JP2008218709A - 処理システム、処理方法、及び、プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】縦型熱処理装置1には、半導体ウエハWを収容する反応管2内に処理ガスを供給する複数のガス供給管16〜20が設けられている。ガス供給管16〜20は、流量調整部21〜25に流量が制御されている。制御部50には、処理ガスの流量を含むプロセス条件、及び、処理ガスの流量と膜厚との関係を示す膜厚流量関係モデルが記憶されている。制御部50は、プロセス条件で半導体ウエハWを処理した処理結果と、膜厚流量関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出し、流量調整部21〜25を制御して、処理ガスの流量を算出した処理ガスの流量に変更して半導体ウエハWを処理する。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、経時変化や外部環境の変化に拘わらず、適切な処理を行うことができる処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供することを目的とする。
被処理体を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段と、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段と、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して被処理体を処理する処理手段と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体または該被処理体の検査用基板を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記被処理体と前記検査用基板との違いに起因する処理結果の誤差に関する誤差情報を記憶する誤差情報記憶手段と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段と、
前記誤差情報記憶手段に記憶された誤差情報に基づいて、前記被処理体の目標処理結果から前記検査用基板の目標処理結果を算出し、算出した前記検査用基板の目標処理結果に対応する処理条件を前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件から抽出する処理条件抽出手段と、
前記処理条件抽出手段により抽出された処理条件で前記検査用基板を処理する検査用基板処理手段と、
前記検査用基板処理手段により処理された処理結果が、前記検査用基板の目標処理結果の所定の範囲内に含まれるか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段により所定の範囲内に含まれないと、前記検査用基板を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段と、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して、前記検査用基板処理手段に検査用基板を処理させる流量変更手段と、
を備える、ことを特徴とする。
前記誤差情報記憶手段は、例えば、前記被処理体と前記検査用基板とのローディング効果に関する誤差情報を記憶する。
前記処理ガス供給手段は、前記処理室内に挿通された複数の処理ガス供給管を有していてもよい。この場合、前記流量算出手段は、処理ガス供給管ごとに供給する流量を算出する。
前記処理室は複数のゾーンに区分けされていてもよい。この場合、前記モデル記憶手段は、前記ゾーンごとの処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶する。
前記処理内容は、例えば、成膜処理である。
被処理体を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程で供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶工程と、
前記処理条件記憶工程により記憶された処理条件で前記被処理体を処理した処理結果と、前記モデル記憶工程により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出工程と、
前記流量算出工程により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出工程で算出された処理ガスの流量に変更して被処理体を処理する処理工程と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体または該被処理体の検査用基板を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程で供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、
前記被処理体と前記検査用基板との違いに起因する処理結果の誤差に関する誤差情報を記憶する誤差情報記憶工程と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶工程と、
前記誤差情報記憶工程で記憶された誤差情報に基づいて、前記被処理体の目標処理結果から前記検査用基板の目標処理結果を算出し、算出した前記検査用基板の目標処理結果に対応する処理条件を前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件から抽出する処理条件抽出工程と、
前記処理条件抽出工程により抽出された処理条件で前記検査用基板を処理する検査用基板処理工程と、
前記検査用基板処理工程により処理された処理結果が、前記検査用基板の目標処理結果の所定の範囲内に含まれるか否かを判別する判別工程と、
前記判別工程により所定の範囲内に含まれないと、前記検査用基板を処理した処理結果と、前記モデル記憶工程により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出工程と、
前記流量算出工程により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出工程により算出された処理ガスの流量に変更して、前記検査用基板処理工程で検査用基板を処理させる流量変更工程と、
を備える、ことを特徴とする。
前記誤差情報記憶工程では、例えば、前記被処理体と前記検査用基板とのローディング効果に関する誤差情報を記憶する。
前記処理室は複数のゾーンに区分けされていてもよい。この場合、前記モデル記憶工程では、前記ゾーンごとの処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶する。
前記処理内容は、例えば、成膜処理である。
コンピュータを、
被処理体を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して被処理体を処理する処理手段、
として機能させることを特徴とする。
コンピュータを、
被処理体または該被処理体の検査用基板を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記被処理体と前記検査用基板との違いに起因する処理結果の誤差に関する誤差情報を記憶する誤差情報記憶手段、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段、
前記誤差情報記憶手段に記憶された誤差情報に基づいて、前記被処理体の目標処理結果から前記検査用基板の目標処理結果を算出し、算出した前記検査用基板の目標処理結果に対応する処理条件を前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件から抽出する処理条件抽出手段、
前記処理条件抽出手段により抽出された処理条件で前記検査用基板を処理する検査用基板処理手段、
前記検査用基板処理手段により処理された処理結果が、前記検査用基板の目標処理結果の所定の範囲内に含まれるか否かを判別する判別手段、
前記判別手段により所定の範囲内に含まれないと、前記検査用基板を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して、前記検査用基板処理手段に検査用基板を処理させる流量変更手段、
として機能させることを特徴とする。
以下、本発明の処理システム、処理方法、及び、プログラムを、図1に示すバッチ式の縦型熱処理装置に適用した場合を例に第1の実施の形態を説明する。また、本実施の形態では、被処理体への処理として、O2ガス、H2ガスを用いた低圧ラジカル酸化(LPRO)法により、半導体ウエハにSiO2膜を形成する場合を例に本発明を説明する。
RAM54は、CPU56のワークエリアなどとして機能する。
バス57は、各部の間で情報を伝達する。
第1の実施の形態では、半導体ウエハW(製品ウエハ)の成膜処理において、処理ガスの流量を調整する場合を例に本発明を説明した。
第2の実施の形態では、検査用基板、いわゆるダミーウエハを用いて成膜条件を確認し、確認した条件で製品ウエハ(半導体ウエハW)に成膜処理を施す場合を例に本発明を説明する。このように、ダミーウエハを用いて成膜条件を確認するのは、製品ウエハはコストが高く、また、同じ製品ウエハを繰り返し使用すると製品ウエハのパターンが崩れてしまい、多くの実験データを得ることが難しいためである。
x2−d0 2=Bt ・・・式(1)
ここで、xは膜厚、tは時間、Bは2次酸化係数、d0は時間をゼロとした場合の初期酸化膜である。
B=2DC0/C1 ・・・式(2)
ここで、Dは拡散係数、C0は表面の酸化物質濃度、C1は酸化膜中の酸化物質濃度である。
B=αC0 ・・・式(3)
x=(α×Co×t+do 2)0.5 ・・・式(4)
なお、この計算をボートポジションの数点に対して行えば、面間方向に対しての膜厚分布が求められる。
2 反応管
3 マニホールド
6 蓋体
9 ウエハボート
16 O2ガス供給管
17〜20 H2ガス供給管
21〜25 流量調整部
50 制御部
51 モデル記憶部
52 レシピ記憶部
53 ROM
54 RAM
56 CPU
W 半導体ウエハ
Claims (20)
- 被処理体を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段と、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段と、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して被処理体を処理する処理手段と、
を備える、ことを特徴とする処理システム。 - 被処理体または該被処理体の検査用基板を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記被処理体と前記検査用基板との違いに起因する処理結果の誤差に関する誤差情報を記憶する誤差情報記憶手段と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段と、
前記誤差情報記憶手段に記憶された誤差情報に基づいて、前記被処理体の目標処理結果から前記検査用基板の目標処理結果を算出し、算出した前記検査用基板の目標処理結果に対応する処理条件を前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件から抽出する処理条件抽出手段と、
前記処理条件抽出手段により抽出された処理条件で前記検査用基板を処理する検査用基板処理手段と、
前記検査用基板処理手段により処理された処理結果が、前記検査用基板の目標処理結果の所定の範囲内に含まれるか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段により所定の範囲内に含まれないと、前記検査用基板を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段と、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して、前記検査用基板処理手段に検査用基板を処理させる流量変更手段と、
を備える、ことを特徴とする処理システム。 - 前記判別手段により所定の範囲内に含まれると、前記処理条件抽出手段により抽出された処理条件で被処理体を処理する被処理体処理手段を、さらに備えることを特徴とする請求項2に記載の処理システム。
- 前記誤差情報記憶手段は、前記被処理体と前記検査用基板とのローディング効果に関する誤差情報を記憶する、ことを特徴とする請求項2または3に記載の処理システム。
- 前記流量処理結果関係モデルは、前記処理条件を構成する各要件について2以上の異なる条件での処理結果に基づいて作成され、前記処理条件が変更されても対応可能である、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の処理システム。
- 前記処理ガス供給手段は、前記処理室内に挿通された複数の処理ガス供給管を有し、
前記流量算出手段は、処理ガス供給管ごとに供給する流量を算出する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の処理システム。 - 前記処理条件記憶手段に記憶された処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に更新する処理条件更新手段を、さらに備える、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の処理システム。
- 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記モデル記憶手段は、前記ゾーンごとの処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶する、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の処理システム。 - 前記処理内容は成膜処理である、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の処理システム。
- 被処理体を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程で供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶工程と、
前記処理条件記憶工程により記憶された処理条件で前記被処理体を処理した処理結果と、前記モデル記憶工程により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出工程と、
前記流量算出工程により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出工程で算出された処理ガスの流量に変更して被処理体を処理する処理工程と、
を備える、ことを特徴とする処理方法。 - 被処理体または該被処理体の検査用基板を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程で供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、
前記被処理体と前記検査用基板との違いに起因する処理結果の誤差に関する誤差情報を記憶する誤差情報記憶工程と、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶工程と、
前記誤差情報記憶工程で記憶された誤差情報に基づいて、前記被処理体の目標処理結果から前記検査用基板の目標処理結果を算出し、算出した前記検査用基板の目標処理結果に対応する処理条件を前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件から抽出する処理条件抽出工程と、
前記処理条件抽出工程により抽出された処理条件で前記検査用基板を処理する検査用基板処理工程と、
前記検査用基板処理工程により処理された処理結果が、前記検査用基板の目標処理結果の所定の範囲内に含まれるか否かを判別する判別工程と、
前記判別工程により所定の範囲内に含まれないと、前記検査用基板を処理した処理結果と、前記モデル記憶工程により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出工程と、
前記流量算出工程により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出工程により算出された処理ガスの流量に変更して、前記検査用基板処理工程で検査用基板を処理させる流量変更工程と、
を備える、ことを特徴とする処理方法。 - 前記判別工程で所定の範囲内に含まれると、前記抽出工程により抽出された処理条件で被処理体を処理する被処理体処理工程を、さらに備える、ことを特徴とする請求項11に記載の処理方法。
- 前記誤差情報記憶工程では、前記被処理体と前記検査用基板とのローディング効果に関する誤差情報を記憶する、ことを特徴とする請求項11または12に記載の処理方法。
- 前記流量処理結果関係モデルは、前記処理条件を構成する各要件について2以上の異なる条件での処理結果に基づいて作成され、前記処理条件が変更されても対応可能である、ことを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載の処理方法。
- 前記処理ガス供給工程では、前記処理室内に挿通された複数の処理ガス供給管から処理ガスを供給し、
前記流量算出工程では、処理ガス供給管ごとに供給する流量を算出する、ことを特徴とする請求項10乃至14のいずれか1項に記載の処理方法。 - 前記処理条件記憶工程で記憶された処理ガスの流量を、前記算出工程により算出された処理ガスの流量に更新する更新工程を、さらに備える、ことを特徴とする請求項10乃至15のいずれか1項に記載の処理方法。
- 前記処理室は複数のゾーンに区分けされ、
前記モデル記憶工程では、前記ゾーンごとの処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶する、ことを特徴とする請求項10乃至16のいずれか1項に記載の処理方法。 - 前記処理内容は成膜処理である、ことを特徴とする請求項10乃至17のいずれか1項に記載の処理方法。
- コンピュータを、
被処理体を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段、
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件で前記被処理体を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して被処理体を処理する処理手段、
として機能させるプログラム。 - コンピュータを、
被処理体または該被処理体の検査用基板を収容する処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段、
前記処理ガス供給手段から供給する処理ガスの流量を含む、処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記被処理体と前記検査用基板との違いに起因する処理結果の誤差に関する誤差情報を記憶する誤差情報記憶手段、
処理ガスの流量と処理結果との関係を示す流量処理結果関係モデルを記憶するモデル記憶手段、
前記誤差情報記憶手段に記憶された誤差情報に基づいて、前記被処理体の目標処理結果から前記検査用基板の目標処理結果を算出し、算出した前記検査用基板の目標処理結果に対応する処理条件を前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件から抽出する処理条件抽出手段、
前記処理条件抽出手段により抽出された処理条件で前記検査用基板を処理する検査用基板処理手段、
前記検査用基板処理手段により処理された処理結果が、前記検査用基板の目標処理結果の所定の範囲内に含まれるか否かを判別する判別手段、
前記判別手段により所定の範囲内に含まれないと、前記検査用基板を処理した処理結果と、前記モデル記憶手段により記憶された流量処理結果関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出する流量算出手段、
前記流量算出手段により処理ガスの流量が算出されると、前記処理条件の処理ガスの流量を、前記流量算出手段により算出された処理ガスの流量に変更して、前記検査用基板処理手段に検査用基板を処理させる流量変更手段、
として機能させるためのプログラム。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013207109A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2013207256A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2013207110A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム |
JP2015015315A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び制御装置 |
JP2015018879A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び制御装置 |
JP2016157771A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
WO2017047686A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2017092159A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2017098464A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2017168726A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
JP2017183311A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
JP2019047100A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社日立製作所 | 計算機、処理の制御パラメータの決定方法、代用試料、計測システム、及び計測方法 |
JP2020136568A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | 株式会社日立製作所 | 代用試料、処理の制御パラメータの決定方法、及び計測システム |
US11287782B2 (en) | 2017-08-31 | 2022-03-29 | Hitachi, Ltd. | Computer, method for determining processing control parameter, substitute sample, measurement system, and measurement method |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5005388B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
KR20110007434A (ko) * | 2009-07-16 | 2011-01-24 | 주식회사 아이피에스 | 반도체 제조 장치 |
US8809206B2 (en) * | 2011-02-07 | 2014-08-19 | Spansion Llc | Patterned dummy wafers loading in batch type CVD |
KR101331557B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2013-11-20 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 처리장치 |
JP6091932B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-03-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 炭化珪素の成膜装置および炭化珪素の成膜方法 |
US9004107B2 (en) * | 2012-08-21 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced gas flow rate control |
CN103700585A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-04-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种浅沟槽隔离氧化层的制备方法及其装置 |
JP6280407B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、制御装置、基板処理装置及び基板処理システム |
CN103924223B (zh) * | 2014-04-28 | 2016-05-25 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 应用于cvd成膜工艺的膜厚流量建模方法及膜厚调节方法 |
CN104451608B (zh) * | 2014-12-04 | 2019-01-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 应用于cvd成膜工艺的膜厚流量建模方法及在线优化方法 |
JP7089881B2 (ja) * | 2018-01-10 | 2022-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
US11393703B2 (en) * | 2018-06-18 | 2022-07-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling a flow process material to a deposition chamber |
DE102018215284B4 (de) * | 2018-09-07 | 2022-11-10 | centrotherm international AG | Rohrverschluss für ein Prozessrohr und Prozesseinheit |
WO2020105517A1 (ja) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理の条件設定支援方法、基板処理システム、記憶媒体及び学習モデル |
JP2023502873A (ja) | 2019-11-04 | 2023-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 分注システムを監視、制御及び同期するための方法及びシステム |
CN113436991B (zh) * | 2021-05-28 | 2024-06-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于批处理半导体设备的晶圆调度方法及*** |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0381969A (ja) | 1989-04-28 | 1991-04-08 | Fuji Electric Co Ltd | 燃料改質器の起動方法 |
JP3081969B2 (ja) | 1991-01-18 | 2000-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
JPH05308053A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-19 | Nec Corp | 化学的気相成長装置 |
JPH11121389A (ja) | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Nec Kyushu Ltd | 縦型拡散炉および拡散方法 |
US6913938B2 (en) * | 2001-06-19 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of plasma-enhanced chemical vapor deposition processes |
JP4215977B2 (ja) | 2001-11-30 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜制御装置、成膜装置、成膜方法、膜厚流量係数算出方法、およびプログラム |
JP4274813B2 (ja) | 2003-02-19 | 2009-06-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 製品ウェハの処理レシピ決定方法 |
JP2005150124A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
TW200527513A (en) * | 2003-11-20 | 2005-08-16 | Hitachi Int Electric Inc | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
DE102006004430B4 (de) * | 2006-01-31 | 2010-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System für eine fortschrittliche Prozesssteuerung in einem Ätzsystem durch Gasflusssteuerung auf der Grundlage von CD-Messungen |
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- 2008-03-05 CN CN2008100920982A patent/CN101260517B/zh active Active
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013207109A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2013207110A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム |
KR101565896B1 (ko) | 2012-03-28 | 2015-11-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 연속 처리 시스템, 연속 처리 방법 및, 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능 기록매체 |
US9453683B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-09-27 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system, heat treatment method, and program |
JP2013207256A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2015015315A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び制御装置 |
JP2015018879A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び制御装置 |
JP2016157771A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
WO2017047686A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2017047686A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2018-06-21 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2017092159A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2017098464A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
JP2017168726A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
US10692782B2 (en) | 2016-03-17 | 2020-06-23 | Tokyo Electron Limited | Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program |
JP2017183311A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム |
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