JP2008256495A - センサ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベース基板11の厚さ方向の一面側に配置されたセンシング部20からの信号を、ベース基板11の厚さ方向を貫通する貫通電極14を介してベース基板11の厚さ方向の他面側に取り出すようにした半導体力学量センサS1において、貫通電極14を、電気伝導性を有するベース基板11の一部として構成し、ベース基板11のうち貫通電極14の周囲に、貫通電極14を取り囲むように溝15を形成し、この溝15を介して貫通電極14とその周囲とを電気的に絶縁した。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係るセンサ装置としての半導体力学量センサS1の概略断面構成を示す図であり、図2は、この力学量センサS1を回路基板K1に搭載した状態を示す概略断面図である。この力学量センサS1は、加速度や角速度などの力学量を検出するセンサとして構成される。
図5は、本発明の第2実施形態に係るセンサ装置としての半導体力学量センサS2の概略断面構成を示す図であり、図6は、この力学量センサS2を回路基板K1に搭載した状態を示す概略断面図である。本実施形態の力学量センサS2も、加速度や角速度などの力学量を検出するセンサとして構成される。
図9は、本発明の第3実施形態に係るセンサ装置としての半導体圧力センサS3の概略断面構成を示す図であり、図10は、この圧力センサS3を回路基板K1に搭載した状態を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
なお、センサ装置としては、第1の基板と、この第1の基板の厚さ方向の一面側に配置されたセンシング部と、第1の基板の厚さ方向を貫通する貫通電極とを備え、センシング部からの信号を、貫通電極を介して第1の基板の厚さ方向の他面側に取り出すものであればよく、上記力学量センサや圧力センサに限定されるものではない。
30…キャップ。
Claims (4)
- 第1の基板(11、30)と、前記第1の基板(11、30)の厚さ方向の一面側に配置され検出を行うためのセンシング部(20)と、前記第1の基板(11、30)に設けられ前記第1の基板(11、30)の厚さ方向を貫通する貫通電極(14)とを備え、
前記センシング部(20)からの信号が、前記貫通電極(14)を介して前記第1の基板(11、30)の厚さ方向の他面側に取り出されるようになっているセンサ装置において、
前記第1の基板(11、30)自身は電気伝導性を有するものであり、前記貫通電極(14)はこの電気伝導性を有する前記第1の基板(11、30)の一部として構成され、
前記第1の基板(11、30)のうち前記貫通電極(14)の周囲には前記貫通電極(14)を取り囲むように溝(15)が形成され、この溝(15)を介して前記貫通電極(14)とその周囲との電気的絶縁が確保されていることを特徴とするセンサ装置。 - 前記第1の基板(11、30)の前記一面には、第2の基板(11、30)が対向して設けられ、前記貫通電極(14)を含む前記第1の基板(11、30)は、前記第2の基板(11、30)に支持されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記第1の基板(11)の前記一面に前記センシング部(20)が設けられており、
前記第2の基板は、前記センシング部(20)を覆うように前記第1の基板(11)の前記一面側に取り付けられたキャップ(30)であることを特徴とする請求項2に記載のセンサ装置。 - 前記第2の基板(11)のうち前記第1の基板(30)の前記一面に対向する部位に前記センシング部(20)が設けられており、
前記第1の基板は、前記センシング部(20)を覆うように前記第2の基板(11)に取り付けられたキャップ(30)であることを特徴とする請求項2に記載のセンサ装置。
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