JP2008244394A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置Aは、半導体素子が形成された半導体チップ11a,11bと、放熱基板21と、金属板23a,23b,23cと、互いに離間している複数のフィン状部材22と、各半導体チップ11a(11b)を封止する封止部材15と、放熱基板21とフィン状部材22との間に介在する裏面側メタライズ層24と、放熱基板21と金属板23a,23b,23cとの間に介在する主面側メタライズ層26とを備えている。
【選択図】図1
Description
上記開示された本発明の実施の形態の構造は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの記載の範囲に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものである。
1 縦型MOSFET
2 ショットキーダイオード
11a 半導体チップ
11b 半導体チップ
13a〜13c 電気配線
14 裏面電極
15 封止部材
16 上面電極
17 リボン部材
18 ゲートパッド
19 ボンディングワイヤ
21 放熱基板
22 フィン状部材
22a 基端部
22b 基端部
23a〜23e 金属板
24 裏面側メタライズ層
26 主面側メタライズ層
30 4H−SiC基板
31 n型エピタキシャル成長層
32 pウェル領域
33 n型ソース領域
35 p+コンタクト領域
38 ゲート絶縁膜
40 裏面電極
41 ソース電極
42 ゲート電極
43 シリコン酸化膜
45 p型ガードリング領域
46 ショットキー電極
Claims (11)
- 半導体素子が形成された半導体チップと、主面側に前記半導体チップを実装するための実装部材群とを備えた半導体装置であって、
前記実装部材群は、
無機絶縁性材料により構成されている放熱基板と、
前記放熱基板の主面側に搭載された金属板と、
前記放熱基板の裏面側に互いに離間して固定された複数のフィン状部材と
を有している、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記実装部材群は、前記放熱基板の主面に形成された主面側メタライズ層をさらに有しており、
前記金属板は、前記主面側メタライズ層にろう付けされている、半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記実装部材群は、前記放熱基板の裏面に形成された裏面側メタライズ層をさらに有しており、
前記フィン状部材は、前記裏面側メタライズ層にろう付けされている、半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記金属板は、熱膨張係数が0(ppm/K)よりも大で10(ppm/K)以下の金属材料により構成されている、半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記金属板は、Cu−MoまたはCu−Wにより構成されている、半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置において、
前記放熱基板は、熱膨張係数が0(ppm/K)よりも大で10(ppm/K)以下の無機絶縁性材料により構成されている、半導体装置。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置において、
前記放熱基板は、AlN,窒化珪素,SiCおよびそれらのうち少なくとも1つを主成分とする複合材料から選ばれた材料により構成されている、半導体装置。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置において、
前記放熱基板と前記金属板との熱膨張係数差は、7(ppm/K)以下である、半導体装置。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置において、
前記フィン状部材は、熱膨張係数が0(ppm/K)よりも大で10(ppm/K)以下の金属材料により構成されている、半導体装置。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置において、
前記フィン状部材は、Cu,Cu合金,Cu−MoおよびCu−Wから選ばれた材料により構成されている、半導体装置。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスである、半導体装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010103418A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Furukawa-Sky Aluminum Corp | ルーバー付きヒートシンクおよびその組立方法 |
WO2011021690A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 日本電気株式会社 | 互いに絶縁された金属性の電源側およびグランド側補強部材を有する半導体装置 |
JPWO2010055763A1 (ja) * | 2008-11-13 | 2012-04-12 | 住友電気工業株式会社 | 素子成形用部材、素子の製造方法、および素子 |
US20120306086A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and wiring substrate |
JP2015088653A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016096344A (ja) * | 2009-11-02 | 2016-05-26 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 低emi回路のためのパッケージ構成 |
JP2017228811A (ja) * | 2017-10-10 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2023127525A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 京セラ株式会社 | 冷却器および電力変換装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107166A (ja) * | 1994-10-06 | 1996-04-23 | Mitsubishi Materials Corp | 放熱用フィン |
JP2001298136A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | ヒートシンク及び該ヒートシンク付き配線基板 |
JP2002269392A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Yoshiharu Azuma | インターネット利用の購買エージェント支援サーバ |
JP2006303100A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007086632A patent/JP2008244394A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107166A (ja) * | 1994-10-06 | 1996-04-23 | Mitsubishi Materials Corp | 放熱用フィン |
JP2001298136A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | ヒートシンク及び該ヒートシンク付き配線基板 |
JP2002269392A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Yoshiharu Azuma | インターネット利用の購買エージェント支援サーバ |
JP2006303100A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010103418A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Furukawa-Sky Aluminum Corp | ルーバー付きヒートシンクおよびその組立方法 |
JPWO2010055763A1 (ja) * | 2008-11-13 | 2012-04-12 | 住友電気工業株式会社 | 素子成形用部材、素子の製造方法、および素子 |
CN102473689B (zh) * | 2009-08-20 | 2014-09-17 | 日本电气株式会社 | 具有彼此绝缘电源侧和接地侧金属加固部件的半导体器件 |
CN102473689A (zh) * | 2009-08-20 | 2012-05-23 | 日本电气株式会社 | 具有彼此绝缘电源侧和接地侧金属加固部件的半导体器件 |
US8547705B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-10-01 | Nec Corporation | Semiconductor device having power supply-side and ground-side metal reinforcing members insulated from each other |
WO2011021690A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 日本電気株式会社 | 互いに絶縁された金属性の電源側およびグランド側補強部材を有する半導体装置 |
JP2016096344A (ja) * | 2009-11-02 | 2016-05-26 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 低emi回路のためのパッケージ構成 |
US20120306086A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and wiring substrate |
WO2012165045A1 (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置及び配線基板 |
JP2012253125A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及び配線基板 |
CN103534801A (zh) * | 2011-06-01 | 2014-01-22 | 住友电气工业株式会社 | 半导体装置及布线基板 |
JP2015088653A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US9633918B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-04-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2017228811A (ja) * | 2017-10-10 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2023127525A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 京セラ株式会社 | 冷却器および電力変換装置 |
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