れかである、請求項8から11の何れか1項に記載の絶縁膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008150303A JP4997605B2 (ja) | 2008-06-09 | 2008-06-09 | コールドウォール型熱処理炉および絶縁膜形成装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008150303A JP4997605B2 (ja) | 2008-06-09 | 2008-06-09 | コールドウォール型熱処理炉および絶縁膜形成装置 |
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JP2003344345A Division JP4164575B2 (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008283201A true JP2008283201A (ja) | 2008-11-20 |
JP4997605B2 JP4997605B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008150303A Expired - Lifetime JP4997605B2 (ja) | 2008-06-09 | 2008-06-09 | コールドウォール型熱処理炉および絶縁膜形成装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014086709A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-12 | Meidensha Corp | 半導体装置製造方法 |
JP2018107378A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素半導体装置とその製造方法、炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法 |
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WO2002097864A2 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Asm America, Inc | Low temperature load and bake |
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