JP2008207078A - 成膜装置、加熱装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理室内に配置された基板(100)上に塗布部(113)から液体を塗布することにより基板上に膜を形成する成膜装置を、処理室(107)を区画する壁(107a,107b,107d等)と、塗布部(113)を処理室に搬送する第1搬送部(105)と、基板の載置台(103)と、を有し、上記処理室(107)は、少なくとも上記壁、上記第1搬送部および上記載置台を有する部位により閉空間とされるよう構成する。かかる構成によれば、載置台と塗布部との距離を小さくすることができる。よって、処理室の容量を小さくすることができ、内部雰囲気の制御を容易にすることができる。例えば、その内部を不活性ガスでパージする際、パージに要する時間を低減でき、また、使用する不活性ガス量を少なくすることができる。
【選択図】図1
Description
<液滴吐出装置構成>
図1〜図3は、本実施の形態の液滴吐出装置(液体塗布装置、インクジェット装置)を示す図である。図1は、断面斜視図、図2は、上面図、図3は、断面図である。
次いで、図5〜図11を参照しながら上記構成の液滴吐出装置101を用いて基板100上に膜を形成する方法(成膜方法)について説明するとともに、本実施の形態の液滴吐出装置の構成や動作をさらに明確にする。図5〜図11は、本実施の形態の成膜方法を示す工程断面図である。
本実施の形態においては、基板搬送ステージ103、天井板105およびインクジェットヘッド113の他の構成例について説明する。なお、実施の形態1と対応する箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。
実施の形態1においては、図3において板状の搬送部103Bをスライドすることにより基板100を搬送したが、図12のようにベルトコンベアを用いて基板100を搬送してもよい。図12は、本実施の形態の液滴吐出装置および当該装置を用いた成膜方法を示す断面図である。
構成例2においては、処理室107底部のベルトコンベア103Bに昇降手段(104U)を設けた。図13は、本実施の形態の液滴吐出装置および当該装置を用いた成膜方法を示す断面図である。
構成例2においては、ベルトコンベア103Bに昇降手段(104U)を設けたが、天井板105に昇降手段を設け、インクジェットヘッド113を天井板105に昇降可能に組み込んでもよい。図14は、本実施の形態の液滴吐出装置および当該装置を用いた成膜方法を示す断面図である。
実施の形態1においては、図3のように天井板105にインクジェットヘッド113を組み込んだが、さらに、図15のようにランプ(加熱部、加熱手段)117を組み込んでもよい。
実施の形態3の図15においては、装置内に1つの処理室107を設けたが、装置内に2つの処理室を設けてもよい。
上記実施の形態1〜4においては、ノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド113を例に説明した(図2参照)が、インクジェットヘッド113の形状やノズル孔のレイアウトはこれに限られるものではない。
Claims (15)
- 第1処理室内に配置された基板上に塗布部から液体を塗布することにより前記基板上に膜を形成する成膜装置であって、
前記第1処理室を区画する壁と、
前記塗布部を前記第1処理室に搬送する第1搬送部と、
前記基板の載置台と、
を有し、
前記第1処理室は、少なくとも前記壁、前記第1搬送部および前記載置台を有する部位により閉空間とされることを特徴とする成膜装置。 - 前記載置台は、前記基板を前記第1処理室に搬送する第2搬送部を含むことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記載置台は、前記基板を前記第1処理室に搬送する第2搬送部を含み、前記第2搬送部は、前記基板の昇降手段を有することを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記第1成膜装置は、さらに、
前記処理室にガスを導入するガス供給手段を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の成膜装置。 - 前記第1成膜装置は、さらに、
前記第1処理室に不活性ガスを導入するガス供給手段を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の成膜装置。 - 前記壁は、開閉可能に構成された扉を有し、前記基板は、前記扉を介して搬送されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の成膜装置。
- 前記第1搬送部は、前記第1処理室の上部を覆う板状部材であり、前記板状部材に前記塗布部が組み込まれている、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の成膜装置。
- 前記第1搬送部は、前記第1処理室の上部を覆う板状部材であり、前記板状部材に前記塗布部が組み込まれており、前記塗布部は、前記板状部材の上部に突出するよう固定されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の成膜装置。
- 前記第1搬送部は、前記第1処理室の上部を覆う板状部材であり、前記板状部材に前記塗布部が組み込まれており、前記塗布部は、前記板状部材に上下可動に組み込まれていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の成膜装置。
- 前記成膜装置は、さらに、
前記塗布部が搬送される塗布準備室を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項記載の成膜装置。 - 前記成膜装置は、さらに、
加熱部を有し、
前記加熱部は、前記板状部材に組み込まれていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項記載の成膜装置。 - 前記成膜装置は、さらに、
加熱部と、
第2処理室と、を有し、
前記加熱部は、前記板状部材に組み込まれており、
前記塗布部が前記塗布準備室に位置する際に、前記加熱部は前記第1処理室に位置し、前記第2処理室上部は、前記板状部材で覆われることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項記載の成膜装置。 - 処理室内に配置された基板を加熱部により加熱する加熱装置であって、
前記処理室を区画する壁と、
前記加熱部を前記処理室に搬送する第1搬送部と、
前記基板を前記処理室に搬送する第2搬送部と、
を有し、
前記処理室は、前記壁、前記第1搬送部および前記第2搬送部を有する部位により閉空間とされることを特徴とする加熱装置。 - 処理室内に配置された基板上に塗布部から液体を塗布することにより前記基板上に膜を形成する成膜方法であって、
前記処理室に前記基板を搬送する工程と、
前記処理室にガスを導入する工程と、
第1搬送部により前記塗布部を前記処理室上に搬送する工程と、
前記塗布部により前記基板上に液体を塗布する工程と、
前記ガスが導入された塗布準備室に前記塗布部を搬送する工程と、
前記基板を前記処理室から搬送する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 塗布準備室に前記塗布部を搬送するとともに、前記第1搬送部により加熱部を前記処理室に搬送する工程と、
前記基板を前記加熱部により加熱する工程と、
を有することを特徴とする請求項14記載の成膜方法。
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JP2004255330A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Tokuyama Corp | 光重合装置 |
JP4341686B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2009-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
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