JP2008244259A - パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハ基板1上の被加工膜上に感光性樹脂2を塗布する工程と、感光性樹脂2の一部を露光して現像し、開口部を有する第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンの開口部において露出した前記被加工膜上に光硬化性材料3を塗布する工程と、一方の面に所定の凹凸を含む第2のパターンが形成され光透過性を有するテンプレート4の前記一方の面を光硬化性材料3に接触する工程と、テンプレート4の他方の面側から光を照射する工程と、テンプレート4を光硬化性材料3から分離する工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
2 レジスト
3 光硬化性有機材料
4 テンプレート
Claims (5)
- ウェーハ基板上の被加工膜上に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記感光性樹脂の一部を露光して現像し、開口部を有する第1のパターンを形成する工程と、
前記第1のパターンの開口部において露出した前記被加工膜上に光硬化性材料を塗布する工程と、
一方の面に所定の凹凸を含む第2のパターンが形成され光透過性を有するテンプレートの前記一方の面を前記光硬化性材料に接触する工程と、
前記テンプレートの他方の面側から前記光硬化性材料に光を照射する工程と、
前記テンプレートを前記光硬化性材料から分離する工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第1のパターンは、前記第2のパターンにおける凹部又は凸部のいずれかの割合に基づく開口率を有するダミーパターン領域を備えることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第1のパターンは、前記第2のパターンよりピッチが大きいパターンを有する周辺素子パターン領域と、前記第2のパターンにおける凹部又は凸部の割合及び前記素子パターン領域の開口率に基づく開口率を有するダミーパターン領域と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記感光性樹脂はネガ型レジストであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のパターン形成方法。
- ウェーハ基板上の被加工膜上に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記感光性樹脂の一部を露光して現像し、開口部を有する第1のパターンを形成する工程と、
前記第1のパターンの開口部において露出された前記被加工膜上に光硬化性材料を塗布する工程と、
一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートの前記一方の面を前記光硬化性材料に接触する工程と、
前記テンプレートの他方の面側から前記光硬化性材料に光を照射する工程と、
前記テンプレートを前記光硬化性材料から分離する工程と、
前記感光性樹脂及び前記光硬化性材料をマスクとして前記被加工膜をエッチングする工程と、
前記ウェーハ基板に素子を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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