JP2008256495A - Sensor device - Google Patents
Sensor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008256495A JP2008256495A JP2007098190A JP2007098190A JP2008256495A JP 2008256495 A JP2008256495 A JP 2008256495A JP 2007098190 A JP2007098190 A JP 2007098190A JP 2007098190 A JP2007098190 A JP 2007098190A JP 2008256495 A JP2008256495 A JP 2008256495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- base substrate
- sensing unit
- cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、基板の一面側に位置するセンシング部からの電気信号を、基板の厚さ方向に貫通する貫通電極を介して、基板の他面側へ取り出し可能としたセンサ装置に関する。 The present invention relates to a sensor device that can extract an electrical signal from a sensing unit located on one surface side of a substrate to the other surface side of the substrate through a through electrode that penetrates in the thickness direction of the substrate.
従来よりこの種のセンサ装置としては、たとえば、静電容量変化にて慣性力を計測するセンサとしての加速度センサやジャイロスコープ等が知られている。この容量式センサは、自動車用エアバック制御や車両安定制御、民生用ゲームアミューズメント等、さまざまな用途に適用されている。 Conventionally, as this type of sensor device, for example, an acceleration sensor, a gyroscope, or the like is known as a sensor that measures an inertial force by changing a capacitance. This capacitive sensor is applied to various uses such as automotive airbag control, vehicle stability control, and consumer game amusement.
一般に、このセンサ装置は、容量検出に必要な可動質量を具備した可動電極と基板に固定された固定電極と間の静電容量変化を、電圧変化として出力するセンサ素子構成としている。そして、このセンサ素子は、半導体技術を適用した、いわゆるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)といわれる技術を応用した製造方法により製造される。 Generally, this sensor device has a sensor element configuration that outputs a change in capacitance between a movable electrode having a movable mass necessary for capacitance detection and a fixed electrode fixed to a substrate as a voltage change. The sensor element is manufactured by a manufacturing method using a so-called MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) to which semiconductor technology is applied.
一方で、センサ出力を外部へ出力する方法として、たとえば、特許文献1に記載されているような貫通電極を用いた構造が提案されている。これを用いれば、センシング部と他の回路素子との接続、あるいは、センシング部とこれに電気的な接続を実施したい基板との接続を最短で配線することができ、装置の小型化等のメリットが得られる。
On the other hand, as a method for outputting the sensor output to the outside, for example, a structure using a through electrode as described in
具体的には、一面側にセンシング部が配置された基板に対して、基板の厚さ方向に貫通するように貫通電極を設ければ、基板の一面側のセンシング部からの信号を、貫通電極を介して基板の他面側に取り出すことができる。
しかしながら、上記特許文献1のように、上記した貫通電極は、当該貫通電極を形成する基板と電気的に絶縁分離するために、基板の貫通孔に絶縁膜を形成し、そこへ配線材料を埋め込むといった加工により形成されるものであり、当該絶縁膜の形成や配線材料埋め込みの手間が必要となる。
However, as described in
さらには、上記基板と絶縁膜や配線材料との間で応力が発生するため、微小な容量変化を検出するデバイスの特性に影響を及ぼし、所望のデバイス特性が得られないといった問題も発生しがちである。 In addition, since stress is generated between the substrate and the insulating film or wiring material, the characteristics of the device that detects minute capacitance changes are affected, and the problem that desired device characteristics cannot be obtained tends to occur. It is.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板の一面側に位置するセンシング部からの電気信号を、基板の厚さ方向に貫通する貫通電極を介して、基板の他面側へ取り出し可能としたセンサ装置において、絶縁膜の形成や配線材料の埋め込みを行うことなく、貫通電極を形成するのに適した構成を実現することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an electrical signal from a sensing unit located on one surface side of a substrate is transferred to the other surface side of the substrate through a through electrode penetrating in the thickness direction of the substrate. An object of the present invention is to realize a configuration suitable for forming a through electrode without forming an insulating film or embedding a wiring material in a sensor device that can be taken out.
上記目的を達成するため、本発明は、第1の基板(11、30)の厚さ方向の一面側に配置されたセンシング部(20)からの信号を、第1の基板(11、30)の厚さ方向を貫通する貫通電極(14)を介して第1の基板(11、30)の厚さ方向の他面側に取り出すようにしたセンサ装置において、貫通電極(14)を、電気伝導性を有する第1の基板(11、30)の一部として構成し、第1の基板(11、30)のうち貫通電極(14)の周囲に、貫通電極(14)を取り囲むように溝(15)を形成し、この溝(15)を介して貫通電極(14)とその周囲とを電気的に絶縁したことを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides a signal from the sensing unit (20) arranged on one surface side in the thickness direction of the first substrate (11, 30) to the first substrate (11, 30). In the sensor device that is taken out to the other surface side in the thickness direction of the first substrate (11, 30) through the through electrode (14) that penetrates the thickness direction, the through electrode (14) is electrically conductive. The first substrate (11, 30) having a characteristic is formed as a part of the first substrate (11, 30), and a groove (around the through electrode (14) is formed around the through electrode (14). 15), and the through electrode (14) and its surroundings are electrically insulated through the groove (15).
それによれば、貫通電極(14)は、溝(15)で区画された導電性の第1の基板(11、30)の部分そのものであり、従来のような絶縁膜の形成や配線材料の埋め込みが不要となるため、絶縁膜の形成や配線材料の埋め込みを行うことなく、貫通電極(14)を形成するのに適した構成を実現することができる。 According to this, the penetrating electrode (14) is a portion of the conductive first substrate (11, 30) partitioned by the groove (15) itself, and the conventional insulating film formation or wiring material embedding is performed. Therefore, it is possible to realize a configuration suitable for forming the through electrode (14) without forming an insulating film or embedding a wiring material.
ここで、第1の基板(11、30)の一面に、第2の基板(11、30)を対向して設け、貫通電極(14)を含む第1の基板(11、30)を、第2の基板(11、30)に支持させてもよい(後述の図1、図5等参照)。 Here, the second substrate (11, 30) is provided on one surface of the first substrate (11, 30) so as to face the first substrate (11, 30) including the through electrode (14). It may be supported by two substrates (11, 30) (see FIGS. 1, 5, etc. described later).
さらに、この場合、第1の基板(11)の一面にセンシング部(20)を設け、第2の基板を、センシング部(20)を覆うように第1の基板(11)の一面側に取り付けられたキャップ(30)としてもよいし(後述の図1等参照)、これとは逆に、第2の基板(11)のうち第1の基板(30)の一面に対向する部位にセンシング部(20)を設け、第1の基板を、センシング部(20)を覆うように第2の基板(11)に取り付けられたキャップ(30)としてもよい(後述の図5等参照)。 Furthermore, in this case, the sensing unit (20) is provided on one surface of the first substrate (11), and the second substrate is attached to the one surface side of the first substrate (11) so as to cover the sensing unit (20). The cap (30) may be used (see FIG. 1 and the like to be described later), or conversely, the sensing unit may be disposed on a portion of the second substrate (11) facing one surface of the first substrate (30). (20) may be provided, and the first substrate may be a cap (30) attached to the second substrate (11) so as to cover the sensing unit (20) (see FIG. 5 and the like described later).
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るセンサ装置としての半導体力学量センサS1の概略断面構成を示す図であり、図2は、この力学量センサS1を回路基板K1に搭載した状態を示す概略断面図である。この力学量センサS1は、加速度や角速度などの力学量を検出するセンサとして構成される。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor mechanical quantity sensor S1 as a sensor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a state in which the mechanical quantity sensor S1 is mounted on a circuit board K1. It is a schematic sectional drawing shown. The mechanical quantity sensor S1 is configured as a sensor that detects a mechanical quantity such as acceleration or angular velocity.
この力学量センサS1は、シリコン半導体よりなるベース基板11と、このベース基板11の一面(図1中の上面)に酸化膜13を介して積層されたポリシリコン層12とよりなるSOI(シリコンオンインシュレータ)基板10を備えている。
This mechanical quantity sensor S1 includes an SOI (silicon-on) comprising a
このSOI基板10は、一般的なものと同様であるが、本実施形態では、ベース基板11が第1の基板として構成されており、このベース基板11は電気伝導性を有するものである。好ましくは、ベース基板11においては、P(リン)やB(ボロン)などの不純物がドープされて導電性が確保されている。
The
第1の基板としてのベース基板11の厚さ方向の一面には、検出を行うためのセンシング部20が設けられている。ここでは、ポリシリコン層12によってセンシング部20が形成されている。
A
このセンシング部20は、公知の加速度センサや角速度センサに用いられているような梁構造体としての可動電極と固定電極とを有するものである。そして、加速度や角速度の印加時に可動電極が変位し、可動電極と固定電極間の容量が変化し、これを電圧信号として取り出すものである。このようなセンシング部20は、エッチングなどの半導体プロセスを用いて製造できる。
The
また、ベース基板11の一面側には、センシング部20を覆うようにキャップ30が取り付けられている。このキャップ30は、ベース基板11の一面と対向する部位に凹部が形成され、センシング部20と離れている。
A
また、キャップ30はシリコン半導体よりなり、センシング部20の外側にてポリシリコン層12に、接着や陽極接合などにより接合されている。本実施形態では、このキャップ30が第2の基板として構成されている。
The
ここで、図1に示されるように、本実施形態の力学量センサS1においては、ベース基板11には、当該ベース基板11の厚さ方向(図1中の上下方向)を貫通する貫通電極14が設けられている。この貫通電極14は、ベース基板11の一面側に位置するセンシング部20からの電気信号を、ベース基板11の他面(図1中の下面)側に取り出すものである。
Here, as shown in FIG. 1, in the mechanical quantity sensor S <b> 1 of the present embodiment, the
この貫通電極14は、電気伝導性を有するベース基板11の一部として構成されている。つまり、貫通電極14はベース基板11を構成するシリコン半導体よりなる。そして、ベース基板11のうち貫通電極14の周囲には、貫通電極14を取り囲むように溝15が形成されている。この溝15は、ベース基板11の他面から酸化膜13まで到達する溝、すなわちベース基板11の厚さ方向を貫通する溝である。
The through
この溝15はいわゆるエアアイソレーションと言われるものであり、この溝15を介して貫通電極14とその周囲のベース基板11の部分との絶縁が確保されている。つまり、貫通電極14は、電気的な絶縁部としての溝15に取り囲まれることにより、電気的に独立したものとなっている。
This
ここでは、ベース基板11の一面側では、酸化膜13に設けられた開口部を介して、貫通電極14とポリシリコン層12とが接触しており、これにより、センシング部20と貫通電極14とが電気的に接続されている。
Here, on one surface side of the
また、図2に示されるように、この力学量センサS1は、当該センサS1を制御する回路部101を有する回路基板K1の上に搭載されている。この回路基板K1は、たとえば半導体基板に集積回路を形成してなるものであり、その表面には絶縁性の保護膜102が設けられている。
As shown in FIG. 2, the mechanical quantity sensor S1 is mounted on a circuit board K1 having a
そして、ベース基板11の他面側では、貫通電極14には接続電極40が電気的に接続されており、貫通電極14と回路基板K1の図示しない配線とは、接続電極40を介して電気的に接続されている。なお、ここでは、接続電極40は、力学量センサS1側に設けられているが、回路基板K1側のみに予め取り付けられたものであってもよい。この接続電極40はアルミやAl−Siなどよりなる。
The
また、上述したように、本実施形態では、第1の基板としてのベース基板11の一面に、第2の基板としてのキャップ30が対向して設けられているが、貫通電極14を含むベース基板11は、酸化膜13およびポリシリコン層12を介して、キャップ30に接合されることで当該キャップ30に支持されている。
As described above, in this embodiment, the
次に、本実施形態の力学量センサS1の製造方法について、図3および図4を参照して述べる。図3(a)〜(e)は、本製造方法を製造工程順に示す工程図であり、図4(a)〜(c)は図3に続いて本製造方法を製造工程順に示す工程図である。 Next, a method for manufacturing the mechanical quantity sensor S1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIGS. 3A to 3E are process diagrams showing the manufacturing method in the order of the manufacturing steps, and FIGS. 4A to 4C are process diagrams showing the manufacturing method in the order of the manufacturing processes following FIG. is there.
まず、図3(a)に示されるように、シリコンウェハなどよりなるベース基板11を用意し、図3(b)に示されるように、このベース基板11の表面に、熱酸化や各種の酸化膜の成膜法を用いて、酸化膜13を形成する。そして、この酸化膜13を公知の方法にてパターニングする。それにより、上記した貫通電極14とポリシリコン層12とを接続する開口部を含む酸化膜13のパターンを形成する。
First, as shown in FIG. 3A, a
次に、図3(c)に示されるように、ポリシリコン層12を公知手法にて成膜し、このポリシリコン層12の表面を、CMP(ケミカルメカニカルポリッシング)によって平坦化する。
Next, as shown in FIG. 3C, a
次に、センシング部20を形成するべくポリシリコン層12の表面に、図示しないマスクを形成する。このマスクの材料はレジストや酸化膜などである。そして、このマスクの上から、ポリシリコン層12をエッチングして、センシング部20のパターンを形成する。このエッチングは、たとえばRIE(リアクティブイオンエッチング)方式で行うことができる。そして、上記マスクを除去する。この状態が図3(d)に示される。
Next, a mask (not shown) is formed on the surface of the
次に、センシング部20を可動とするべく、センシング部20の下部の酸化膜13を犠牲層エッチングなどによりエッチングする。これにより、図3(e)に示されるように、センシング部20は、ベース基板11から離れリリースされる。
Next, in order to make the
次に、図4(a)に示されるように、ベース基板11の一面側に、センシング部20を覆うようにキャップ30を取り付ける。上述したように、このキャップ30の取付は、陽極接合や接着などにより行う。これにより、センシング部20がキャップ30により封止される。なお、この封止は、真空封止でも大気圧封止でもよい。
Next, as illustrated in FIG. 4A, a
そして、ベース基板11の他面を研削・研磨することにより、後述する溝15を形成するエッチング加工の工数を縮小するべく、ベース基板11を薄くする。また、この研削・研磨によって、上記した貫通電極14に接続電極40を形成するために、ベース基板11の他面を鏡面とする。
Then, by grinding / polishing the other surface of the
次に、図4(b)に示されるように、ベース基板11の他面において、貫通電極14となる部位に、スパッタや蒸着などによりアルミやAl−Siなどよりなる接続電極40を形成する。
Next, as shown in FIG. 4B, a
次に、溝15を形成するエッチング(溝エッチング工程)を行う。この溝エッチングにより、溝15を形成するとともに溝15によって画定された貫通電極14を形成する。具体的には、まず、ベース基板11の他面に図示しないエッチング用マスクを形成する。このマスクの材料はレジストが簡便でよい。
Next, etching for forming the grooves 15 (groove etching process) is performed. By this groove etching, the
続いて、ベース基板11の他面から、RIE等で溝エッチングを実施する。それにより、ベース基板11の他面から酸化膜13まで到達する溝15が形成されると同時に、貫通電極14が形成される。この状態は図4(c)に示される。
Subsequently, groove etching is performed from the other surface of the
こうして、図4(c)に示されるように、本実施形態の力学量センサS1ができあがる。そして、図4(c)に示されるように、力学量センサS1を、上記回路基板K1の上に搭載し、貫通電極14の接続電極40と回路基板K1側の接続電極40’とを、固相接合や、はんだあるいは導電性接着剤などを介して、接合もしくは接着する。それにより、上記図2に示される状態が完成する。
Thus, as shown in FIG. 4C, the mechanical quantity sensor S1 of the present embodiment is completed. Then, as shown in FIG. 4C, the mechanical quantity sensor S1 is mounted on the circuit board K1, and the
ところで、本実施形態によれば、第1の基板としてのベース基板11自身は電気伝導性を有するものであり、貫通電極14はこの電気伝導性を有するベース基板11の一部として構成している。そして、貫通電極14の周囲を溝15で取り囲み、この溝15を介して貫通電極14とその周囲の基板11部分との絶縁を確保している。
By the way, according to the present embodiment, the
それによれば、貫通電極14は、溝15で区画された導電性のベース基板11の部分そのものであり、溝15をトレンチエッチングすることで容易に形成されるものである。そのため、従来のような絶縁膜の形成や配線材料の埋め込みを行うことなく、貫通電極14を形成することができる。
According to this, the through
また、本実施形態では、ベース基板11の一面に酸化膜13およびポリシリコン層12を介してキャップ30を取り付け、ベース基板11をキャップ30で支持した状態で、上記溝エッチングを行っている。そのため、エッチング後に溝15に囲まれた貫通電極14が脱落することが防止される。
In the present embodiment, the groove etching is performed in a state where the
(第2実施形態)
図5は、本発明の第2実施形態に係るセンサ装置としての半導体力学量センサS2の概略断面構成を示す図であり、図6は、この力学量センサS2を回路基板K1に搭載した状態を示す概略断面図である。本実施形態の力学量センサS2も、加速度や角速度などの力学量を検出するセンサとして構成される。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor mechanical quantity sensor S2 as a sensor device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 shows a state in which the mechanical quantity sensor S2 is mounted on a circuit board K1. It is a schematic sectional drawing shown. The mechanical quantity sensor S2 of the present embodiment is also configured as a sensor that detects mechanical quantities such as acceleration and angular velocity.
上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。上記第1実施形態では、ベース基板11を第1の基板とし、キャップ30を第2の基板としていた。そして、ベース基板11の一面にセンシング部20が設けられており、キャップ30は、センシング部20を覆うようにベース基板11の一面側に取り付けられていた。
The difference from the first embodiment will be mainly described. In the first embodiment, the
それに対して、本実施形態では、図5、図6に示されるように、キャップ30を第1の基板とし、ベース基板11を第2の基板としている。そのため、第2の基板としてのベース基板11のうち第1の基板としてのキャップ30に対向する部位(つまり、図5中のベース基板11の上面)にセンシング部20が設けられた形となっている。
On the other hand, in this embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the
この場合も、第1の基板としてのキャップ30は、センシング部20を覆うように、第2の基板としてのベース基板11に対し、酸化膜13およびポリシリコン層12を介して、取り付けられている。ここでは、図5に示されるように、キャップ30とポリシリコン層12とは、樹脂などの接着剤よりなる接着層50を介して接合されている。
Also in this case, the
また、この場合も、第1の基板としてのキャップ30に貫通電極14が設けられており、このキャップ30の一面には、第2の基板としてのベース基板11が対向して設けられている。そして、キャップ30側から言えば、貫通電極14を含むキャップ30は、第2の基板としてのベース基板11に支持されている。
Also in this case, the through
このように、上記第1実施形態では、ベース基板11側に貫通電極14を設けたのに対し、本実施形態では、力学量センサS2におけるキャップ30を第1の基板として、これに貫通電極14を設け、センシング部20を有するベース基板11を、第2の基板としたことが大きな相違点である。
As described above, in the first embodiment, the through
ここで、キャップ30は上記同様、シリコン半導体よりなるが、本実施形態では、電気伝導性を有するべく好ましくは、P(リン)やB(ボロン)などの不純物がドープされたものである。
Here, the
そして、図5に示されるように、本実施形態の力学量センサS2においては、貫通電極14は、キャップ30の厚さ方向(図5中の上下方向)を貫通するものとなっている。この貫通電極14は、キャップ30の一面(図5中のキャップ30の下面)側に位置するセンシング部20からの電気信号を、キャップ30の他面(図5中のキャップ30の上面)側に取り出すものである。
As shown in FIG. 5, in the mechanical quantity sensor S <b> 2 of the present embodiment, the through
この貫通電極14は、電気伝導性を有するキャップ30の一部として構成されており、キャップ30のうち貫通電極14の周囲には貫通電極14を取り囲むように溝15が形成されている。この溝15は、キャップ30の厚さ方向を貫通する溝である。
The through
本実施形態では、この溝15を介して貫通電極14とその周囲のキャップ30の部分との絶縁が確保されている。つまり、本実施形態においても、貫通電極14は、電気的な絶縁部としての溝15に取り囲まれることにより、電気的に独立している。
In the present embodiment, the insulation between the through
そして、キャップ30の一面側では、上記同様の接続電極40を介して、貫通電極14とポリシリコン層12とが接触しており、これにより、センシング部20と貫通電極14とが電気的に接続されている。
On one side of the
また、図6に示されるように、本実施形態の力学量センサS2も、当該センサS2を制御する回路部(図示せず)を有する回路基板K1の上に搭載されている。ここでは、上記第1実施形態とは逆に、キャップ30の他面側を回路基板K1に対向させて、センサS2の搭載が行われている。
Further, as shown in FIG. 6, the mechanical quantity sensor S2 of the present embodiment is also mounted on a circuit board K1 having a circuit unit (not shown) for controlling the sensor S2. Here, contrary to the first embodiment, the sensor S2 is mounted with the other surface of the
そして、キャップ30の他面側では、貫通電極14に設けられた接続電極40を介して、貫通電極14と回路基板K1の図示しない配線とが電気的に接続されている。なお、この場合も、接続電極40は、力学量センサS2側に設けられているが、回路基板K1側のみに予め取り付けられたものであってもよい。
On the other surface side of the
次に、本実施形態の力学量センサS2の製造方法について、図7および図8を参照して述べる。図7(a)〜(d)は、本製造方法を製造工程順に示す工程図であり、図8(a)〜(d)は図7に続いて本製造方法を製造工程順に示す工程図である。 Next, a manufacturing method of the mechanical quantity sensor S2 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 7A to 7D are process diagrams showing the manufacturing method in the order of the manufacturing process, and FIGS. 8A to 8D are process diagrams showing the manufacturing method in the order of the manufacturing process following FIG. is there.
まず、図7(a)に示されるように、酸化膜13を介してベース基板11とポリシリコン層12とが積層されたSOI基板10を用意し、図7(b)に示されるように、このSOI基板10のポリシリコン層12の表面に接続電極40を形成する。
First, as shown in FIG. 7A, an
次に、図7(c)に示されるように、ポリシリコン層12をエッチングして、センシング部20のパターンを形成する。このエッチングは、上記第1実施形態と同様に行える。そして、上記マスクを除去する。次に、図7(d)に示されるように、上記第1実施形態と同様に、センシング部20の下部の酸化膜13を除去することにより、センシング部20を、ベース基板11からリリースして可動状態とする。
Next, as shown in FIG. 7C, the
次に、図8(a)に示されるように、キャップ30の他面において貫通電極14となる部位に接続電極40を形成する。次に、図8(b)に示されるように、キャップ30の一面または他面側から、RIEなどにより溝エッチング工程を行い、キャップ30に対して、溝15を形成するとともに溝15によって画定された貫通電極14を形成する。
Next, as illustrated in FIG. 8A, the
ここで、本実施形態の溝エッチング工程では、キャップ30におけるエッチング面とは反対側の面に図示しないテープや支持板などを貼り付けることで、キャップ30を当該テープや支持板で支持した状態でエッチングを行うようにする。それにより、エッチング後に溝15に囲まれた貫通電極14が脱落するのを防止する。
Here, in the groove etching process of the present embodiment, a tape or a support plate (not shown) is attached to the surface of the
次に、図8(c)に示されるように、キャップ30の一面に、上記接着層50を設ける。これは接着剤を塗布することなどにより容易に行える。そして、図8(d)に示されるように、キャップ30の一面をSOI基板10のポリシリコン層12に対向させ、この接着層50を介して、センシング部20を覆うようにキャップ30を取り付ける。
Next, as shown in FIG. 8C, the
これにより、センシング部20がキャップ30により封止される。なお、この場合も当該封止は、真空封止でも大気圧封止でもよい。こうして、図8(d)に示されるように、本実施形態の力学量センサS2ができあがる。
Thereby, the
その後は、本力学量センサS2を、上記回路基板K1の上に搭載し、貫通電極14の接続電極40と回路基板K1側の接続電極とを、上記第1実施形態と同様の方法で、接合もしくは接着する。それにより、上記図6に示される状態が完成する。
Thereafter, the mechanical quantity sensor S2 is mounted on the circuit board K1, and the
ところで、本実施形態によれば、貫通電極14は、溝15で区画された導電性のキャップ30の部分そのものであり、溝15をトレンチエッチングすることで容易に形成されるものである。そのため、本実施形態によっても、従来のような絶縁膜の形成や配線材料の埋め込みを行うことなく、貫通電極14を形成することができる。
By the way, according to the present embodiment, the through
(第3実施形態)
図9は、本発明の第3実施形態に係るセンサ装置としての半導体圧力センサS3の概略断面構成を示す図であり、図10は、この圧力センサS3を回路基板K1に搭載した状態を示す概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
(Third embodiment)
FIG. 9 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor pressure sensor S3 as a sensor device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a schematic diagram showing a state in which the pressure sensor S3 is mounted on a circuit board K1. It is sectional drawing. The difference from the first embodiment will be mainly described.
本実施形態の圧力センサS3では、シリコン半導体よりなるベース基板11を第1の基板としており、このベース基板11の一面にエピタキシャル層16が積層されている。そして、このエピタキシャル層16にはセンシング部20が設けられている。ここでは、センシング部20は、不純物拡散などにより形成されたピエゾ抵抗およびこれらを接続する配線として構成されている。
In the pressure sensor S3 of this embodiment, a
また、このセンシング部20の上には、絶縁性の保護膜21が設けられ、さらにその上にはアルミなどの配線22が設けられている。センシング部20と配線22とは、保護膜21に設けられた開口部を介して電気的に接続されている。
Further, an insulating
また、ベース基板11には、薄肉部としてのダイアフラム23としてセンシング部20が設けられている。この圧力センサS3は、ダイアフラム23にて圧力を受け、それによってダイアフラム23が歪み、この歪みによるセンシング部20の電圧変化を電気信号として取り出すことで圧力検出を行うもので、いわゆる半導体ダイアフラム式の圧力センサである。
Moreover, the
このように本圧力センサS3では、センシング部20はベース基板11の一面(図9中のベース基板11の上面)側に取り付けられている。そして、図9に示されるように、貫通電極14は、ベース基板11の厚さ方向(図9中の上下方向)を貫通しており、この貫通電極14は、センシング部20からの電気信号をベース基板11の他面(図9中のベース基板11の下面)側に取り出すものである。
As described above, in the present pressure sensor S3, the
本実施形態においても、貫通電極14は、電気伝導性を有するベース基板11の一部として構成されており、キャップ30のうち貫通電極14の周囲には貫通電極14を取り囲むように、ベース基板11を貫通する溝15が形成されている。
Also in this embodiment, the through
また、図10に示されるように、本実施形態の圧力センサS3は、当該センサS3を制御する回路部(図示せず)を有する回路基板K1の上に搭載されている。ここでは、上記第1実施形態と同様、第1の基板としてのベース基板11の他面側を回路基板K1に対向させて、センサS3の搭載が行われている。
As shown in FIG. 10, the pressure sensor S3 of this embodiment is mounted on a circuit board K1 having a circuit unit (not shown) that controls the sensor S3. Here, as in the first embodiment, the sensor S3 is mounted with the other side of the
そして、ベース基板11の他面側では、貫通電極14に設けられた接続電極40を介して、貫通電極14と回路基板K1の図示しない配線とが電気的に接続されている。なお、この場合も、接続電極40は、圧力センサS3側に設けられているが、回路基板K1側のみに予め取り付けられたものであってもよい。また、圧力センサS3と回路基板K1とは、上記同様の接着層50により機械的に固定されている。
On the other surface side of the
次に、本実施形態の圧力センサS3の製造方法について、図11を参照して述べる。図11(a)〜(d)は、本製造方法を製造工程順に示す工程図である。まず、図11(a)に示されるように、ベース基板11の一面上にエピタキシャル層16が形成されたウェハを用意する。
Next, a manufacturing method of the pressure sensor S3 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIGS. 11A to 11D are process diagrams showing the manufacturing method in the order of the manufacturing processes. First, as shown in FIG. 11A, a wafer having an
次に、図11(b)に示されるように、このウェハのエピタキシャル層16およびその表面に対し、公知の半導体プロセスにより上記センシング部20、保護膜21、配線22を形成する。そして、図11(c)に示されるように、異方性エッチングなどによりベース基板11に凹部を形成し、ダイアフラム23を形成する。
Next, as shown in FIG. 11B, the
その後、図示しないが、ベース基板11の他面において貫通電極14となる部位に、上記接続電極40を形成する。次に、図11(d)に示されるように、ベース基板11の他面側から、溝エッチング工程を行い、ベース基板11に対して溝15を形成するとともに溝15によって画定された貫通電極14を形成する。
Thereafter, although not shown, the
ここで、本実施形態の溝エッチング工程においても、エッチング後に溝15に囲まれた貫通電極14が脱落するのを防止するために、ベース基板11の一面に図示しないテープや支持板などを貼り付けることで、ベース基板11を当該テープや支持板で支持した状態でエッチングを行うことが望ましい。
Here, also in the groove etching process of the present embodiment, in order to prevent the through
こうして、上記図9に示される本実施形態の圧力センサS3ができあがる。その後は、ベース基板11の一面において貫通電極14に、上記接着層50を設け、この接着層50を介して、圧力センサS3を上記回路基板100の上に搭載する。それにより、上記図10に示される状態が完成する。
Thus, the pressure sensor S3 of the present embodiment shown in FIG. 9 is completed. Thereafter, the
本実施形態によれば、貫通電極14は、溝15で区画された導電性のベース基板11の部分そのものであり、溝15をトレンチエッチングすることで容易に形成されるものである。そのため、本実施形態によっても、従来のような絶縁膜の形成や配線材料の埋め込みを行うことなく、貫通電極14を形成することができる。
According to the present embodiment, the through
(他の実施形態)
なお、センサ装置としては、第1の基板と、この第1の基板の厚さ方向の一面側に配置されたセンシング部と、第1の基板の厚さ方向を貫通する貫通電極とを備え、センシング部からの信号を、貫通電極を介して第1の基板の厚さ方向の他面側に取り出すものであればよく、上記力学量センサや圧力センサに限定されるものではない。
(Other embodiments)
The sensor device includes a first substrate, a sensing unit disposed on one surface side in the thickness direction of the first substrate, and a through electrode penetrating the thickness direction of the first substrate. What is necessary is just to take out the signal from a sensing part to the other surface side of the thickness direction of a 1st board | substrate through a penetration electrode, and it is not limited to the said mechanical quantity sensor and a pressure sensor.
11…ベース基板、14…貫通電極、15…溝、20…センシング部、
30…キャップ。
DESCRIPTION OF
30 ... Cap.
Claims (4)
前記センシング部(20)からの信号が、前記貫通電極(14)を介して前記第1の基板(11、30)の厚さ方向の他面側に取り出されるようになっているセンサ装置において、
前記第1の基板(11、30)自身は電気伝導性を有するものであり、前記貫通電極(14)はこの電気伝導性を有する前記第1の基板(11、30)の一部として構成され、
前記第1の基板(11、30)のうち前記貫通電極(14)の周囲には前記貫通電極(14)を取り囲むように溝(15)が形成され、この溝(15)を介して前記貫通電極(14)とその周囲との電気的絶縁が確保されていることを特徴とするセンサ装置。 A first substrate (11, 30), a sensing unit (20) arranged on one surface side in the thickness direction of the first substrate (11, 30) for detection, and the first substrate (11 30) and a through electrode (14) penetrating the thickness direction of the first substrate (11, 30),
In the sensor device in which a signal from the sensing unit (20) is extracted to the other surface side in the thickness direction of the first substrate (11, 30) through the through electrode (14).
The first substrate (11, 30) itself has electrical conductivity, and the through electrode (14) is configured as a part of the first substrate (11, 30) having electrical conductivity. ,
A groove (15) is formed around the through electrode (14) in the first substrate (11, 30) so as to surround the through electrode (14), and the through hole passes through the groove (15). A sensor device characterized in that electrical insulation between the electrode (14) and its surroundings is ensured.
前記第2の基板は、前記センシング部(20)を覆うように前記第1の基板(11)の前記一面側に取り付けられたキャップ(30)であることを特徴とする請求項2に記載のセンサ装置。 The sensing unit (20) is provided on the one surface of the first substrate (11),
The said 2nd board | substrate is a cap (30) attached to the said one surface side of the said 1st board | substrate (11) so that the said sensing part (20) may be covered, The Claim 2 characterized by the above-mentioned. Sensor device.
前記第1の基板は、前記センシング部(20)を覆うように前記第2の基板(11)に取り付けられたキャップ(30)であることを特徴とする請求項2に記載のセンサ装置。 The sensing unit (20) is provided in a portion of the second substrate (11) facing the one surface of the first substrate (30),
The sensor device according to claim 2, wherein the first substrate is a cap (30) attached to the second substrate (11) so as to cover the sensing unit (20).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098190A JP2008256495A (en) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | Sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098190A JP2008256495A (en) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | Sensor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008256495A true JP2008256495A (en) | 2008-10-23 |
Family
ID=39980203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007098190A Pending JP2008256495A (en) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | Sensor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008256495A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004754A (en) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | Semiconductor package and manufacturing method of the same |
US8455973B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-06-04 | Denso Corporation | Region divided substrate and semiconductor device |
CN103359678A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-23 | 株式会社电装 | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US8941229B2 (en) | 2009-12-17 | 2015-01-27 | Denso Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2015109634A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | Electrostatic capacitance fine processing ultrasonic transducer and manufacturing method thereof |
JP2017009401A (en) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Resin-sealed type sensor device |
JP2017512307A (en) * | 2014-02-28 | 2017-05-18 | メジャメント スペシャリティーズ, インコーポレイテッド | Differential pressure detection die |
CN107265397A (en) * | 2017-06-08 | 2017-10-20 | 广东合微集成电路技术有限公司 | The piezoresistance type acceleration sensor and its manufacture method of a kind of suitable surface mount process |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002273699A (en) * | 2001-02-03 | 2002-09-25 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical element and its manufacturing method |
JP2003530233A (en) * | 2000-04-11 | 2003-10-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Micromechanical components and corresponding manufacturing methods |
JP2004144598A (en) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Wacoh Corp | Acceleration/angular velocity sensor |
-
2007
- 2007-04-04 JP JP2007098190A patent/JP2008256495A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003530233A (en) * | 2000-04-11 | 2003-10-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Micromechanical components and corresponding manufacturing methods |
JP2002273699A (en) * | 2001-02-03 | 2002-09-25 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical element and its manufacturing method |
JP2004144598A (en) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Wacoh Corp | Acceleration/angular velocity sensor |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8455973B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-06-04 | Denso Corporation | Region divided substrate and semiconductor device |
US8941229B2 (en) | 2009-12-17 | 2015-01-27 | Denso Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2013004754A (en) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | Semiconductor package and manufacturing method of the same |
CN103359678A (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-23 | 株式会社电装 | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2013228357A (en) * | 2012-03-27 | 2013-11-07 | Denso Corp | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2015109634A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | Electrostatic capacitance fine processing ultrasonic transducer and manufacturing method thereof |
JP2017512307A (en) * | 2014-02-28 | 2017-05-18 | メジャメント スペシャリティーズ, インコーポレイテッド | Differential pressure detection die |
JP2017009401A (en) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Resin-sealed type sensor device |
CN107265397A (en) * | 2017-06-08 | 2017-10-20 | 广东合微集成电路技术有限公司 | The piezoresistance type acceleration sensor and its manufacture method of a kind of suitable surface mount process |
CN107265397B (en) * | 2017-06-08 | 2020-01-03 | 广东合微集成电路技术有限公司 | Piezoresistive acceleration sensor suitable for surface mounting process and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10160633B2 (en) | MEMS devices and fabrication methods thereof | |
US8748998B2 (en) | Sensor module | |
JP2008256495A (en) | Sensor device | |
US20150198493A1 (en) | Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method | |
US9450109B2 (en) | MEMS devices and fabrication methods thereof | |
US9840410B2 (en) | Micromechanical component | |
JP2009506323A (en) | Pressure sensor and manufacturing method | |
TW201534883A (en) | Micromechanical pressure sensor device and corresponding process for its production | |
JP2009016717A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5040021B2 (en) | Hermetic package and method for manufacturing hermetic package | |
US20090085194A1 (en) | Wafer level packaged mems device | |
US6794271B2 (en) | Method for fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned bridge | |
US9714165B1 (en) | MEMS sensor | |
US20120001277A1 (en) | Methods for making in-plane and out-of-plane sensing micro-electro-mechanical systems (mems) | |
US10202275B2 (en) | Process for manufacturing a semiconductor device including a microelectromechanical structure and an associated integrated electronic circuit and corresponding semiconductor device | |
US11208319B2 (en) | Method for manufacturing a MEMS unit for a micromechanical pressure sensor | |
JP2011038780A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6555238B2 (en) | Mechanical quantity sensor and manufacturing method thereof | |
US20040081809A1 (en) | Microstructured component and method for its manufacture | |
JP5999027B2 (en) | Physical quantity sensor | |
JP6083315B2 (en) | Manufacturing method of physical quantity sensor | |
US20230166967A1 (en) | Mems sensor and method of manufacturing mems sensor | |
JP2010177280A (en) | Method of manufacturing semiconductor sensor, and semiconductor sensor | |
JP6142736B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
JP6142735B2 (en) | Semiconductor pressure sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110824 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120214 |