JP2006196713A - 半導体装置及びその作製方法並びに重水素処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体(MIS)構造を有する半導体装置。
【選択図】 図4
Description
これらの理由から、シリコンカーバイドを半導体基板材料とした高耐圧で低いオン抵抗のMOSFETが実現できると考えられ、数多くの研究開発が行われている。しかしながら、現状の技術によって作製されるシリコンカーバイド半導体パワーデバイスのオン抵抗は、シリコン半導体の値と比較して小さくなったものの、理論限界値よりはかなり大きく十分にシリコンカーバイドの性能を発揮するには至っていない。
前記に記載したシリコン酸化膜/半導体界面や半導体表面に存在する欠陥(ダングリングボンド)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程だけではなく、層間絶縁膜を形成する工程、配線層を形成する工程、及び配線層を保護する絶縁膜を形成する工程における半導体基板の受けるダメージによっても生じる。
例えば、900°C、30分での重水素(D2)ガス雰囲気でのポストアニールがゲート酸化膜の基板界面との界面準位生成の抑制に対して有効であるという報告がなされているが(例えば、非特許文献1参照)、前記に示したように600°C以上のアニール温度では、金属配線材料であるアルミニウムの融点よりも高いため、半導体装置作製プロセスの最終工程として導入することができないという問題がある。
この特許文献1では、ゲート絶縁膜を800°Cに加熱し、その表面に重水の蒸気を供給する方法であるため、上記と同様に金属配線材料であるアルミニウムの融点よりも高く、半導体装置作製プロセスの最終工程として導入することができないという問題がある。
この特許文献2には、ゲート酸化膜形成後に、900°C、ND3雰囲気中で熱アニール処理する方法が記載されているが、上記と同様に900°Cでの熱アニールでは、金属配線材料であるアルミニウムの融点よりも高いため、半導体装置作製プロセスの最終工程として導入することができないという問題がある。
N. S. Saks 外著 [IEEE Trans. Vol.NS-39, pp.2220-2229 (1992)]
発明1)は、金属−絶縁膜−半導体(MIS)構造を有する半導体装置において、半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の前記半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする。
この場合、重水素元素濃度が1x1019cm-3以上において効果が認められ、多いほど効果があるが、例えば、シリコンカーバイド(Si面またはC面)半導体最表面のシリコン元素または炭素元素の単位面積当たりの原子数は約1.2x1015cm-2であるため、これを単位体積当たりの原子数に換算した場合、単位体積当たりの原子数は約4.2x1022cm-3ということから、その上限は5x1022cm-3程度とするのが望ましい。この範囲であれば、上記の欠陥(ダングリングボンド)を効果的に抑制できる。しかし、重水素元素濃度の上限は特に制限されるべきものではない。
しかし、製造条件によっては、この範囲外でも良い。最適な条件は製造装置の構造又は成膜材料によっても変わり得るので、その設備の状況に応じて換えることができることは当然である。重水素を含むガスとしてはD2ガス以外にも、ND3やSiD4等の重水素化合物ガスを挙げることができる。
1分間〜3時間は、重水素をゲート酸化膜/半導体等の界面に効果的に導入するためのガス供給時間である。しかし、製造条件によっては、この範囲外でも良い。最適な条件は製造装置の構造又は成膜材料によっても変わり得るので、その設備の状況に応じて換えることができることは当然である。
この距離は、重水素をゲート酸化膜/半導体等の界面に効果的に導入するための最適な距離である。しかし、製造条件によっては、この範囲外でも良い。最適な条件は製造装置の構造又は成膜材料によっても変わり得るので、その設備の状況に応じて換えることができることは当然である。
この工程は、ゲート絶縁膜の絶縁性の向上及び界面準位密度の低減に有効である。しかし、これは必ず必要であるという工程ではない。すなわち、より好ましい工程であり、推奨される態様であることを理解すべきである。
この工程は、界面準位密度の低減に有効である。しかし、これは必ず必要であるという工程ではない。すなわち、より好ましい工程であり、推奨される態様であることを理解すべきである。
すなわち、加熱触媒体表面での熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いて重水素処理が行われるので、界面準位密度の低減された良好な界面状態が低温で形成できるという優れた効果を有する。また、前記活性化した重水素による重水素処理は基板加熱温度が600°C以下の低温でも効果があるので、アルミニウムを含むゲート電極膜を形成する工程の後で、さらにはシリコンカーバイド半導体装置作製プロセスの最終工程として、前記重水素処理を導入することが可能であるという著しい効果を有する。
図1は本発明に係るシリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に金属-絶縁膜(あるいは酸化膜)-半導体(MISあるいはMOS)構造を有する半導体装置(電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET))に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用によって重水素を含んだガスから生成された活性化した重水素を供給して、界面準位密度の低い良好なゲート絶縁膜/シリコンカーバイド半導体界面を形成する重水素処理装置の一実施形態を示す図である。
また、半導体基板7をチャンバー1内に真空搬送するためのロードロック室6も真空排気系2により10−1Pa以下の圧力に真空排気される。
半導体基板7は基板ホルダー8の上面に配置され、ロードロック室6を介してチャンバー1内に真空搬送され、石英基板ホルダー台10の上面に配置される。
基板ホルダー8は赤外線を吸収し、減圧重水素雰囲気下で800°Cまで加熱されることが可能である。基板ホルダー8はシリコン半導体ウエハ、シリコンカーバイド焼結体またはグラファイトなどで形成される。
また、図1に示すように、基板ホルダー8が上面に配置される石英製基板ホルダー台10の外側面の位置には、リング状のガス導入リング11が配置されている。ガス導入リング11は、内部が中空であり、上面に多数のガス噴出し孔を有する。
重水素処理用ガス導入系3によって導入された重水素を含んだガスから、高温に加熱された熱触媒体16の表面での熱触媒作用により、活性化した重水素が生成される。
本図で説明する加熱手段20は、一例として熱触媒体16を通電して加熱する通電加熱用電源により構成されている。このような加熱手段20により、熱触媒体16は1000°C〜1800°Cの温度に加熱されるようになっている。加熱手段20は、重水素を含んだガスを分解し、活性化した重水素を放出することができれば、他の構造であっても良い。特に、その構造に制限はない。
図2に示すような断面構造を有するSiC MOSキャパシタを作製するため、まず8°オフ4H−SiCエピタキシャル基板((0001)Si面、n型、Nd-Na=1x1015cm−3)をRCA洗浄した後、50nm厚のゲート酸化膜をシリコンカーバイド基板上に形成し、連続して試料を流量1リットル/分の窒素ガス中で、1200°Cで30分間熱処理した。
次いで、試料を重水素処理装置に導入し、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により生成された活性化した重水素雰囲気中での処理を、基板加熱温度を500°C、処理時間を30分、処理中のチャンバー内圧力を20Pa、熱触媒体の加熱温度を1800°Cの条件の下で行った。
最終的にアルミニウム膜を抵抗線加熱真空蒸着法によりゲート電極とオーミックコンタクト電極として形成した。また、比較として、重水素処理を行わない試料を作製した。
実線が高周波CV特性で、破線が準静的CV特性である。この2つのCV特性の容量差が小さいほど、界面準位密度(Dit)が小さいことを示す。また、比較として、重水素照射を行っていない熱酸化のみの試料(DRY)からの高周波及び準静的CV特性も同図に示す。
図4に、図3のデータから、下記[数1]を用いて算出された界面準位密度(Dit)のシリコンカーバイドのエネルギーバンド内の分布を示す。ここで、Chは高周波容量、Cqは準静的容量、Coxはゲート酸化膜容量、qは電子の電荷素量である。
2 真空排気系
3 重水素処理用ガス導入系
4 基板加熱手段
5 熱触媒体加熱手段
6 ロードロック室
7 半導体基板
8 基板ホルダー
9 石英円筒
10 石英製基板ホルダー台
11 ガス導入リング
12 赤外線集光部
13 透明石英窓
14 赤外線ランプ
15 コンダクタンスバルブ
16 熱触媒体
17 配管
18 バルブ
19 流量調整器
20 熱触媒体加熱手段
Claims (33)
- 半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体(MIS)構造を有する半導体装置。
- 請求項1において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1又は2に記載の半導体装置において、シリコン又はシリコンカーバイトからなる半導体基板を、大気中、酸素雰囲気中又はH2O(水)を含んだ水蒸気雰囲気中で加熱することにより形成した酸化膜からなるゲート絶縁膜を備えていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜3のそれぞれに記載の半導体装置において、ゲート絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択した1の膜又は2以上の複合膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜4に記載の半導体装置において、MIS構造を有する半導体装置が、DMOSFET,Lateral Resurf MOSFET,UMOSFETであることを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した後に、前記半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、重水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成させ、当該活性化した重水素を前記半導体基板に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程及びアルミニウムを含む材料によりゲート電極膜を形成する工程の後に、前記半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、重水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成させ、当該活性化した重水素を前記半導体基板に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6又は7に記載の半導体装置の作製法において、ゲート絶縁膜と半導体基板の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜8のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜9のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、シリコン又はシリコンカーバイトからなる半導体基板を、大気中、酸素雰囲気中又はH2O(水)を含んだ水蒸気雰囲気中で加熱することにより酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜9のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、化学気相法によりシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択した1の膜又は2以上の複合膜からなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜10に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜を有する半導体装置が、DMOSFET,Lateral Resurf MOSFET,UMOSFETであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜12に記載の半導体装置の作製方法において、熱触媒体は、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウムから選択した1の金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜13に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板の温度を600°C以下に維持して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項14に記載の半導体装置の作製方法において、熱触媒体を1000°Cから1800°Cの予め決められた温度に加熱し、熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから活性化した重水素を生成させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項15に記載の半導体装置の作製方法において、重水素を含むガス圧力が1Pa〜100Paであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項16に記載の半導体装置の作製方法において、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから生成された活性化した重水素を1分間〜3時間の予め決められた時間供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項17に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜を有する半導体基板と熱触媒体との間が10mm〜120mmの予め決められた距離に配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜18に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート酸化膜を形成する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、酸素雰囲気中で熱処理する工程あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項19に記載の半導体装置の作製方法において、酸素雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、H2O(水)を含んだ水蒸気雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項19に記載の半導体装置の作製方法において、酸素雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、NO、N2O、あるいはNO2を含んだ雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜20に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項22に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程に酸化処理を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項22又は23に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程に紫外光の照射を伴うオゾン暴露処理を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項6〜24に記載の半導体装置の作製方法に含まれる工程に加えて、さらに、層間絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程と、配線層を保護する絶縁膜を形成する工程を含み、活性化した重水素をこれらの膜又は層の界面に適用することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- ゲート絶縁膜を有する半導体基板を所定位置に配置することができるチャンバーと、所定の位置に配置された半導体基板を予め決められた温度に調整することができる加熱手段と、所定位置に配置された半導体基板の表面近傍に設けられた熱触媒体と、熱触媒体を所定温度に加熱する加熱手段と、チャンバー内を減圧状態にできる真空排気系と、重水素を含むガスをチャンバー内に導入するガス導入系と、チャンバー内の重水素を含むガスの圧力調整機構を備え、重水素を含むガスを熱触媒体の表面付近を通過させ、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により生成された活性化した重水素を半導体基板の表面に供給することを特徴とする重水素処理装置。
- 請求項26に記載の重水素処理装置において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であるであることを特徴とする重水素処理装置。
- 請求項26又は27に記載の重水素処理装置において、熱触媒体は、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウムから選択した1の金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする重水素処理装置。
- 請求項26〜28のいずれかに記載の重水素処理装置において、半導体基板の温度を600°C以下に維持する装置を備えていることを特徴とする重水素処理装置。
- 請求項26〜29のいずれかに記載の重水素処理装置において、熱触媒体を1000°Cから1800°Cの予め決められた温度に加熱する装置を備え、重水素を含むガスを熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成することを特徴とする重水素処理装置。
- 請求項26〜30のいずれかに記載の重水素処理装置において、重水素を含むガス圧力を1Pa〜100Paに調製する圧力調整機構を備えていることを特徴とする重水素処理装置。
- 請求項26〜31のいずれかに記載の重水素処理装置において、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから生成された活性化した重水素を1分間〜3時間の予め決められた時間供給する装置を備えていることを特徴とする重水素処理装置。
- 請求項26〜32のいずれかに記載の重水素処理装置において、ゲート絶縁膜を有する半導体基板と熱触媒体との間が10mm〜120mmの予め決められた距離に配置されていることを特徴とする重水素処理装置。
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