JP2008235535A - 基板搬送装置および熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に加熱処理を行う加熱プレートに対して基板の搬出入を行うチルドアームCAの内部には流路配管が形成されており、その流路配管に冷却水を循環供給することによって保持する基板と対向する保持領域EAの全体を所定の基準温度に冷却する。また、保持領域EAには6枚のポリイミドヒータ741〜746が貼設されており、保持領域EAの少なくとも一部を基準温度とは異なる温度に温調する。これら2つの温調機構によって保持領域EAに意図的に温度分布を与えておけば、加熱プレートでの熱処理の前後に意図的な温度分布を基板に与えることができ、加熱プレートにて不可避的に生じる温度分布の不均一を解消し、熱処理工程全体として均一な熱処理を行うことができる。
【選択図】図9
Description
図1は、本発明に係る熱処理装置を組み入れた基板処理装置の平面図である。また、図2は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図3は熱処理部の正面図であり、図4は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図1および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を適宜付している。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の基板処理装置の全体構成および基板Wの処理手順は第1実施形態と同じである。第2実施形態が第1実施形態と異なるのはチルドアームCAの構成である。図12は、第2実施形態のチルドアームCAの内部構造を示す断面図である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の基板処理装置の全体構成および基板Wの処理手順は第1実施形態と概ね同じである。第3実施形態が第1実施形態と異なるのは加熱部PHP7〜PHP12の構成である。図13は、第3実施形態の加熱部PHP7の構成を示す図である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図14は、第4実施形態の熱処理プレート900の構成を示す図である。この熱処理プレート900は、抵抗加熱線からなるヒータ901をプレート内に埋設した加熱プレートである。ヒータ901は、熱処理プレート900の載置面のうちの少なくとも基板Wと対向する保持領域を温調する。但し、ヒータ901は均等に配設されているものではなく、熱処理プレート900の周辺部における分布密度が大きくなるように配設されている。これは、熱処理プレート900によって加熱処理される基板の周辺部の方が放熱が大きく温度が低下しやすいことに対応したものである。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、補正用の第2の温調機構として複数枚のポリイミドヒータを用いていたが、これに代えて独立して温調可能な複数のペルチェ素子を使用するようにしても良い。ペルチェ素子であれば加熱だけでなく冷却も可能であるため、載置面の保持領域に意図的に与える温度分布のバリエーションをさらに豊富なものとすることができる。
2 バークブロック
3 レジスト塗布ブロック
4 現像処理ブロック
5 インターフェイスブロック
34,720 ローカル搬送機構
710 加熱プレート
719 基板仮置部
725 アーム駆動部
732 流路配管
733 冷却水供給部
740 温度制御部
741〜746,902,903 ポリイミドヒータ
748 温度センサ
750 金属板
901 ヒータ
BRC1〜BRC3,SC1〜SC3 塗布処理ユニット
CA チルドアーム
CC セルコントローラ
EA 保持領域
MC メインコントローラ
PHP1〜PHP12 加熱部
SD1〜SD5 現像処理ユニット
TR1〜TR4 搬送ロボット
W 基板
Claims (8)
- 熱処理装置への基板の搬出入を行う基板搬送装置であって、
基板を載置面上に載置して保持する搬送アームと、
前記搬送アームを移動させるアーム駆動手段と、
前記載置面のうちの少なくとも基板と対向する保持領域の全体を基準温度に温調する基準温調手段と、
前記保持領域の少なくとも一部を前記基準温度とは異なる温度に温調する補正温調手段と、
を備えることを特徴とする基板搬送装置。 - 請求項1記載の基板搬送装置において、
前記補正温調手段は、前記載置面に貼設、または、前記載置面の下方に埋設されて相互に独立して温調可能な複数のフィルムヒータを含むことを特徴とする基板搬送装置。 - 請求項1記載の基板搬送装置において、
前記補正温調手段は、前記載置面に貼設、または、前記載置面の下方に埋設されて相互に独立して温調可能な複数のペルチェ素子を含むことを特徴とする基板搬送装置。 - 基板に所定の熱処理を行う熱処理装置であって、
装置外部との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板受渡部と、
基板に前記所定の熱処理を行う熱処理部と、
基板を載置面上に載置して保持する搬送アームと、
前記基板受渡部にて処理前の基板を受け取った前記搬送アームを前記熱処理部に移動させるとともに、前記熱処理部にて処理後の基板を受け取った前記搬送アームを前記基板受渡部に移動させるアーム駆動手段と、
前記搬送アームの前記載置面のうちの少なくとも基板と対向する保持領域の全体を基準温度に温調する基準温調手段と、
前記保持領域の少なくとも一部を前記基準温度とは異なる温度に温調する補正温調手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記所定の熱処理は基板の加熱処理であり、
前記熱処理部は、所定の加熱温度にて基板の加熱処理を行い、
前記基準温度および前記補正温調手段によって温調される温度は前記所定の加熱温度よりも低温であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記所定の熱処理は、化学増幅型のレジスト膜にパターン露光がなされた基板の露光後加熱処理であり、
前記基準温度および前記補正温調手段によって温調される温度は前記レジスト膜の化学反応が停止する温度以下であることを特徴とする熱処理装置。 - 化学増幅型のレジスト膜にパターン露光がなされた基板の露光後加熱処理を行う熱処理装置であって、
装置外部との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置面上に載置する基板受渡部と、
基板に前記露光後加熱処理を行う熱処理部と、
基板を載置して保持する搬送アームと、
前記基板受渡部にて処理前の基板を受け取った前記搬送アームを前記熱処理部に移動させるとともに、前記熱処理部にて処理後の基板を受け取った前記搬送アームを前記基板受渡部に移動させるアーム駆動手段と、
前記基板受渡部の前記載置面のうちの少なくとも基板と対向する保持領域の全体を基準温度に温調する基準温調手段と、
前記保持領域の少なくとも一部を前記基準温度とは異なる温度に温調する補正温調手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 熱処理プレートの載置面上に基板を載置して当該基板を熱処理する熱処理装置であって、
前記載置面のうちの少なくとも基板と対向する保持領域を温調する第1の温調手段と、
前記保持領域の少なくとも一部を前記第1の温調手段による温調に加えて温調する第2の温調手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
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US12/045,986 US8383990B2 (en) | 2007-03-20 | 2008-03-11 | Substrate transport apparatus and heat treatment apparatus |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010118446A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理装置 |
WO2010150584A1 (ja) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
US9064914B2 (en) | 2010-10-14 | 2015-06-23 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Method of and apparatus for heat-treating exposed substrate |
JP2016219383A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP2017117852A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2018018860A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法 |
JP2018195849A (ja) * | 2018-08-21 | 2018-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2019533835A (ja) * | 2016-10-28 | 2019-11-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 微細構造化部品のマイクロリソグラフィ製造のための方法 |
JP2020092165A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
CN112157407A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-01 | 靖江先锋半导体科技有限公司 | 晶圆传输装置及底座的加工方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5086948B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2012-11-28 | トヨタ自動車株式会社 | キャリア位置決め方法及びキャリア搬送装置 |
KR101431782B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2014-08-20 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 금속 유기물 화학 기상 증착장치 및 이를 위한 온도제어방법 |
JP2012174819A (ja) | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Sokudo Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
TW201301368A (zh) * | 2011-06-17 | 2013-01-01 | Chung Shan Inst Of Science | 化合物太陽能電池吸收層薄膜製程設備與方法 |
CN103858214B (zh) | 2011-11-03 | 2017-02-22 | 应用材料公司 | 快速热处理腔室 |
JP6276919B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置および試料台 |
JP5977728B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
KR20180011119A (ko) * | 2015-05-22 | 2018-01-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 방위방향으로 튜닝가능한 다중-구역 정전 척 |
CN107665868B (zh) * | 2016-07-29 | 2020-03-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶片冷却方法和晶片冷却设备 |
JP6930119B2 (ja) * | 2017-01-30 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び基板処理装置 |
JP6994307B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2022-01-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7091227B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2022-06-27 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304198A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Tel Varian Ltd | 搬送装置 |
JPH08264618A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001274078A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Canon Inc | 温調装置、デバイス製造装置およびデバイス製造方法 |
JP2001297977A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Ferrotec Corp | 急速加熱・冷却板 |
JP2003100839A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置および熱処理装置 |
JP2003347386A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Seiko Epson Corp | 基材搬送方法、半導体装置の製造方法、集積回路、ディスプレイ装置、及び電子機器 |
JP2005159018A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材 |
JP2005277074A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材とその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0395952A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
JPH07142408A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Nissin Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH11168131A (ja) | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Nec Kyushu Ltd | ウエハ搬送チャック |
JPH11176902A (ja) * | 1997-12-10 | 1999-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びその製造方法 |
JP2000119874A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-25 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
KR20010019206A (ko) * | 1999-08-25 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼 운송장치 |
JP2002009129A (ja) | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板搬送アーム及び基板搬送方法 |
JP3593496B2 (ja) | 2000-07-24 | 2004-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理装置 |
US6646233B2 (en) * | 2002-03-05 | 2003-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method |
JP4274736B2 (ja) | 2002-03-28 | 2009-06-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4342147B2 (ja) | 2002-05-01 | 2009-10-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2004342654A (ja) | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20050121913A (ko) | 2004-06-23 | 2005-12-28 | 삼성전자주식회사 | 베이크 장치 |
-
2007
- 2007-03-20 JP JP2007072351A patent/JP5064069B2/ja active Active
-
2008
- 2008-03-06 TW TW097107796A patent/TWI425586B/zh active
- 2008-03-11 US US12/045,986 patent/US8383990B2/en active Active
- 2008-03-18 KR KR1020080024738A patent/KR101021396B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304198A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Tel Varian Ltd | 搬送装置 |
JPH08264618A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001274078A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Canon Inc | 温調装置、デバイス製造装置およびデバイス製造方法 |
JP2001297977A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Ferrotec Corp | 急速加熱・冷却板 |
JP2003100839A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置および熱処理装置 |
JP2003347386A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Seiko Epson Corp | 基材搬送方法、半導体装置の製造方法、集積回路、ディスプレイ装置、及び電子機器 |
JP2005159018A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材 |
JP2005277074A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材とその製造方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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