CN102096317A - 一种制作高深宽比周期性纳米结构的制作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 13
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012237 artificial material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：选择抛光基片，用旋涂的方法在其表面涂上一层厚度≥300nm的光刻胶；采用磁控溅射的方法在光刻胶表面沉积一层厚度为20nm的SiO2薄膜；用旋涂的方法在SiO2薄膜表面涂上一层厚度为50nm-100nm的高分辨率光刻胶；利用激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影；将三层胶结构置于热板或烘箱中进行坚膜；选择氟基气体，利用反应离子刻蚀将表层光刻胶图形传递至SiO2层；再选用氧气，以SiO2层为硬掩模层，利用反应离子刻蚀将SiO2层的图形传递至底层光刻胶，即可获得高分辨率、高深宽比光刻胶图形。本发明成本低廉、加工图形区域面积大，在亚波长光栅和光子晶体的制作及应用研究方面具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种高深宽比周期性纳米结构的制作方法，尤其涉及一种利用干涉光刻和三层胶技术制作高深宽比周期性纳米结构的方法。
技术背景
亚波长周期性纳米结构由于其特殊的光学性质和物理效应受到人们的广泛关注。例如，基于半导体能带理论的光子晶体可以通过引入缺陷来对光波进行操控，使“集成光路”的实现成为一种可能；基于表面等离子激元(surface plasmon polaritions，SPPs)效应的人工材料可以通过调制光场的幅度和相位分布实现光的负折射，在超分辨成像、SPPs纳米光刻等领域有着广阔的应用前景。
制作光子晶体和可见光波段的人工材料均需要加工出亚波长周期性纳米结构，图形线宽一般为10～100nm范围。传统的光刻技术受光刻波长的限制无法制作亚微米尺度的结构图形，而目前100nm及以下线宽的加工手段，如电子束或聚焦离子束直写技术，因为采用逐点扫描的工作方式，其工作效率极低，难以加工大面积图形。
干涉光刻由于具有长焦深、高效率、大面积等优势，广泛应用于周期性微纳结构的加工与制作。然而，当利用干涉光刻制作100nm甚至以下线宽的纳米结构时，所用光刻胶的厚度也必须降至100nm左右。这是因为在一般情况下，光刻胶的厚度越薄，其分辨率才能越高；但值得注意的是，光刻胶的厚度越薄，其抗刻蚀性能也越差。因此，100nm厚的光刻胶无法提供足够的抗刻蚀层以满足后期图形刻蚀转移的需求。三层胶技术是一种表层成像技术(Top-Surface Imaging，TSI)，它可在图形表面轮廓不变的情况下，通过两次不同气体的反应离子刻蚀有效提高图形深度，实现高深宽比纳米图形的制作。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：针对现有100nm及以下线宽纳米加工的限制之处，提出一种干涉光刻结合三层胶技术制作高深宽比周期性纳米结构的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，包括以下步骤：
(1)选择抛光基片，将其利用丙酮超声清洗干净，用旋涂的方法在其表面涂上一层厚度≥300nm的聚合物薄膜，并置于热板或烘箱中进行前烘；
(2)利用磁控溅射的方法在聚合物薄膜表面沉积一层厚度为20nm-30nm的含硅薄膜；
(3)用旋涂的方法在含硅薄膜表面涂上一层高分辨率光刻胶，并置于热板或烘箱中进行前烘；
(4)利用激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影，根据扫描电子显微镜的检测结果，包括线条周期、线条宽度、线条边缘粗糙度以及线条陡直度等指标，调节并优化入射光的入射角、曝光时间和显影时间，获得100nm及以下线宽的周期性线条，并将曝光显影后的样片置于热板或烘箱中对表层的光刻胶图形进行坚膜；
(5)利用反应离子刻蚀，选择氟基气体为刻蚀气体，调节刻蚀功率、气体流量以及刻蚀时间等参数，将表层光刻胶图形传递至含硅薄膜；
(6)利用反应离子刻蚀，选用氧气为刻蚀气体，以刻有图形的含硅薄膜为硬掩模层，调节刻蚀功率、腔体气压、气体流量以及刻蚀时间等参数，将含硅薄膜的图形传递至底层较厚的聚合物薄膜，从而获得高深宽比图形。
所述步骤(1)中的聚合物薄膜可以为PMMA、抗反射涂层或失去感光特性的光刻胶。
所述步骤(2)中的含硅薄膜的材料可以是SiO2或Si。
所述步骤(3)中的高分辨率光刻胶的厚度应该比含硅薄膜的厚度大，可以为50nm-100nm。
所述步骤(4)中激光的波长范围可以是193nm～363nm。
所述步骤(4)中入射光的入射角范围是50°～65°。
所述步骤(4)中的曝光时间范围是10s～30s。
所述步骤(4)中的显影时间范围是20s～60s。
所述步骤(5)中的氟基气体可以为SF6、CHF3或CF4。
所述步骤(5)中将表层光刻胶图形传递至含硅薄膜时，没受光刻胶保护部分的含硅薄膜必须刻蚀完全，不留底膜。
本发明与现有技术相比所具有的优点：本发明利用紫外或深紫外激光干涉光刻，通过三层胶刻蚀技术，有效提高100nm及以下线宽光刻胶图形的深度、陡度和深宽比，满足后序刻蚀工艺中对光刻胶抗蚀性能的要求；本发明的三层胶技术中，底层胶一般较厚，对来自基底反射回来的光具有较强的吸收作用，类似于一层抗反射涂层(Anti-reflective coating，ARC)，可有效减小驻波效应对光刻质量的影响；本发明具有低成本、高效率、大面积和高质量等优点，特别适合周期性纳米结构的制作，在光子晶体和表面等离子体光学的研究中有广泛的应用前景。
附图说明
图1是本发明第一步的制作示意图；
图2是本发明第二步的制作示意图；
图3是本发明第三步的制作示意图；
图4是本发明第四步的制作示意图；
图5是本发明第五步的制作示意图；
图6是本发明第六步的制作示意图。
图中：1为表面抛光的基底；2为旋转涂覆的一层聚合物；3为溅射沉积的一层含硅薄膜；4为高分辨率光刻胶。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施方式详细介绍本发明。但以下的实施例仅限于解释本发明，本发明的保护范围应包括权利要求的全部内容，而且通过以下实施例对本领域的技术人员即可以实现本发明权利要求的全部内容。
实施例1
如图1所示，本发明第一步的制作示意图；首先选择一块硅基片，并将其表面抛光，然后在抛光的硅基片表面旋转涂覆一层厚度为500nm的光刻胶，并置于烘箱中以140℃高温烘烤使其失去感光性能；
如图2所示，本发明第二步的制作示意图；利用磁控溅射的方法在聚合物薄膜2表面沉积一层厚度为30nm的SiO2薄膜；
如图3所示，本发明第三步的制作示意图；用旋涂的方法在SiO2薄膜表面涂上一层厚度为100nm高分辨率光刻胶；
如图4所示，本发明第四步的制作示意图；利用波长为363nm的氩离子激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影，曝光时入射光的入射角为65°，曝光时间为30s，显影时间为20s，获得线宽为100nm的周期性线条；
如图5所示，本发明第五步的制作示意图，利用反应离子刻蚀，选择CHF3为刻蚀气体，将表层光刻胶图形传递至SiO2薄膜，刻蚀完成后，带有图形的SiO2薄膜的厚度仍为30nm，其上的图形深度也为30nm；
如图6所示，本发明第六步的制作示意图，利用反应离子刻蚀，选用氧气为刻蚀气体，以刻有图形的SiO2薄膜为硬掩模层，将SiO2薄膜上的图形传递至底层光刻胶上，从而线宽为100nm，深度为500nm的高陡度图形。
实施例2
如图1所示，本发明第一步的制作示意图；首先选择一块硅基片，并将其表面抛光，然后在抛光的硅基片表面旋转涂覆一层厚度为400nm的PMMA；
如图2所示，本发明第二步的制作示意图；利用磁控溅射的方法在聚合物薄膜2表面沉积一层厚度为25nm的Si薄膜；
如图3所示，本发明第三步的制作示意图；用旋涂的方法在Si薄膜表面涂上一层厚度为80nm高分辨率光刻胶；
如图4所示，本发明第四步的制作示意图；利用经过倍频后波长为248nm的氩离子激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影，曝光时入射光的入射角为50°，曝光时间为20s，显影时间为40s，获得线宽为80nm的周期性线条；
如图5所示，本发明第五步的制作示意图，利用反应离子刻蚀，选择SF6为刻蚀气体，将表层光刻胶图形传递至Si薄膜，刻蚀完成后，带有图形的Si薄膜的厚度仍为25nm，其上的图形深度也为25nm；
如图6所示，本发明第六步的制作示意图，利用反应离子刻蚀，选用氧气为刻蚀气体，以刻有图形的Si薄膜为硬掩模层，将Si薄膜上的图形传递至底层凭密码PMMA上，从而线宽为80nm，深度为400nm的高陡度图形。
实施例3
如图1所示，本发明第一步的制作示意图；首先选择一块硅基片，并将其表面抛光，然后在抛光的硅基片表面旋转涂覆一层厚度为300nm的抗反射涂层ARC；
如图2所示，本发明第二步的制作示意图；利用磁控溅射的方法在聚合物薄膜2表面沉积一层厚度为20nm的SiO2薄膜；
如图3所示，本发明第三步的制作示意图；用旋涂的方法在SiO2薄膜表面涂上一层厚度为50nm高分辨率光刻胶；
如图4所示，本发明第四步的制作示意图；利用波长为193nm的氟化氩准分子激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影，曝光时入射光的入射角为60°，曝光时间为10s，显影时间为60s，获得线宽为55nm的周期性线条；
如图5所示，本发明第五步的制作示意图，利用反应离子刻蚀，选择SF6为刻蚀气体，将表层光刻胶图形传递至SiO2薄膜，刻蚀完成后，带有图形的SiO2薄膜的厚度仍为20nm，其上的图形深度也为20nm；
如图6所示，本发明第六步的制作示意图，利用反应离子刻蚀，选用氧气为刻蚀气体，以刻有图形的Si薄膜为硬掩模层，将Si薄膜上的图形传递至底层凭密码PMMA上，从而线宽为60nm，深度为300nm的高陡度图形。
Claims (10)
1.一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)选择抛光基片，将抛光基片利用丙酮超声清洗干净，采用旋涂的方法在抛光基片表面涂上一层厚度≥300nm的聚合物薄膜，并置于热板或烘箱中进行前烘；
(2)利用磁控溅射的方法在聚合物薄膜表面沉积一层厚度为20nm-30nm的含硅薄膜；
(3)采用旋涂的方法在含硅薄膜表面涂上一层光刻胶，并置于热板或烘箱中进行前烘；
(4)利用激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影，根据扫描电子显微镜的检测结果，包括线条周期、线条宽度、线条边缘粗糙度以及线条陡直度指标，调节并优化入射光的入射角、曝光时间和显影时间，获得100nm及以下线宽的周期性线条，并将曝光显影后的样片置于热板或烘箱中对表层的光刻胶图形进行坚膜；
(5)利用反应离子刻蚀，选择氟基气体为刻蚀气体，调节刻蚀功率、气体流量以及刻蚀时间等参数，将表层光刻胶图形传递至含硅薄膜；
(6)利用反应离子刻蚀，选用氧气为刻蚀气体，以刻有图形的含硅薄膜为硬掩模层，调节刻蚀功率、腔体气压、气体流量以及刻蚀时间等参数，将含硅薄膜的图形传递至底层较厚的聚合物薄膜，从而获得高深宽比图形。
2.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的聚合物薄膜为PMMA、抗反射涂层或失去感光特性的光刻胶。
3.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(2)中的含硅薄膜的材料可以是SiO2或Si。
4.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(3)中光刻胶的厚度大于含硅薄膜的厚度，为50nm～100nm。
5.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(4)中激光的波长范围是193nm～363nm。
6.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(4)中入射光的入射角范围是50°～65°。
7.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(4)中的曝光时间范围是10s～30s。
8.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(4)中的显影时间范围是20s～60s。
9.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(5)中的氟基气体为SF6、CHF3或CF4。
10.根据权利要求1所述的一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤(5)中将表层光刻胶图形传递至含硅薄膜时，没受光刻胶保护部分的含硅薄膜必须刻蚀完全，不留底膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010617795 CN102096317A (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种制作高深宽比周期性纳米结构的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010617795 CN102096317A (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种制作高深宽比周期性纳米结构的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102096317A true CN102096317A (zh) | 2011-06-15 |
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ID=44129459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010617795 Pending CN102096317A (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种制作高深宽比周期性纳米结构的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560564A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-11 | 合肥工业大学 | 一种深离子反应刻蚀结合辊压制备全金属微结构的方法 |
| CN102636965A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-15 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种表面等离子体超分辨干法光刻方法 |
| CN102838082A (zh) * | 2012-09-24 | 2012-12-26 | 复旦大学 | 一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法 |
| CN102910579A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-02-06 | 华中科技大学 | 一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品 |
| CN103086607A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 清华大学 | 光栅的制备方法 |
| CN103232023A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 西安交通大学 | 一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法 |
| CN104820341A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-08-05 | 华南师范大学 | 一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法 |
| CN105789031A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-07-20 | 中国建筑材料科学研究总院 | 激光直写用掩膜及其刻蚀方法 |
| CN107857236A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-30 | 湖南大学 | 一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法 |
| CN109188577A (zh) * | 2018-08-23 | 2019-01-11 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种光学元件微纳阵列结构的制备方法 |
| CN110376845A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 中国科学院物理研究所 | 一种光刻胶图形的制备方法 |
| CN111591954A (zh) * | 2020-01-19 | 2020-08-28 | 中国科学技术大学 | 在光刻胶表面制备亚波长纳米结构的方法 |
| WO2022252707A1 (zh) * | 2022-02-24 | 2022-12-08 | 袁元 | 半导体器件的加工控制方法、装置及高能粒子束光刻设备 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101221903A (zh) * | 2007-01-10 | 2008-07-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶体管t型纳米栅的制备方法 |
| US20080227298A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device manufacturing method |
| CN101424878A (zh) * | 2007-10-31 | 2009-05-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一次电子束曝光形成高宽窄比t形栅的制作方法 |
| US20090266418A1 (en) * | 2008-02-18 | 2009-10-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Photovoltaic devices based on nanostructured polymer films molded from porous template |
| CN101727007A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-06-09 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法 |
| CN101727010A (zh) * | 2009-12-03 | 2010-06-09 | 吉林大学 | 利用多光束干涉光刻技术制备仿生彩色超疏水涂层的方法 |
| CN101825845A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-09-08 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法 |
-
2010
- 2010-12-22 CN CN 201010617795 patent/CN102096317A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101221903A (zh) * | 2007-01-10 | 2008-07-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶体管t型纳米栅的制备方法 |
| US20080227298A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device manufacturing method |
| CN101424878A (zh) * | 2007-10-31 | 2009-05-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一次电子束曝光形成高宽窄比t形栅的制作方法 |
| US20090266418A1 (en) * | 2008-02-18 | 2009-10-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Photovoltaic devices based on nanostructured polymer films molded from porous template |
| CN101727010A (zh) * | 2009-12-03 | 2010-06-09 | 吉林大学 | 利用多光束干涉光刻技术制备仿生彩色超疏水涂层的方法 |
| CN101727007A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-06-09 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法 |
| CN101825845A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-09-08 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103086607A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 清华大学 | 光栅的制备方法 |
| CN103086607B (zh) * | 2011-10-28 | 2015-08-26 | 清华大学 | 光栅的制备方法 |
| CN102560564B (zh) * | 2012-02-22 | 2015-03-25 | 合肥工业大学 | 一种深离子反应刻蚀结合辊压制备全金属微结构的方法 |
| CN102560564A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-11 | 合肥工业大学 | 一种深离子反应刻蚀结合辊压制备全金属微结构的方法 |
| CN102636965A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-15 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种表面等离子体超分辨干法光刻方法 |
| CN102838082A (zh) * | 2012-09-24 | 2012-12-26 | 复旦大学 | 一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法 |
| CN102910579A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-02-06 | 华中科技大学 | 一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品 |
| CN102910579B (zh) * | 2012-09-26 | 2015-05-20 | 华中科技大学 | 一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品 |
| CN103232023B (zh) * | 2013-04-22 | 2016-06-29 | 西安交通大学 | 一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法 |
| CN103232023A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-08-07 | 西安交通大学 | 一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法 |
| CN104820341A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-08-05 | 华南师范大学 | 一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法 |
| CN105789031A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-07-20 | 中国建筑材料科学研究总院 | 激光直写用掩膜及其刻蚀方法 |
| CN107857236A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-30 | 湖南大学 | 一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法 |
| CN110376845A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 中国科学院物理研究所 | 一种光刻胶图形的制备方法 |
| CN109188577A (zh) * | 2018-08-23 | 2019-01-11 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种光学元件微纳阵列结构的制备方法 |
| CN111591954A (zh) * | 2020-01-19 | 2020-08-28 | 中国科学技术大学 | 在光刻胶表面制备亚波长纳米结构的方法 |
| CN111591954B (zh) * | 2020-01-19 | 2024-02-23 | 中国科学技术大学 | 在光刻胶表面制备亚波长纳米结构的方法 |
| WO2022252707A1 (zh) * | 2022-02-24 | 2022-12-08 | 袁元 | 半导体器件的加工控制方法、装置及高能粒子束光刻设备 |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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