JP2008258637A - 偏光された光によるリソグラフィ印刷 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】偏光された光(放射状または接線方向に偏光された)が位相シフトマスク(PSM)を照射し、露光ビームを形成するのに用いられる。その後、ネガティブなホトレジスト層が露光ビーム中の光によって露光される。クロムレスPSMを使用することもできる。別の実施形態では、放射状に偏光された光がマスクを照射し、露光ビームを形成するのに用いられる。その後、ポジティブなホトレジスト層が露光ビーム中の光によって露光される。このマスクは、ハーフトーン型PSMまたはバイナリーマスクでもよい。低いkを使用して可変ピッチでコンタクトホールを印刷する場合にも、非常に高いイメージクオリティが得られる。
【選択図】図1
Description
1.システム全体
2.考察およびシミュレーション結果
A.序文
B.解像度
B1.理論的な解像限界
B2.オフアクシス照明リソグラフィによる解像能
C.偏光
C1.シミュレーション実験
C2.イメージクオリティへ及ぼす偏光の影響
C3.偏光された光、クロムレスPSM、ネガティブホトレジスト
C4.放射状に偏光された光, ハーフトーン型位相シフトマスクまたはバイナリーマスクおよびポジティブホトレジスト
D.クロムレス・レベンソン型PSMによる偏光
D1.放射状に偏光された光, 100nmピッチ枝分かれ状(Nested)コンタクトと組み合わせたクロムレス・レベンソン型PSM
D2.放射状に偏光された光によるスルーピッチ特性、クロムレスコンタクト
D3.カスタマイズされた偏光
E.液浸リソグラフィ
F.EUV
図1は、本発明の実施形態に相応するリソグラフィシステム100である。システム100は照明源102を含む。ある実施形態では、照明源102は事前に偏光された照明光を光路に沿って放射する。この明細書では、事前に偏光された照明光を参照して本発明を説明するが、偏光されていない照明光も使用可能であることが当該分野の技術者には理解されるだろう。事前に偏光された光の例として、照明源102は実質的に直線偏光される傾向を有するレーザビームを放射するレーザである。択一的に、偏光された照明源102におけるレーザ発生器内に偏光器を付加することも可能である。
以降の考察およびシミュレーション結果は、本発明の実施形態の観点および特徴をさらに分かり易くするためのものであって、本発明を制限するものではない。発明者は、KLA−Tencor Corp.から入手可能なProlithTM7.1リソグラフィシミュレーションシステムを用いて50/50nm枝分かれ状コンタクトホールを印刷する幾つかのアプローチを比較した。使用されているアプローチは:オフアクシス四極型照明および最適化された照明の偏光を伴うハーフトーン型位相シフトマスク;クロムレス・レベンソン型位相シフトマスク(CAPSM)と特別な偏光体系の組合せ;157nm波長で非常に高い開口数(NA)を有する液浸リソグラフィ;およびEUVリソグラフィである。
現在、100nmピッチでの、50nmコンタクトを形成することは光学リソグラフィでは挑戦である。半導体デバイスに対する産業界の予定では、2008年までの50nmコンタクトの実現が要求されている。EUVが広く使用可能になる前にこれを可能にするためには、現在の光学リソグラフィを格段に発展させなければならない。157nm波長を用いた高NA光学系によっても、通常のコントラスト強化技術(例えばオフアクシス照明およびハーフトーン型PSM)は、十分に高いクオリティを有する100nmピッチコンタクトホールを印刷するのには不十分である。100nmピッチのコンタクトを印刷するためには、ハーフトーンPSMを伴う四極型照明に加えて解像度上昇技術を使用する必要がある。参考のために図3Aは、コンタクトホールを有するウェハの例の拡大された図である。レジスト層302がウェハ表面304に加えられている。リソグラフィシステム(図示されていない)は、レジスト層302を露光して、コンタクトホール306を作成する。図3Bは、上から見たコンタクトホールパターンのイメージである。
はじめに、解像度の理論(theory)がコンタクトを印刷する状況において調査された。この理論は、どのようにしてコンタクトアレイに対するシステムの解像度を上昇させることができるのかを説明するのに役立つ。
x方向におけるピッチpxおよびy方向におけるpyの2D周期的パターンに対してマスクスペクトルは不連続の空間周波数でゼロでない。そのx成分およびy成分はピッチに反比例している:
従来のオンアクシス照明からオフアクシス照明へ向かうことによって解像度は改善可能である。イメージを形成することができることだけでは、レジストにおけるラチチュードの十分な処理を確実にするために有る程度のクオリティ判定基準を満たすのには不十分である。枝分かれ状コンタクトホールを印刷するためには、コントラストおよび正規化された画像対数スロープ(NILS)は、それぞれ0.5および1.5よりも大きくなければならないと仮定される。Graeupner, P.等著「Solutions for printing sub-100nm contact with ArF (SPIE 4691:503 (2002))」を参照されたい。
・対角極を有する0.9/0.1四極型照明(ここで、0.9は、中心からの極の距離であり、0.1は、極半半径である)
・0.93NA
・6%1:1ハーフトーン型PSM
・レチクル上に入射する偏光されていない光
である。
文献内に、「偏光マッチング」への参照がある。ここでは電界ベクトルが重なり、結果的に最大の緩衝が生じ、従って最大のイメージクオリティが生じる。Ma, Z.等署の「Impact of illumination coherence and polarization on the imaging of attenuated phase shift masks (SPIE 4346:1522 (2001))」を参照されたい。直線偏光された照明が、適切な配向のレンズに対するイメージクオリティを上昇させるために使用されている。しかし、本発明の実施形態のように、コンタクトホールに対して特別な偏光配列は提案されていない。
この作業のために使用されたProlithTM7.1シミュレータは、3つの偏光モードの選択を与えている。すなわちx偏光された光およびy偏光された光および偏光されていない光である。非偏光モードに対するイメージは、x偏光されたモードとy偏光されたモードの空間像を加えることによって得られる。
比較のために、図7Aおよび7Bは、本発明に相応してそれぞれ放射状偏光および接線方向偏光を用いたイメージを示している。接線方向偏光と、放射状偏光との違いは図10Aおよび10Bに示されている。光が偏光されていない場合、像1002に示されているように、偏光ベクトルの方向は極めて不規則である。しかし、偏光されていない光が接線方向偏光器1004を通過すると、像1006に示されているように、光は接線方向に偏光される。接線方向に偏光されると、偏光ベクトルは中央箇所の周りを統一的に回る。
本発明の実施形態では、偏光された光(放射状偏光または接線方向偏光)が位相シフトマス(PSM)を照明し、露光ビームを生じさせるのに用いられている。その後、ネガティブホトレジスト層が、露光ビーム中の光によって露光される。クロムレスPSMが使用可能である。ある実施形態では、放射状に偏光された光がクロムレスPSMとデカルト四極(C−quad)照明およびネガティブホトレジストと共に使用されている。低いkを使用して、グループ化されたまたは枝分かれ状にされたコンタクトホールを印刷する場合にも、非常に高いイメージクオリティが得られる。禁止ピッチは回避される。
本発明のさらなる実施形態において、放射状に偏光された光が、位相シフトマスク(PSM)を照射し、露光ビームを形成するのに使用される。その後、ポジティブホトレジスト層が露光ビーム中の光によって露光される。マスクはハーフトーン型PSMまたはバイナリーマスクであり得る。
コンタクトに対する解像可能なピッチのさらなる改善は、偏光された光を使用したままで、マスクをハーフトーン型位相シフトマスクからレベンソン型位相シフトマスクへ変えることによって実現される。
本実施例のために選択されたクロムレス・レベンソン型PSMレイアウトは、チェッカーボードタイプである。ここでは位相は例えば0°と180°の間で交替する。クロムレス・レベンソン型PSM1500の図は、図15に示されている。PSM1500の中央部分は、異なる部分および位相を示すために強調されている。部分1502および1504は、例えば位相0°で100%の光を通過させる領域である。部分1506および1508は、部分1502および1504の位相と異なる位相で100%の光を通過させる領域である。例えば部分1506および1508は180°の位相を有する。暗くされた領域1510は、いかなる光も通さない。従って透過は0%である。
リソグラフィでの「禁止」ピッチは既に記載されている。Socha, R.等著「Forbidden pitches for 130nm lithography and below(SPIE 4000:1140(2000))」およびShi, X. 等著「Understanding the forbidden pitch phenomenon and assist feature placement (SPIE 4689:985(2002))」を参照されたい。所与の照明角度に対して、禁止ピッチは、隣接するフィーチャによって生じるフィールドが破壊的にメインフィーチャのフィールドと干渉する場所に位置する。異なるピッチで所与のサイズのコンタクトホールを印刷しようと試みる場合に困難が生じる。Graeupner等著の文献を参照されたい。発明者は、同時の露光を模倣し、あらゆるオーバーラッププロセスウィンドウの広がりを評価するために通常の照明条件と通常のしきい値を使用した。
ある実施形態では、カスタマイズされた偏光光が、単純な放射状または接線方向に偏光された光の代わりに使用される。図21Aは、カスタム偏光されたパターンの例のマップである。ここで各矢印は、光ビームの特別なセクションでのフィールドベクトルの方向をあらわしている。図21Bは、例であるカスタム偏光パターンの別のマップである。放射状または接線方向偏光とは異なって、カスタマイズされた偏光パターンは、偏光ベクトルの統一されていない配列を有している。これらの偏光ベクトルは図21Aおよび21Bに矢印として示されている。ある実施形態では、カスタム偏光光は、放射状および接線方向偏光と同じように、パターン偏光デバイス(例えばパターン偏光デバイス104または202)によって生成される。パターン偏光デバイスにおけるパターンは予め定められており、パターン偏光デバイスは、所望の偏光を形成するのに必要なように変えられる。照明構造、または照明源での照明光の形状も同じようにカスタマイズ可能である。カスタマイズされた偏光および強度と同じようにカスタマイズされた照明を提供することで、印刷が最適化される。
他のリソグラフィ技術、液浸リソグラフィも本発明のコンタクトを印刷するのに使用可能である。液浸リソグラフィでは少なくとも、投影光学系(例えば投影光学系108)とウェハ(例えばウェハ110)の間のスペースが液体で満たされる。液浸リソグラフィを用いることによって、ピッチ解像限界を125nmから100nmへ下げることが可能になる。液浸リソグラフィをシミュレレートするために、液浸液体の反射率(例えば1.5)によって波長が計測される。潜在的に、適切なレンズ設計によって達せられる液体NAは、1.395である。図22は、本発明に相応して液浸リソグラフィによってシミュレートされた100nmピッチでの50nmコンタクトホールのイメージである。NILSは、1.74を越える;これは、これが100nmピッチでの50nmコンタクトに対する発展可能な光学リソグラフィ技術であることを示している。
非常に短い波長、それ故に100nmピッチで高いkファクタを有するEUVも調査された。典型的なEUV条件(0.6PC,0.25NAおよび偏光されていない光でのバイナリーコンタクトホールマスク)を用いたイメージの空間像シミュレーションによって、EUVが、100nmピッチで非常に高い質の50nmコンタクトイメージを印刷することができることが確認された。本発明に相応してEUVを用いたシミュレーションの結果は、図23に示されている。
Claims (31)
- ウェハ上に印刷する方法であって、
(a)偏光された照明光によって露光ビームを生じさせ、当該照明光は予め定められた偏光パターンに従って偏光されており、
(b)マスクを照射し、前記露光ビーム中にイメージを形成し、
(c)前記露光ビーム中の光によってウェハ上のホトレジスト層を露光する、
ことを含むことを特徴とするウェハ上に印刷する方法。 - 前記ステップ(a)はさらに、放射状偏光パターンに従って偏光された照明光を生じさせることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ステップ(a)はさらに、接線方向偏光パターンに従って偏光された照明光を生じさせることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ステップ(a)はさらに、カスタマイズされた偏光パターンに従って偏光された照明光を生じさせることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ステップ(a)はさらに、偏光された四極型照明を生じさせることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ステップ(a)の前に、事前に偏光された光を放射し、照明光を生じさせることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、マスクを照射し、コンタクトホールを含むイメージを形成することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ステップ(c)は、液体中で行われることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記マスクは、クロムレス位相シフトマスクおよびハーフトーン型位相シフトマスクおよびレベンソン型位相シフトマスクから成るグループのうちの少なくとも1つである、請求項1記載の方法。
- 前記マスクはバイナリーマスクである、請求項1記載の方法。
- ウェハ上に印刷する方法であって、
(a)偏光された照明光によって露光ビームを生じさせ、当該照明光は予め定められた偏光パターンに従って偏光されており、
(b)クロムレス位相シフトマスクを照射し、前記露光ビーム中にイメージを形成し、
(c)前記露光ビーム中の光によってウェハ上のネガティブホトレジスト層を露光する、
ことを含むことを特徴とするウェハ上に印刷する方法。 - ウェハ上に印刷する方法であって、
(a)偏光された照明光によって露光ビームを生じさせ、当該照明光は予め定められた偏光パターンに従って偏光されており、
(b)ハーフトーン型位相シフトマスクを照射し、前記露光ビーム中にイメージを形成し、
(c)前記露光ビーム中の光によってウェハ上のポジティブホトレジスト層を露光する、
ことを含むことを特徴とするウェハ上に印刷する方法。 - ウェハ上に印刷する方法であって、
(a)偏光された照明光によって露光ビームを生じさせ、当該照明光は予め定められた偏光パターンに従って偏光されており、
(b)バイナリーマスクを照射し、前記露光ビーム中にイメージを形成し、
(c)前記露光ビーム中の光によってウェハ上のポジティブホトレジスト層を露光する、
ことを含むことを特徴とするウェハ上に印刷する方法。 - ウェハ上に印刷する方法であって、
(a)事前に偏光された光によって位相シフトマスクを照射し、
(b)前記事前偏光された光を成形し、露光ビームを生じさせ、当該事前偏光された光は予め定められた偏光パターンおよび強度パターンに従って成形されており、
(c)前記露光ビームによってウェハ上のホトレジスト層を露光する、
ことを含むことを特徴とするウェハ上に印刷する方法。 - リソグラフィシステムであって、
(a)光路に沿って照明光を放射する照明源と、
(b)当該照明源からの照明光を、予め定められた偏光パターンを有する露光ビームに変えるパターン偏光デバイスと、
(c)露光ビーム中にイメージを形成するマスクと、
(d)ウェハ上の印刷のために露光ビームを中継する投影光学系と、
を含むことを特徴とするリソグラフィシステム。 - 前記照明光は事前に偏光された照明光であって、前記パターン偏光デバイスは波長板である、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 前記照明光は事前に偏光された照明光であって、前記パターン偏光デバイスは偏光器である、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 前記照明光は偏光されていない照明光であって、前記パターン偏光デバイスは偏光器である、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- (e)前記露光ビームによって露光されるウェハを含む、請求項15記載のシステム。
- 前記投影光学系と前記ウェハの間のスペースを満たす液体を含む、請求項19記載のリソグラフィシステム。
- 前記パターン偏光デバイスは前記投影光学系内に含まれている、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 前記予め定められた偏光パターンは放射状偏光パターンである、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 前記予め定められた偏光パターンは接線方向偏光パターンである、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 前記予め定められた偏光パターンはカスタマイズされた偏光パターンである、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 前記マスクは、クロムレス位相シフトマスクおよびハーフトーン型位相シフトマスクおよびバイナリーマスクおよびレベンソン型位相シフトマスクから成るグループのうちの1つである、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 前記イメージはウェハに対するコンタクトホールを含む、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- ウェハ上にコンタクトホールを形成する方法であって、
(a)偏光された照明ビームを生じさせ、
(b)当該偏光された照明ビームによってマスクを照射し、露光ビームを作成し、前記マスクはコンタクトホールイメージを前記露光ビーム中に形成し、
(c)前記露光ビームによってウェハを露光する、
ことを含むことを特徴とする、ウェハ上にコンタクトホールを形成する方法。 - 前記ステップ(b)はさらに、位相シフトマスクを照射することを含む、請求項27記載の方法。
- 前記ステップ(a)はさらに、放射状に偏光された照明ビームを形成することを含む、請求項27記載の方法。
- 前記ステップ(a)はさらに、接線方向に偏光された照明ビームを形成することを含む、請求項27記載の方法。
- 前記ステップ(a)はさらに、カスタマイズされて偏光された照明ビームを形成することを含む、請求項27記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44853003P | 2003-02-21 | 2003-02-21 | |
US60/448,530 | 2003-02-21 | ||
US10/781,803 | 2004-02-20 | ||
US10/781,803 US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2004-02-20 | Lithographic printing with polarized light |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005501718A Division JP4488521B2 (ja) | 2003-02-21 | 2004-02-23 | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008258637A true JP2008258637A (ja) | 2008-10-23 |
JP4864932B2 JP4864932B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=32930485
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005501718A Expired - Fee Related JP4488521B2 (ja) | 2003-02-21 | 2004-02-23 | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
JP2008111552A Expired - Fee Related JP4864932B2 (ja) | 2003-02-21 | 2008-04-22 | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005501718A Expired - Fee Related JP4488521B2 (ja) | 2003-02-21 | 2004-02-23 | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7090964B2 (ja) |
EP (1) | EP1532484A4 (ja) |
JP (2) | JP4488521B2 (ja) |
KR (1) | KR100642169B1 (ja) |
CN (1) | CN1698011B (ja) |
TW (1) | TWI247339B (ja) |
WO (1) | WO2004077154A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129907A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Asml Holding Nv | リソグラフィ装置用改善偏光設計 |
Families Citing this family (145)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1571698A4 (en) * | 2002-12-10 | 2006-06-21 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4352874B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7948604B2 (en) * | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20130010039A (ko) * | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20120127755A (ko) * | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
EP1571694A4 (en) * | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
EP3301511A1 (en) * | 2003-02-26 | 2018-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4353179B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
ATE426914T1 (de) | 2003-04-07 | 2009-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
KR101177331B1 (ko) * | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP2921905B1 (en) * | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
SG10201604762UA (en) | 2003-04-10 | 2016-08-30 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
KR101409565B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004092830A2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
WO2004090577A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
SG10201803122UA (en) | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
ATE542167T1 (de) * | 2003-04-17 | 2012-02-15 | Nikon Corp | Lithographisches immersionsgerät |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2004102646A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI518742B (zh) | 2003-05-23 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TWI614794B (zh) * | 2003-05-23 | 2018-02-11 | Nikon Corp | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
KR20060009956A (ko) | 2003-05-28 | 2006-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684008B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101520591B1 (ko) | 2003-06-13 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
CN101436003B (zh) | 2003-06-19 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
WO2005006026A2 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
EP2853943B1 (en) * | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006418A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1646075B1 (en) * | 2003-07-09 | 2011-06-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005006416A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4524669B2 (ja) | 2003-07-25 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 投影光学系の検査方法および検査装置 |
KR101599649B1 (ko) | 2003-07-28 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) * | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101380989B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4444920B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101441840B1 (ko) | 2003-09-29 | 2014-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR101203028B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-11-21 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
JP2005136364A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
TW200514138A (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-16 | Nippon Kogaku Kk | Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101394764B1 (ko) | 2003-12-03 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
KR101547037B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
JPWO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-07-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
US7292315B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-11-06 | Asml Masktools B.V. | Optimized polarization illumination |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070019179A1 (en) | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
US8270077B2 (en) * | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
CN1910522B (zh) * | 2004-01-16 | 2010-05-26 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 偏振调制光学元件 |
WO2005071491A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101227211B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101851511B1 (ko) | 2004-03-25 | 2018-04-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7304719B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-12-04 | Asml Holding N.V. | Patterned grid element polarizer |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054448B2 (en) * | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7324280B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
CN100594430C (zh) | 2004-06-04 | 2010-03-17 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 用于测量光学成像***的图像质量的*** |
EP2966670B1 (en) | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101433491B1 (ko) | 2004-07-12 | 2014-08-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1801853A4 (en) * | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060098182A1 (en) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Radially polarized light in lithographic apparatus |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060146307A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124359A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20160135859A (ko) | 2005-01-31 | 2016-11-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
CN100562801C (zh) * | 2005-02-07 | 2009-11-25 | 中国科学院光电技术研究所 | 光栅偏振掩模板及其在投影光刻***中的应用 |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
JP4612849B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006253241A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2006269853A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sony Corp | 露光装置および露光方法 |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006111319A2 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system |
JP4425239B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2010-03-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US7528934B2 (en) * | 2005-05-16 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060256311A1 (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006137011A2 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Methods and devices for characterizing polarization of illumination system |
US7745067B2 (en) * | 2005-07-28 | 2010-06-29 | Texas Instruments Incorporated | Method for performing place-and-route of contacts and vias in technologies with forbidden pitch requirements |
US7357768B2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-15 | William Marshall | Recliner exerciser |
JP2007103835A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4750525B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-08-17 | キヤノン株式会社 | 露光方法及びデバイス製造方法 |
US20070124987A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Brown Jeffrey K | Electronic pest control apparatus |
KR100768849B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법 |
EP1804119A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Method for manufacturing attenuated phase- shift masks and devices obtained therefrom |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
EP1857879A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-21 | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG | An illumination system and a photolithography apparatus |
JP5023589B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2012-09-12 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよび該フォトマスクの設計方法 |
JP4997902B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーンマスク |
US8637229B2 (en) | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
JP4554665B2 (ja) | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
US8530148B2 (en) * | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US7995832B2 (en) * | 2007-01-11 | 2011-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Photomask inspection and verification by lithography image reconstruction using imaging pupil filters |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8654305B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US7952685B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-05-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Illuminator for a lithographic apparatus and method |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
EP2138898B1 (en) | 2007-04-13 | 2014-05-21 | FUJIFILM Corporation | Method for pattern formation, and use of resist composition in said method |
US8034547B2 (en) * | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
KR100989567B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법 |
US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
JP4617337B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
JP4590431B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
EP2157477B1 (en) * | 2007-06-12 | 2014-08-06 | FUJIFILM Corporation | Use of a resist composition for negative working-type development, and method for pattern formation using the resist composition |
JP2009043789A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Elpida Memory Inc | パターン形成方法及びマスク |
TWI389551B (zh) * | 2007-08-09 | 2013-03-11 | Mstar Semiconductor Inc | 迦瑪校正裝置 |
US7846643B1 (en) | 2007-11-02 | 2010-12-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a structure in a microelectronic device using a chromeless alternating phase shift mask |
US7673278B2 (en) * | 2007-11-29 | 2010-03-02 | Tokyo Electron Limited | Enhanced process yield using a hot-spot library |
KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
US8325417B1 (en) * | 2008-09-23 | 2012-12-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for producing an annular far-field patterned beam(s) |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US9454090B2 (en) | 2012-08-28 | 2016-09-27 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for template cooling |
US9690026B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-06-27 | North Carolina State University | Direct write lithography for the fabrication of geometric phase holograms |
US8612904B1 (en) | 2012-11-21 | 2013-12-17 | Global Foundries Inc. | Use of polarization and composite illumination source for advanced optical lithography |
CN106353970B (zh) * | 2015-07-16 | 2019-07-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光源偏振优化方法和光源-掩膜-偏振优化方法 |
DE102022203745A1 (de) | 2022-04-13 | 2022-09-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590128A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-04-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH0794399A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH07122469A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09160219A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-06-20 | Canon Inc | 光学素子及びそれを用いた露光装置 |
JPH11191532A (ja) * | 1992-11-25 | 1999-07-13 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2006511967A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-04-06 | エーエスエムエル ホールディング ナームローゼ フェンノートシャップ | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
JP2006135346A (ja) * | 2002-12-10 | 2006-05-25 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3917399A (en) * | 1974-10-02 | 1975-11-04 | Tropel | Catadioptric projection printer |
US5144362A (en) * | 1990-11-14 | 1992-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Projection aligner |
US5541026A (en) * | 1991-06-13 | 1996-07-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and photo mask |
US5539514A (en) * | 1991-06-26 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus and method with front and back illumination |
JP3235077B2 (ja) * | 1991-09-28 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた半導体素子製造方法 |
JP2796005B2 (ja) * | 1992-02-10 | 1998-09-10 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及び偏光子 |
US6404482B1 (en) * | 1992-10-01 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
JP2698521B2 (ja) | 1992-12-14 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US5537260A (en) * | 1993-01-26 | 1996-07-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
JPH0757993A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5442184A (en) * | 1993-12-10 | 1995-08-15 | Texas Instruments Incorporated | System and method for semiconductor processing using polarized radiant energy |
US6163367A (en) * | 1998-07-16 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for in-situ adjustment of light transmission in a photolithography process |
EP1221072B1 (de) | 1999-09-17 | 2005-06-08 | Infineon Technologies AG | Kontaktlochherstellung mit hilfe sich kreuzender phasensprungkanten einer einzigen phasenmaske |
EP1091252A3 (en) | 1999-09-29 | 2004-08-11 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
EP1255162A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
DE10124803A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Zeiss Carl | Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator |
US6965484B2 (en) * | 2002-07-26 | 2005-11-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical imaging systems and methods using polarized illumination and coordinated pupil filter |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
-
2004
- 2004-02-20 US US10/781,803 patent/US7090964B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-20 TW TW093104315A patent/TWI247339B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-23 JP JP2005501718A patent/JP4488521B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-23 WO PCT/US2004/005186 patent/WO2004077154A2/en active Application Filing
- 2004-02-23 KR KR1020047016864A patent/KR100642169B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-23 EP EP04713708A patent/EP1532484A4/en not_active Withdrawn
- 2004-02-23 CN CN2004800001390A patent/CN1698011B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-08-14 US US11/503,113 patent/US7445883B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111552A patent/JP4864932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590128A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-04-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH11191532A (ja) * | 1992-11-25 | 1999-07-13 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH0794399A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JPH07122469A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09160219A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-06-20 | Canon Inc | 光学素子及びそれを用いた露光装置 |
JP2006135346A (ja) * | 2002-12-10 | 2006-05-25 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2006511967A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-04-06 | エーエスエムエル ホールディング ナームローゼ フェンノートシャップ | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129907A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Asml Holding Nv | リソグラフィ装置用改善偏光設計 |
US8982324B2 (en) | 2009-12-15 | 2015-03-17 | Asml Holding N.V. | Polarization designs for lithographic apparatus |
KR101763760B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2017-08-01 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 리소그래피 장치를 위한 개선된 편광 설계들 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4488521B2 (ja) | 2010-06-23 |
US7445883B2 (en) | 2008-11-04 |
CN1698011A (zh) | 2005-11-16 |
CN1698011B (zh) | 2011-02-02 |
US20060275708A1 (en) | 2006-12-07 |
KR100642169B1 (ko) | 2006-11-03 |
EP1532484A4 (en) | 2007-08-22 |
US7090964B2 (en) | 2006-08-15 |
JP4864932B2 (ja) | 2012-02-01 |
KR20050006174A (ko) | 2005-01-15 |
TWI247339B (en) | 2006-01-11 |
US20040180294A1 (en) | 2004-09-16 |
JP2006511967A (ja) | 2006-04-06 |
TW200503069A (en) | 2005-01-16 |
EP1532484A2 (en) | 2005-05-25 |
WO2004077154A2 (en) | 2004-09-10 |
WO2004077154A3 (en) | 2004-11-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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