JP2008267996A - 半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 信号発生モジュールからの高周波信号を検査対象半導体の入力端子に印加し、この半導体の出力端子の信号を高周波測定モジュールにより測定する半導体検査装置において、高周波信号を2分配する第1のデバイダーと、第1のデバイダーの一方の出力信号を2分配する第2のデバイダーと、第1のデバイダーの他方の出力信号を直接または検査対象半導体を介した信号と、第2のデバイダーの一方の出力信号とを切り換える切り換え手段と、切り換え手段の出力信号を入力する第1の高周波測定モジュールと、第2のデバイダーの他方の出力信号を入力する第2の高周波測定モジュールとを備える。
【選択図】 図1
Description
(1)高周波信号測定モジュール(レベル選択計)5,6では、測定周波数設定を変更すると、内部回路(PLL、DDS)の影響でダウンコンバートされた信号の出力の位相が変わってしまうという問題がある。
(1)信号発生モジュールからの高周波信号を検査対象半導体の入力端子に印加し、この半導体の出力端子の信号を高周波測定モジュールにより測定する半導体検査装置において、
前記高周波信号を2分配する第1のデバイダーと、
この第1のデバイダーの一方の出力信号を2分配する第2のデバイダーと、
前記第1のデバイダーの他方の出力信号を直接または前記検査対象半導体を介した信号と、前記第2のデバイダーの一方の出力信号とを切り換える切り換え手段と、
この切り換え手段の出力信号を入力する第1の高周波測定モジュールと、
前記第2のデバイダーの他方の出力信号を入力する第2の高周波測定モジュールと、
を備えたことを特徴とする半導体検査装置。
前記切り換え手段がバイパス手段により前記検査対象半導体をバイパスして前記第1のデバイダーの一方の出力信号を直接選択した状態で、前記第1および第2の高周波測定モジュール間の位相差θ2を測定して保持するθ2測定手段と、
前記切り換え手段が前記第2のデバイダーの一方の出力信号を選択した状態で、前記第1および第2の高周波測定モジュール間の位相差θ3を測定して保持するθ3測定手段と、
前記切り換え手段が前記検査対象半導体の出力信号を選択した状態で、前記第1および第2の高周波測定モジュール間の位相差θ4を測定して保持するθ4測定手段と、
測定された位相差信号θ1乃至θ4に基づいて、前記検査対象半導体にて生ずる位相ずれθdを、θd=(θ4−θ2)+(θ3−θ1)で演算する位相ずれ演算手段と、
を備えることを特徴とする(1)に記載の半導体検査装置。
(1)治具手段を用いるキャリブレーション時およびDUT装着時の夫々において、経路のみに切り換えて経路の位相差測定を実施し、夫々の測定で得られた2個の位相差信号に基づく補正演算を実行することにより、キャリブレーション実施からDUT経由による位相差測定実施までの期間に周波数設定の変更があった場合でも、補正誤差が発生しない演算が可能となる。
θd=(θ4−θ2)+(θ3−θ1)
により演算して出力する。
図1の実施形態では、デジタイザ7,8とDSP300が高周波測定モジュール5,6とは別となっているが、各高周波測定モジュール10,11内にその機能を持たせることも可能である。
2 第1のデバイダー
3 検査対象半導体(DUTで表記)
4 バイパス手段
5 第1の高周波測定モジュール
6 第2の高周波測定モジュール
7,8 デジタイザ
100 第2のデバイダー
200 切り換え手段
300 DSP
301 位相ずれ演算手段
Claims (5)
- 信号発生モジュールからの高周波信号を検査対象半導体の入力端子に印加し、この半導体の出力端子の信号を高周波測定モジュールにより測定する半導体検査装置において、
前記高周波信号を2分配する第1のデバイダーと、
この第1のデバイダーの一方の出力信号を2分配する第2のデバイダーと、
前記第1のデバイダーの他方の出力信号を直接または前記検査対象半導体を介した信号と、前記第2のデバイダーの一方の出力信号とを切り換える切り換え手段と、
この切り換え手段の出力信号を入力する第1の高周波測定モジュールと、
前記第2のデバイダーの他方の出力信号を入力する第2の高周波測定モジュールと、
を備えたことを特徴とする半導体検査装置。 - 前記切り換え手段が前記第2のデバイダーの一方の出力信号を選択した状態で、前記第1および第2の高周波測定モジュール間の位相差θ1を測定して保持するθ1測定手段と、
前記切り換え手段がバイパス手段により前記検査対象半導体をバイパスして前記第1のデバイダーの一方の出力信号を直接選択した状態で、前記第1および第2の高周波測定モジュール間の位相差θ2を測定して保持するθ2測定手段と、
前記切り換え手段が前記第2のデバイダーの一方の出力信号を選択した状態で、前記第1および第2の高周波測定モジュール間の位相差θ3を測定して保持するθ3測定手段と、
前記切り換え手段が前記検査対象半導体の出力信号を選択した状態で、前記第1および第2の高周波測定モジュール間の位相差θ4を測定して保持するθ4測定手段と、
測定された位相差信号θ1乃至θ4に基づいて、前記検査対象半導体にて生ずる位相ずれθdを、θd=(θ4−θ2)+(θ3−θ1)で演算する位相ずれ演算手段と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。 - 前記第1および第2の高周波測定モジュールは、レベル選択計であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体検査装置。
- 前記バイパス手段は、前記検査対象半導体の実装位置に装着され、入力端子と出力端子を短絡する治具手段であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体検査装置。
- 前記θ3測定手段による測定は、前記θ1測定手段の測定実行の後に実行されることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の半導体検査装置。
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