JP2008227360A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板内への溝形成時のマスクと、溝内に充填させた絶縁層を除去する際のストッパとをそれぞれ別々の層に担わせることによって、研磨ストッパ層の厚さを低くする。
【選択図】図1
Description
以上のようにして、基板の素子形成面と、素子分離領域の面をそろえることが可能となる。上記従来の製造方法ではこの後、ゲート酸化膜210上に、ゲート電極を形成する(図示していない)。
このようにして発生したボイド207はその後の工程で半導体装置の表面に露出し、素子分離領域に意図しない凹みを形成することとなっていた(図4(c)、図5(a)の凹み207)。
(a)トレンチのアスペクト比を小さくする。
(b)窒化膜(マスク)203の高さを低くすることによって、絶縁膜の埋設時の溝(トレンチの深さと窒化膜の高さを足し合わせた高さ)を低くする。
1.半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面に熱酸化を行うことにより熱酸化膜を設ける工程と、
前記熱酸化膜上に研磨ストッパ層を形成する工程と、
前記研磨ストッパ層上に1層以上のハードマスク材料を形成した後、前記ハードマスク材料をパターニングして、ハードマスクAを形成するハードマスク形成工程と、
前記ハードマスクAを用いて前記研磨ストッパ層、熱酸化膜及び半導体基板内に溝を形成する形成工程と、
前記ハードマスクAを除去する除去工程Aと、
熱酸化を行い、前記半導体基板が露出している部分に熱酸化膜を形成する工程と、
全面に絶縁膜を堆積させる堆積工程と、
前記研磨ストッパ層をストッパに用いて、CMPにより前記絶縁膜を除去する除去工程Bと、
前記研磨ストッパ層を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3.前記ハードマスク形成工程は、下記(1)又は(2)で表されるマスク形成工程であることを特徴とする上記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
(1)前記研磨ストッパ層上に前記ハードマスク材料としてカーボン膜を形成し、前記カーボン膜上にシリコン含有フォトレジストを形成した後、リソグラフィーにより前記シリコン含有フォトレジストをパターニングする工程と、
パターニングした前記シリコン含有フォトレジストをマスクに用いて前記カーボン膜をパターニングすることにより前記ハードマスクAを形成する工程と、
を有するマスク形成工程。
(2)前記ハードマスク材料として前記研磨ストッパ層上に順にカーボン膜及びマスクBを形成し、前記マスクB上にフォトレジストを形成した後、リソグラフィーにより前記フォトレジストをパターニングする工程と、
パターニングした前記フォトレジストをマスクに用いて前記マスクBをパターニングする工程と、
パターニングした前記マスクBをマスクに用いて前記カーボン膜をパターニングする工程と、
を有するマスク形成工程。
前記堆積工程において、CVD法により前記絶縁膜を堆積させることを特徴とする上記1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
6.前記形成工程において形成した溝の深さが170〜260nmであることを特徴とする上記1〜5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
8.前記研磨ストッパ層の厚さが10〜50nmであることを特徴とする上記1〜7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
9.前記半導体基板内の溝の内部に堆積された絶縁膜が素子分離領域を構成することを特徴とする上記1〜8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
「溝の幅」とは、上記のようにして定義した形成工程後の溝の、研磨ストッパ層間の横幅(間隔)を表す。例えば、図1(c)では、この溝の幅は符号L1で表される。
「溝の深さ」とは、上記のようにして定義した形成工程後の溝の、凹部の底部から研磨ストッパ層最上部までの高さを表す。例えば、図1(c)では、この溝の深さは符号L2で表される。
「溝のアスペクト比」とは、上記のようにして定義した、(溝の深さ)/(溝の幅)を表す。例えば、図1(c)では、この溝は符号L2/L1で表される。
また、「ハードマスクA」とはフォトレジストとは異なるものであり、フォトレジストマスクに比べてエッチング耐性が高く、エッチングによる研磨ストッパ層、熱酸化膜及び半導体基板の加工を容易にする為に用いられるマスクを表す。
前記半導体基板の表面に熱酸化を行うことにより熱酸化膜を設ける工程と、
前記熱酸化膜上に研磨ストッパ層を形成する工程と、
前記研磨ストッパ層上に1層以上のハードマスク材料を形成した後、前記ハードマスク材料をパターニングして、ハードマスクAを形成するハードマスク形成工程と、
前記ハードマスクAを用いて前記研磨ストッパ層、熱酸化膜及び半導体基板内に溝を形成する形成工程と、
前記ハードマスクAを除去する除去工程Aと、
熱酸化を行い、前記半導体基板が露出している部分に熱酸化膜を形成する工程と、
全面に絶縁膜を堆積させる堆積工程と、
前記研磨ストッパ層をストッパに用いて、CMPにより前記絶縁膜を除去する除去工程Bと、
前記研磨ストッパ層を除去する工程。
なお、形成工程においては、ハードマスクAが残留する条件でエッチングを行えば良く、ハードマスクAの一部が除去されても良い。また、ハードマスクAは1層又は複数の層から構成されている。
(A)研磨ストッパ層
・堆積工程で溝内に充填される絶縁膜の構成材料よりも、研磨ストッパ層の構成材料の方が、除去工程BのCMPによる研磨時に研磨されにくい。
・研磨ストッパ層の構成材料は、半導体装置の他の部分を劣化させることなく容易に除去可能な材料である。
・ハードマスクAを構成する材料は、形成工程において、エッチング条件を調節することにより、半導体基板、研磨ストッパ層及び熱酸化膜の構成材料よりも、十分に低いエッチングレートとすることが可能な材料である。
・ハードマスクAの構成材料は、半導体装置の他の部分を劣化させることなく容易に除去可能な材料である。
(1)前記研磨ストッパ層上に前記ハードマスク材料としてカーボン膜を形成し、前記カーボン膜上にシリコン含有フォトレジストを形成した後、リソグラフィーにより前記シリコン含有フォトレジストをパターニングする工程と、
パターニングした前記シリコン含有フォトレジストをマスクに用いて前記カーボン膜をパターニングすることにより前記ハードマスクAを形成する工程と、
を有するマスク形成工程。
(2)前記ハードマスク材料として前記研磨ストッパ層上に順にカーボン膜及びマスクBを形成し、前記マスクB上にフォトレジストを形成した後、リソグラフィーにより前記フォトレジストをパターニングする工程と、
パターニングした前記フォトレジストをマスクに用いて前記マスクBをパターニングする工程と、
パターニングした前記マスクBをマスクに用いて前記カーボン膜をパターニングする工程と、
を有するマスク形成工程。
上記(1)の場合、ハードマスクAはカーボン膜の1層のみとなり、上記(2)の場合、ハードマスクAはカーボン膜とマスクBの2層となる。
(C)ハードマスクA
・ハードマスクAの構成材料は、半導体装置の他の部分を劣化させることなく容易に除去可能な材料である。
・ハードマスクAを構成する材料は、形成工程において、エッチング条件を調節することにより、半導体基板、研磨ストッパ層及び熱酸化膜の構成材料よりも、十分に低いエッチングレートとすることが可能な材料である。
また、カーボン膜の膜厚は典型的には200〜250nmである。
(a)除去工程Aにおいて、アッシングによりハードマスクAの除去を行う。
(b)堆積工程において、CVD法により絶縁膜を堆積させる。
研磨ストッパ層の厚さ:10〜50nm
熱酸化膜:9〜10nm
溝の深さ(半導体基板内の凹部の底部から、半導体基板上の熱酸化膜上に設けられた研磨ストッパ層の最上部までの高さ):170〜260nm
溝のアスペクト比:2〜5
本発明の製造方法では、各部の寸法が上記のような微細な範囲であっても、ボイドを発生させることなく、安定的に溝内に絶縁材料を充填させることができる。
以上によって、基板の素子形成面と、素子分離領域の面を揃えることが可能となる。ゲート酸化膜110を形成した後、さらにその上に、ゲート電極を形成する(図示していない)。
102 パッド酸化膜(絶縁膜A)
103 窒化膜
104 フォトレジスト
105 熱酸化膜
106 CVD酸化膜
108 カーボン膜
109 マスクB
110 ゲート酸化膜
201 半導体基板
202 パッド酸化膜(絶縁膜A)
203 窒化膜
204 フォトレジスト
205 熱酸化膜
206 CVD酸化膜
207 ボイド
210 ゲート酸化膜
Claims (9)
- 半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面に熱酸化を行うことにより熱酸化膜を設ける工程と、
前記熱酸化膜上に研磨ストッパ層を形成する工程と、
前記研磨ストッパ層上に1層以上のハードマスク材料を形成した後、前記ハードマスク材料をパターニングして、ハードマスクAを形成するハードマスク形成工程と、
前記ハードマスクAを用いて前記研磨ストッパ層、熱酸化膜及び半導体基板内に溝を形成する形成工程と、
前記ハードマスクAを除去する除去工程Aと、
熱酸化を行い、前記半導体基板が露出している部分に熱酸化膜を形成する工程と、
全面に絶縁膜を堆積させる堆積工程と、
前記研磨ストッパ層をストッパに用いて、CMPにより前記絶縁膜を除去する除去工程Bと、
前記研磨ストッパ層を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨ストッパ層が窒化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ハードマスク形成工程は、下記(1)又は(2)で表されるマスク形成工程であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
(1)前記研磨ストッパ層上に前記ハードマスク材料としてカーボン膜を形成し、前記カーボン膜上にシリコン含有フォトレジストを形成した後、リソグラフィーにより前記シリコン含有フォトレジストをパターニングする工程と、
パターニングした前記シリコン含有フォトレジストをマスクに用いて前記カーボン膜をパターニングすることにより前記ハードマスクAを形成する工程と、
を有するマスク形成工程。
(2)前記ハードマスク材料として前記研磨ストッパ層上に順にカーボン膜及びマスクBを形成し、前記マスクB上にフォトレジストを形成した後、リソグラフィーにより前記フォトレジストをパターニングする工程と、
パターニングした前記フォトレジストをマスクに用いて前記マスクBをパターニングする工程と、
パターニングした前記マスクBをマスクに用いて前記カーボン膜をパターニングする工程と、
を有するマスク形成工程。 - 前記除去工程Aにおいて、アッシングにより前記ハードマスクAの除去を行い、
前記堆積工程において、CVD法により前記絶縁膜を堆積させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記形成工程において形成した溝の幅が50〜80nmであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記形成工程において形成した溝の深さが170〜260nmであることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記形成工程において形成した溝のアスペクト比が2〜5であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨ストッパ層の厚さが10〜50nmであることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板内の溝の内部に堆積された絶縁膜が素子分離領域を構成することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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