JP2008228038A - Semiconductor integrated circuit and test method thereof - Google Patents

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善之 江積
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce test cost for a communication function of transmission and reception incorporated in a semiconductor integrated circuit. <P>SOLUTION: A semiconductor integrated circuit 100 includes receiving systems 4-12, transmitting systems 13-16, and an RF test signal supply circuit 18. The RF test signal supply circuit 18 converts RF transmission output signals from the transmitting systems into RF test signals of a frequency band processable for the receiving systems and supplies the converted signals to the receiving systems. The semiconductor integrated circuit 100 is set into a normal operation mode to perform transmitting/receiving operation with the receiving systems and the transmitting systems. The semiconductor integrated circuit 100 is set into the other operation mode different from the normal operation mode so that the RF test signal supply circuit 18 supplies the converted RF test signals to the receiving systems. When received signals in the receiving systems are normal during a test, it is determined that the receiving systems and the transmitting systems of the semiconductor integrated circuit 100 are normal. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路およびそのテスト方法に係り、特に半導体集積回路に内蔵された送受信の通信機能のテストを容易とするのに有益な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a test method thereof, and more particularly to a technique useful for facilitating a test of a transmission / reception communication function built in a semiconductor integrated circuit.

携帯電話端末等の通信端末機器による無線通信のモバイル機能を有する種々の通信用半導体集積回路が進められている。これらのモバイルシステムは、GSM、GPRS、EDGE、WCDMA、DCS、PCSのセルラーを含んでいる。これらのシステムの特性は、一定包落線と包落線変化との信号、時分割とコード分割とのマルチプレックスの広範囲な組み合わせのマルチバンド、マルチモードへの要望が、大きくなっている。尚、GSMはGlobal System for Mobile Communicationの略であり、GPRSはGeneral Packet Radio Serviceの略である。EDGEは、Enhanced Data for GSM Evolution; Enhanced Data for GPRSの略である。WCDMAは、Wideband Code Division Multiple Accessの略である。DCSは、Digital Cellular Systemの略である。PCSは、Personal Communication Systemの略である。   Various semiconductor integrated circuits for communication having a mobile function of wireless communication by a communication terminal device such as a mobile phone terminal have been developed. These mobile systems include GSM, GPRS, EDGE, WCDMA, DCS, PCS cellular. As for the characteristics of these systems, there is a growing demand for multiband and multimode of a wide range of combinations of signals of constant envelope and envelope change, a multiplex of time division and code division. GSM is an abbreviation for Global System for Mobile Communication, and GPRS is an abbreviation for General Packet Radio Service. EDGE is an abbreviation for Enhanced Data for GSM Evolution; Enhanced Data for GPRS. WCDMA is an abbreviation for Wideband Code Division Multiple Access. DCS is an abbreviation for Digital Cellular System. PCS is an abbreviation for Personal Communication System.

下記特許文献1には、自己テスト機能を組み込んだ無線周波数トランシーバが記載されている。このトランシーバは824〜849MHzの低RF周波数帯域と869〜894MHzの高RF周波数帯域のいずれかで受信する一方、869〜894MHzの高RF周波数帯域で送信する。トランシーバの送信機は、低RF周波数帯域の824〜849MHzの特別に符号化されたテスト信号をトランシーバの受信機に供給する。受信機でテスト信号が正常に受信されると、トランシーバの送信および受信の経路が正常に動作していることが判別されることができる。   Patent Document 1 below describes a radio frequency transceiver incorporating a self-test function. The transceiver receives in either the low RF frequency band of 824-849 MHz or the high RF frequency band of 869-894 MHz, while transmitting in the high RF frequency band of 869-894 MHz. The transceiver transmitter provides a specially encoded test signal of 824-849 MHz in the low RF frequency band to the transceiver receiver. When the test signal is successfully received at the receiver, it can be determined that the transmission and reception paths of the transceiver are operating normally.

下記特許文献2には、RF受信信号を低IF(低い中間周波数)の信号に変換する低IF受信機において直交復調されたI信号とQ信号の位相および振幅の調整を行い不要なイメージを除去する技術が記載されている。校正モードにおいて、送信用電圧制御発振器の出力信号が直交ミキサに供給されて、位相および振幅の調整が行われる。   Patent Document 2 below removes unnecessary images by adjusting the phase and amplitude of quadrature demodulated I and Q signals in a low IF receiver that converts RF received signals into low IF (low intermediate frequency) signals. The technology to do is described. In the calibration mode, the output signal of the transmission voltage controlled oscillator is supplied to the quadrature mixer to adjust the phase and amplitude.

また、下記非特許文献1には、装置の数の急激な増大により周波数帯域が過密となり、技術の進歩により低コスト高集積トランシーバが安価で大量に生産できるようになったので、ISM周波数帯域の900MHzから2.4GHzへの移行が促進されたことが記載されている。また、今日、コードレス電話、ブルートースデバイス、802.11b/gネットワーク、マイクロウェーブにより、2.4GHzのISM周波数帯域も過密となっている。それにより、通信機器製造者による5.8GHzのISM周波数帯域を使用した機器の開発も活性化されることも、下記非特許文献1に記載されている。   Further, in Non-Patent Document 1 below, the frequency band becomes overcrowded due to a rapid increase in the number of devices, and low-cost highly integrated transceivers can be produced in large quantities at low cost due to technological advances. It is described that the transition from 900 MHz to 2.4 GHz was promoted. Today, the 2.4 GHz ISM frequency band is also overcrowded by cordless phones, Bluetooth devices, 802.11b / g networks, and microwaves. It is also described in Non-Patent Document 1 below that the communication device manufacturer also activates the development of devices using the 5.8 GHz ISM frequency band.

また、ISM周波数帯域は、当初は産業、科学および医学を目的としたRF電磁界の非営利的使用のために国際的に予約されたものである。最近、ISM周波数帯域は、900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzの4つの周波数帯域で、無線LAN、ブルートース等においてライセンスフリーでエラー耐性のある通信で共有されている。   Also, the ISM frequency band was initially internationally reserved for non-commercial use of RF fields for industrial, scientific and medical purposes. Recently, ISM frequency bands are four frequency bands of 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz, and are shared by license-free and error-resistant communication in wireless LAN, Bluetooth, and the like.

特開平10−93488号 公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-93488 特開平11−251947号 公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-251947 G. Luff et al, “A Low Cost, Higly Integrated 5.8GHz Low−IF Tranceiver for 1.5Mbps Streaming Data Application”, 2004 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, PP.343−346.G. Luff et al, “A Low Cost, Highly Integrated 5.8 GHz Low-IF Transceiver for 1.5 Mbps Streaming Data Application”, 2004 IEEE RadioFrequencyIncidencePP. 343-346.

無線通信端末装置の受信機でI相信号とQ相信号の振幅及び位相成分のミスマッチ等の受信信号の誤差を短時間に高精度で校正を行うためには、受信帯域内の周波数を有するテスト信号が必要となる。前記特許文献2では、I相信号とQ相信号の振幅及び位相のミスマッチ等の受信信号の誤差を校正する際に、RF受信帯域のテスト信号を送信用電圧制御発振器(Tx−VCO)から生成して受信機の直交ミキサー回路に入力している。   In order to calibrate the received signal error such as mismatch of amplitude and phase component of I-phase signal and Q-phase signal with high accuracy in a short time at the receiver of the wireless communication terminal device, a test having a frequency within the reception band A signal is required. In Patent Document 2, a test signal in the RF reception band is generated from a transmission voltage controlled oscillator (Tx-VCO) when calibrating received signal errors such as amplitude and phase mismatches between the I-phase signal and the Q-phase signal. And input to the quadrature mixer circuit of the receiver.

本発明者は本発明に先立って、ISM周波数帯域の複数の周波数帯域(900MHz、5.8GHz)を使用するアナログコードレス電話に搭載される通信用半導体集積回路の開発に従事した。このアナログコードレス電話では、子機は親機から900MHzの周波数帯域のRF信号を受信する一方、親機に5.8GHzの周波数帯域のRF信号を送信する。また、固定電話回線に接続される親機は5.8GHzの周波数帯域のRF信号を受信する一方、子機に900MHzの周波数帯域のRF信号を送信する。子機用と親機用の通信用半導体集積回路は、別仕様のチップで構成することも可能であるが、子機と親機とに共通に使用可能な通信用半導体集積回路では電源投入時等の動作モード設定により、子機用と親機用とに設定されることができる。子機用通信用半導体集積回路は900MHzのRF信号受信と5.8GHzのRF信号送信とを行い、親機用通信用半導体集積回路は5.8GHzのRF信号受信と900MHzのRF信号送信とを行う。   Prior to the present invention, the inventor engaged in the development of a semiconductor integrated circuit for communication mounted on an analog cordless telephone using a plurality of frequency bands (900 MHz, 5.8 GHz) of the ISM frequency band. In this analog cordless telephone, the slave unit receives an RF signal in a frequency band of 900 MHz from the master unit, and transmits an RF signal in a frequency band of 5.8 GHz to the master unit. The master unit connected to the fixed telephone line receives the RF signal in the frequency band of 5.8 GHz, and transmits the RF signal in the frequency band of 900 MHz to the slave unit. The communication semiconductor integrated circuit for the slave unit and the master unit can be configured with chips of different specifications, but the communication semiconductor integrated circuit that can be used in common for the slave unit and the master unit is turned on. By setting the operation mode such as, it can be set for the slave unit and the master unit. The slave unit communication semiconductor integrated circuit performs 900 MHz RF signal reception and 5.8 GHz RF signal transmission, and the base unit communication semiconductor integrated circuit performs 5.8 GHz RF signal reception and 900 MHz RF signal transmission. Do.

この子機とこの親機とに共通使用可能な通信用半導体集積回路の生産では、次のようなテストが必要となった。図16は、本発明に先立って本発明者等により検討されたアナログコードレス電話に搭載される通信用半導体集積回路の子機としての送受信の通信機能のテストを説明する図である。   In the production of a communication semiconductor integrated circuit that can be used in common with this slave unit and this master unit, the following tests were required. FIG. 16 is a diagram for explaining a test of a transmission / reception communication function as a slave unit of a semiconductor integrated circuit for communication mounted on an analog cordless telephone studied by the present inventors prior to the present invention.

同図において、アナログコードレス電話に搭載される通信用半導体集積回路100は、受信システムと送信システムとを含む。受信システムは、ローノイズアンプ4、バンドパスフィルタ5、8、11、受信ミキサ6、受信用電圧制御発振器7、中間周波増幅器9、FM復調器10、出力増幅器12を含む。送信システムは、入力増幅器13、FM変調器14、ドライバ15、RFパワー増幅器16を含み、FM変調器14は送信用電圧制御発振器14aと変調制御部14bとを含んでいる。   In the figure, a communication semiconductor integrated circuit 100 mounted on an analog cordless telephone includes a reception system and a transmission system. The reception system includes a low noise amplifier 4, bandpass filters 5, 8 and 11, a reception mixer 6, a reception voltage control oscillator 7, an intermediate frequency amplifier 9, an FM demodulator 10, and an output amplifier 12. The transmission system includes an input amplifier 13, an FM modulator 14, a driver 15, and an RF power amplifier 16, and the FM modulator 14 includes a transmission voltage control oscillator 14a and a modulation control unit 14b.

通信用半導体集積回路100には、ベースバンド信号外部テスト装置200とRF信号外部テスト装置300とが接続される。ベースバンド信号外部テスト装置200はベースバンド受信信号アナライザ200Aとベースバンド送信信号発生器200Bとを含み、RF信号外部テスト装置300はRF受信信号発生器300AとRF受信信号アナライザ300Bとを含んでいる。   A baseband signal external test device 200 and an RF signal external test device 300 are connected to the communication semiconductor integrated circuit 100. The baseband signal external test apparatus 200 includes a baseband reception signal analyzer 200A and a baseband transmission signal generator 200B, and the RF signal external test apparatus 300 includes an RF reception signal generator 300A and an RF reception signal analyzer 300B. .

通信用半導体集積回路100の子機としての送受信の通信機能のテストするために、ベースバンド信号外部テスト装置200からコマンドCMDが信用半導体集積回路100のコマンド入力部19に供給される。このコマンドCMDは電源投入時等の初期化動作での複数の動作モード設定命令のひとつであり、通信用半導体集積回路100をアナログコードレス電話の子機として動作させるものである。   A command CMD is supplied from the baseband signal external test apparatus 200 to the command input unit 19 of the trusted semiconductor integrated circuit 100 in order to test the transmission / reception communication function as a slave unit of the communication semiconductor integrated circuit 100. This command CMD is one of a plurality of operation mode setting commands in an initialization operation such as when the power is turned on, and operates the communication semiconductor integrated circuit 100 as a slave of an analog cordless telephone.

RF信号外部テスト装置300のRF受信信号発生器300Aから生成された900MHzのRFテスト信号が、バンドパスフィルタ3を介して通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。ローノイズアンプ4の900MHzのRF増幅信号は、バンドパスフィルタ5を介して受信ミキサ6の一方の入力端子に供給される。受信用電圧制御発振器7から生成された所定の周波数を持つ受信キャリア信号が受信ミキサ6の他方の入力端子に供給され、受信ミキサ6の出力から中間周波信号が生成される。この中間周波信号はバンドパスフィルタ8を介して中間周波増幅器9によって増幅された後、FM復調器10の入力に供給される。FM復調器10から生成されたFM復調出力信号は出力増幅器12によって増幅された後、ベースバンド信号外部テスト装置200のベースバンド受信信号アナライザ200Aの入力に供給される。ベースバンド受信信号アナライザ200Aは、通信用半導体集積回路100の出力増幅器12からのベースバンド受信信号を解析することにより、通信用半導体集積回路100の子機としての受信機能が正常か否かをテストするものである。   The 900 MHz RF test signal generated from the RF reception signal generator 300 </ b> A of the RF signal external test apparatus 300 is supplied to the input of the low noise amplifier 4 of the communication semiconductor integrated circuit 100 through the band pass filter 3. The 900 MHz RF amplified signal of the low noise amplifier 4 is supplied to one input terminal of the reception mixer 6 via the band pass filter 5. A reception carrier signal having a predetermined frequency generated from the reception voltage control oscillator 7 is supplied to the other input terminal of the reception mixer 6, and an intermediate frequency signal is generated from the output of the reception mixer 6. The intermediate frequency signal is amplified by the intermediate frequency amplifier 9 via the band pass filter 8 and then supplied to the input of the FM demodulator 10. The FM demodulated output signal generated from the FM demodulator 10 is amplified by the output amplifier 12, and then supplied to the input of the baseband received signal analyzer 200A of the baseband signal external test apparatus 200. The baseband reception signal analyzer 200A tests whether the reception function as a slave unit of the communication semiconductor integrated circuit 100 is normal by analyzing the baseband reception signal from the output amplifier 12 of the communication semiconductor integrated circuit 100. To do.

ベースバンド信号外部テスト装置200のベースバンド送信信号発生器200Bから生成されたベースバンド送信テスト信号は、通信用半導体集積回路100の入力増幅器13の入力に供給される。入力増幅器13の出力信号はFM変調器14の変調制御部14bに供給されることにより、変調制御部14bの出力信号によって送信用電圧制御発振器14aの出力周波数が変調される。FM変調器14の略5.8GHzの周波数のFM変調RF信号はドライバ15によって増幅された後、RFパワー増幅器16の入力に供給される。RFパワー増幅器16の略5.8GHzのRF送信信号は、バンドパスフィルタ17を介してRF信号外部テスト装置300のRF受信信号アナライザ300Bの入力に供給される。RF受信信号アナライザ300Bは、通信用半導体集積回路100のRFパワー増幅器16からのRF送信信号を解析することにより、通信用半導体集積回路100の子機としての送信機能が正常か否かをテストするものである。   The baseband transmission test signal generated from the baseband transmission signal generator 200B of the baseband signal external test apparatus 200 is supplied to the input of the input amplifier 13 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The output signal of the input amplifier 13 is supplied to the modulation control unit 14b of the FM modulator 14, whereby the output frequency of the transmission voltage controlled oscillator 14a is modulated by the output signal of the modulation control unit 14b. The FM modulated RF signal having a frequency of approximately 5.8 GHz of the FM modulator 14 is amplified by the driver 15 and then supplied to the input of the RF power amplifier 16. The RF transmission signal of about 5.8 GHz of the RF power amplifier 16 is supplied to the input of the RF reception signal analyzer 300 </ b> B of the RF signal external test apparatus 300 through the band pass filter 17. The RF reception signal analyzer 300B tests whether or not the transmission function as a slave unit of the communication semiconductor integrated circuit 100 is normal by analyzing the RF transmission signal from the RF power amplifier 16 of the communication semiconductor integrated circuit 100. Is.

図17は、本発明に先立って本発明者等により検討されたアナログコードレス電話に搭載される通信用半導体集積回路の親機としての送受信の通信機能のテストを説明する図である。   FIG. 17 is a diagram for explaining a test of a transmission / reception communication function as a master unit of a communication semiconductor integrated circuit mounted on an analog cordless telephone studied by the present inventors prior to the present invention.

通信用半導体集積回路100の親機としての送受信の通信機能のテストするために、ベースバンド信号外部テスト装置200からコマンドCMDが信用半導体集積回路100のコマンド入力部19に供給される。このコマンドCMDは電源投入時等の初期化動作での複数の動作モード設定命令のひとつであり、通信用半導体集積回路100をアナログコードレス電話の親機として動作させるものである。   A command CMD is supplied from the baseband signal external test device 200 to the command input unit 19 of the trusted semiconductor integrated circuit 100 in order to test the transmission / reception communication function as the parent device of the communication semiconductor integrated circuit 100. This command CMD is one of a plurality of operation mode setting instructions in an initialization operation such as when the power is turned on, and operates the communication semiconductor integrated circuit 100 as a master unit of an analog cordless telephone.

RF信号外部テスト装置300のRF受信信号発生器300Aから生成された5.8GHzのRFテスト信号が、バンドパスフィルタ3を介して通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。ローノイズアンプ4の5.8GHzのRF増幅信号は、バンドパスフィルタ5を介して受信ミキサ6の一方の入力端子に供給される。受信用電圧制御発振器7から生成された所定の周波数を持つ受信キャリア信号が受信ミキサ6の他方の入力端子に供給され、受信ミキサ6の出力から中間周波信号が生成される。この中間周波信号はバンドパスフィルタ8を介して中間周波増幅器9によって増幅された後、FM復調器10の入力に供給される。FM復調器10から生成されたFM復調出力信号は出力増幅器12によって増幅された後、ベースバンド信号外部テスト装置200のベースバンド受信信号アナライザ200Aの入力に供給される。ベースバンド受信信号アナライザ200Aは、通信用半導体集積回路100の出力増幅器12からのベースバンド受信信号を解析することにより、通信用半導体集積回路100の親機としての受信機能が正常か否かをテストするものである。   The RF test signal of 5.8 GHz generated from the RF reception signal generator 300 </ b> A of the RF signal external test apparatus 300 is supplied to the input of the low noise amplifier 4 of the communication semiconductor integrated circuit 100 through the band pass filter 3. The 5.8 GHz RF amplified signal of the low noise amplifier 4 is supplied to one input terminal of the reception mixer 6 via the band pass filter 5. A reception carrier signal having a predetermined frequency generated from the reception voltage control oscillator 7 is supplied to the other input terminal of the reception mixer 6, and an intermediate frequency signal is generated from the output of the reception mixer 6. The intermediate frequency signal is amplified by the intermediate frequency amplifier 9 via the band pass filter 8 and then supplied to the input of the FM demodulator 10. The FM demodulated output signal generated from the FM demodulator 10 is amplified by the output amplifier 12, and then supplied to the input of the baseband received signal analyzer 200A of the baseband signal external test apparatus 200. The baseband reception signal analyzer 200A tests whether or not the reception function as the master unit of the communication semiconductor integrated circuit 100 is normal by analyzing the baseband reception signal from the output amplifier 12 of the communication semiconductor integrated circuit 100. To do.

ベースバンド信号外部テスト装置200のベースバンド送信信号発生器200Bから生成されたベースバンド送信テスト信号は、通信用半導体集積回路100の入力増幅器13の入力に供給される。入力増幅器13の出力信号はFM変調器14の変調制御部14bに供給されることにより、変調制御部14bの出力信号によって送信用電圧制御発振器14aの出力周波数が変調される。FM変調器14の略900MHzの周波数のFM変調RF信号はドライバ15によって増幅された後、RFパワー増幅器16の入力に供給される。RFパワー増幅器16の略900MHzのRF送信信号は、バンドパスフィルタ17を介してRF信号外部テスト装置300のRF受信信号アナライザ300Bの入力に供給される。RF受信信号アナライザ300Bは、通信用半導体集積回路100のRFパワー増幅器16からのRF送信信号を解析することにより、通信用半導体集積回路100の親機としての送信機能が正常か否かをテストするものである。   The baseband transmission test signal generated from the baseband transmission signal generator 200B of the baseband signal external test apparatus 200 is supplied to the input of the input amplifier 13 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The output signal of the input amplifier 13 is supplied to the modulation control unit 14b of the FM modulator 14, whereby the output frequency of the transmission voltage controlled oscillator 14a is modulated by the output signal of the modulation control unit 14b. The FM modulated RF signal having a frequency of approximately 900 MHz of the FM modulator 14 is amplified by the driver 15 and then supplied to the input of the RF power amplifier 16. The RF transmission signal of about 900 MHz from the RF power amplifier 16 is supplied to the input of the RF reception signal analyzer 300B of the RF signal external test apparatus 300 through the band pass filter 17. The RF reception signal analyzer 300B tests whether or not the transmission function as the master unit of the communication semiconductor integrated circuit 100 is normal by analyzing the RF transmission signal from the RF power amplifier 16 of the communication semiconductor integrated circuit 100. Is.

しかしながら、本発明者等の検討によれば、上記のテストには高価格のRF信号外部テスト装置300が必要であると言う問題が明らかとされた。また、上記のテストでは、バンドパスフィルタ3、17とRF信号外部テスト装置300のRF受信信号発生器300A、RF受信信号アナライザ300Bとを略900MHzの周波数と略5.8GHzの周波数とに切り換える必要がある。この切り換えには時間が必要であり、上記のテストはテスト時間が長くなり、テストコストが大きいと言う問題も明らかとされた。   However, according to the study by the present inventors, it has been clarified that the above test requires an expensive RF signal external test apparatus 300. In the above test, the band-pass filters 3 and 17 and the RF reception signal generator 300A and the RF reception signal analyzer 300B of the RF signal external test apparatus 300 need to be switched between a frequency of about 900 MHz and a frequency of about 5.8 GHz. There is. This switching takes time, and it has been clarified that the above test requires a long test time and a high test cost.

従って、このように本発明は、本発明者等によって本発明に先立ってなされた検討を基にしてなされたものである。また、本発明の目的は、半導体集積回路に内蔵された送受信の通信機能のテストコストの低減を可能とすることにある。   Therefore, the present invention has been made on the basis of studies made prior to the present invention by the present inventors. It is another object of the present invention to reduce the test cost of a transmission / reception communication function built in a semiconductor integrated circuit.

本願において開示される発明のうち代表的なものについて簡単に説明すれば下記のとおりである。   A representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、本発明の代表的な半導体集積回路は、RF受信入力信号を処理する受信システムと、RF送信出力信号を生成する送信システムとを含む。前記半導体集積回路は、前記送信システムにより送信周波数帯域に生成された前記RF送信出力信号を前記受信システムにより処理可能な周波数帯域を持つRFテスト信号に変換して該RFテスト信号を前記受信システムに供給するRFテスト信号供給回路(18)を更に含む。   That is, a typical semiconductor integrated circuit of the present invention includes a reception system that processes an RF reception input signal and a transmission system that generates an RF transmission output signal. The semiconductor integrated circuit converts the RF transmission output signal generated in the transmission frequency band by the transmission system into an RF test signal having a frequency band that can be processed by the reception system, and converts the RF test signal to the reception system. An RF test signal supply circuit (18) for supplying is further included.

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。   The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、本発明によれば、半導体集積回路に内蔵された送受信の通信機能のテストコストの低減を可能とすることができる。   That is, according to the present invention, it is possible to reduce the test cost of the transmission / reception communication function built in the semiconductor integrated circuit.

《代表的な実施の形態》
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
<Typical embodiment>
First, an outline of a typical embodiment of the invention disclosed in the present application will be described. The reference numerals in the drawings referred to with parentheses in the outline description of the representative embodiments merely exemplify what are included in the concept of the components to which the reference numerals are attached.

〔1〕本発明の代表的な実施の形態に係る半導体集積回路(100)は、RF受信入力信号を処理する受信システム(4、5…12)と、RF送信出力信号を生成する送信システム(13…16)とを含む。前記RF受信入力信号は所定の受信周波数帯域に設定可能とされ、前記RF送信出力信号は前記受信周波数帯域の周波数と異なる所定の送信周波数帯域に設定可能とされている。   [1] A semiconductor integrated circuit (100) according to a typical embodiment of the present invention includes a reception system (4, 5... 12) for processing an RF reception input signal, and a transmission system for generating an RF transmission output signal ( 13 ... 16). The RF reception input signal can be set to a predetermined reception frequency band, and the RF transmission output signal can be set to a predetermined transmission frequency band different from the frequency of the reception frequency band.

前記半導体集積回路は、前記送信システムにより前記送信周波数帯域に生成された前記RF送信出力信号を前記受信システムにより処理可能な周波数帯域を持つRFテスト信号に変換して該RFテスト信号を前記受信システムに供給するRFテスト信号供給回路(18)を更に含む。   The semiconductor integrated circuit converts the RF transmission output signal generated in the transmission frequency band by the transmission system into an RF test signal having a frequency band that can be processed by the reception system, and converts the RF test signal into the reception system. The circuit further includes an RF test signal supply circuit (18) for supplying to the circuit.

前記半導体集積回路は通常動作モードに設定されることにより、前記受信システムは前記受信周波数帯域に設定された前記RF受信入力信号を処理する一方、前記送信システムは前記送信周波数帯域に設定された前記RF送信出力信号を生成するものである。   The semiconductor integrated circuit is set in a normal operation mode, so that the reception system processes the RF reception input signal set in the reception frequency band, while the transmission system is set in the transmission frequency band. An RF transmission output signal is generated.

前記半導体集積回路は前記通常動作モードと異なる他の動作モードに設定されることにより、前記RFテスト信号供給回路は前記RFテスト信号を前記受信システムに供給するものである(図1参照)。   When the semiconductor integrated circuit is set to another operation mode different from the normal operation mode, the RF test signal supply circuit supplies the RF test signal to the reception system (see FIG. 1).

好適な実施の形態として、前記他の動作モードは前記半導体集積回路のテストモードである。前記テストモードとしての前記他の動作モードで前記RFテスト信号供給回路を使用することにより、前記半導体集積回路の前記送信システムと前記受信システムとが正常か否かのテストを可能とするものである。   As a preferred embodiment, the other operation mode is a test mode of the semiconductor integrated circuit. By using the RF test signal supply circuit in the other operation mode as the test mode, it is possible to test whether the transmission system and the reception system of the semiconductor integrated circuit are normal. .

従って、前記好適な実施の形態によれば、前記他の動作モードにおいて、低価格の汎用外部テスト装置から送信テスト信号を前記半導体集積回路の前記受信システムに供給することにより、前記送信システムは前記送信周波数帯域に設定された前記RF送信出力信号を生成するものである。前記RFテスト信号供給回路が前記送信システムからの前記RF送信出力信号を変換した前記RFテスト信号を前記受信システムに供給するものである。前記RFテスト信号の周波数は、前記受信システムにより処理可能となっている。前記受信システムから生成される復調出力信号を低価格の汎用外部テスト装置によって解析することにより、前記半導体集積回路の前記送信システムと前記受信システムとが正常か否かをテストすることができる(図14、図15参照)。従って、半導体集積回路に内蔵された送受信の通信機能のテストコストの低減を可能とすることができる。   Therefore, according to the preferred embodiment, in the other operation mode, by supplying a transmission test signal from a low-cost general-purpose external test device to the reception system of the semiconductor integrated circuit, the transmission system is The RF transmission output signal set in the transmission frequency band is generated. The RF test signal supply circuit supplies the RF test signal obtained by converting the RF transmission output signal from the transmission system to the reception system. The frequency of the RF test signal can be processed by the receiving system. By analyzing the demodulated output signal generated from the reception system by a low-cost general-purpose external test device, it is possible to test whether the transmission system and the reception system of the semiconductor integrated circuit are normal (see FIG. 14, see FIG. Therefore, it is possible to reduce the test cost of the transmission / reception communication function built in the semiconductor integrated circuit.

他の好適な実施の形態として、前記他の動作モードは前記半導体集積回路の校正モードである。前記校正モードとしての前記他の動作モードで前記RFテスト信号供給回路を使用することにより、前記通常動作モードに先立って前記半導体集積回路の前記受信システムの受信誤差を低減する校正動作を可能とするものである。   As another preferred embodiment, the other operation mode is a calibration mode of the semiconductor integrated circuit. By using the RF test signal supply circuit in the other operation mode as the calibration mode, it is possible to perform a calibration operation that reduces the reception error of the reception system of the semiconductor integrated circuit prior to the normal operation mode. Is.

従って、前記好適な実施の形態によれば、前記通常動作モードに先立った前記半導体集積回路の前記受信システムの受信誤差を低減する校正動作を可能とすることができる。   Therefore, according to the preferred embodiment, it is possible to perform a calibration operation for reducing the reception error of the reception system of the semiconductor integrated circuit prior to the normal operation mode.

好適な形態として、前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域の周波数が前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域の周波数よりも高く設定された場合に、前記RFテスト信号供給回路は周波数ダウンコンバージョンのモードに設定される。前記RFテスト信号供給回路の前記周波数ダウンコンバージョンの機能により、前記RF送信出力信号が低い周波数に変換されることにより前記RFテスト信号が前記RFテスト信号供給回路により生成される(図14参照)。前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域の周波数が前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域の周波数よりも低く設定された場合に、前記RFテスト信号供給回路は周波数アップコンバージョンのモードに設定される。前記RFテスト信号供給回路の前記周波数アップコンバージョンの機能により、前記RF送信出力信号が高い周波数に変換されることにより前記RFテスト信号が前記RFテスト信号供給回路により生成される(図15参照)。   As a preferred mode, when the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set higher than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal, the RF test signal supply circuit performs frequency down-conversion. Set to mode. The RF test signal is generated by the RF test signal supply circuit by converting the RF transmission output signal to a low frequency by the frequency down-conversion function of the RF test signal supply circuit (see FIG. 14). When the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set lower than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal, the RF test signal supply circuit is set to a frequency up-conversion mode. . The RF test signal is generated by the RF test signal supply circuit by converting the RF transmission output signal to a high frequency by the function of the frequency up-conversion of the RF test signal supply circuit (see FIG. 15).

より好適な形態として、前記RFテスト信号供給回路は、フェーズロックドループ回路を含んでいる。   As a more preferred form, the RF test signal supply circuit includes a phase-locked loop circuit.

更に好適な形態として、前記RFテスト信号供給回路は、分周器の分周数が分数を含むことが可能なフラクショナルフェーズロックドループ回路を含んでいる(図4参照)。   Further preferably, the RF test signal supply circuit includes a fractional phase locked loop circuit in which the frequency division number of the frequency divider can include a fraction (see FIG. 4).

前記更に好適な形態によれば、前記RFテスト信号供給回路の周波数変換の自由度を向上することが可能となる。   According to the further preferred embodiment, it is possible to improve the degree of freedom of frequency conversion of the RF test signal supply circuit.

より好適な形態として、前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域と前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域とはISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzの4つの周波数帯域のいずれか2つの周波数帯域に設定可能である。   More preferably, the reception frequency band of the RF reception input signal and the transmission frequency band of the RF transmission output signal are four frequencies of 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz of the ISM frequency band. Any two frequency bands can be set.

〔2〕本発明の他の実施の形態に係る半導体集積回路のテスト方法は、前記〔1〕に記載の半導体集積回路(100)を準備するステップを含む。   [2] A method of testing a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention includes a step of preparing the semiconductor integrated circuit (100) according to [1].

前記テスト方法は、RF送信出力信号の送信周波数帯域の周波数がRF受信入力信号の受信周波数帯域の周波数よりも高く設定される場合の動作モードのテストのために、RFテスト信号供給回路は周波数ダウンコンバージョンのモードに設定するステップを含む。   In the test method, the RF test signal supply circuit reduces the frequency in order to test the operation mode when the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set higher than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal. Including the step of setting the mode of conversion.

前記テスト方法は、外部テスト装置から送信テスト信号を送信システムに供給して、RFテスト信号供給回路の周波数ダウンコンバージョンの機能により生成された低い周波数のRFテスト信号に応答する受信システムから生成される受信出力信号を外部テスト装置により解析するステップを含む(図12参照)。   The test method is generated from a receiving system that supplies a transmission test signal from an external test apparatus to the transmission system and responds to a low frequency RF test signal generated by the frequency down conversion function of the RF test signal supply circuit. The step of analyzing the received output signal by an external test device is included (see FIG. 12).

前記テスト方法は、RF送信出力信号の送信周波数帯域の周波数がRF受信入力信号の受信周波数帯域の周波数よりも低く設定される場合の動作モードのテストのために、RFテスト信号供給回路は周波数アップコンバージョンのモードに設定するステップを含む。   In the test method, the RF test signal supply circuit increases the frequency to test the operation mode when the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set lower than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal. Including the step of setting the mode of conversion.

前記テスト方法は、外部テスト装置から送信テスト信号を送信システムに供給して、RFテスト信号供給回路の周波数アップコンバージョンの機能により生成された高い周波数のRFテスト信号に応答する受信システムから生成される受信出力信号を外部テスト装置により解析するステップを含む(図13参照)。   The test method is generated from a receiving system that supplies a transmission test signal from an external test device to a transmission system and responds to a high frequency RF test signal generated by the frequency up-conversion function of the RF test signal supply circuit. The step of analyzing the received output signal by an external test device is included (see FIG. 13).

《実施の形態の説明》
次に、実施の形態について更に詳述する。
<< Description of Embodiment >>
Next, the embodiment will be described in more detail.

《アナログコードレス電話に使用可能な通信用半導体集積回路の構成》
図1は、本発明の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路100を示す図である。この通信用半導体集積回路100は、アナログコードレス電話の子機と親機とに共通に使用可能である。アナログコードレス電話では、子機は親機から900MHzの周波数帯域のRF信号を受信する一方、親機に5.8GHzの周波数帯域のRF信号を送信する。また、固定電話回線に接続される親機は5.8GHzの周波数帯域のRF信号を受信する一方、子機に900MHzの周波数帯域のRF信号を送信する。この子機とこの親機とに共通に使用可能な通信用半導体集積回路は電源投入時等の動作モード設定により、子機用と親機用とに設定されることができる。子機用通信用半導体集積回路は900MHzのRF信号受信と5.8GHzのRF信号送信とを行い、親機用通信用半導体集積回路は5.8GHzのRF信号受信と900MHzのRF信号送信とを行う。
<< Configuration of communication semiconductor integrated circuit usable for analog cordless telephone >>
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit for communication 100 according to one embodiment of the present invention. This communication semiconductor integrated circuit 100 can be used in common for a slave unit and a master unit of an analog cordless telephone. In an analog cordless telephone, a slave unit receives an RF signal in a frequency band of 900 MHz from the master unit, and transmits an RF signal in a frequency band of 5.8 GHz to the master unit. The master unit connected to the fixed telephone line receives the RF signal in the frequency band of 5.8 GHz, and transmits the RF signal in the frequency band of 900 MHz to the slave unit. A communication semiconductor integrated circuit that can be used in common with the slave unit and the master unit can be set for the slave unit and the master unit by setting an operation mode when the power is turned on. The slave unit communication semiconductor integrated circuit performs 900 MHz RF signal reception and 5.8 GHz RF signal transmission, and the base unit communication semiconductor integrated circuit performs 5.8 GHz RF signal reception and 900 MHz RF signal transmission. Do.

図1に示した通信用半導体集積回路100は、図16と同様に受信システムと送信システムとを含む。受信システムは、ローノイズアンプ4、バンドパスフィルタ5、8、11、受信ミキサ6、受信用電圧制御発振器7、中間周波増幅器9、FM復調器10、出力増幅器12を含む。送信システムは、入力増幅器13、FM変調器14、ドライバ15、RFパワー増幅器16を含み、FM変調器14は送信用電圧制御発振器14aと変調制御部14bとを含んでいる。図16と比較すると、図1に示した通信用半導体集積回路100は、RFテスト信号供給回路18を更に含む。RFテスト信号供給回路18は、送信システム(13…16)により送信周波数帯域に生成されたRF送信出力信号を受信システム(4…12)により処理可能な周波数帯域を持つRFテスト信号に変換してRFテスト信号を受信システム(4…12)に供給する。   The communication semiconductor integrated circuit 100 shown in FIG. 1 includes a reception system and a transmission system as in FIG. The reception system includes a low noise amplifier 4, bandpass filters 5, 8 and 11, a reception mixer 6, a reception voltage control oscillator 7, an intermediate frequency amplifier 9, an FM demodulator 10, and an output amplifier 12. The transmission system includes an input amplifier 13, an FM modulator 14, a driver 15, and an RF power amplifier 16, and the FM modulator 14 includes a transmission voltage control oscillator 14a and a modulation control unit 14b. Compared with FIG. 16, the communication semiconductor integrated circuit 100 shown in FIG. 1 further includes an RF test signal supply circuit 18. The RF test signal supply circuit 18 converts the RF transmission output signal generated in the transmission frequency band by the transmission system (13... 16) into an RF test signal having a frequency band that can be processed by the reception system (4... 12). An RF test signal is supplied to the receiving system (4... 12).

通信用半導体集積回路100は通常動作モードに設定されることにより、受信システム(4…12)は受信周波数帯域に設定されたRF受信入力信号を処理する一方、送信システム(13…16)は送信周波数帯域に設定されたRF送信出力信号を生成するものである。   When the communication semiconductor integrated circuit 100 is set to the normal operation mode, the reception system (4... 12) processes the RF reception input signal set in the reception frequency band, while the transmission system (13... 16) transmits. An RF transmission output signal set in the frequency band is generated.

通信用半導体集積回路100は前記通常動作モードと異なる他の動作モードに設定されることにより、前記RFテスト信号供給回路は前記RFテスト信号を前記受信システムに供給するものである。   When the communication semiconductor integrated circuit 100 is set to another operation mode different from the normal operation mode, the RF test signal supply circuit supplies the RF test signal to the reception system.

RFパワー増幅器16からのRF送信出力信号の送信周波数帯域の周波数がローノイズアンプ4へのRF受信入力信号の受信周波数帯域の周波数よりも高く設定された場合に、RFテスト信号供給回路18は周波数ダウンコンバージョンのモードに設定される。RFテスト信号供給回路18の周波数ダウンコンバージョンの機能により、RF送信出力信号が低い周波数に変換されることによりRFテスト信号がRFテスト信号供給回路18により生成され、受信システムのローノイズアンプ4へ供給される。   When the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal from the RF power amplifier 16 is set higher than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal to the low noise amplifier 4, the RF test signal supply circuit 18 reduces the frequency. Set to conversion mode. An RF test signal is generated by the RF test signal supply circuit 18 when the RF transmission output signal is converted to a low frequency by the frequency down-conversion function of the RF test signal supply circuit 18, and is supplied to the low noise amplifier 4 of the reception system. The

RFパワー増幅器16からのRF送信出力信号の送信周波数帯域の周波数がローノイズアンプ4へのRF受信入力信号の受信周波数帯域の周波数よりも低く設定された場合に、RFテスト信号供給回路18は周波数アップコンバージョンのモードに設定される。RFテスト信号供給回路18の周波数アップコンバージョンの機能により、RF送信出力信号が高い周波数に変換されることによりRFテスト信号がRFテスト信号供給回路18により生成され、受信システムのローノイズアンプ4へ供給される。   When the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal from the RF power amplifier 16 is set lower than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal to the low noise amplifier 4, the RF test signal supply circuit 18 increases the frequency. Set to conversion mode. By the frequency up-conversion function of the RF test signal supply circuit 18, the RF transmission output signal is converted to a high frequency so that the RF test signal is generated by the RF test signal supply circuit 18 and supplied to the low noise amplifier 4 of the reception system. The

RFパワー増幅器16からのRF送信出力信号の送信周波数帯域の周波数がローノイズアンプ4へのRF受信入力信号の受信周波数帯域の周波数よりも高く設定された場合に、RFテスト信号供給回路18は周波数ダウンコンバージョンのモードに設定される。RFテスト信号供給回路18の周波数アップコンバージョンの機能により、RF送信出力信号が低い周波数に変換されることによりRFテスト信号がRFテスト信号供給回路18により生成され、受信システムのローノイズアンプ4へ供給される。   When the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal from the RF power amplifier 16 is set higher than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal to the low noise amplifier 4, the RF test signal supply circuit 18 reduces the frequency. Set to conversion mode. An RF test signal is generated by the RF test signal supply circuit 18 when the RF transmission output signal is converted to a low frequency by the frequency up-conversion function of the RF test signal supply circuit 18, and is supplied to the low noise amplifier 4 of the reception system. The

《RFテスト信号供給回路の構成》
RFテスト信号供給回路18は、周波数ダウンコンバージョンの機能と周波数アップコンバージョンの機能との両方の機能を持つことが可能とされている。図1の下に示すように、RFテスト信号供給回路18はフェーズロックドループ(PLL)回路により構成されている。PLL回路はRFパワー増幅器16からのRF送信出力信号が入力に供給される第1分周器18aを含み、第1分周器18aの出力信号は位相比較器18bの一方の入力端子に供給され、位相比較器18bの他方の入力端子には第2分周器18fの出力信号が供給される。位相比較器18bの出力信号はチャージポンプ18cとループフィルタ18dとを介して電圧制御発振器18dの入力に供給され、電圧制御発振器18eの出力信号は第2分周器18fの入力に供給される。
<< Configuration of RF test signal supply circuit >>
The RF test signal supply circuit 18 can have both a frequency down-conversion function and a frequency up-conversion function. As shown in the lower part of FIG. 1, the RF test signal supply circuit 18 is constituted by a phase-locked loop (PLL) circuit. The PLL circuit includes a first frequency divider 18a to which an RF transmission output signal from the RF power amplifier 16 is supplied to an input, and an output signal of the first frequency divider 18a is supplied to one input terminal of the phase comparator 18b. The output signal of the second frequency divider 18f is supplied to the other input terminal of the phase comparator 18b. The output signal of the phase comparator 18b is supplied to the input of the voltage controlled oscillator 18d through the charge pump 18c and the loop filter 18d, and the output signal of the voltage controlled oscillator 18e is supplied to the input of the second frequency divider 18f.

また、テストモードにおいて、電圧制御発振器18eの出力信号は、RFテスト信号供給回路18からのRFテスト信号として受信システムのローノイズアンプ4の入力に供給される。それにより、受信システム(4…12)と送信システム(13…16)とのテストのコストの低減を可能とするものである。   In the test mode, the output signal of the voltage controlled oscillator 18e is supplied as an RF test signal from the RF test signal supply circuit 18 to the input of the low noise amplifier 4 of the receiving system. As a result, it is possible to reduce the test cost of the receiving system (4... 12) and the transmitting system (13... 16).

《子機としての通信用半導体集積回路の動作》
通信用半導体集積回路100がアナログコードレス電話の子機と親機とのいずれかに使用される場合には、アンテナ1にデュプレクサ2が接続される。デュプレクサ2は、アンテナ1から受信システムのローノイズアンプ4へのRF受信入力信号の供給と、送信システムのRFパワー増幅器16からアンテナ1へのRF送信出力信号の供給とを行う。また、デュプレクサ2は、周波数分割多重アクセス(FDMA; frequency-division multiple access)方式でRF受信入力信号の供給とRF送信出力信号の供給とを行う。
<Operation of communication semiconductor integrated circuit as slave unit>
When the communication semiconductor integrated circuit 100 is used for either a slave unit or a master unit of an analog cordless telephone, a duplexer 2 is connected to the antenna 1. The duplexer 2 supplies an RF reception input signal from the antenna 1 to the low noise amplifier 4 of the reception system and supplies an RF transmission output signal from the RF power amplifier 16 of the transmission system to the antenna 1. Further, the duplexer 2 supplies an RF reception input signal and an RF transmission output signal by a frequency-division multiple access (FDMA) method.

通信用半導体集積回路100がアナログコードレス電話の子機に使用される場合には、電源投入時等の初期化動作で子機から通信用半導体集積回路100のコマンド入力部19へコマンドCMDが供給される。このコマンドCMDは、通信用半導体集積回路100をアナログコードレス電話の子機として動作させる動作モード設定コマンドである。その場合には、親機から送信されアンテナ1で受信されたISM周波数帯域の900MHzの周波数帯域のRF受信信号が、バンドパスフィルタ3を介して通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。ローノイズアンプ4の900MHzのRF増幅信号は、バンドパスフィルタ5を介して受信ミキサ6の一方の入力端子に供給される。受信用電圧制御発振器7から生成された所定の周波数を持つ受信キャリア信号が受信ミキサ6の他方の入力端子に供給され、受信ミキサ6の出力から中間周波信号が生成される。この中間周波信号はバンドパスフィルタ8を介して中間周波増幅器9によって増幅された後、FM復調器10の入力に供給される。FM復調器10から生成されたFM復調出力信号は出力増幅器12によって増幅された後、子機のスピーカへ供給される。   When the communication semiconductor integrated circuit 100 is used for a slave unit of an analog cordless telephone, a command CMD is supplied from the slave unit to the command input unit 19 of the communication semiconductor integrated circuit 100 by an initialization operation when the power is turned on. The The command CMD is an operation mode setting command for operating the communication semiconductor integrated circuit 100 as a slave unit of the analog cordless telephone. In that case, an RF reception signal in the 900 MHz frequency band of the ISM frequency band transmitted from the parent device and received by the antenna 1 is input to the low noise amplifier 4 of the communication semiconductor integrated circuit 100 via the band pass filter 3. Supplied. The 900 MHz RF amplified signal of the low noise amplifier 4 is supplied to one input terminal of the reception mixer 6 via the band pass filter 5. A reception carrier signal having a predetermined frequency generated from the reception voltage control oscillator 7 is supplied to the other input terminal of the reception mixer 6, and an intermediate frequency signal is generated from the output of the reception mixer 6. The intermediate frequency signal is amplified by the intermediate frequency amplifier 9 via the band pass filter 8 and then supplied to the input of the FM demodulator 10. The FM demodulated output signal generated from the FM demodulator 10 is amplified by the output amplifier 12 and then supplied to the speaker of the slave unit.

子機のマイクからの音声信号は、通信用半導体集積回路100の入力増幅器13の入力に供給される。入力増幅器13の出力信号はFM変調器14の変調制御部14bに供給されることにより、変調制御部14bの出力信号によって送信用電圧制御発振器14aの出力周波数が変調される。FM変調器14の略5.8GHzの周波数のFM変調RF信号はドライバ15によって増幅された後、RFパワー増幅器16の入力に供給される。RFパワー増幅器16の略5.8GHzのRF送信信号は、バンドパスフィルタ17と子機のアンテナ1とを介して親機に転送される。   The audio signal from the microphone of the slave unit is supplied to the input of the input amplifier 13 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The output signal of the input amplifier 13 is supplied to the modulation control unit 14b of the FM modulator 14, whereby the output frequency of the transmission voltage controlled oscillator 14a is modulated by the output signal of the modulation control unit 14b. The FM modulated RF signal having a frequency of approximately 5.8 GHz of the FM modulator 14 is amplified by the driver 15 and then supplied to the input of the RF power amplifier 16. An RF transmission signal of approximately 5.8 GHz from the RF power amplifier 16 is transferred to the parent device via the bandpass filter 17 and the antenna 1 of the child device.

《子機としての通信用半導体集積回路の動作テスト》
通信用半導体集積回路100がアナログコードレス電話の子機に使用される場合に、通信用半導体集積回路100の受信システム(4…12)と送信システム(13…16)とが正常に動作するか否かのテストを実施する必要がある。
《Operation test of communication semiconductor integrated circuit as slave unit》
Whether or not the reception system (4... 12) and the transmission system (13... 16) of the communication semiconductor integrated circuit 100 operate normally when the communication semiconductor integrated circuit 100 is used as a slave unit of an analog cordless telephone. It is necessary to carry out such a test.

この時に、電源投入時等の初期化動作で外部テスト装置から通信用半導体集積回路100のコマンド入力部19へコマンドCMDが供給される。このコマンドCMDは、子機に使用される通信用半導体集積回路100の受信システム(4…12)と送信システム(13…16)とが正常に動作するか否かのテストを実施する子機テスト動作モードへの設定コマンドである。   At this time, the command CMD is supplied from the external test apparatus to the command input unit 19 of the communication semiconductor integrated circuit 100 by an initialization operation such as when the power is turned on. This command CMD is a slave unit test for testing whether the reception system (4... 12) and the transmission system (13... 16) of the communication semiconductor integrated circuit 100 used for the slave unit operate normally. This is a command to set the operation mode.

図2は、子機テスト動作モードへの設定コマンドに応答した図1の通信用半導体集積回路100のRFテスト信号供給回路18の動作を説明する図である。この場合には、RFテスト信号供給回路18では、第1分周器18aの第1分周数Nは“6”に設定され、第2分周器18fの第2分周数Mは“1”に設定される。従って、RFテスト信号供給回路18は、分周数“6”の周波数分周器として動作する。   FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the RF test signal supply circuit 18 of the communication semiconductor integrated circuit 100 of FIG. 1 in response to the command for setting the slave unit test operation mode. In this case, in the RF test signal supply circuit 18, the first frequency division number N of the first frequency divider 18a is set to “6”, and the second frequency division number M of the second frequency divider 18f is “1”. "Is set. Therefore, the RF test signal supply circuit 18 operates as a frequency divider having a frequency division number “6”.

また、この場合には、通信用半導体集積回路100のRFパワー増幅器16からはISM周波数帯域の5.8GHzの周波数帯域内の5802MHzのRF送信信号が生成され、RFテスト信号供給回路18の入力に供給される。従って、RFテスト信号供給回路18の出力からISM周波数帯域の900MHzの周波数帯域に近い967MHzのRFテスト信号が生成され、通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。   In this case, the RF power amplifier 16 of the communication semiconductor integrated circuit 100 generates an RF transmission signal of 5802 MHz within the frequency band of 5.8 GHz of the ISM frequency band, and is input to the RF test signal supply circuit 18. Supplied. Accordingly, a 967 MHz RF test signal close to the 900 MHz frequency band of the ISM frequency band is generated from the output of the RF test signal supply circuit 18 and supplied to the input of the low noise amplifier 4 of the communication semiconductor integrated circuit 100.

図14は、子機テスト動作モードへの設定コマンドを使用した図1の通信用半導体集積回路100のテスト動作を説明する図である。   FIG. 14 is a diagram for explaining the test operation of the communication semiconductor integrated circuit 100 of FIG. 1 using the setting command to the slave unit test operation mode.

子機テスト動作モードへの設定コマンドに応答してRFパワー増幅器16から5802MHzのRF送信信号が生成され、RFテスト信号供給回路18の動作モードは分周数“6”の周波数分周器の動作に設定される。従って、RFテスト信号供給回路18により5802MHzの周波数から967MHzの周波数のRFテスト信号への周波数ダウンコンバージョンが行われ、RFテスト信号供給回路18よりの967MHzの周波数のRFテスト信号はローノイズアンプ4の入力に供給される。   An RF transmission signal of 5802 MHz is generated from the RF power amplifier 16 in response to the setting command to the slave unit test operation mode, and the operation mode of the RF test signal supply circuit 18 is the operation of the frequency divider having the frequency division number “6”. Set to Accordingly, the RF test signal supply circuit 18 performs frequency down-conversion from the 5802 MHz frequency to the 967 MHz frequency RF test signal, and the 967 MHz frequency RF test signal from the RF test signal supply circuit 18 is input to the low noise amplifier 4. To be supplied.

この場合には、外部テスト装置200のテスト信号発生器200Bからの送信テスト信号は、通信用半導体集積回路100の入力増幅器13の入力に供給される。入力増幅器13の出力信号はFM変調器14の変調制御部14bに供給されることにより、変調制御部14bの出力信号によって送信用電圧制御発振器14aの出力周波数が変調される。FM変調器14の5802MHzの周波数のRF送信テスト信号はドライバ15によって増幅された後、RFパワー増幅器16の入力に供給される。RFパワー増幅器16の5802MHzの周波数のRF送信テスト信号がRFテスト信号供給回路18の入力に供給されることにより、RFテスト信号供給回路18では分周数“6”の周波数ダウンコンバージョンが行われる。   In this case, the transmission test signal from the test signal generator 200B of the external test apparatus 200 is supplied to the input of the input amplifier 13 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The output signal of the input amplifier 13 is supplied to the modulation control unit 14b of the FM modulator 14, whereby the output frequency of the transmission voltage controlled oscillator 14a is modulated by the output signal of the modulation control unit 14b. An RF transmission test signal having a frequency of 5802 MHz of the FM modulator 14 is amplified by the driver 15 and then supplied to the input of the RF power amplifier 16. By supplying the RF transmission test signal having a frequency of 5802 MHz of the RF power amplifier 16 to the input of the RF test signal supply circuit 18, the RF test signal supply circuit 18 performs frequency down-conversion with a frequency division number “6”.

この周波数ダウンコンバージョンによってRFテスト信号供給回路18の出力からISM周波数帯域の900MHzの周波数帯域に近い967MHzのRFテスト信号が生成され、通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。ローノイズアンプ4の967MHzのRF増幅信号は、バンドパスフィルタ5を介して受信ミキサ6の一方の入力端子に供給される。受信用電圧制御発振器7から生成された所定の周波数を持つ受信キャリア信号が受信ミキサ6の他方の入力端子に供給され、受信ミキサ6の出力から中間周波信号が生成される。この中間周波信号はバンドパスフィルタ8を介して中間周波増幅器9によって増幅された後、FM復調器10の入力に供給される。FM復調器10から生成されたFM復調出力信号は出力増幅器12によって増幅された後、外部テスト装置200の信号アナライザ200Aに供給される。外部テスト装置200の信号アナライザ200Aは通信用半導体集積回路100の出力増幅器12からの復調出力信号を解析することにより、通信用半導体集積回路100の受信システム(4…12)と送信システム(13…16)とが正常に動作するか否かのテストを行うものである。   By this frequency down-conversion, a 967 MHz RF test signal close to the 900 MHz frequency band of the ISM frequency band is generated from the output of the RF test signal supply circuit 18 and supplied to the input of the low noise amplifier 4 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The 967 MHz RF amplified signal of the low noise amplifier 4 is supplied to one input terminal of the reception mixer 6 via the band pass filter 5. A reception carrier signal having a predetermined frequency generated from the reception voltage control oscillator 7 is supplied to the other input terminal of the reception mixer 6, and an intermediate frequency signal is generated from the output of the reception mixer 6. The intermediate frequency signal is amplified by the intermediate frequency amplifier 9 via the band pass filter 8 and then supplied to the input of the FM demodulator 10. The FM demodulated output signal generated from the FM demodulator 10 is amplified by the output amplifier 12, and then supplied to the signal analyzer 200A of the external test apparatus 200. The signal analyzer 200A of the external test apparatus 200 analyzes the demodulated output signal from the output amplifier 12 of the communication semiconductor integrated circuit 100, thereby receiving the reception system (4 ... 12) and the transmission system (13 ...) of the communication semiconductor integrated circuit 100. 16) test whether or not to operate normally.

《親機としての通信用半導体集積回路の動作》
図1の通信用半導体集積回路100がアナログコードレス電話の親機に使用される場合には、電源投入時等の初期化動作で親機から通信用半導体集積回路100のコマンド入力部19へコマンドCMDが供給される。このコマンドCMDは、通信用半導体集積回路100をアナログコードレス電話の親機として動作させる動作モード設定コマンドである。その場合には、子機から送信されアンテナ1で受信されたISM周波数帯域の5.8GHzの周波数帯域のRF受信信号が、バンドパスフィルタ3を介して通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。ローノイズアンプ4の5.8GHzのRF増幅信号は、バンドパスフィルタ5を介して受信ミキサ6の一方の入力端子に供給される。受信用電圧制御発振器7から生成された所定の周波数を持つ受信キャリア信号が受信ミキサ6の他方の入力端子に供給され、受信ミキサ6の出力から中間周波信号が生成される。この中間周波信号はバンドパスフィルタ8を介して中間周波増幅器9によって増幅された後、FM復調器10の入力に供給される。FM復調器10から生成されたFM復調出力信号は出力増幅器12によって増幅された後、固定電話回線への送信信号として固定電話回線へ供給される。
<< Operation of Communication Semiconductor Integrated Circuit as Master Unit >>
When the communication semiconductor integrated circuit 100 of FIG. 1 is used as a base unit of an analog cordless telephone, a command CMD is sent from the base unit to the command input unit 19 of the communication semiconductor integrated circuit 100 by an initialization operation such as when power is turned on. Is supplied. This command CMD is an operation mode setting command for operating the communication semiconductor integrated circuit 100 as a master unit of an analog cordless telephone. In that case, the RF reception signal in the frequency band of 5.8 GHz of the ISM frequency band transmitted from the slave unit and received by the antenna 1 is transmitted through the band-pass filter 3 to the low noise amplifier 4 of the semiconductor integrated circuit 100 for communication. Supplied to the input. The 5.8 GHz RF amplified signal of the low noise amplifier 4 is supplied to one input terminal of the reception mixer 6 via the band pass filter 5. A reception carrier signal having a predetermined frequency generated from the reception voltage control oscillator 7 is supplied to the other input terminal of the reception mixer 6, and an intermediate frequency signal is generated from the output of the reception mixer 6. This intermediate frequency signal is amplified by the intermediate frequency amplifier 9 via the band pass filter 8 and then supplied to the input of the FM demodulator 10. The FM demodulated output signal generated from the FM demodulator 10 is amplified by the output amplifier 12 and then supplied to the fixed telephone line as a transmission signal to the fixed telephone line.

固定電話回線からの受信信号は、固定電話回線から通信用半導体集積回路100の入力増幅器13の入力に供給される。入力増幅器13の出力信号はFM変調器14の変調制御部14bに供給されることにより、変調制御部14bの出力信号によって送信用電圧制御発振器14aの出力周波数が変調される。FM変調器14のISM周波数帯域の900MHzの周波数帯域のFM変調RF信号はドライバ15によって増幅された後、RFパワー増幅器16の入力に供給される。RFパワー増幅器16の略900MHzのRF送信信号は、バンドパスフィルタ17と親機のアンテナ1とを介して子機に転送される。   A received signal from the fixed telephone line is supplied from the fixed telephone line to the input of the input amplifier 13 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The output signal of the input amplifier 13 is supplied to the modulation control unit 14b of the FM modulator 14, whereby the output frequency of the transmission voltage controlled oscillator 14a is modulated by the output signal of the modulation control unit 14b. The FM modulated RF signal in the 900 MHz frequency band of the ISM frequency band of the FM modulator 14 is amplified by the driver 15 and then supplied to the input of the RF power amplifier 16. The RF transmission signal of about 900 MHz from the RF power amplifier 16 is transferred to the slave unit via the band pass filter 17 and the antenna 1 of the master unit.

《親機としての通信用半導体集積回路の動作テスト》
通信用半導体集積回路100がアナログコードレス電話の親機に使用される場合に、通信用半導体集積回路100の受信システム(4…12)と送信システム(13…16)とが正常に動作するか否かのテストを実施する必要がある。
<Operational test of semiconductor integrated circuit for communication as parent device>
Whether or not the reception system (4... 12) and the transmission system (13... 16) of the communication semiconductor integrated circuit 100 operate normally when the communication semiconductor integrated circuit 100 is used as a base unit of an analog cordless telephone. It is necessary to carry out such a test.

この時に、電源投入時等の初期化動作で外部テスト装置から通信用半導体集積回路100のコマンド入力部19へコマンドCMDが供給される。このコマンドCMDは、親機に使用される通信用半導体集積回路100の受信システム(4…12)と送信システム(13…16)とが正常に動作するか否かのテストを実施する親機テスト動作モードへの設定コマンドである。   At this time, the command CMD is supplied from the external test apparatus to the command input unit 19 of the communication semiconductor integrated circuit 100 by an initialization operation such as when the power is turned on. This command CMD is a master unit test for testing whether the reception system (4... 12) and the transmission system (13... 16) of the communication semiconductor integrated circuit 100 used for the master unit operate normally. This is a command to set the operation mode.

図3は、親機テスト動作モードへの設定コマンドに応答した図1の通信用半導体集積回路100のRFテスト信号供給回路18の動作を説明する図である。この場合には、RFテスト信号供給回路18では、第1分周器18aの第1分周数Nは“1”に設定され、第2分周器18fの第2分周数Mは“6”に設定される。従って、RFテスト信号供給回路18は、逓倍数“6”の周波数逓倍器として動作する。   FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the RF test signal supply circuit 18 of the communication semiconductor integrated circuit 100 of FIG. 1 in response to the setting command to the parent device test operation mode. In this case, in the RF test signal supply circuit 18, the first frequency division number N of the first frequency divider 18a is set to "1", and the second frequency division number M of the second frequency divider 18f is "6". "Is set. Therefore, the RF test signal supply circuit 18 operates as a frequency multiplier having a multiplication number “6”.

また、この場合には、通信用半導体集積回路100のRFパワー増幅器16からはISM周波数帯域の900MHzの周波数帯域に近い967MHzのRFテスト信号が生成され、RFテスト信号供給回路18の入力に供給される。従って、RFテスト信号供給回路18の出力からISM周波数帯域の5.8GHzの周波数帯域内の5802MHzのRFテスト信号が生成され、通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。   In this case, a 967 MHz RF test signal close to the 900 MHz frequency band of the ISM frequency band is generated from the RF power amplifier 16 of the communication semiconductor integrated circuit 100 and supplied to the input of the RF test signal supply circuit 18. The Therefore, a 5802 MHz RF test signal in the frequency band of 5.8 GHz of the ISM frequency band is generated from the output of the RF test signal supply circuit 18 and supplied to the input of the low noise amplifier 4 of the communication semiconductor integrated circuit 100.

図15は、親機テスト動作モードへの設定コマンドを使用した図1の通信用半導体集積回路100のテスト動作を説明する図である。   FIG. 15 is a diagram for explaining the test operation of communication semiconductor integrated circuit 100 of FIG. 1 using a command for setting to the parent device test operation mode.

親機テスト動作モードへの設定コマンドに応答してRFパワー増幅器16から967MHzのRF送信信号が生成され、RFテスト信号供給回路18の動作モードは逓倍数“6”の周波数逓倍器の動作に設定される。従って、RFテスト信号供給回路18により967MHzの周波数から5802MHzの周波数のRFテスト信号への周波数アップコンバージョンが行われ、RFテスト信号供給回路18よりの5802MHzの周波数のRFテスト信号はローノイズアンプ4の入力に供給される。   A 967 MHz RF transmission signal is generated from the RF power amplifier 16 in response to the command for setting the master unit test operation mode, and the operation mode of the RF test signal supply circuit 18 is set to the frequency multiplier operation of the multiplication number “6”. Is done. Therefore, the RF test signal supply circuit 18 performs frequency up-conversion from a frequency of 967 MHz to an RF test signal of 5802 MHz, and the RF test signal of 5802 MHz from the RF test signal supply circuit 18 is input to the low noise amplifier 4. To be supplied.

この場合には、外部テスト装置200のテスト信号発生器200Bからの送信テスト信号は、通信用半導体集積回路100の入力増幅器13の入力に供給される。入力増幅器13の出力信号はFM変調器14の変調制御部14bに供給されることにより、変調制御部14bの出力信号によって送信用電圧制御発振器14aの出力周波数が変調される。FM変調器14の967MHzの周波数のRF送信テスト信号はドライバ15によって増幅された後、RFパワー増幅器16の入力に供給される。RFパワー増幅器16の967MHz周波数のRF送信テスト信号がRFテスト信号供給回路18の入力に供給されることにより、RFテスト信号供給回路18では逓倍数“6”の周波数アップコンバージョンが行われる。   In this case, the transmission test signal from the test signal generator 200B of the external test apparatus 200 is supplied to the input of the input amplifier 13 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The output signal of the input amplifier 13 is supplied to the modulation control unit 14b of the FM modulator 14, whereby the output frequency of the transmission voltage controlled oscillator 14a is modulated by the output signal of the modulation control unit 14b. An RF transmission test signal having a frequency of 967 MHz of the FM modulator 14 is amplified by the driver 15 and then supplied to the input of the RF power amplifier 16. When the RF transmission test signal of 967 MHz frequency of the RF power amplifier 16 is supplied to the input of the RF test signal supply circuit 18, the RF test signal supply circuit 18 performs frequency up-conversion with a multiplication number “6”.

この周波数アップコンバージョンによってRFテスト信号供給回路18の出力からISM周波数帯域の5.8GHzの周波数帯域内の5802MHzのRFテスト信号が生成され、通信用半導体集積回路100のローノイズアンプ4の入力に供給される。ローノイズアンプ4の5802MHzのRF増幅信号は、バンドパスフィルタ5を介して受信ミキサ6の一方の入力端子に供給される。受信用電圧制御発振器7から生成された所定の周波数を持つ受信キャリア信号が受信ミキサ6の他方の入力端子に供給され、受信ミキサ6の出力から中間周波信号が生成される。この中間周波信号はバンドパスフィルタ8を介して中間周波増幅器9によって増幅された後、FM復調器10の入力に供給される。FM復調器10から生成されたFM復調出力信号は出力増幅器12によって増幅された後、外部テスト装置200の信号アナライザ200Aに供給される。外部テスト装置200の信号アナライザ200Aは通信用半導体集積回路100の出力増幅器12からの復調出力信号を解析することにより、通信用半導体集積回路100の受信システム(4…12)と送信システム(13…16)とが正常に動作するか否かのテストを行うものである。   By this frequency up-conversion, an RF test signal of 5802 MHz within the frequency band of 5.8 GHz of the ISM frequency band is generated from the output of the RF test signal supply circuit 18 and supplied to the input of the low noise amplifier 4 of the communication semiconductor integrated circuit 100. The The 5802 MHz RF amplified signal of the low noise amplifier 4 is supplied to one input terminal of the reception mixer 6 via the band pass filter 5. A reception carrier signal having a predetermined frequency generated from the reception voltage control oscillator 7 is supplied to the other input terminal of the reception mixer 6, and an intermediate frequency signal is generated from the output of the reception mixer 6. The intermediate frequency signal is amplified by the intermediate frequency amplifier 9 via the band pass filter 8 and then supplied to the input of the FM demodulator 10. The FM demodulated output signal generated from the FM demodulator 10 is amplified by the output amplifier 12, and then supplied to the signal analyzer 200A of the external test apparatus 200. The signal analyzer 200A of the external test apparatus 200 analyzes the demodulated output signal from the output amplifier 12 of the communication semiconductor integrated circuit 100, thereby receiving the reception system (4 ... 12) and the transmission system (13 ...) of the communication semiconductor integrated circuit 100. 16) test whether or not to operate normally.

《ディジタルコードレス電話に使用可能な通信用半導体集積回路の構成》
図4は、本発明の他の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路200を示す図である。この通信用半導体集積回路200は、ディジタルコードレス電話の子機と親機とに共通に使用可能である。
<Configuration of communication semiconductor integrated circuit usable for digital cordless telephone>
FIG. 4 is a diagram showing a communication semiconductor integrated circuit 200 according to another embodiment of the present invention. This semiconductor integrated circuit for communication 200 can be used in common for the handset and base unit of the digital cordless telephone.

図4に示した通信用半導体集積回路200は、ISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzの4つの周波数帯域のいずれか1つの周波数帯域のRF信号を受信する。また、通信用半導体集積回路200は、ISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzの4つの周波数帯域のいずれか1つの周波数帯域のRF信号を送信することができる。   The communication semiconductor integrated circuit 200 shown in FIG. 4 receives an RF signal in any one of four frequency bands of 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz of the ISM frequency band. Further, the communication semiconductor integrated circuit 200 can transmit an RF signal in any one of four frequency bands of 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz of the ISM frequency band.

通信用半導体集積回路200を使用したディジタルコードレス電話では、子機は固定電話回線に接続される親機からISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzの4つの周波数帯域のいずれか1つの周波数帯域のRF信号を受信する。また、子機は、親機に4つの周波数帯域のいずれか1つの周波数帯域のRF信号を送信する。また、親機は5.8GHzの周波数帯域のRF信号を受信する一方、子機に900MHzの周波数帯域のRF信号を送信する。この子機とこの親機とに共通に使用可能な通信用半導体集積回路は電源投入時等の動作モード設定により、子機用と親機用とに設定されることができる。子機用通信用半導体集積回路は例えば900MHzのRF信号受信と5.8GHzのRF信号送信とを行い、親機用通信用半導体集積回路は例えば5.8GHzのRF信号受信と900MHzのRF信号送信とを行う。   In the digital cordless telephone using the semiconductor integrated circuit 200 for communication, the handset has four frequency bands of 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz of the ISM frequency band from the base unit connected to the fixed telephone line. An RF signal in any one frequency band is received. The slave unit transmits an RF signal in any one of the four frequency bands to the master unit. The master unit receives the RF signal in the frequency band of 5.8 GHz, and transmits the RF signal in the frequency band of 900 MHz to the slave unit. A communication semiconductor integrated circuit that can be used in common with the slave unit and the master unit can be set for the slave unit and the master unit by setting an operation mode when the power is turned on. The slave semiconductor communication integrated circuit performs, for example, 900 MHz RF signal reception and 5.8 GHz RF signal transmission. The master communication semiconductor integrated circuit, for example, receives 5.8 GHz RF signal reception and 900 MHz RF signal transmission. And do.

図4の通信用半導体集積回路200がディジタルコードレス電話の子機と親機とのいずれかに使用される場合には、アンテナ1にアンテナスイッチ2が接続される。アンテナスイッチ2は、アンテナ1から受信システムのローノイズアンプ4へのRF受信入力信号の供給と、送信システムのRFパワー増幅器16からアンテナ1へのRF送信出力信号の供給とを行う。また、アンテナスイッチ2は、時分割多重アクセス(TDMA; time-division multiple access)方式でRF受信入力信号の供給とRF送信出力信号の供給とを行う。   When the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. 4 is used for either a slave unit or a master unit of a digital cordless telephone, an antenna switch 2 is connected to the antenna 1. The antenna switch 2 supplies an RF reception input signal from the antenna 1 to the low noise amplifier 4 of the reception system, and supplies an RF transmission output signal from the RF power amplifier 16 of the transmission system to the antenna 1. The antenna switch 2 supplies an RF reception input signal and an RF transmission output signal by a time-division multiple access (TDMA) method.

図1に示したアナログコードレス電話に使用される通信用半導体集積回路100と比較すると、図4の通信用半導体集積回路200の構成はFM変調器14の部分とRFテスト信号供給回路18の部分とが異なっている。   Compared with the communication semiconductor integrated circuit 100 used in the analog cordless telephone shown in FIG. 1, the configuration of the communication semiconductor integrated circuit 200 shown in FIG. 4 includes an FM modulator 14 portion and an RF test signal supply circuit 18 portion. Are different.

まず、図4の通信用半導体集積回路200のFM変調器14は、ミキサ14c、ローパスフィルタ14d、14j、変調制御部14e、基準分周器14f、位相比較器14g、PLL分周器14h、送信用電圧制御発振器14iにより構成されている。基準分周器14fには基準周波数信号Frefが供給され、PLLの位相比較器14gはPLL分周器14hの分周出力の周波数が基準分周器14fの出力の周波数と一致するように信用電圧制御発振器14iを制御している。入力増幅器13の出力信号はFM変調器14の変調制御部14eに供給されることにより、変調制御部14eの出力信号によって送信用電圧制御発振器14iの出力周波数が変調される。   First, the FM modulator 14 of the communication semiconductor integrated circuit 200 in FIG. 4 includes a mixer 14c, low-pass filters 14d and 14j, a modulation control unit 14e, a reference frequency divider 14f, a phase comparator 14g, a PLL frequency divider 14h, The credit voltage control oscillator 14i is used. The reference frequency signal Fref is supplied to the reference frequency divider 14f, and the PLL phase comparator 14g outputs the credit voltage so that the frequency of the frequency division output of the PLL frequency divider 14h matches the frequency of the output of the reference frequency divider 14f. The controlled oscillator 14i is controlled. The output signal of the input amplifier 13 is supplied to the modulation control unit 14e of the FM modulator 14, whereby the output frequency of the transmission voltage controlled oscillator 14i is modulated by the output signal of the modulation control unit 14e.

更に、図4の通信用半導体集積回路200のRFテスト信号供給回路18は、第1分周器18aの第1分周数Nと第2分周器18fの第2分周数Mとが整数だけではなく分数(少数)を含むことが可能なフラクショナルフェーズロックドループ回路によって構成されている。   Further, in the RF test signal supply circuit 18 of the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. 4, the first frequency division number N of the first frequency divider 18a and the second frequency division number M of the second frequency divider 18f are integers. It is constituted by a fractional phase locked loop circuit that can include not only a fraction but also a fraction (a small number).

図5は図4の通信用半導体集積回路200のフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路18により4つの周波数帯域のテスト入力信号Test_Sig_inから4つの周波数帯域のテスト出力信号Test_Sig_Outを生成するための第1分周数Nと第2分周数Mとを示す図である。フラクショナルPLL回路の分周数が分数を含むことにより、4つの周波数帯域のテスト入力信号Test_Sig_inを4つの周波数帯域のテスト出力信号Test_Sig_Outへ周波数変換する際の自由度を向上することが可能となる。尚、4つの周波数帯域は、ISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzの周波数帯域である。   FIG. 5 is a diagram for generating test output signals Test_Sig_Out in four frequency bands from test input signals Test_Sig_in in four frequency bands by the RF test signal supply circuit 18 configured by the fractional PLL circuit of the communication semiconductor integrated circuit 200 in FIG. It is a figure which shows the 1st frequency division number N of this and the 2nd frequency division number M. When the frequency division number of the fractional PLL circuit includes a fraction, it is possible to improve the degree of freedom when frequency-converting the test input signal Test_Sig_in in the four frequency bands into the test output signal Test_Sig_Out in the four frequency bands. The four frequency bands are 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz of the ISM frequency band.

また、図4の通信用半導体集積回路200のコマンド入力部19へ電源投入時等の初期化動作でコマンドCMDが供給される。このコマンドCMDは、図4の通信用半導体集積回路200がディジタルコードレス電話の子機と親機とのいずれかで動作するかの動作モード設定コマンドとなっている。またコマンドCMDには、通信用半導体集積回路200の受信システムと送信システムとがISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzのいずれの周波数帯域をそれぞれ使用するかのモード情報が含まれている。   Also, the command CMD is supplied to the command input unit 19 of the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. This command CMD is an operation mode setting command for determining whether the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. 4 operates in either the slave unit or the master unit of the digital cordless telephone. Further, in the command CMD, mode information indicating which of the 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz frequency bands of the ISM frequency band is used by the reception system and the transmission system of the communication semiconductor integrated circuit 200. It is included.

《フラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路》
図9は、図4の通信用半導体集積回路200内部のフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路18を示すブロック図である。
<< RF test signal supply circuit composed of fractional PLL circuit >>
FIG. 9 is a block diagram showing an RF test signal supply circuit 18 constituted by a fractional PLL circuit in the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG.

同図に示すように、RFテスト信号供給回路18の第1分周器18aの入力には、ISM周波数帯域の900MHzの周波数帯域のRFテスト入力信号Test_Sig_inが供給される。第1分周器18aの出力信号は、位相比較器18bの一方の入力端子に供給されている。位相比較器18bの出力は、チャージポンプ回路18cとローパスフィルター18dとを介して電圧制御発振器18eに供給される。この電圧制御発振器18eの出力は第2分周器18fの入力に供給され、第2分周器18fの分周出力信号は位相比較器18bの他方の入力端子に供給される。第2分周器18fの第2分周数Mを制御する制御入力端子には、分周比設定ロジックDRSLに接続される。   As shown in the figure, an RF test input signal Test_Sig_in in the 900 MHz frequency band of the ISM frequency band is supplied to the input of the first frequency divider 18a of the RF test signal supply circuit 18. The output signal of the first frequency divider 18a is supplied to one input terminal of the phase comparator 18b. The output of the phase comparator 18b is supplied to the voltage controlled oscillator 18e through the charge pump circuit 18c and the low pass filter 18d. The output of the voltage controlled oscillator 18e is supplied to the input of the second frequency divider 18f, and the frequency division output signal of the second frequency divider 18f is supplied to the other input terminal of the phase comparator 18b. A control input terminal for controlling the second frequency division number M of the second frequency divider 18f is connected to the frequency division ratio setting logic DRSL.

第2分周器18fはカウンタで構成され、例えば電圧制御発振器18eの出力のローレベルからハイレベルへの変化をゼロからカウントアップする。第2分周数Mを制御する制御入力端子に設定された値から1を引いた値の頻度で、第2分周器18fの分周出力信号をローレベルからハイレベルに変化させる。第2分周器18fの分周出力信号がハイレベルとなったら、次の電圧制御発振器18eの出力のローレベルからハイレベルへの変化により、カウンタのカウント値をゼロとする。また、第2分周器18fの分周出力信号をローレベルに戻して、次の分周動作を実行する。   The second frequency divider 18f is constituted by a counter, and counts up, for example, a change from low level to high level of the output of the voltage controlled oscillator 18e from zero. The frequency division output signal of the second frequency divider 18f is changed from the low level to the high level at a frequency of a value obtained by subtracting 1 from the value set at the control input terminal for controlling the second frequency division number M. When the frequency-divided output signal of the second frequency divider 18f becomes high level, the count value of the counter is set to zero by the change of the output of the next voltage controlled oscillator 18e from low level to high level. Further, the frequency division output signal of the second frequency divider 18f is returned to the low level, and the next frequency division operation is executed.

分周比設定ロジックDRSLは、分周比演算器DRALUとΣΔ変調器ΣΔModと加算器ADDとから構成されている。まず、分周比演算器DRALUの整数ユニットIntと分数ユニットFraとは、入力情報に基づいて整数値情報Iと分数値情報Fとを計算する。分周比演算器DRALUの整数ユニットIntからの整数値情報Iは加算器ADDの一方の入力端子に供給され、分周比演算器DRALUの分数ユニットFraからの分数値情報FはΣΔ変調器ΣΔModに供給される。また、ΣΔ変調器ΣΔModには基準周波数信号fREFが動作クロック信号として更に供給される。一方、ΣΔ変調器ΣΔModは内部情報として分周比を設定する分母情報Gを保持している。一例として、分母情報Gは、1625に設定されている。ΣΔ変調器ΣΔModは、分数値情報Fと分母情報Gとから、分数値情報F÷分母情報G、一例として715/1625の分数(フラクション)の情報を持つ出力信号F/Gを生成して、加算器ADDの他方の入力端子に供給する。加算器ADDは整数値情報I(一例として、I=6)と出力信号F/GとからI+F/G、一例として6+(715/1625)=6.44の出力情報を平均分周数Mとして第2分周器18fに供給する。その結果、第2分周器18fの平均分周数Mが6.44と整数と分数(小数)とを含む値に設定される。   The frequency division ratio setting logic DRSL includes a frequency division ratio calculator DRALU, a ΣΔ modulator ΣΔMod, and an adder ADD. First, the integer unit Int and the fractional unit Fra of the frequency division ratio calculator DRALU calculate integer value information I and fractional value information F based on the input information. The integer value information I from the integer unit Int of the division ratio calculator DRALU is supplied to one input terminal of the adder ADD, and the fractional value information F from the fraction unit Fra of the division ratio calculator DRALU is supplied to the ΣΔ modulator ΣΔMod. To be supplied. Further, the reference frequency signal fREF is further supplied as an operation clock signal to the ΣΔ modulator ΣΔMod. On the other hand, the ΣΔ modulator ΣΔMod holds denominator information G for setting a frequency division ratio as internal information. As an example, the denominator information G is set to 1625. The ΣΔ modulator ΣΔMod generates, from the fractional value information F and the denominator information G, an output signal F / G having fractional value information F ÷ denominator information G, for example, 715/1625 fraction information. This is supplied to the other input terminal of the adder ADD. The adder ADD sets the output information of the integer value information I (for example, I = 6) and the output signal F / G to I + F / G, for example, 6+ (715/1625) = 6.44 as the average frequency division number M. This is supplied to the second frequency divider 18f. As a result, the average frequency division number M of the second frequency divider 18f is set to a value including 6.44, an integer, and a fraction (decimal number).

従って、フラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路18は、ISM周波数帯域の900MHzの周波数帯域のRFテスト入力信号Test_Sig_inと平均分周数M(6.44)とを乗算した5800MHzの発振周波数のRFテスト出力信号Test_Sig_Outを生成する。   Accordingly, the RF test signal supply circuit 18 configured by a fractional PLL circuit has an oscillation frequency of 5800 MHz obtained by multiplying the RF test input signal Test_Sig_in in the 900 MHz frequency band of the ISM frequency band and the average frequency division number M (6.44). RF test output signal Test_Sig_Out is generated.

また、平均分周数Mについて詳しく述べると、分周比演算器DRALUの整数ユニットIntからの整数値情報I(I=6)と、ΣΔ変調器ΣΔModからの出力信号F/Gに応じた頻度(715/1625)で発生するオーバーフロー・1ビット出力とに応答して、第2分周器18fの分周数MはI(=6)からI+1(7)に変更される。従って、第2分周器18fの分周数MがI(=6)となる頻度は910/1625=56%で、第2分周器18fの分周比がI+1(7)となる頻度は715/1625=44%である。従って、平均分周比Nは、6×0.56+7×0.44=6.44となる。   Further, the average frequency division number M will be described in detail. The frequency according to the integer value information I (I = 6) from the integer unit Int of the frequency division ratio calculator DRALU and the output signal F / G from the ΣΔ modulator ΣΔMod. In response to the overflow and 1-bit output generated at (715/1625), the frequency division number M of the second frequency divider 18f is changed from I (= 6) to I + 1 (7). Accordingly, the frequency at which the frequency division number M of the second frequency divider 18f is I (= 6) is 910/1625 = 56%, and the frequency at which the frequency division ratio of the second frequency divider 18f is I + 1 (7) is 715/1625 = 44%. Therefore, the average frequency division ratio N is 6 × 0.56 + 7 × 0.44 = 6.44.

図10は、図9に示したフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路18内部のΣΔ変調器ΣΔModの構成を示す図である。   FIG. 10 is a diagram showing a configuration of the ΣΔ modulator ΣΔMod in the RF test signal supply circuit 18 configured by the fractional PLL circuit shown in FIG.

同図に示すように、分周比演算器DRALUの分数ユニットFraからの分数値情報Fは第1加算器Sum1の一方の入力端子に入力信号(A)として供給される一方、第1加算器Sum1の他方の入力端子には後に説明する第2加算器Sum2の出力信号(C)が供給される。第1加算器Sum1の出力信号は積分器Intgrtrとしての遅延回路に供給され、積分器Intgrtrの出力信号(B)は1ビット出力の量子化器qntzrの入力に供給される。量子化器qntzrの出力信号(D)は、所定のゲイン1/Gを持つ帰還回路fbcの入力に供給される。このゲイン1/Gの逆数Gは、ΣΔ変調器ΣΔModは内部情報として分周比を設定する分母情報G(一例として、G=1625)に対応する。従って、量子化器qntzrの1ビット出力信号(D)が“0”の非オーバーフロー状態では帰還回路fbcの出力はゼロとなり、量子化器qntzrの1ビット出力信号(D)が“1”のオーバーフロー状態では帰還回路fbcの出力は1625となる。従って、帰還回路fbcは、1ビットのD/A変換器として動作する。従って、量子化器qntzrの1ビット出力信号(D)が“1”のオーバーフロー状態が生じると、第2加算器Sum2では積分器Intgrtrの出力信号(B)の累積加算から帰還回路fbcの出力1625の減算が実行される。さらに、第2加算器Sum2の出力信号(C)は、第1加算器Sum1の他方の入力端子に供給される。また、非オーバーフロー状態・オーバーフロー状態を示す量子化器qntzrの1ビット出力信号(D)は、ΣΔ変調器ΣΔModの出力信号F/Gとして加算器ADDに供給される。   As shown in the figure, the fractional value information F from the fractional unit Fra of the frequency division ratio calculator DRALU is supplied as an input signal (A) to one input terminal of the first adder Sum1, while the first adder An output signal (C) of a second adder Sum2 described later is supplied to the other input terminal of Sum1. The output signal of the first adder Sum1 is supplied to a delay circuit as an integrator Ingtgrtr, and the output signal (B) of the integrator Ingtgrtr is supplied to the input of a quantizer qntzr having a 1-bit output. The output signal (D) of the quantizer qnttzr is supplied to the input of a feedback circuit fbc having a predetermined gain 1 / G. The reciprocal G of the gain 1 / G corresponds to denominator information G (for example, G = 1625) in which the ΣΔ modulator ΣΔMod sets a division ratio as internal information. Therefore, in the non-overflow state where the 1-bit output signal (D) of the quantizer qnttzr is “0”, the output of the feedback circuit fbc is zero, and the 1-bit output signal (D) of the quantizer qntzr is “1”. In the state, the output of the feedback circuit fbc is 1625. Therefore, the feedback circuit fbc operates as a 1-bit D / A converter. Accordingly, when an overflow state occurs in which the 1-bit output signal (D) of the quantizer qntzr is “1”, the second adder Sum2 outputs the output 1625 of the feedback circuit fbc from the cumulative addition of the output signal (B) of the integrator Ingtgrtr. Subtraction is performed. Further, the output signal (C) of the second adder Sum2 is supplied to the other input terminal of the first adder Sum1. The 1-bit output signal (D) of the quantizer qntzr indicating the non-overflow state / overflow state is supplied to the adder ADD as the output signal F / G of the ΣΔ modulator ΣΔMod.

図11は、図10に示したRFテスト信号供給回路18内部のΣΔ変調器ΣΔModの動作を示す図である。尚、図11のラベル(A)から(D)は、図10の信号(A)から(D)に対応している。   FIG. 11 is a diagram showing the operation of the ΣΔ modulator ΣΔMod in the RF test signal supply circuit 18 shown in FIG. The labels (A) to (D) in FIG. 11 correspond to the signals (A) to (D) in FIG.

図9に示したようにΣΔ変調器ΣΔModには、基準周波数fREFを持つ基準周波数信号が動作クロック信号として供給される。また、図11の(A)に示すように、ΣΔ変調器ΣΔModの第1加算器Sum1の一方の入力端子には、入力信号(A)として分数値情報Fが定常的に供給されている。従って、動作クロック信号の1サイクルで、積分器Intgrtrの出力から1回の累積加算結果が得られる。図11の(B)に示すように、動作クロック信号の3サイクル目で、積分器Intgrtrの出力信号(B)から3回目の累積加算結果が得られる。また、図3の(D)に示すように、動作クロック信号の3サイクル目では、量子化器qntzrの1ビット出力信号(D)に“1”のオーバーフロー状態が現れる。すると、図3の(C)に示すように、第2加算器Sum2では積分器Intgrtrの出力の累積加算から帰還回路fbcの出力1625の減算が実行されて、出力信号(C)が生成される。尚、量子化器qntzrは、入力信号が0〜1624の場合には”0”の非オーバーフロー状態の1ビット出力信号を出力する一方、入力信号が1625もしくはそれよりも大きな値の場合には“1”のオーバーフロー状態の1ビット出力信号を出力する。以上のような動作が動作クロック信号fREFに応答して繰り返され、ΣΔ変調器ΣΔModからの分数情報F/G(715/1625)の頻度で“1”のオーバーフロー状態の1ビット出力信号が量子化器qntzrから生成される。   As shown in FIG. 9, a reference frequency signal having a reference frequency fREF is supplied to the ΣΔ modulator ΣΔMod as an operation clock signal. Further, as shown in FIG. 11A, fractional value information F is steadily supplied as an input signal (A) to one input terminal of the first adder Sum1 of the ΣΔ modulator ΣΔMod. Therefore, one cumulative addition result can be obtained from the output of the integrator Intgrtr in one cycle of the operation clock signal. As shown in FIG. 11B, the third cumulative addition result is obtained from the output signal (B) of the integrator Intgrtr in the third cycle of the operation clock signal. Further, as shown in FIG. 3D, an overflow state of “1” appears in the 1-bit output signal (D) of the quantizer qntzr in the third cycle of the operation clock signal. Then, as shown in FIG. 3C, the second adder Sum2 subtracts the output 1625 of the feedback circuit fbc from the cumulative addition of the output of the integrator Intgrtr to generate an output signal (C). . The quantizer qnttzr outputs a 1-bit output signal in a non-overflow state of “0” when the input signal is 0 to 1624, while “0” when the input signal is 1625 or larger. A 1-bit output signal in an overflow state of 1 ″ is output. The above operation is repeated in response to the operation clock signal fREF, and the 1-bit output signal in the overflow state of “1” is quantized at the frequency of the fraction information F / G (715/1625) from the ΣΔ modulator ΣΔMod. Generated from the device qntzr.

図10に示した量子化器qntzrの出力信号(D)、すなわちΣΔ変調器ΣΔModの1ビット出力信号F/Gは、図9の分周比設定ロジックDRSLの加算器ADDに供給され、この加算器ADDで分周比演算器DRALUの整数ユニットIntより供給される整数値情報Iと加算される。ΣΔ変調器ΣΔModの1ビット出力信号が“0”の非オーバーフロー状態では第2分周器18fの分周数MがI(=6)に設定され、ΣΔ変調器ΣΔModの1ビット出力信号が“1”のオーバーフロー状態では第2分周器18fの分周数MがI+1(=7)に設定されて、その結果、平均分周数Mは6.44となる。   The output signal (D) of the quantizer qntzr shown in FIG. 10, that is, the 1-bit output signal F / G of the ΣΔ modulator ΣΔMod is supplied to the adder ADD of the frequency division ratio setting logic DRSL of FIG. Is added to the integer value information I supplied from the integer unit Int of the division ratio calculator DRALU. In the non-overflow state where the 1-bit output signal of the ΣΔ modulator ΣΔMod is “0”, the frequency division number M of the second frequency divider 18 f is set to I (= 6), and the 1-bit output signal of the ΣΔ modulator ΣΔMod is “ In the overflow state of 1 ″, the frequency division number M of the second frequency divider 18f is set to I + 1 (= 7), and as a result, the average frequency division number M becomes 6.44.

《ディジタルコードレス電話に使用可能な他の通信用半導体集積回路の構成》
図6は、本発明のさらに他の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路200を示す図である。図6の通信用半導体集積回路200も、ディジタルコードレス電話の子機と親機とに共通に使用可能である。
<< Configuration of Other Communication Semiconductor Integrated Circuits Usable for Digital Cordless Telephone >>
FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit for communication 200 according to still another embodiment of the present invention. The communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. 6 can also be used in common for the handset and base unit of the digital cordless telephone.

図4に示した通信用半導体集積回路200と比較すると、図6の通信用半導体集積回路200の構成はRFテスト信号供給回路18の部分が異なっている。   Compared with the communication semiconductor integrated circuit 200 shown in FIG. 4, the configuration of the communication semiconductor integrated circuit 200 shown in FIG.

図6の通信用半導体集積回路200のRFテスト信号供給回路18では、ミキサ18gの一方の入力端子にはISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzのいずれかの周波数帯域のRFテスト入力信号Test_Sig_inが供給される。また、ミキサ18gの他方の入力端子には、第1分周器18a、位相比較器18b、チャージポンプ回路18c、ローパスフィルター18d、電圧制御発振器18e、電圧制御発振器18eで構成されたフラクショナルPLL回路からのオフセット周波数出力が供給される。尚、フラクショナルPLL回路の第1分周器18aの入力端子には、FM変調器14の基準分周器14fの入力に印加される基準周波数信号Frefが供給される。   In the RF test signal supply circuit 18 of the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. 6, one of the input terminals of the mixer 18g has an ISM frequency band of 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, or 5.8 GHz. RF test input signal Test_Sig_in. The other input terminal of the mixer 18g is connected to a fractional PLL circuit including a first frequency divider 18a, a phase comparator 18b, a charge pump circuit 18c, a low-pass filter 18d, a voltage controlled oscillator 18e, and a voltage controlled oscillator 18e. Offset frequency output is provided. The reference frequency signal Fref applied to the input of the reference frequency divider 14f of the FM modulator 14 is supplied to the input terminal of the first frequency divider 18a of the fractional PLL circuit.

図7は図6の通信用半導体集積回路200のフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路18により4つの周波数帯域のテスト入力信号から4つの周波数帯域のテスト出力信号を生成するためのフラクショナルPLL回路のオフセット周波数を示す図である。   FIG. 7 is a fractional diagram for generating test output signals of four frequency bands from test input signals of four frequency bands by the RF test signal supply circuit 18 configured by the fractional PLL circuit of the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. It is a figure which shows the offset frequency of a PLL circuit.

尚、図7中でマイナス記号は負の周波数を示すのではなく、テスト入力信号Test_Sig_inの周波数から減算することでテスト出力信号Test_Sig_Outの周波数を生成することを示している。例えば、5.8GHzの周波数のテスト入力信号Test_Sig_inと4.9GHzのフラクショナルPLL回路のオフセット周波数信号とをミキサ18gに供給すると、ミキサ18gから差成分の900MHzのテスト出力信号Test_Sig_Outが生成される。また、900MHzの周波数のテスト入力信号Test_Sig_inと4.9GHzのフラクショナルPLL回路のオフセット周波数信号とをミキサ18gに供給すると、ミキサ18gから和成分の5.8GHzのテスト出力信号Test_Sig_Outが生成される。   In FIG. 7, the minus sign does not indicate a negative frequency but indicates that the frequency of the test output signal Test_Sig_Out is generated by subtracting from the frequency of the test input signal Test_Sig_in. For example, when a test input signal Test_Sig_in having a frequency of 5.8 GHz and an offset frequency signal of a fractional PLL circuit having a frequency of 4.9 GHz are supplied to the mixer 18g, a 900 MHz test output signal Test_Sig_Out as a difference component is generated from the mixer 18g. When the test input signal Test_Sig_in having a frequency of 900 MHz and the offset frequency signal of the fractional PLL circuit having a frequency of 4.9 GHz are supplied to the mixer 18g, a test output signal Test_Sig_Out of a sum component of 5.8 GHz is generated from the mixer 18g.

《ワイヤレスLANに使用可能な通信用半導体集積回路の構成》
図8は、本発明のさらに他の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路400を示す図である。図8の通信用半導体集積回路400も、ワイヤレスLANの子機(LAN端末)と親機(アクセスポイントハブ)とに共通に使用可能である。アンテナスイッチ2がアンテナ1に接続され、アンテナ1から受信システムへのRF受信入力信号の供給と送信システムからアンテナ1へのRF送信出力信号の供給とを時分割多重アクセス方式で行う。
<< Configuration of communication semiconductor integrated circuit usable for wireless LAN >>
FIG. 8 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit 400 for communication according to still another embodiment of the present invention. The communication semiconductor integrated circuit 400 of FIG. 8 can also be used in common for a wireless LAN slave device (LAN terminal) and a master device (access point hub). An antenna switch 2 is connected to the antenna 1 and performs an RF reception input signal supply from the antenna 1 to the reception system and an RF transmission output signal supply from the transmission system to the antenna 1 by the time division multiple access method.

図8の通信用半導体集積回路400の受信システムは、ローノイズアンプ24、受信ミキサ25、プログラマブルゲインアンプ26、28、ローパスフィルタ27、A/D変換器29で構成されている。この受信システムは、IEEE802.11b規格の2.4GHzの周波数帯域とIEEE802.11a規格の5GHzおよび5.8GHzの周波数帯域とに対応する。   8 includes a low noise amplifier 24, a reception mixer 25, programmable gain amplifiers 26 and 28, a low-pass filter 27, and an A / D converter 29. This receiving system corresponds to the frequency band of 2.4 GHz of the IEEE 802.11b standard and the frequency bands of 5 GHz and 5.8 GHz of the IEEE 802.11a standard.

通信用半導体集積回路400の送信システムは、D/A変換器31、ローパスフィルタ32、送信ミキサ33、34、ドライバアンプ35、36で構成されている。尚、ドライバアンプ35、36の出力には、通信用半導体集積回路400の外部のRFパワー増幅器37、38とバンドパスフィルタBPF4、BPF5とが接続されている。   The transmission system of the communication semiconductor integrated circuit 400 includes a D / A converter 31, a low-pass filter 32, transmission mixers 33 and 34, and driver amplifiers 35 and 36. Note that RF power amplifiers 37 and 38 outside the communication semiconductor integrated circuit 400 and bandpass filters BPF4 and BPF5 are connected to the outputs of the driver amplifiers 35 and 36, respectively.

通信用半導体集積回路400の受信システムの受信ミキサ25に供給される受信用ローカル信号と送信システムの送信ミキサ33、34に供給される送信用ローカル信号とは、ΣΔフラクショナルPLL周波数シンセサイザ30から生成される。ΣΔフラクショナルPLL周波数シンセサイザ30には、通信用半導体集積回路400の外部でループフィルタ39と水晶振動子40とが接続される。   The reception local signal supplied to the reception mixer 25 of the reception system of the communication semiconductor integrated circuit 400 and the transmission local signal supplied to the transmission mixers 33 and 34 of the transmission system are generated from the ΣΔ fractional PLL frequency synthesizer 30. The A loop filter 39 and a crystal resonator 40 are connected to the ΣΔ fractional PLL frequency synthesizer 30 outside the semiconductor integrated circuit 400 for communication.

ドライバアンプ35の出力から2.4GHzの周波数帯域のRF送信信号が形成され、ドライバアンプ36の出力から5GHzの周波数帯域および5.8GHzの周波数帯域のRF送信信号が形成される。ドライバアンプ35の出力とドライバアンプ36の出力には、RFテスト信号供給回路18の第1テスト入力端子Test_Sig_in1と第2テスト入力端子Test_Sig_in2とが接続される。RFテスト信号供給回路18のテスト出力端子Test_Sig_Outは、受信システムのローノイズアンプ24の入力に接続される。   An RF transmission signal in the frequency band of 2.4 GHz is formed from the output of the driver amplifier 35, and an RF transmission signal in the frequency band of 5 GHz and 5.8 GHz is formed from the output of the driver amplifier 36. The first test input terminal Test_Sig_in1 and the second test input terminal Test_Sig_in2 of the RF test signal supply circuit 18 are connected to the output of the driver amplifier 35 and the output of the driver amplifier 36. The test output terminal Test_Sig_Out of the RF test signal supply circuit 18 is connected to the input of the low noise amplifier 24 of the receiving system.

また、図8の通信用半導体集積回路400のコマンド入力部19へ電源投入時等の初期化動作でコマンドCMDが供給される。このコマンドCMDは、図8の通信用半導体集積回路200がワイヤレスLANの子機と親機とのいずれかで動作するかの動作モード設定コマンドとなっている。またコマンドCMDには、通信用半導体集積回路200の受信システムと送信システムとが2.4GHz、5GHz、5.8GHzのいずれの周波数帯域をそれぞれ使用するかのモード情報が含まれている。   Also, the command CMD is supplied to the command input unit 19 of the communication semiconductor integrated circuit 400 of FIG. This command CMD is an operation mode setting command for determining whether the communication semiconductor integrated circuit 200 of FIG. 8 operates in either the wireless LAN slave device or the master device. The command CMD includes mode information indicating which frequency band of 2.4 GHz, 5 GHz, and 5.8 GHz is used by the reception system and the transmission system of the communication semiconductor integrated circuit 200.

図8の通信用半導体集積回路400のフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路18のセレクタ18hは、ドライバアンプ35の出力の第1テスト入力信号Test_Sig_in1とドライバアンプ36の出力の第2テスト入力信号Test_Sig_in2とのいずれか一方を選択して、ミキサ18gに供給する。ミキサ18gでは、選択されたテスト入力信号とフラクショナルPLL回路のオフセット周波数信号とのミキシングが行われ、ミキサ18gから和成分または差成分のテスト出力信号Test_Sig_Outが生成される。   The selector 18h of the RF test signal supply circuit 18 constituted by the fractional PLL circuit of the communication semiconductor integrated circuit 400 of FIG. 8 performs the second test of the first test input signal Test_Sig_in1 output from the driver amplifier 35 and the output from the driver amplifier 36. Either one of the input signals Test_Sig_in2 is selected and supplied to the mixer 18g. In the mixer 18g, the selected test input signal and the offset frequency signal of the fractional PLL circuit are mixed, and a test output signal Test_Sig_Out of a sum component or a difference component is generated from the mixer 18g.

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited thereto and can be variously modified without departing from the gist thereof.

例えば、本発明の半導体集積回路のRFテスト信号供給回路18は、半導体集積回路の製造段階の出荷前の良不良判定テストに使用するだけに限定されるものではない。例えば、RFテスト信号供給回路18は、半導体集積回路の通常動作モードでの受信動作の前に半導体集積回路の受信システムでの受信誤差を校正するために使用することができる。例えば、図8の通信用半導体集積回路の受信システムのローノイズアンプ24、受信ミキサ25、プログラマブルゲインアンプ26、28、ローパスフィルタ28の種々の信号処理特性の誤差を所望範囲内に校正するために、RFテスト信号供給回路18を使用することができる。すなわち、テスト入力信号Test_Sig_in1、2からRFテスト信号供給回路18により周波数変換されたRFテスト出力信号Test_Sig_Outに対する図8の通信用半導体集積回路の受信システムの種々の回路の応答特性から、種々の回路の特性の校正が可能となる。   For example, the RF test signal supply circuit 18 of the semiconductor integrated circuit according to the present invention is not limited to being used for a good / defective judgment test before shipment at the manufacturing stage of the semiconductor integrated circuit. For example, the RF test signal supply circuit 18 can be used to calibrate the reception error in the reception system of the semiconductor integrated circuit before the reception operation in the normal operation mode of the semiconductor integrated circuit. For example, in order to calibrate the error of various signal processing characteristics of the low noise amplifier 24, the reception mixer 25, the programmable gain amplifiers 26 and 28, and the low-pass filter 28 of the reception system of the communication semiconductor integrated circuit of FIG. An RF test signal supply circuit 18 can be used. That is, from the response characteristics of various circuits of the receiving system of the semiconductor integrated circuit for communication of FIG. 8 to the RF test output signal Test_Sig_Out that is frequency-converted by the RF test signal supply circuit 18 from the test input signal Test_Sig_in 1, 2, The characteristic can be calibrated.

また、低価格の汎用外部テスト装置から、図1の通信用半導体集積回路100のRFパワー増幅器16のIC出力端子に低周波テスト信号を印加することもできる。この低周波テスト信号は、RFテスト信号供給回路18を介して、ローノイズアンプ4のIC入力端子に伝達される。低価格の汎用外部テスト装置の信号アナライザ200が、ローノイズアンプ4のIC入力端子に伝達されたRFテスト信号供給回路18の出力信号を解析する。それにより、通信用半導体集積回路100のRFパワー増幅器16のIC出力端子とローノイズアンプ4のIC入力端子との電気的導通のテストを行うことができる。尚、この場合には、RFテスト信号供給回路18の第1分周器18aの第1分周数Nと第2分周器18fの第2分周数Mとは伴に“1”に設定される。   Further, a low-frequency test signal can be applied to the IC output terminal of the RF power amplifier 16 of the communication semiconductor integrated circuit 100 of FIG. This low frequency test signal is transmitted to the IC input terminal of the low noise amplifier 4 via the RF test signal supply circuit 18. A signal analyzer 200 of a low-cost general-purpose external test device analyzes the output signal of the RF test signal supply circuit 18 transmitted to the IC input terminal of the low noise amplifier 4. As a result, it is possible to test the electrical continuity between the IC output terminal of the RF power amplifier 16 of the communication semiconductor integrated circuit 100 and the IC input terminal of the low noise amplifier 4. In this case, the first frequency division number N of the first frequency divider 18a and the second frequency division number M of the second frequency divider 18f of the RF test signal supply circuit 18 are set to "1". Is done.

《携帯電話に使用可能な他の通信用半導体集積回路の構成》
図12は、本発明のさらに他の1つの実施の形態による携帯電話に使用可能なRF通信用半導体集積回路(RF IC)500を示すブロック図である。このRF IC(500)は、携帯電話のGSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900の方式の送受信を行うことが可能である。
<< Configuration of Other Communication Semiconductor Integrated Circuits Usable for Mobile Phones >>
FIG. 12 is a block diagram showing an RF communication semiconductor integrated circuit (RF IC) 500 that can be used in a mobile phone according to still another embodiment of the present invention. This RF IC (500) can perform transmission / reception in the GSM850, GSM900, DCS1800, and PCS1900 systems of mobile phones.

図13は、携帯電話の各種の通信方式の送受信帯域を示す図である。図10の上部には、WCDMA方式の送受信帯域を示している。GSM850の場合、無線通信端末のRF送信信号TXの周波数帯域が824〜849MHzであるのに対して、無線通信端末のRF受信信号RXの周波数帯域は869〜894MHzとなっている。GSM900の場合、無線通信端末のRF送信信号TXの周波数帯域が880〜915MHzであるのに対して、無線通信端末のRF受信信号RXの周波数帯域は925〜960MHzとなっている。DCS1800の場合、無線通信端末のRF送信信号TXの周波数帯域が1710〜1785MHzであるのに対して、無線通信端末のRF受信信号RXの周波数帯域は1805〜1880MHzとなっている。PCS1900の場合、無線通信端末のRF送信信号TXの周波数帯域が1850〜1910MHzであるのに対して、無線通信端末のRF受信信号RXの周波数帯域は1930〜1990MHzとなっている。このように、いずれの周波数帯域(バンド)においても、受信帯域周波数RXが送信帯域周波数TXよりも高いFDD方式が採用されている。   FIG. 13 is a diagram showing transmission / reception bands of various communication methods of the mobile phone. The upper part of FIG. 10 shows the transmission / reception band of the WCDMA system. In the case of GSM850, the frequency band of the RF transmission signal TX of the wireless communication terminal is 824 to 849 MHz, whereas the frequency band of the RF reception signal RX of the wireless communication terminal is 869 to 894 MHz. In the case of GSM900, the frequency band of the RF transmission signal TX of the wireless communication terminal is 880 to 915 MHz, whereas the frequency band of the RF reception signal RX of the wireless communication terminal is 925 to 960 MHz. In the case of DCS1800, the frequency band of the RF transmission signal TX of the wireless communication terminal is 1710 to 1785 MHz, whereas the frequency band of the RF reception signal RX of the wireless communication terminal is 1805 to 1880 MHz. In the case of PCS1900, the frequency band of the RF transmission signal TX of the wireless communication terminal is 1850 to 1910 MHz, whereas the frequency band of the RF reception signal RX of the wireless communication terminal is 1930 to 1990 MHz. Thus, in any frequency band (band), the FDD scheme in which the reception band frequency RX is higher than the transmission band frequency TX is adopted.

図12に示したRF ICのRFテスト信号供給回路18はテストモードにおいて、送信回路TX_SPU_GSMからのRF送信信号を周波数逓倍することで生成したRFテスト信号を受信回路RX_SPU_GSMに供給する。すなわち、携帯電話のGSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900のいずれの場合のテストモードにおいても、フラクショナルPLLで構成されたRFテスト信号供給回路18は、周波数逓倍数が整数と伴に分数を含むことが可能となっている。その結果、RFテスト信号供給回路18の周波数変換の自由度が向上され、携帯電話のGSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900の良好なテストが可能となる。   In the test mode, the RF test signal supply circuit 18 of the RF IC shown in FIG. 12 supplies an RF test signal generated by multiplying the frequency of the RF transmission signal from the transmission circuit TX_SPU_GSM to the reception circuit RX_SPU_GSM. That is, in any of the test modes in the case of GSM850, GSM900, DCS1800, and PCS1900 of the mobile phone, the RF test signal supply circuit 18 configured by the fractional PLL can include a fraction with a frequency multiplication number as an integer. It has become. As a result, the degree of freedom of frequency conversion of the RF test signal supply circuit 18 is improved, and good tests of the mobile phones GSM850, GSM900, DCS1800, and PCS1900 are possible.

すなわち、図12に示したRF ICの中央の回路RX_SPU_GSMは、GSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900の受信のための回路である。図12に示したRF ICの下部の回路TX_SPU_GSMは、GSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900の送信のための回路である。   That is, the circuit RX_SPU_GSM at the center of the RF IC shown in FIG. 12 is a circuit for receiving GSM850, GSM900, DCS1800, and PCS1900. A circuit TX_SPU_GSM below the RF IC shown in FIG. 12 is a circuit for transmission of GSM850, GSM900, DCS1800, and PCS1900.

図12に示したRF ICの中央の回路Frct_Synthは、RF ICの送受信ローカル信号を形成するフラクショナルシンセサイザである。このフラクショナルシンセサイザFrct_Synthは、システム基準電圧制御発振器(DCX−CVO)40と受信用電圧制御発振器(Rx−VCO)19とを含んでいる。   The circuit Frct_Synth at the center of the RF IC shown in FIG. 12 is a fractional synthesizer that forms a transmission / reception local signal of the RF IC. The fractional synthesizer Frct_Synth includes a system reference voltage controlled oscillator (DCX-CVO) 40 and a reception voltage controlled oscillator (Rx-VCO) 19.

GSM850、GSM900、DCS1800、PCS1900のいずれの通信方式の「受信モード」においても、RF ICの中央のフラクショナルシンセサイザFrct_Synthはそれぞれに適切な受信ローカル信号を形成する。適切な受信ローカル信号は受信回路RX_SPU_GSMの受信ミキサRX−MIX_I、RX−MIX−Qに供給されることにより、受信回路RX_SPU_GSMの出力にI、Qアナログベースバンド受信信号RxABI、RxABQが形成される。このベースバンド信号は、ベースバンド信号処理LSIに供給される。   In any “reception mode” of any communication system of GSM850, GSM900, DCS1800, and PCS1900, the fractional synthesizer Frct_Synth at the center of the RF IC forms an appropriate reception local signal. Appropriate reception local signals are supplied to the reception mixers RX-MIX_I and RX-MIX-Q of the reception circuit RX_SPU_GSM, so that I and Q analog baseband reception signals RxABI and RxABQ are formed at the output of the reception circuit RX_SPU_GSM. This baseband signal is supplied to the baseband signal processing LSI.

逆にベースバンド信号処理LSIからのI、Qアナログベースバンド送信信号TxABI、TxABQは、送信回路TX_SPU_GSMによってRF送信信号に変換される。この送信回路TX_SPU_GSMは、送信系オフセットPLL回路TX_Offset_PLLにより構成されている。   Conversely, the I and Q analog baseband transmission signals TxABI and TxABQ from the baseband signal processing LSI are converted into RF transmission signals by the transmission circuit TX_SPU_GSM. The transmission circuit TX_SPU_GSM is configured by a transmission system offset PLL circuit TX_Offset_PLL.

送信系オフセットPLL回路TX_Offset_PLLは、GSM850のRF送信信号Tx_GSM850とGSM900のRF送信信号Tx_GSM900との送信動作に対応する必要が有る。そのため、受信用Rx−VCO19の発振周波数は分周比2に設定された2個の分周器DIV1(1/2)、DIV4(1/2)を介して位相制御帰還用周波数ダウンミキサーDWN_MIX_PMの一方の入力端子に供給される。また、送信ミキサTX−MIX_I、TX−MIX_Qに接続された中間周波数分周器DIV2(1/NIF)の分周比NIFは、26に設定されている。一方、送信用Tx−VCO2の発振出力信号が、分周数2に設定された2個の分周器DIV5、分周器DIV3を介して、位相制御帰還用周波数ダウンミキサーDWN_MIX_PMの他方の入力端子に供給されている。ダウンミキサーDWN_MIX_PMでは一方の入力信号と他方の入力信号とのミキシングが行われる。従って、ダウンミキサーDWN_MIX_PMの出力から、2つの入力信号の差の周波数の帰還信号が形成されて、送信系オフセットPLL回路TX_Offset_PLLの位相比較器PCの他方の入力端子に供給される。また、位相比較器PCの一方の入力端子には、送信ミキサTX−MIX_I、Qの出力に接続された加算器の出力のベクトル合成された中間周波送信信号fIFが基準信号として供給されている。中間周波数分周器DIV2(1/NIF)の分周数NIFである26と90度位相シフタでの分周数2とで、合計分周数は52となっている。従って、中間周波送信信号fIFの周波数は、受信用Rx−VCO19の周波数の1/52となる。また、送信系オフセットPLL回路TX_Offset_PLLの負帰還制御によって、位相比較器PCの一方の入力端子の基準信号と他方の入力端子のダウンミキサーDWN_MIX_PMから帰還信号とは一致するようになる。結果としては、0.8GHzのRF送信信号のGSM850と0.9GHzのRF送信信号のGSM900との送信動作に、受信用Rx−VCO19と送信用Tx−VCO2とは送信周波数の略4倍の略3.6GHzから略3.9GHzで発振する。   The transmission system offset PLL circuit TX_Offset_PLL needs to correspond to the transmission operation of the GSM850 RF transmission signal Tx_GSM850 and the GSM900 RF transmission signal Tx_GSM900. Therefore, the oscillation frequency of the receiving Rx-VCO 19 is controlled by the phase control feedback frequency downmixer DWN_MIX_PM via the two frequency dividers DIV1 (1/2) and DIV4 (1/2) set to the frequency division ratio 2. It is supplied to one input terminal. Further, the frequency division ratio NIF of the intermediate frequency divider DIV2 (1 / NIF) connected to the transmission mixers TX-MIX_I and TX-MIX_Q is set to 26. On the other hand, the oscillation output signal of the transmission Tx-VCO 2 is supplied to the other input terminal of the phase control feedback frequency downmixer DWN_MIX_PM via the two frequency dividers DIV5 and DIV3 set to the frequency division number 2. Has been supplied to. In the downmixer DWN_MIX_PM, mixing of one input signal and the other input signal is performed. Therefore, a feedback signal having a frequency difference between the two input signals is formed from the output of the downmixer DWN_MIX_PM and supplied to the other input terminal of the phase comparator PC of the transmission system offset PLL circuit TX_Offset_PLL. Further, one input terminal of the phase comparator PC is supplied with an intermediate frequency transmission signal fIF obtained by vector synthesis of the output of the adder connected to the outputs of the transmission mixers TX-MIX_I and Q as a reference signal. The total frequency division number is 52, which is 26 as the frequency division number NIF of the intermediate frequency divider DIV2 (1 / NIF) and the frequency division number 2 at the 90-degree phase shifter. Therefore, the frequency of the intermediate frequency transmission signal fIF is 1/52 of the frequency of the reception Rx-VCO 19. Further, the negative feedback control of the transmission system offset PLL circuit TX_Offset_PLL makes the reference signal of one input terminal of the phase comparator PC coincide with the feedback signal from the downmixer DWN_MIX_PM of the other input terminal. As a result, in the transmission operation of the GSM850 of the 0.8 GHz RF transmission signal and the GSM900 of the 0.9 GHz RF transmission signal, the reception Rx-VCO 19 and the transmission Tx-VCO2 are approximately four times the transmission frequency. It oscillates from 3.6 GHz to about 3.9 GHz.

また送信系オフセットPLL回路TX_Offset_PLLは、DCS1800のRF送信信号Tx_DCS1800とPSC1900のRF送信信号Tx_PSC1900との送信動作に対応する必要が有る。そのため、受信用Rx−VCO19の発振周波数は分周比2に設定された2個の分周器DIV1(1/2)、を介して位相制御帰還用周波数ダウンミキサーDWN_MIX_PMの一方の入力端子に供給される。また、送信ミキサTX−MIX_I、TX−MIX_Qに接続された中間周波数分周器DIV2(1/NIF)の分周比NIFは、26に設定されている。一方、送信用Tx−VCO2の発振出力信号が、分周数2に設定された1個の分周器DIV5を介して、位相制御帰還用周波数ダウンミキサーDWN_MIX_PMの他方の入力端子に供給されている。ダウンミキサーDWN_MIX_PMでは一方の入力信号と他方の入力信号とのミキシングが行われる。従って、ダウンミキサーDWN_MIX_PMの出力から、2つの入力信号の差の周波数の帰還信号が形成されて、送信系オフセットPLL回路TX_Offset_PLLの位相比較器PCの他方の入力端子に供給される。また、位相比較器PCの一方の入力端子には、送信ミキサTX−MIX_I、Qの出力に接続された加算器の出力のベクトル合成された中間周波送信信号fIFが基準信号として供給されている。中間周波数分周器DIV2(1/NIF)の分周数NIFである26と90度位相シフタでの分周数2とで、合計分周数は52となっている。従って、中間周波送信信号fIFの周波数は、受信用Rx−VCO19の周波数の1/52となる。また、送信系オフセットPLL回路TX_Offset_PLLの負帰還制御によって、位相比較器PCの一方の入力端子の基準信号と他方の入力端子のダウンミキサーDWN_MIX_PMから帰還信号とは一致するようになる。結果としては、1.7GHzのRF送信信号のDCS1800と1.9GHzのRF送信信号のPCS1900との送信動作に、受信用Rx−VCO19と送信用Tx−VCO2とは送信周波数の略2倍の略3.6GHzから略3.9GHzで発振する。   The transmission system offset PLL circuit TX_Offset_PLL needs to correspond to the transmission operation of the RF transmission signal Tx_DCS1800 of DCS1800 and the RF transmission signal Tx_PSC1900 of PSC1900. Therefore, the oscillation frequency of the receiving Rx-VCO 19 is supplied to one input terminal of the phase control feedback frequency downmixer DWN_MIX_PM via two frequency dividers DIV1 (1/2) set to a frequency division ratio of 2. Is done. Further, the frequency division ratio NIF of the intermediate frequency divider DIV2 (1 / NIF) connected to the transmission mixers TX-MIX_I and TX-MIX_Q is set to 26. On the other hand, the oscillation output signal of the transmission Tx-VCO 2 is supplied to the other input terminal of the phase control feedback frequency downmixer DWN_MIX_PM via one frequency divider DIV5 set to the frequency division number 2. . In the downmixer DWN_MIX_PM, mixing of one input signal and the other input signal is performed. Therefore, a feedback signal having a frequency difference between the two input signals is formed from the output of the downmixer DWN_MIX_PM and supplied to the other input terminal of the phase comparator PC of the transmission system offset PLL circuit TX_Offset_PLL. Further, one input terminal of the phase comparator PC is supplied with an intermediate frequency transmission signal fIF obtained by vector synthesis of the output of the adder connected to the outputs of the transmission mixers TX-MIX_I and Q as a reference signal. The total frequency division number is 52, which is 26 as the frequency division number NIF of the intermediate frequency divider DIV2 (1 / NIF) and the frequency division number 2 at the 90-degree phase shifter. Therefore, the frequency of the intermediate frequency transmission signal fIF is 1/52 of the frequency of the reception Rx-VCO 19. Further, the negative feedback control of the transmission system offset PLL circuit TX_Offset_PLL makes the reference signal of one input terminal of the phase comparator PC coincide with the feedback signal from the downmixer DWN_MIX_PM of the other input terminal. As a result, the transmission Rx-VCO 19 and the transmission Tx-VCO2 are approximately twice the transmission frequency in the transmission operation of the DCS 1800 of the RF transmission signal of 1.7 GHz and the PCS 1900 of the RF transmission signal of 1.9 GHz. It oscillates from 3.6 GHz to about 3.9 GHz.

図1は、本発明の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a communication semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. 図2は、子機テスト動作モードへの設定コマンドに応答した図1の通信用半導体集積回路のRFテスト信号供給回路の動作を説明する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the RF test signal supply circuit of the communication semiconductor integrated circuit of FIG. 1 in response to the command for setting the slave unit test operation mode. 図3は、親機テスト動作モードへの設定コマンドに応答した図1の通信用半導体集積回路のRFテスト信号供給回路の動作を説明する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the RF test signal supply circuit of the communication semiconductor integrated circuit of FIG. 1 in response to the command for setting to the parent device test operation mode. 図4は、本発明の他の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a communication semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention. 図5は図4の通信用半導体集積回路のフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路により4つの周波数帯域のテスト入力信号から4つの周波数帯域のテスト出力信号を生成するための第1分周数と第2分周数とを示す図である。FIG. 5 is a first diagram for generating test output signals of four frequency bands from test input signals of four frequency bands by an RF test signal supply circuit configured by the fractional PLL circuit of the semiconductor integrated circuit for communication of FIG. It is a figure which shows a frequency and a 2nd frequency dividing number. 図6は、本発明のさらに他の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a communication semiconductor integrated circuit according to still another embodiment of the present invention. 図7は図6の通信用半導体集積回路のフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路により4つの周波数帯域のテスト入力信号から4つの周波数帯域のテスト出力信号を生成するためのフラクショナルPLL回路のオフセット周波数を示す図である。FIG. 7 shows a fractional PLL circuit for generating test output signals in four frequency bands from test input signals in four frequency bands by an RF test signal supply circuit composed of the fractional PLL circuit of the semiconductor integrated circuit for communication in FIG. It is a figure which shows the offset frequency. 図8は、本発明のさらに他の1つの実施の形態による通信用半導体集積回路を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a communication semiconductor integrated circuit according to still another embodiment of the present invention. 図9は、図4の通信用半導体集積回路内部のフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路を示すブロック図である。FIG. 9 is a block diagram showing an RF test signal supply circuit composed of a fractional PLL circuit in the communication semiconductor integrated circuit of FIG. 図10は、図9に示したフラクショナルPLL回路で構成されたRFテスト信号供給回路内部のΣΔ変調器の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of the ΣΔ modulator in the RF test signal supply circuit configured by the fractional PLL circuit shown in FIG. 図11は、図10に示したRFテスト信号供給回路18内部のΣΔ変調器の動作を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the operation of the ΣΔ modulator in the RF test signal supply circuit 18 shown in FIG. 図12は、本発明のさらに他の1つの実施の形態による携帯電話に使用可能なRF通信用半導体集積回路を示すブロック図である。FIG. 12 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit for RF communication that can be used in a mobile phone according to still another embodiment of the present invention. 図13は、携帯電話の各種の通信方式の送受信帯域を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing transmission / reception bands of various communication methods of the mobile phone. 図14は、子機テスト動作モードへの設定コマンドを使用した図1の通信用半導体集積回路のテスト動作を説明する図である。FIG. 14 is a diagram for explaining a test operation of the communication semiconductor integrated circuit of FIG. 1 using a setting command to the slave unit test operation mode. 図15は、親機テスト動作モードへの設定コマンドを使用した図1の通信用半導体集積回路のテスト動作を説明する図である。FIG. 15 is a diagram for explaining the test operation of the communication semiconductor integrated circuit of FIG. 1 using the setting command to the parent device test operation mode. 図16は、本発明に先立って本発明者等により検討されたアナログコードレス電話に搭載される通信用半導体集積回路の子機としての送受信の通信機能のテストを説明する図である。FIG. 16 is a diagram for explaining a test of a transmission / reception communication function as a slave unit of a semiconductor integrated circuit for communication mounted on an analog cordless telephone studied by the present inventors prior to the present invention. 図17は、本発明に先立って本発明者等により検討されたアナログコードレス電話に搭載される通信用半導体集積回路の親機としての送受信の通信機能のテストを説明する図である。FIG. 17 is a diagram for explaining a test of a transmission / reception communication function as a master unit of a communication semiconductor integrated circuit mounted on an analog cordless telephone studied by the present inventors prior to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

100 通信用半導体集積回路
1 アンテナ
2 デュプレクサ、アンテナスイッチ
3 バンドパスフィルタ
4 ローノイズアンプ
5 バンドパスフィルタ
6 受信ミキサ
7 受信用電圧制御発振器
8 バンドパスフィルタ
9 中間周波増幅器
10 FM復調器
11 バンドパスフィルタ
12 出力増幅器
13 入力増幅器
14 FM変調器
15 ドライバ
16 RFパワー増幅器
17 バンドパスフィルタ
18 RFテスト信号供給回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Communication semiconductor integrated circuit 1 Antenna 2 Duplexer, antenna switch 3 Band pass filter 4 Low noise amplifier 5 Band pass filter 6 Receiving mixer 7 Voltage control oscillator for reception 8 Band pass filter 9 Intermediate frequency amplifier 10 FM demodulator 11 Band pass filter 12 Output amplifier 13 Input amplifier 14 FM modulator 15 Driver 16 RF power amplifier 17 Band pass filter 18 RF test signal supply circuit

Claims (8)

RF受信入力信号を処理する受信システムと、RF送信出力信号を生成する送信システムとを含み、
前記RF受信入力信号は所定の受信周波数帯域に設定可能とされ、前記RF送信出力信号は前記受信周波数帯域の周波数と異なる所定の送信周波数帯域に設定可能とされ、
前記送信システムにより前記送信周波数帯域に生成された前記RF送信出力信号を前記受信システムにより処理可能な周波数帯域を持つRFテスト信号に変換して該RFテスト信号を前記受信システムに供給するRFテスト信号供給回路を更に含み、
通常動作モードに設定されることにより、前記受信システムは前記受信周波数帯域に設定された前記RF受信入力信号を処理する一方、前記送信システムは前記送信周波数帯域に設定された前記RF送信出力信号を生成するものであり、
前記通常動作モードと異なる他の動作モードに設定されることにより、前記RFテスト信号供給回路は前記RFテスト信号を前記受信システムに供給するものである半導体集積回路。
A receiving system for processing an RF received input signal; and a transmitting system for generating an RF transmitted output signal;
The RF reception input signal can be set to a predetermined reception frequency band, and the RF transmission output signal can be set to a predetermined transmission frequency band different from the frequency of the reception frequency band,
An RF test signal for converting the RF transmission output signal generated in the transmission frequency band by the transmission system into an RF test signal having a frequency band that can be processed by the reception system and supplying the RF test signal to the reception system Further comprising a supply circuit;
By setting the normal operation mode, the reception system processes the RF reception input signal set in the reception frequency band, while the transmission system processes the RF transmission output signal set in the transmission frequency band. Is to generate
A semiconductor integrated circuit in which the RF test signal supply circuit supplies the RF test signal to the reception system when set in another operation mode different from the normal operation mode.
前記他の動作モードは前記半導体集積回路のテストモードであり、
前記テストモードとしての前記他の動作モードで前記RFテスト信号供給回路を使用することにより、前記半導体集積回路の前記送信システムと前記受信システムとが正常か否かのテストを可能とするものである請求項1に記載の半導体集積回路。
The other operation mode is a test mode of the semiconductor integrated circuit,
By using the RF test signal supply circuit in the other operation mode as the test mode, it is possible to test whether the transmission system and the reception system of the semiconductor integrated circuit are normal. The semiconductor integrated circuit according to claim 1.
前記他の動作モードは前記半導体集積回路の校正モードであり、
前記校正モードとしての前記他の動作モードで前記RFテスト信号供給回路を使用することにより、前記通常動作モードに先立って前記半導体集積回路の前記受信システムの受信誤差を低減する校正動作を可能とするものである請求項1に記載の半導体集積回路。
The other operation mode is a calibration mode of the semiconductor integrated circuit,
By using the RF test signal supply circuit in the other operation mode as the calibration mode, it is possible to perform a calibration operation that reduces the reception error of the reception system of the semiconductor integrated circuit prior to the normal operation mode. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein
前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域の周波数が前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域の周波数よりも高く設定された場合に、前記RFテスト信号供給回路は周波数ダウンコンバージョンのモードに設定され、前記RFテスト信号供給回路の前記周波数ダウンコンバージョンの機能により、前記RF送信出力信号が低い周波数に変換されることにより前記RFテスト信号が前記RFテスト信号供給回路により生成され、
前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域の周波数が前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域の周波数よりも低く設定された場合に、前記RFテスト信号供給回路は周波数アップコンバージョンのモードに設定され、前記RFテスト信号供給回路の前記周波数アップコンバージョンの機能により、前記RF送信出力信号が高い周波数に変換されることにより前記RFテスト信号が前記RFテスト信号供給回路により生成される請求項2に記載の半導体集積回路。
When the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set higher than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal, the RF test signal supply circuit is set to a frequency down-conversion mode, The RF test signal is generated by the RF test signal supply circuit by converting the RF transmission output signal to a low frequency by the function of the frequency down-conversion of the RF test signal supply circuit,
When the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set lower than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal, the RF test signal supply circuit is set to a frequency up-conversion mode, The RF test signal is generated by the RF test signal supply circuit by converting the RF transmission output signal to a high frequency by the frequency up-conversion function of the RF test signal supply circuit. Semiconductor integrated circuit.
前記RFテスト信号供給回路は、フェーズロックドループ回路を含んでいる請求項4に記載の半導体集積回路。   The semiconductor integrated circuit according to claim 4, wherein the RF test signal supply circuit includes a phase-locked loop circuit. 前記RFテスト信号供給回路は、分周器の分周数が分数を含むことが可能なフラクショナルフェーズロックドループ回路を含んでいる請求項5に記載の半導体集積回路。   6. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the RF test signal supply circuit includes a fractional phase locked loop circuit in which a frequency division number of the frequency divider can include a fraction. 前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域と前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域とはISM周波数帯域の900MHz、1.8GHz、2.4GHz、5.8GHzの4つの周波数帯域のいずれか2つの周波数帯域に設定可能である請求項4に記載の半導体集積回路。   The reception frequency band of the RF reception input signal and the transmission frequency band of the RF transmission output signal are any one of four frequency bands of 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, and 5.8 GHz of the ISM frequency band. The semiconductor integrated circuit according to claim 4, which can be set in a frequency band. 請求項1に記載の前記半導体集積回路を準備するステップと、
前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域の周波数が前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域の周波数よりも高く設定される場合の動作モードのテストのために、前記RFテスト信号供給回路は周波数ダウンコンバージョンのモードに設定するステップと、
外部テスト装置から送信テスト信号を前記送信システムに供給して、前記RFテスト信号供給回路の前記周波数ダウンコンバージョンの機能により生成された低い周波数のRFテスト信号に応答する前記受信システムから生成される受信出力信号を前記外部テスト装置により解析するステップと、
前記RF送信出力信号の前記送信周波数帯域の周波数が前記RF受信入力信号の前記受信周波数帯域の周波数よりも低く設定される場合の動作モードのテストのために、前記RFテスト信号供給回路は周波数アップコンバージョンのモードに設定するステップと、
前記外部テスト装置から前記送信テスト信号を前記送信システムに供給して、前記RFテスト信号供給回路の前記周波数アップコンバージョンの機能により生成された高い周波数のRFテスト信号に応答する前記受信システムから生成される受信出力信号を前記外部テスト装置により解析するステップとを含む半導体集積回路のテスト方法。
Preparing the semiconductor integrated circuit according to claim 1;
In order to test an operation mode when the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set to be higher than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal, the RF test signal supply circuit reduces the frequency. Set the conversion mode,
A reception test signal is generated from the reception system in response to a low frequency RF test signal generated by the frequency down conversion function of the RF test signal supply circuit by supplying a transmission test signal from an external test device to the transmission system. Analyzing the output signal by the external test device;
In order to test the operation mode when the frequency of the transmission frequency band of the RF transmission output signal is set lower than the frequency of the reception frequency band of the RF reception input signal, the RF test signal supply circuit increases the frequency. Set the conversion mode,
The transmission test signal from the external test device is supplied to the transmission system and generated from the reception system in response to a high frequency RF test signal generated by the frequency up-conversion function of the RF test signal supply circuit. Analyzing the received output signal by the external test device.
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