JPH11121389A - 縦型拡散炉および拡散方法 - Google Patents
縦型拡散炉および拡散方法Info
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- JPH11121389A JPH11121389A JP27905897A JP27905897A JPH11121389A JP H11121389 A JPH11121389 A JP H11121389A JP 27905897 A JP27905897 A JP 27905897A JP 27905897 A JP27905897 A JP 27905897A JP H11121389 A JPH11121389 A JP H11121389A
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- Japan
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- gas
- impurity
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- impurity gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】拡散炉による拡散工程において、炉芯管内の長
手方向（縦方向）で半導体基板表面への不純物ガスの供
給量を均一にし、不純物拡散量を一定にすることにより
半導体装置の歩留を向上させる。 【解決手段】拡散炉内へガスを導入うするガスインジェ
クターを、上部用１１，中央部用１２，下部用１３の３
本以上複数本有し、各々独立して流量制御が可能な構造
にする。
手方向（縦方向）で半導体基板表面への不純物ガスの供
給量を均一にし、不純物拡散量を一定にすることにより
半導体装置の歩留を向上させる。 【解決手段】拡散炉内へガスを導入うするガスインジェ
クターを、上部用１１，中央部用１２，下部用１３の３
本以上複数本有し、各々独立して流量制御が可能な構造
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は縦型拡散炉および拡
散方法に関する。
散方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の縦型拡散炉は、図２に示すように
ヒーター８により高温加熱された炉心管１内に石英ボー
ト３に収納された多数の半導体基板２を挿入し、オキシ
塩化リン等の不純物の入った不純物ソース容器３５内に
窒素ガス４５を吹き込むことにより気化させ、ガスイン
ジェクター１５の多数の小孔１５Ｓから、マス・フロー
・コントローラー（以下、ＭＦＣ、と称す）２５により
流量を制御されたオキシ塩化リン等の主ガスを導入し、
炉芯管に備えられたガス供給管７の吹き出し口より酸
素，窒素等の副ガス４０を導入し、半導体基板の装填さ
れた石英ボート３を回転させながら半導体基板中へリン
等の不純物を拡散させる処理を行っていた。
ヒーター８により高温加熱された炉心管１内に石英ボー
ト３に収納された多数の半導体基板２を挿入し、オキシ
塩化リン等の不純物の入った不純物ソース容器３５内に
窒素ガス４５を吹き込むことにより気化させ、ガスイン
ジェクター１５の多数の小孔１５Ｓから、マス・フロー
・コントローラー（以下、ＭＦＣ、と称す）２５により
流量を制御されたオキシ塩化リン等の主ガスを導入し、
炉芯管に備えられたガス供給管７の吹き出し口より酸
素，窒素等の副ガス４０を導入し、半導体基板の装填さ
れた石英ボート３を回転させながら半導体基板中へリン
等の不純物を拡散させる処理を行っていた。
【０００３】また特開平４−３２９６３１号公報には、
図３に示すように、ガスの混合と温度の均一化のため
に、ガス噴出用の小孔１６Ｓを形成した噴出部１６の前
にガス混合・加熱部１７を設けたＵ字型のガスインジェ
クターを開示している。
図３に示すように、ガスの混合と温度の均一化のため
に、ガス噴出用の小孔１６Ｓを形成した噴出部１６の前
にガス混合・加熱部１７を設けたＵ字型のガスインジェ
クターを開示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記いずれの
従来技術においても、ガス供給源に近い方（図２では下
の方、図３では上の方）がガスの流量が大きくなり、炉
芯管長手方向（縦方向）でガスの吹き出し量が変化して
いた。
従来技術においても、ガス供給源に近い方（図２では下
の方、図３では上の方）がガスの流量が大きくなり、炉
芯管長手方向（縦方向）でガスの吹き出し量が変化して
いた。
【０００５】このため、炉芯管の上部と下部で半導体基
板表面へのガスの供給量が異なり、不純物拡散量のバッ
チ内均一性が劣っていた。
板表面へのガスの供給量が異なり、不純物拡散量のバッ
チ内均一性が劣っていた。
【０００６】このために、トランジスタのポリシリコン
ゲートの配線抵抗やゲート長のバラツキにより、半導体
装置としての歩留まりの低下を招いていた。
ゲートの配線抵抗やゲート長のバラツキにより、半導体
装置としての歩留まりの低下を招いていた。
【０００７】その理由は、バッチ内（炉芯管の縦方向）
で不純物の拡散量（不純物濃度）のバラツキが大きくな
るため、ゲートポリシリコン膜中に拡散される不純物量
のバラツキが大きくなり、これをエッチングして形成さ
れるゲート電極の配線抵抗のバラツキを招いていたから
である。また、ゲートポリシリコン膜をエッチングして
ゲート電極を形成する際、ポリシリコン膜中の不純物濃
度のバラツキが大きいためエッチングレートがばらつ
き、その結果ゲート長のバラツキを招いていたからであ
る。
で不純物の拡散量（不純物濃度）のバラツキが大きくな
るため、ゲートポリシリコン膜中に拡散される不純物量
のバラツキが大きくなり、これをエッチングして形成さ
れるゲート電極の配線抵抗のバラツキを招いていたから
である。また、ゲートポリシリコン膜をエッチングして
ゲート電極を形成する際、ポリシリコン膜中の不純物濃
度のバラツキが大きいためエッチングレートがばらつ
き、その結果ゲート長のバラツキを招いていたからであ
る。
【０００８】一方、ガスの供給量を同じにするために小
孔の分布を変化させること考えても、これはある一定の
条件にしか適用することができないし、条件の変わる毎
に分布の異なるガスインジェクターに取り換えることは
生産性の点から実用的ではない。
孔の分布を変化させること考えても、これはある一定の
条件にしか適用することができないし、条件の変わる毎
に分布の異なるガスインジェクターに取り換えることは
生産性の点から実用的ではない。
【０００９】したがって本発明の目的は、半導体装置の
特性を安定化し、歩留の向上、生産性の向上を図った縦
型拡散炉および拡散方法を提供することである。
特性を安定化し、歩留の向上、生産性の向上を図った縦
型拡散炉および拡散方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は特徴は、多数の
半導体基板を互いに所定の間隔を有して縦方向に配列し
たボートを炉心管内に載置し、前記半導体基板の側面方
向に設けられたガスインジェクターの小孔から不純物ガ
スを前記半導体基板に吹き付けて拡散処理を行う縦型拡
散炉において、前記多数の半導体基板のうち、上部に位
置する半導体基板に前記不純物ガスを吹き付ける第１の
ガスインジェクターと、中央部に位置する半導体基板に
前記不純物ガスを吹き付ける第２のガスインジェクター
と、下部に位置する半導体基板に前記不純物ガスを吹き
付ける第３のガスインジェクターとを有し、前記第１乃
至第３のガスインジェクターから吹き付ける前記不純物
ガスの量はそれぞれ独立に制御されている縦型拡散炉に
ある。ここで、前記第１乃至第３のガスインジェクター
に接続する配管はそれぞれの不純物容器から前記不純物
ガスを供給することが好ましい。さらに、前記第１乃至
第３のガスインジェクターから吹き出る前記不純物ガス
の流量はそれぞれのＭＦＣにより制御されることが好ま
しい。
半導体基板を互いに所定の間隔を有して縦方向に配列し
たボートを炉心管内に載置し、前記半導体基板の側面方
向に設けられたガスインジェクターの小孔から不純物ガ
スを前記半導体基板に吹き付けて拡散処理を行う縦型拡
散炉において、前記多数の半導体基板のうち、上部に位
置する半導体基板に前記不純物ガスを吹き付ける第１の
ガスインジェクターと、中央部に位置する半導体基板に
前記不純物ガスを吹き付ける第２のガスインジェクター
と、下部に位置する半導体基板に前記不純物ガスを吹き
付ける第３のガスインジェクターとを有し、前記第１乃
至第３のガスインジェクターから吹き付ける前記不純物
ガスの量はそれぞれ独立に制御されている縦型拡散炉に
ある。ここで、前記第１乃至第３のガスインジェクター
に接続する配管はそれぞれの不純物容器から前記不純物
ガスを供給することが好ましい。さらに、前記第１乃至
第３のガスインジェクターから吹き出る前記不純物ガス
の流量はそれぞれのＭＦＣにより制御されることが好ま
しい。
【００１１】本発明の他の特徴は、多数の半導体基板を
互いに所定の間隔を有して縦方向に配列したボートを炉
心管内に載置し、前記半導体基板の側面方向に設けられ
たガスインジェクターの小孔から不純物ガスを前記半導
体基板に吹き付けて拡散処理を行う拡散方法において、
前記多数の半導体基板のうち、上部に位置する半導体基
板に流量を第１のマス・フロー・コントローラーにより
制御された前記不純物ガスを第１のガスインジェクター
により吹き付け、中央部に位置する半導体基板に流量を
第２のマス・フロー・コントローラーにより制御された
前記不純物ガスを第２のガスインジェクターにより吹き
付け、下部中央部に位置する半導体基板に流量を第３の
マス・フロー・コントローラーにより制御された前記不
純物ガスを第３のガスインジェクターにより吹き付ける
拡散方法にある。ここで、前記第１乃至第３のガスイン
ジェクターに接続する配管はそれぞれの不純物容器から
前記不純物ガスを供給することが好ましい。この場合、
それぞれの前記不純物容器にはオキシ塩化リンが入って
おり、リンの拡散を前記半導体基板に行うことができ
る。
互いに所定の間隔を有して縦方向に配列したボートを炉
心管内に載置し、前記半導体基板の側面方向に設けられ
たガスインジェクターの小孔から不純物ガスを前記半導
体基板に吹き付けて拡散処理を行う拡散方法において、
前記多数の半導体基板のうち、上部に位置する半導体基
板に流量を第１のマス・フロー・コントローラーにより
制御された前記不純物ガスを第１のガスインジェクター
により吹き付け、中央部に位置する半導体基板に流量を
第２のマス・フロー・コントローラーにより制御された
前記不純物ガスを第２のガスインジェクターにより吹き
付け、下部中央部に位置する半導体基板に流量を第３の
マス・フロー・コントローラーにより制御された前記不
純物ガスを第３のガスインジェクターにより吹き付ける
拡散方法にある。ここで、前記第１乃至第３のガスイン
ジェクターに接続する配管はそれぞれの不純物容器から
前記不純物ガスを供給することが好ましい。この場合、
それぞれの前記不純物容器にはオキシ塩化リンが入って
おり、リンの拡散を前記半導体基板に行うことができ
る。
【００１２】このような本発明によれば、炉芯管長手方
向（縦方向）で、いろいろな条件に対応してガスの吹き
出し量を調整することにより、一回の処理で同時に処理
される１００〜１５０枚の半導体基板の表面に拡散され
る不純物拡散量のバッチ内均一性を向上させることがで
きる。
向（縦方向）で、いろいろな条件に対応してガスの吹き
出し量を調整することにより、一回の処理で同時に処理
される１００〜１５０枚の半導体基板の表面に拡散され
る不純物拡散量のバッチ内均一性を向上させることがで
きる。
【００１３】すなわち例えば、炉芯管下部に排気口が存
在する拡散炉において、排気に引かれることにより炉芯
管下部での不純物ガスの流量が不足するような場合は、
意図的に下部のガス流量を大きくすることにより半導体
表面での不純物の吸着量を均一化することができる。
在する拡散炉において、排気に引かれることにより炉芯
管下部での不純物ガスの流量が不足するような場合は、
意図的に下部のガス流量を大きくすることにより半導体
表面での不純物の吸着量を均一化することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【００１５】図１は実施の形態の縦型拡散炉の概要を示
す図である。
す図である。
【００１６】炉心管１の周囲に設けられたヒーター８に
より、炉心管内を所定の温度に加熱される。互いに所定
の間隔を維持して多数の半導体基板２が縦方向に配列し
て石英ボート３に装填されている。この石英ボート３は
それを支えるエレベーター１８により上下動及び回転が
可能である。
より、炉心管内を所定の温度に加熱される。互いに所定
の間隔を維持して多数の半導体基板２が縦方向に配列し
て石英ボート３に装填されている。この石英ボート３は
それを支えるエレベーター１８により上下動及び回転が
可能である。
【００１７】多数の半導体基板のうち上部に位置する半
導体基板に対して不純物ガスを吹き付ける複数の小孔１
１Ｓを縦方向に配列形成した第１のガスインジェクター
１１と、多数の半導体基板のうち中央部に位置する半導
体基板に対して不純物ガスを吹き付ける複数の小孔１２
Ｓを縦方向に配列形成した第２のガスインジェクター１
２と、多数の半導体基板のうち下部に位置する半導体基
板に対して不純物ガスを吹き付ける複数の小孔１３Ｓを
縦方向に配列形成した第３のガスインジェクター１３と
を有している。
導体基板に対して不純物ガスを吹き付ける複数の小孔１
１Ｓを縦方向に配列形成した第１のガスインジェクター
１１と、多数の半導体基板のうち中央部に位置する半導
体基板に対して不純物ガスを吹き付ける複数の小孔１２
Ｓを縦方向に配列形成した第２のガスインジェクター１
２と、多数の半導体基板のうち下部に位置する半導体基
板に対して不純物ガスを吹き付ける複数の小孔１３Ｓを
縦方向に配列形成した第３のガスインジェクター１３と
を有している。
【００１８】そして、第１のガスインジェクター１１は
その配管が第１のＭＦＣ２１を通して窒素ガス４１が導
入される第１の不純物ソース容器３１に結合し、第２の
ガスインジェクター１２はその配管が第２のＭＦＣ２２
を通して窒素ガス４２が導入される第２の不純物ソース
容器３２に結合し、第３のガスインジェクター１３はそ
の配管が第３のＭＦＣ２３を通して窒素ガス４３が導入
される第３の不純物ソース容器３３に結合している。
その配管が第１のＭＦＣ２１を通して窒素ガス４１が導
入される第１の不純物ソース容器３１に結合し、第２の
ガスインジェクター１２はその配管が第２のＭＦＣ２２
を通して窒素ガス４２が導入される第２の不純物ソース
容器３２に結合し、第３のガスインジェクター１３はそ
の配管が第３のＭＦＣ２３を通して窒素ガス４３が導入
される第３の不純物ソース容器３３に結合している。
【００１９】このように各々のガスインジェクター１
１，１２，１３にはそれぞれＭＦＣ２１，２２，２３が
備わっているから、それぞれ独立してガス流量の制御が
可能になっている。、各々のガスインジェクター１１，
１２，１３にはそれぞれ複数の吹き出し口である小孔１
１Ｓ，１２Ｓ，１３Ｓが形成されており、この小孔より
炉芯管内に主ガスである不純物ガスが供給される。ま
た、炉芯管内には別に酸素，窒素ガス等の副ガス４０を
供給するためのガス供給管７が備わっている。
１，１２，１３にはそれぞれＭＦＣ２１，２２，２３が
備わっているから、それぞれ独立してガス流量の制御が
可能になっている。、各々のガスインジェクター１１，
１２，１３にはそれぞれ複数の吹き出し口である小孔１
１Ｓ，１２Ｓ，１３Ｓが形成されており、この小孔より
炉芯管内に主ガスである不純物ガスが供給される。ま
た、炉芯管内には別に酸素，窒素ガス等の副ガス４０を
供給するためのガス供給管７が備わっている。
【００２０】実施の形態の拡散作業において、高温加熱
された炉芯管１内にエレベーター１８を上昇させ、半導
体基板２を装填した石英ボート３を挿入し、回転させ
る。
された炉芯管１内にエレベーター１８を上昇させ、半導
体基板２を装填した石英ボート３を挿入し、回転させ
る。
【００２１】次にオキシ塩化リン等の不純物がそれぞれ
入った第１，第２および第３の不純物ソース容器３１，
３２，３３内にＭＦＣ２１，２２，２３を通して窒素ガ
ス４１，４２，４３を吹き込むことにより不純物ソース
を気化させ、ガスインジェクター１１，１２，１３より
主ガスである不純物ガスを、炉芯管に備えられたガス供
給管７の吹き出し口より副ガス４０を導入する。このと
き主ガスは、ガスインジェクター１１，１２，１３に設
けられた吹き出し口である複数の小孔１１Ｓ，１２Ｓ，
１３Ｓよりそれぞれ吹き出され、半導体基板２中へリン
等の不純物の拡散処理が行われる。そしてこの際に主ガ
スの流用をそれぞれのＭＦＣで互いに独立に制御するこ
れにより、炉芯管上部，中央部，下部用の各インジェク
ターより均一な流量のガス（又は排気の影響を考慮し、
意図的に流量を変える場合もある）を炉芯管内に供給で
きる。これにより、ボート上に装填された同一バッチの
半導体基板の表面に供給される不純物（リン）量を均一
化でき、炉芯管内での半導体基板への不純物（リン）拡
散量の均一性を向上させ、同じ特性のリン拡散領域を形
成することができる。
入った第１，第２および第３の不純物ソース容器３１，
３２，３３内にＭＦＣ２１，２２，２３を通して窒素ガ
ス４１，４２，４３を吹き込むことにより不純物ソース
を気化させ、ガスインジェクター１１，１２，１３より
主ガスである不純物ガスを、炉芯管に備えられたガス供
給管７の吹き出し口より副ガス４０を導入する。このと
き主ガスは、ガスインジェクター１１，１２，１３に設
けられた吹き出し口である複数の小孔１１Ｓ，１２Ｓ，
１３Ｓよりそれぞれ吹き出され、半導体基板２中へリン
等の不純物の拡散処理が行われる。そしてこの際に主ガ
スの流用をそれぞれのＭＦＣで互いに独立に制御するこ
れにより、炉芯管上部，中央部，下部用の各インジェク
ターより均一な流量のガス（又は排気の影響を考慮し、
意図的に流量を変える場合もある）を炉芯管内に供給で
きる。これにより、ボート上に装填された同一バッチの
半導体基板の表面に供給される不純物（リン）量を均一
化でき、炉芯管内での半導体基板への不純物（リン）拡
散量の均一性を向上させ、同じ特性のリン拡散領域を形
成することができる。
【００２２】尚、実施の形態では３個のガスインジェク
ターの場合を説明したが、さらに均一性のある制御を４
個以上ガスインジェクターおよびそれぞれに結合するＭ
ＦＣ、不純物ソース容器を設けることもできる。
ターの場合を説明したが、さらに均一性のある制御を４
個以上ガスインジェクターおよびそれぞれに結合するＭ
ＦＣ、不純物ソース容器を設けることもできる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、炉
芯管の上部，中央部，下部用に複数のガスインジェクタ
ーを有し、各々独立してガス流量をコントロールするこ
とにより、バッチ内で半導体基板表面への不純物の吸着
量を均一化出来るから、バッチ内で半導体基板表面に拡
散される不純物の量を均一にすることができる。
芯管の上部，中央部，下部用に複数のガスインジェクタ
ーを有し、各々独立してガス流量をコントロールするこ
とにより、バッチ内で半導体基板表面への不純物の吸着
量を均一化出来るから、バッチ内で半導体基板表面に拡
散される不純物の量を均一にすることができる。
【００２４】このようにバッチ内（炉芯管長手方向）で
不純物の拡散量（不純物濃度）の均一性を向上させるこ
とができるため、例えばゲートポリシリコン膜中に拡散
される不純物量のバラツキを低減し、これをエッチング
して形成されるゲート電極の配線抵抗のバラツキを低減
させることができる。また、ゲートポリシリコン膜をエ
ッチングしてゲート電極を形成する際、ポリシリコン膜
中の不純物濃度のバラツキを低減できるためエッチング
レートを安定化させ、ゲート長のバラツキを低減でき
る。これにより、トランジスタのポリシリコンゲートの
配線抵抗やゲート長を安定化させ、半導体装置としての
歩溜まりを向上させることができる。
不純物の拡散量（不純物濃度）の均一性を向上させるこ
とができるため、例えばゲートポリシリコン膜中に拡散
される不純物量のバラツキを低減し、これをエッチング
して形成されるゲート電極の配線抵抗のバラツキを低減
させることができる。また、ゲートポリシリコン膜をエ
ッチングしてゲート電極を形成する際、ポリシリコン膜
中の不純物濃度のバラツキを低減できるためエッチング
レートを安定化させ、ゲート長のバラツキを低減でき
る。これにより、トランジスタのポリシリコンゲートの
配線抵抗やゲート長を安定化させ、半導体装置としての
歩溜まりを向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態の縦型拡散炉を示す側断面
図である。
図である。
【図２】従来技術の縦型拡散炉を示す側断面図である。
【図３】他の従来技術のガスインジェクターを示す図で
ある。
ある。
１ 炉芯管 ２ 半導体基板 ３ 石英ボート ７ ガス供給管 ８ ヒーター １１，１２，１３，１５ ガスインジェクター １１Ｓ，１２Ｓ，１３Ｓ，１５Ｓ 小孔（ガス吹き出
し口） １６ 噴出部 １６Ｓ 小孔 １７ ガス混合・加熱部 １８ エレベーター ２１，２２，２３，２５ ＭＦＣ ３１，３２，３３，３５ 不純物ソース容器 ４０ 副ガス（酸素ガス、窒素ガス） ４１，４２，４３，４５ 窒素ガス
し口） １６ 噴出部 １６Ｓ 小孔 １７ ガス混合・加熱部 １８ エレベーター ２１，２２，２３，２５ ＭＦＣ ３１，３２，３３，３５ 不純物ソース容器 ４０ 副ガス（酸素ガス、窒素ガス） ４１，４２，４３，４５ 窒素ガス
Claims (6)
- 【請求項１】 多数の半導体基板を互いに所定の間隔を
有して縦方向に配列したボートを炉心管内に載置し、前
記半導体基板の側面方向に設けられたガスインジェクタ
ーの小孔から不純物ガスを前記半導体基板に吹き付けて
拡散処理を行う縦型拡散炉において、前記多数の半導体
基板のうち、上部に位置する半導体基板に前記不純物ガ
スを吹き付ける第１のガスインジェクターと、中央部に
位置する半導体基板に前記不純物ガスを吹き付ける第２
のガスインジェクターと、下部に位置する半導体基板に
前記不純物ガスを吹き付ける第３のガスインジェクター
とを有し、前記第１乃至第３のガスインジェクターから
吹き付ける前記不純物ガスの量はそれぞれ独立に制御さ
れていることを特徴とする縦型拡散炉。 - 【請求項２】 前記第１乃至第３のガスインジェクター
に接続する配管はそれぞれの不純物容器から前記不純物
ガスを供給することを特徴とする請求項１記載の縦型拡
散炉。 - 【請求項３】 前記第１乃至第３のガスインジェクター
から吹き出る前記不純物ガスの流量はそれぞれのマス・
フロー・コントローラーにより制御されていることを特
徴とする請求項１記載の縦型拡散炉。 - 【請求項４】 多数の半導体基板を互いに所定の間隔を
有して縦方向に配列したボートを炉心管内に載置し、前
記半導体基板の側面方向に設けられたガスインジェクタ
ーの小孔から不純物ガスを前記半導体基板に吹き付けて
拡散処理を行う拡散方法において、前記多数の半導体基
板のうち、上部に位置する半導体基板に流量を第１のマ
ス・フロー・コントローラーにより制御された前記不純
物ガスを第１のガスインジェクターにより吹き付け、中
央部に位置する半導体基板に流量を第２のマス・フロー
・コントローラーにより制御された前記不純物ガスを第
２のガスインジェクターにより吹き付け、下部中央部に
位置する半導体基板に流量を第３のマス・フロー・コン
トローラーにより制御された前記不純物ガスを第３のガ
スインジェクターにより吹き付けることを特徴とする拡
散方法。 - 【請求項５】 前記第１乃至第３のガスインジェクター
に接続する配管はそれぞれの不純物容器から前記不純物
ガスを供給することを特徴とする請求項４記載の拡散方
法。 - 【請求項６】 それぞれの前記不純物容器にはオキシ塩
化リンが入っており、リンの拡散を前記半導体基板に行
うことを特徴とする請求項５記載の拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27905897A JPH11121389A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 縦型拡散炉および拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27905897A JPH11121389A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 縦型拡散炉および拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121389A true JPH11121389A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17605826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27905897A Pending JPH11121389A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 縦型拡散炉および拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121389A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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